CN107586006B - 低温多晶硅玻璃的处理方法及其处理后得到的玻璃和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及液晶玻璃基板显示领域，公开了一种低温多晶硅玻璃的处理方法及其处理后得到的低温多晶硅玻璃和应用，其中，该方法包括以下步骤：(1)采用火焰加热的方式对低温多晶硅玻璃进行第一熔化处理，然后采用火焰加热和电加热结合的方式对经第一熔化处理后的玻璃液进行第二熔化处理；(2)采用电加热的方式将经第二熔化处理后的玻璃液进行澄清处理；以及(3)采用电加热的方式将经澄清处理后的玻璃液进行均化处理。在低温多晶硅玻璃的处理方法中，采用电加热与火焰加热相结合的加热方式，可以克服低温多晶硅玻璃难熔、热透性差、料性短的弊端，并且可以减少由此带来的气泡、结石、条纹等溶解不良缺陷。

Description

低温多晶硅玻璃的处理方法及其处理后得到的玻璃和应用
技术领域
本发明涉及液晶玻璃基板显示领域，具体涉及一种用于液晶玻璃基板显示领域的低温多晶硅玻璃及其制备方法和低温多晶硅玻璃板。
背景技术
低温多晶硅玻璃(LTPS玻璃)由于硅铝含量高，其中，SiO2的含量为60-63wt％；Al2O3的含量为17-20wt％。LTPS玻璃的熔化温度为1640℃，由于LTPS玻璃的熔化温度高、料性粘度大、热透性差，在窑池内对流、辐射、均化、热循环效率低；又由于LTPS玻璃熔化后料性短，在1630℃下流动性极差；以及工艺操作空间窄；容易产生气泡、结石、条纹等缺陷。溶解不良，均化不良使得良品率低。其一直是生产系统的不可逾越的障碍。
因此，研发一种以有效消除上述玻璃缺陷以提高产品良率的改进方法具有重要的现实意义。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种低温多晶硅玻璃的处理方法及其制备得到的低温多晶硅玻璃和应用。在低温多晶硅玻璃的处理方法中，采用电加热与火焰加热相结合的加热方式，可以克服低温多晶硅玻璃难熔、热透性差、料性短的弊端，并且可以减少由此带来的气泡、结石、条纹等溶解不良缺陷。
为了实现上述目的，本发明一方面提供了一种低温多晶硅玻璃的处理方法，其中，该方法包括以下步骤：(1)采用火焰加热的方式对低温多晶硅玻璃进行第一熔化处理，然后采用火焰加热和电加热结合的方式对经第一熔化处理后的玻璃液进行第二熔化处理；
(2)采用电加热的方式将经第二熔化处理后的玻璃液进行澄清处理；以及
(3)采用电加热的方式将经澄清处理后的玻璃液进行均化处理。
优选地，在步骤(1)中：
在第一熔化处理的过程中，火焰加热的温度为1645-1670℃；
在第二熔化处理的过程中，火焰加热的温度为1560-1575℃，电加热的温度为1645-1670℃；且在第二熔化处理过程中，火焰加热和电加热的总能量为5-8MJ/kg，其中，火焰加热的能量与电加热的能量的比为0.6-0.8：1；以及
经第二熔化处理后的玻璃液的粘度为200-250泊。
优选地，在步骤(2)中，在澄清处理的过程中，电加热的温度为1630-1680℃，以及经澄清处理后的玻璃液的粘度为220-240泊。
优选地，在步骤(2)中，所述澄清处理在澄清区域进行，且该澄清区域的澄清量为530-630Kg/m2，澄清区域的深度200-220mm。
优选地，在步骤(2)中，所述澄清区域设置有排气口。
优选地，在步骤(3)中，在均化处理的过程中，电加热的温度为1450-1520℃；以及经均化处理后的玻璃液的粘度为1500-1800泊。
优选地，在步骤(3)中，所述均化处理在机械搅拌的条件下进行，且搅拌速率为5-13转/分钟。
本发明还提供了一种由上述任意一项的处理方法制备得到的低温多晶硅玻璃。
