CN107579651A - 二极管逆向漏电流的泄放电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种二极管逆向漏电流的泄放电路,其包括:一输入正极端、一输入负极端、一输出正极端、一输出负极端、一第一二极管及一电流源装置。该输出正极端与该输入正极端耦接,该输出负极端与该输入负极端耦接。该第一二极管的阳极端耦接于该输入正极端,而阴极端耦接于该输出正极端。该电流源装置的一端耦接于该第一二极管的阳极端,而另一端耦接于该输入负极端与该输出负极端之间。其中,当输入电压断开时,由于该电流源装置的电流值稍大于二极管逆向漏电流IR,便可将电流源装置两端电压拉至足够低,可达1V以下。当输入电压正常运作于高压时,该电流源装置仍然动作,但由于P=VI,因此损耗与输入电压成正比,而达到低损耗的目的。
Description
技术领域
本发明是有关于一种二极管逆向漏电流的泄放电路,且特别是有关于一种可降低损耗的电路。
背景技术
在DC/DC转换器设计中,输入端会遇到「逆向反接保护」的规格要求,这时会用一个主动开关如BJT、MOSFET甚至是继电器进行输入断开的保护动作,为达成此一保护功能所增加的成本相当高。因此在较经济的设计前提下,通常会使用萧特基二极管达成,萧特基二极管具有低顺偏电压、使用简单以及响应迅速的优点,广泛用于输入端逆偏保护,其接法如图1所示,图1使用D1与D2两个二极管在输入反接电压至A、B点时,可完全将输出端C、D点断开隔离,达成保护功能。
但图1做法有一缺点,由于萧特基二极管存在一定的逆向漏电流IR,通常是数十~数百uA,因此当CD端电压存在时,若移除输入电压,漏电流IR会持续对AB端进行充电而保持高电压,这在某些应用场合是不允许的。
为解决以上问题,可在AB端加入泄放电阻(请参考图2),将IR漏电流形成一路径,此时AB端电压为VAB=IR*R1,箝制AB电压。但在某些应用场合,需要将AB端电压限制于非常低的电压准位(低于1~2V),因此必须使用低电阻值R1,例如数KΩ~10KΩ以箝制AB端电压。但在电路正常运作时,AB端会跨一高压直流,R1的持续连接AB端,根据p=V2/R,将会使得R1损耗极大,可达1W以上,造成无谓功率损失。
发明内容
为达上述或其他目的,本发明提出一种二极管逆向漏电流的泄放电路,其包括:一输入正极端、一输入负极端、一输出正极端、一输出负极端、一第一二极管及一电流源装置。该输出正极 端与该输入正极端耦接,该输出负极端与该输入负极端耦接。该第一二极管的阳极端耦接于该输入正极端,而阴极端耦接于该输出正极端。该电流源装置的一端耦接于该第一二极管的阳极端,而另一端耦接于该输入负极端与该输出负极端之间。其中,当输入电压断开时,由于该电流源装置的电流值稍大于二极管逆向漏电流IR,便可将电流源装置两端电压拉至足够低,可达1V以下。当输入电压正常运作于高压时,该电流源装置仍然动作,但由于P=VI,因此损耗与输入电压成正比,而达到低损耗的目的。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例并配合所附图式做详细说明如下。
附图说明
图1为习知技术的电路示意图1。
图2为习知技术的电路示意图2。
图3为本发明第一较佳实施例的电路示意图。
图4为本发明第二较佳实施例的电路示意图。
图5为本发明第三较佳实施例的电路示意图。
图6为本发明第四较佳实施例的电路示意图。
图7为本发明第五较佳实施例的电路示意图。
图8为本发明第六较佳实施例的电路示意图1。
图9为本发明第六较佳实施例的电路示意图2。
图10为本发明第六较佳实施例的电路示意图3。
图11为本发明第七较佳实施例的电路示意图。
图12为本发明第八较佳实施例的电路示意图。
具体实施方式
请参阅图3所示,其为本发明第一较佳实施例的电路示意图。本发明提出一种二极管逆向漏电流的泄放电路,其包括:一输入 正极端(10)、一输入负极端(11)、一输出正极端(12)、一输出负极端(13)、一第一二极管(20)及一电流源装置(30)。该输出正极端(12)与该输入正极端耦接(10),该输出负极端(13)与该输入负极端(11)耦接。该第一二极管(20)的阳极端耦接于该输入正极端(10),而阴极端耦接于该输出正极端(12)。该电流源装置的一端耦接于该第一二极管(20)的阳极端,而另一端耦接于该输入负极端与该输出负极端之间。其中,该电流源装置(30)可为一定电流二极管或其他等效组件,并不依此为限制。
本实施例在输入正极端(10)及该输入负极端(11)之间设置该电流源装置(30),当输入电压断开时,由于该电流源装置的电流值可大于流通过该第一二极管(20)逆向漏电流的电流值,以至于该电流源装置(30)两端的电压差将可降低约1V以下。当输入电压正常运作供电时,该电流源装置(30)仍然继续动作,由于P=VI,使得损耗将与输入电压成正比,因此当电压差V值在相当低状况下,其与习知以电阻的损耗差异甚大。