优选地，所述低温多晶硅玻璃的所述低温多晶硅玻璃的密度为2.51-2.57g/cm3，膨胀系数为36×10-7/℃-37.5×10-7/℃，弹性模量为78.3-80.7GPa，透过率为91-97％，维氏硬度HV为625-680。
本发明还提供了上述所述的低温多晶硅玻璃在手机触摸屏和电脑显示屏中的应用。
通过上述技术方案，在低温多晶硅玻璃的处理方法中，采用电加热与火焰加热相结合的加热方式，可以克服低温多晶硅玻璃难熔、热透性差、料性短的弊端，并且可以减少由此带来的气泡、结石、条纹等溶解不良缺陷。
附图说明
图1是本发明提供的低温多晶硅玻璃的处理方法的工艺流程图。
附图标记说明
1排气口 2搅拌耙
具体实施方式
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
本发明一方面提供了一种低温多晶硅玻璃的处理方法，其中，该方法包括以下步骤：(1)采用火焰加热的方式对低温多晶硅玻璃进行第一熔化处理，然后采用火焰加热和电加热结合的方式对经第一熔化处理后的玻璃液进行第二熔化处理；(2)采用电加热的方式将经第二熔化处理后的玻璃液进行澄清处理；以及(3)采用电加热的方式将经澄清处理后的玻璃液进行均化处理。
根据本发明，在步骤(1)中，如图1中(1-1)熔化区域中：
首先，将待处理的低温多晶硅玻璃(生料)投入到玻璃窑炉的熔化池内，然后，采用火焰加热的方式对低温多晶硅玻璃进行第一熔化处理，其中，火焰加热的方式没有具体限定，可以为本领域技术人员所熟知的火焰加热方式，在本发明中，可以采用火焰燃烧器进行火焰加热，优选地，将所述火焰燃烧器布置在该玻璃窑炉的上部空间进行辐射加热，在本发明中，将所述火焰燃烧器布置在该玻璃窑炉的上部空间的具体位置没有特别限定，也就是说，所述火焰燃烧器的底端距离该玻璃窑炉的顶端的垂直距离没有具体限定，可以为本领域技术人员所熟知的方式布置，例如可以为40-50cm；
在步骤(1)中，在第一熔化处理的过程中，火焰加热的温度可以为1645-1670℃，优选为1650-1665℃，火焰加热的时间没有具体限定，可以为使玻璃窑炉的熔化池内的生料开始熔融直至完全熔化，具有流动性能和热透性时为止；
在步骤(1)中，在第一熔化处理的过程中，当玻璃窑炉的熔化池内的生料完全熔化形成玻璃液，且该玻璃液覆盖熔化池内的加热电极时，开启电加热方式，也就是说，开始进行第二熔化处理过程，即，采用火焰加热和电加热结合的方式对经第一熔化处理后的玻璃液进行第二熔化处理，其中，电极加热的方式没有具体限定，可以为本领域技术人员所熟知的电极加热方式，优选地，将电极布置在该玻璃窑炉的熔化池的底部和熔化池的侧壁；在本发明中，当玻璃液的粘度达到粘温曲线的对应值时，逐步调低玻璃窑炉上部的空间温度，相应地增加熔化池内的电加热功率；其中，在第二熔化处理过程中，火焰加热和电加热的总能量可以为5-8MJ/kg，优选为6-7MJ/kg，以及火焰加热的能量与电加热的能量的比可以为0.6-0.8：1；优选为0.65-0.75：1；
在步骤(1)中，在第二熔化处理的过程中，火焰加热的温度可以为1560-1575℃，优选为1565-1570℃；电加热的温度可以为1645-1670℃，优选为1650-1665℃；且以及
经第二熔化处理后的玻璃液的粘度可以为200-250泊，优选为210-230泊；
在步骤(1)中，相对于外部环境玻璃窑炉内压力可以为10-15Pa，玻璃窑炉周围环境温度可以为28-32℃。
根据本发明的一种优选的实施方式，其中，该处理方法包括以下步骤：(1)采用火焰加热的方式对低温多晶硅玻璃进行第一熔化处理，当经第一熔化处理后的玻璃液覆盖电加热的电极时，采用火焰加热和电加热结合的方式对经第一熔化处理后的玻璃液进行第二熔化处理；
其中，在第一熔化处理的过程中，火焰加热的温度为1645-1670℃；
其中，在第二熔化处理过程中，火焰加热和电加热的总能量为5-8MJ/kg，其中，火焰加热的能量与电加热的能量的比为0.6-0.8：1；
其中，在第二熔化处理的过程中，火焰加热的温度为1560-1575℃；电加热的温度为1645-1670℃；且以及
经第二熔化处理后的玻璃液的粘度为200-250泊。
(2)采用电加热的方式将经第二熔化处理后的玻璃液进行澄清处理；以及
(3)采用电加热的方式将经澄清处理后的玻璃液进行均化处理。
在本发明中，满足上述条件，可以在熔化池内形成强制熔化氛围，形成玻璃窑炉内强制气、液、固相强制反应交换氛围，形成熔化池内玻璃液强制环流条件。
根据本发明，将经步骤(1)第二熔化处理后的玻璃液在内部通过环流作用，流至澄清区域，进行澄清处理，如图1中(1-2)澄清区域：
优选地，在步骤(2)中，在澄清处理的过程中，电加热的温度可以为1630-1680℃，优选为1640-1670℃，以及经澄清处理后的玻璃液的粘度可以为220-240泊，优选为225-235泊；
优选地，在步骤(2)中，所述澄清处理在澄清区域进行，且该澄清区域的澄清量为530-630Kg/m2，澄清区域的深度200-220mm；
优选地，在步骤(2)中，所述澄清区域设置有排气口，如图1中标记为1所示。
根据本发明的另一种优选的实施方式，其中，该处理方法包括以下步骤：(1)采用火焰加热的方式对低温多晶硅玻璃进行第一熔化处理，当经第一熔化处理后的玻璃液覆盖电加热的电极时，采用火焰加热和电加热结合的方式对经第一熔化处理后的玻璃液进行第二熔化处理；
其中，在第一熔化处理的过程中，火焰加热的温度为1645-1670℃；
其中，在第二熔化处理过程中，火焰加热和电加热的总能量为5-8MJ/kg，其中，火焰加热的能量与电加热的能量的比为0.6-0.8：1；
其中，在第二熔化处理的过程中，火焰加热的温度为1560-1575℃；电加热的温度为1645-1670℃；且以及
经第二熔化处理后的玻璃液的粘度为200-250泊。
(2)采用电加热的方式将经第二熔化处理后的玻璃液进行澄清处理；
其中，在澄清处理的过程中，电加热的温度为1630-1680℃，以及经澄清处理后的玻璃液的粘度为220-240泊；
其中，所述澄清处理在澄清区域进行，且该澄清区域的澄清量为530-630Kg/m2，澄清区域的深度200-220mm；
其中，所述澄清区域设置有排气口；
(3)采用电加热的方式将经澄清处理后的玻璃液进行均化处理。
在本发明中，满足上述条件，不但能够提高熔化效果，还可以顺利的将玻璃液中的气泡，通过上部排气口，排放到体外，消除气泡缺陷。
根据本发明，将经步骤(2)澄清处理后的玻璃液晶过后方的拉引和自流作用，流至均化区域，进行均化处理，如图1中(1-3)均化区域：
优选地，在步骤(3)中，在均化处理的过程中，电加热的温度可以为1450-1520℃，优选为1460-1510℃；以及经均化处理后的玻璃液的粘度可以为1500-1800泊，优选为1600-1700泊。
优选地，在步骤(3)中，所述均化处理在机械搅拌的条件下进行，且搅拌速率为5-13转/分钟；在本发明中，进行机械搅拌的设备没有具体限定，可以为本领域技术人员的常规选择，在本发明中，选择搅拌耙进行强制搅拌均化，如图1中标记为2所示；其中，将该搅拌耙均匀布置在玻璃液流向的横断面上，搅拌耙的数量可以为1-10只，进一步地，该搅拌耙的数量优选为单只，例如优选为1只、3只、5只、7只或9只，且将搅拌耙布置在玻璃液流向的横断面80％以上的宽度，优选为80-90％的宽度，以及该搅拌耙的耙爪需要插入到搅拌池80％以上的深度，优选为85-90％的深度，这样可以充分搅拌均化。
根据本发明的另一种优选的实施方式，其中，该处理方法包括以下步骤：(1)采用火焰加热的方式对低温多晶硅玻璃进行第一熔化处理，当经第一熔化处理后的玻璃液覆盖电加热的电极时，采用火焰加热和电加热结合的方式对经第一熔化处理后的玻璃液进行第二熔化处理；