请再参阅图4,其与前一实施例的差异在于进一步包含有一第二二极管(21),该第二二极管(21)的阳极端耦接于该电源流装置(30)的另一端,而该第二二极管(21)的阴极端耦接于该输入负极端(11)与该输出负极端(13)之间。该第二二极管(21)主要可用来保护该电源流装置(30),以避免损毁。
请参阅图5及图6,其与前二实施例的差异在于更进一步具有一第三二极管(21),该第三二极管的阳极端耦接于该输出负极端,而该第三二极管的阴极端耦接于该输入负极端。该第三二极管(22)主要可用来保护整体电路,以避免损毁。其中,此两实施例中,该该电源流装置(30)的另一端及该第二二极管(21)的阴极端均仅显示耦接于该第三二极管(22)的阴极端,若耦接于该第三二极管(22)的阳极端亦是可施行的实施例,并非仅局限于途中的实施方式。
再请参阅图7,其与图4实施例的差异在于该第二二极管(21) 以一发光组件(23)取代,该发光组件(23)的一端耦接于该电源流装置(30)的另一端,而发光组件(23)的另一端耦接于该输入负极端(11)与该输出负极端(13)之间。该发光组件(23)可为LED,因LED需处于定电流的状态下才可稳定发光,藉此可利用来显示该电流源装置(30)在保护功能状态下是否在运作。
再请参阅图8,其与先前实施例不同在于该电源流装置(30)可为可调式电路,藉由一外部讯号(S)对该电流源装置(30)进行电流的调整。其中该可调式线路为电流镜线路,可参阅图9及图10所示,图9的电流镜线路是以双BJT组件所组成,而图10的电流镜线路则是以双FET组件组成(前述实施例仅是为例,并非依此为限制)。
最后,请参阅图11及图12,其分别与第一及第二实施例不同在于该第一二极管(20)的位置,而其他功能完全一致,图11及图12所示的该第一二极管(20)主要是将其阳极端耦接于该输出负极端,而阴极端则是耦接于该输入负极端,藉此达到与第一及第二实施例相同的功效。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟习此技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当是权利要求所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种二极管逆向漏电流的泄放电路,其特征在于包括:
一输入正极端;
一输入负极端;
一输出正极端,其与该输入正极端耦接;
一输出负极端,其与该输入负极端耦接;
一第一二极管,其阳极端耦接于该输入正极端,而阴极端耦接于该输出正极端;以及
一电流源装置,其一端耦接于该第一二极管的阳极端,而另一端耦接于该输入负极端与该输出负极端之间。
2.如权利要求1所述的二极管逆向漏电流的泄放电路,其特征在于进一步包括有一第二二极管,该第二二极管的阳极端耦接于该电源流装置的另一端,而该第二二极管的阴极端耦接于该输入负极端与该输出负极端之间。
3.如权利要求1所述的二极管逆向漏电流的泄放电路,其特征在于进一步包括有一第三二极管,该第三二极管的阳极端耦接于该输出负极端,而该第三二极管的阴极端耦接于该输入负极端,而该电流源装置的另一端耦接于该第三二极管的阳极端或阴极端。
4.如权利要求2所述的二极管逆向漏电流的泄放电路,其特征在于进一步包括有一第三二极管,该第三二极管的阳极端耦接于该输出负极端,而该第三二极管的阴极端耦接于该输入负极端,而该第二二极管的阴极端耦接于该第三二极管的阳极端或阴极端。
5.如权利要求3或4所述的二极管逆向漏电流的泄放电路,其特征在于该电流源装置为一定电流二极管。
6.如权利要求1所述的二极管逆向漏电流的泄放电路,其特征在于进一步包括有一发光组件,该发光组件的一端耦接于该电源流装置的另一端,而该发光组件的另一端耦接于该输入负极端与该输出负极端之间。
7.如权利要求1所述的二极管逆向漏电流的泄放电路,其特征在于该电流源装置为可调式线路,其可依据一外部讯号对该电流源装置进行电流的调整。
8.如权利要求7所述的二极管逆向漏电流的泄放电路,其特征在于该可调式线路为电流镜线路。
9.一种二极管逆向漏电流的泄放电路,其特征在于包括:
一输入正极端;
一输入负极端;
一输出正极端,其与该输入正极端耦接;
一输出负极端,其与该输入负极端耦接;
一第一二极管,其阳极端耦接于该输出负极端,而阴极端耦接于该输入负极端;以及
一电流源装置,其一端耦接于该输入正极端与该输出正极端之间,而另一端耦接于该第一二极管的阴极端。
10.如权利要求9所述的二极管逆向漏电流的泄放电路,其特征在于进一步包括有一第二二极管,该第二二极管的阳极端耦接于该电源流装置的另一端,而该第二二极管的阴极端耦接于该第一二极管的阴极端。
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