其中，在第一熔化处理的过程中，火焰加热的温度为1645-1670℃；
其中，在第二熔化处理过程中，火焰加热和电加热的总能量为5-8MJ/kg，其中，火焰加热的能量与电加热的能量的比为0.6-0.8：1；
其中，在第二熔化处理的过程中，火焰加热的温度为1560-1575℃；电加热的温度为1645-1670℃；且以及
经第二熔化处理后的玻璃液的粘度为200-250泊。
(2)采用电加热的方式将经第二熔化处理后的玻璃液进行澄清处理；
其中，在澄清处理的过程中，电加热的温度为1630-1680℃，以及经澄清处理后的玻璃液的粘度为220-240泊；
其中，所述澄清处理在澄清区域进行，且该澄清区域的澄清量为530-630Kg/m2，澄清区域的深度200-220mm；
其中，所述澄清区域设置有排气口；
(3)采用电加热的方式将经澄清处理后的玻璃液进行均化处理；
其中，在均化处理的过程中，电加热的温度为1450-1520℃；以及经均化处理后的玻璃液的粘度为1500-1800泊；
其中，所述均化处理在搅拌耙的机械搅拌的条件下进行，且搅拌速率为5-13转/分钟；搅拌耙的数量为为1-10只，且将搅拌耙布置在玻璃液流向的横断面80％以上的宽度，以及该搅拌耙的耙爪需要插入到搅拌池为80％以上的深度。
在本发明中，满足上述条件，不但能够提高熔化效果，提高澄清效率，还可以消除结石、条纹缺陷，可以获得成份均化、粘度均化的稳定优质的玻璃液。
本发明还提供了一种由上述任意一项的处理方法制备得到的低温多晶硅玻璃。
优选地，所述低温多晶硅玻璃所述低温多晶硅玻璃的密度为2.51-2.57g/cm3，膨胀系数在50-350℃为36×10-7/℃-37.5×10-7/℃，弹性模量为78.3-80.7GPa，透过率为91-97％，维氏硬度HV为625-680；更优选地，所述低温多晶硅玻璃的密度为2.55-2.57g/cm3，膨胀系数为37×10-7/℃-37.5×10-7/℃，弹性模量为79-80.7GPa，透过率为94-97％，维氏硬度HV为640-670。
本发明还提供了上述所述的低温多晶硅玻璃在手机触摸屏和电脑显示屏中的应用。
以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
以下实施例和对比例中，如无特别说明，所用的材料均可通过商购获得，如无特别说明，所用的方法为本领域的常规方法。
气泡：根据标准GBT 5949-1986进行测定。
条纹：根据标准GB/T 7962.7-1987进行测定。
结石：根据GB/T 1549-1994。
低温多晶硅玻璃购自华星光电公司或厦门天马公司。
密度根据标准GB/T5432-2008进行测定。
玻璃线膨胀系数根据标准ASTM E-228进行测定。
弹性模量根据标准JC/T 678-1997进行测定。
透过率根据标准GB/T 7962.12-2010进行测定。
维氏硬度执行GB/T4340.2国家标准JJG151检定规程进行测定。
平板玻璃表面硬度测试仪型号为HV-1000CCD。
实施例1
本实施例说明本发明的低温多晶硅玻璃的处理方法及其制备的低温多晶硅玻璃。
(1)将待处理的低温多晶硅玻璃(生料)投入到玻璃窑炉的熔化池中，如图1所示的(1-1)的熔化区域，首先，点燃布置于玻璃窑炉的上部空间的火焰燃烧器，使火焰加热的温度为1645℃，进行第一熔化处理，使熔化池内的生料开始熔融直至完全熔化，具备流动性能和热透性，当熔化池内的生料完全熔化形成玻璃液，且该玻璃液覆盖熔化池内的加热电极时，开启玻璃窑炉内的电加热，进行第二熔化处理，其中，火焰加热的温度为1560℃；电加热的温度为1645℃；火焰加热和电加热的总能量为5MJ/kg，其中，火焰加热的能量与电加热的能量的比为0.6：1；以及
经第二熔化处理后的玻璃液的粘度为200泊；
(2)将经步骤(1)熔化处理后的玻璃液在内部通过环流作用，流至澄清区域进行澄清处理，如图1所示的(1-2)的澄清区域，该澄清区域设置有排气口；该澄清区域的澄清量为530Kg/m2，澄清区域的深度为200mm；在进行澄清处理的过程中，电加热的温度为1630℃，以及经澄清处理后的玻璃液的粘度为220泊；
(3)将经步骤(2)澄清处理后的玻璃液经过后方的拉引和自流作用，流至均化区域，如图1所示的(1-3)的均化区域，该区域设置有9只搅拌耙，且将搅拌耙布置在玻璃液流向的横断面85％的宽度，以及该搅拌耙的耙爪需要插入到搅拌池90％的深度，且搅拌速率为5转/分钟；在进行均化处理的过程中，电加热的温度为1450℃；以及经均化处理后的玻璃液的粘度为1500泊。
生料经过上述熔化、澄清、均化处理后，获得的低温多晶硅玻璃的密度为2.57g/cm3，膨胀系数在50℃为36.5×10-7/℃，弹性模量为80.7GPa，透过率为97％，维氏硬度HV为670；以及检测
气泡：气泡直径d≤0.1mm；在500mm×500mm范围内，气泡少于1个，产品气泡缺陷率小于1.5％；
条纹：光照检测法，条纹等级为2级；
结石：结石直径0.05≤d≤0.1mm；在500mm×500mm范围内，结石少于2个，产品结石缺陷率小于1.5％。
综上，可以获得成份均一稳定优质的玻璃液，条纹、气泡、结石等缺陷指标，均满足优质品要求。
采用实施例1制备的低温多晶硅玻璃在手机触摸屏和电脑显示屏中的应用。
实施例2
本实施例说明本发明的低温多晶硅玻璃的处理方法及其制备的低温多晶硅玻璃。
(1)将待处理的低温多晶硅玻璃(生料)投入到玻璃窑炉的熔化池中，如图1所示的(1-1)的熔化区域，首先，点燃布置于玻璃窑炉的上部空间的火焰燃烧器，使火焰加热的温度为1670℃，进行第一熔化处理，使熔化池内的生料开始熔融直至完全熔化，具备流动性能和热透性，当熔化池内的生料完全熔化形成玻璃液，且该玻璃液覆盖熔化池内的加热电极时，开启玻璃窑炉内的电加热，进行第二熔化处理，其中，火焰加热的温度为1575℃；电加热的温度为1670℃；火焰加热和电加热的总能量为8MJ/kg，其中，火焰加热的能量与电加热的能量的比为0.8：1；以及
经第二熔化处理后的玻璃液的粘度为250泊；
(2)将经步骤(1)熔化处理后的玻璃液在内部通过环流作用，流至澄清区域进行澄清处理，如图1所示的(1-2)的澄清区域，该澄清区域设置有排气口；该澄清区域的澄清量为630Kg/m2，澄清区域的深度为220mm；在进行澄清处理的过程中，电加热的温度为1680℃，以及经澄清处理后的玻璃液的粘度为240泊；
(3)将经步骤(2)澄清处理后的玻璃液经过后方的拉引和自流作用，流至均化区域，如图1所示的(1-3)的均化区域，该区域设置有7只搅拌耙，且将搅拌耙布置在玻璃液流向的横断面90％的宽度，以及该搅拌耙的耙爪需要插入到搅拌池95％的深度，且搅拌速率为13转/分钟；在进行均化处理的过程中，电加热的温度为1520℃；以及经均化处理后的玻璃液的粘度为1800泊。
生料经过上述熔化、澄清、均化处理后，获得的低温多晶硅玻璃的密为2.56g/cm3，膨胀系数在350℃为37×10-7/℃，弹性模量为80GPa，透过率为96％，维氏硬度HV为665；以及检测
气泡：气泡直径d≤0.1mm；在500mm×500mm范围内，气泡少于2个，产品气泡缺陷率小于1.5％；
条纹：光照检测法，条纹等级为2.5级；
结石：结石直径0.05≤d≤0.1mm；在500mm×500mm范围内，少于2.5个，产品结石缺陷率小于1.5％。
综上，可以获得成份均一稳定优质的玻璃液，条纹、气泡、结石等缺陷指标，均满足优质品要求。
采用实施例2制备的低温多晶硅玻璃在手机触摸屏和电脑显示屏中的应用。
实施例3
本实施例说明本发明的低温多晶硅玻璃的处理方法及其制备的低温多晶硅玻璃。
(1)将待处理的低温多晶硅玻璃(生料)投入到玻璃窑炉的熔化池中，如图1所示的(1-1)的熔化区域，首先，点燃布置于玻璃窑炉的上部空间的火焰燃烧器，使火焰加热的温度为1665℃，进行第一熔化处理，使熔化池内的生料开始熔融直至完全熔化，具备流动性能和热透性，当熔化池内的生料完全熔化形成玻璃液，且该玻璃液覆盖熔化池内的加热电极时，开启玻璃窑炉内的电加热，进行第二熔化处理，其中，火焰加热的温度为1570℃；电加热的温度为1665℃；火焰加热和电加热的总能量为7MJ/kg，其中，火焰加热的能量与电加热的能量的比为0.75：1；以及
经第二熔化处理后的玻璃液的粘度为230泊；
(2)将经步骤(1)熔化处理后的玻璃液在内部通过环流作用，流至澄清区域进行澄清处理，如图1所示的(1-2)的澄清区域，该澄清区域设置有排气口；该澄清区域的澄清量为600Kg/m2，澄清区域的深度为210mm；在进行澄清处理的过程中，电加热的温度为1670℃，以及经澄清处理后的玻璃液的粘度为235泊；
(3)将经步骤(2)澄清处理后的玻璃液经过后方的拉引和自流作用，流至均化区域，如图1所示的(1-3)的均化区域，该区域设置有7只搅拌耙，且将搅拌耙布置在玻璃液流向的横断面90％的宽度，以及该搅拌耙的耙爪需要插入到搅拌池95％的深度，且搅拌速率为13转/分钟；在进行均化处理的过程中，电加热的温度为1510℃；以及经均化处理后的玻璃液的粘度为1700泊。
生料经过上述熔化、澄清、均化处理后，获得的低温多晶硅玻璃的密为2.54g/cm3，膨胀系数在350℃为37.5×10-7/℃，弹性模量为79GPa，透过率为94％，维氏硬度HV为650；以及检测
气泡：气泡直径d≤0.1mm；在500mm×500mm范围内，气泡少于2.5个，产品气泡缺陷率小于1.5％；
条纹：光照检测法，条纹等级为3级；
结石：结石直径0.05≤d≤0.1mm；在500mm×500mm范围内，结石少于3个，产品结石缺陷率小于1.5％。
综上，可以获得成份均一稳定优质的玻璃液，条纹、气泡、结石等缺陷指标，均满足优质品要求。
采用实施例3制备的低温多晶硅玻璃在手机触摸屏和电脑显示屏中的应用。
对比例1
按照实施例1的方法处理低温多晶硅玻璃，不同的是，在步骤(1)中没有进行火焰加热，仅仅采用了电加热进行加热处理；
结果获得的玻璃的密度为2.51g/cm3，膨胀系数在350℃为39×10-7/℃，弹性模量为75GPa，透过率为91％，维氏硬度HV为620；以及检测
气泡：气泡直径d≤0.3mm；在500mm×500mm范围内，气泡多于9个，产品气泡缺陷率大于8％；
条纹：光照检测法，条纹等级为4.5级；
结石：结石直径0.1≤d≤3mm；在500mm×500mm范围内，结石多于5个，产品结石缺陷率大于7％。
综上，不能够获得成份均一稳定优质的玻璃液，条纹、气泡、结石等缺陷指标，均不能满足优质品要求。
对比例2
按照实施例1的方法处理低温多晶硅玻璃，不同的是，在步骤(1)中没有进行电加热，仅仅采用了火焰加热进行加热处理；
结果获得的玻璃的密度为2.45g/cm3，膨胀系数在350℃为39×10-7/℃，弹性模量为77GPa，透过率为85％，维氏硬度HV为610；以及检测
气泡：气泡直径d≤2mm；在500mm×500mm范围内，气泡多于10个，产品气泡缺陷率大于10％；
条纹：光照检测法，条纹等级为4级；
结石：结石直径1≤d≤3mm；在500mm×500mm范围内，结石多于8个，产品结石缺陷率大12％。
综上，不能够获得成份均一稳定优质的玻璃液，条纹、气泡、结石等缺陷指标，均不能满足优质品要求。
对比例3
按照实施例1的方法处理低温多晶硅玻璃，不同的是，在步骤(2)中，该澄清区域没有设置排气口，以及该澄清区域的澄清量为300Kg/m2，澄清区域的深度为150mm；
结果获得的玻璃的密度为2.50g/cm3，膨胀系数在350℃为39×10-7/℃；弹性模量为72GPa，透过率为85％，维氏硬度HV为610；以及检测
气泡：气泡直径d≤3mm；在500mm×500mm范围内，气泡多于8个，产品气泡缺陷率大于8％；
条纹：光照检测法，条纹等级为4.5级；
结石：结石直径d≤4mm；在500mm×500mm范围内，结石大于12个，产品结石缺陷率大于13％。
综上，不能够获得成份均一稳定优质的玻璃液，条纹、气泡、结石等缺陷指标，均不能满足优质品要求。
对比例4
按照实施例1的方法处理低温多晶硅玻璃，不同的是，在步骤(3)中，没有使用搅拌耙在剥离液中进行搅拌；
结果获得的玻璃的密度为2.52g/cm3，膨胀系数在350℃为39×10-7/℃；弹性模量为76GPa，透过率为93％，维氏硬度HV为615；以及检测
气泡：气泡直径d≤3mm；在500mm×500mm范围内，气泡大于12个，产品气泡缺陷率大于9％；
条纹：光照检测法，条纹等级为4.5级；
结石：结石直径d≤3mm；在500mm×500mm范围内，结石大于13个，产品结石缺陷率大于14％。
综上，不能够获得成份均一稳定优质的玻璃液，条纹、气泡、结石等缺陷指标，均不能满足优质品要求。
根据上述实施例1-3以及对比例1-4的结果可知：在低温多晶硅玻璃的处理方法中，采用电加热与火焰加热相结合的加热方式，可以克服低温多晶硅玻璃难熔、热透性差、料性短的弊端，并且可以减少由此带来的气泡、结石、条纹等溶解不良缺陷。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种低温多晶硅玻璃的处理方法，其特征在于，该方法包括：
(1)采用火焰加热的方式对低温多晶硅玻璃进行第一熔化处理，然后采用火焰加热和电加热结合的方式对经第一熔化处理后的玻璃液进行第二熔化处理；其中，在第一熔化处理的过程中，火焰加热的温度为1645-1670℃；
在第二熔化处理的过程中，火焰加热的温度为1560-1575℃，电加热的温度为1645-1670℃；且在第二熔化处理的过程中，火焰加热和电加热的总能量为5-8MJ/kg，其中，火焰加热的能量与电加热的能量的比为0.6-0.8：1；
经第二熔化处理后的玻璃液的粘度为200-250泊；
(2)采用电加热的方式将经第二熔化处理后的玻璃液进行澄清处理；其中，在澄清处理的过程中，电加热的温度为1630-1680℃，以及经澄清处理后的玻璃液的粘度为220-240泊；所述澄清处理在澄清区域进行，且该澄清区域的澄清量为530-630Kg/m2，澄清区域的深度200-220mm；
(3)采用电加热的方式将经澄清处理后的玻璃液进行均化处理；其中，在均化处理的过程中，电加热的温度为1450-1520℃；以及经均化处理后的玻璃液的粘度为1500-1800泊，所述均化处理在机械搅拌的条件下进行，且搅拌速率为5-13转/分钟；
所述低温多晶硅玻璃的密度为2.51-2.57g/cm3，膨胀系数为36×10-7/℃-37.5×10-7/℃，弹性模量为78.3-80.7GPa，透过率为91-97％，维氏硬度HV为625-680。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其中，在步骤(2)中，所述澄清区域设置有排气口。
3.一种由权利要求1或2所述的处理方法制备得到的低温多晶硅玻璃。
4.一种权利要求3所述的低温多晶硅玻璃在手机触摸屏和电脑显示屏中的应用。
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