CN207743687U - 一种具有保护功能的辅助电源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种具有保护功能的辅助电源，包括AC/DC模块、DC/DC模块、输出保护模块，其中所述输出保护模块包括可控型开关器件、第一电阻、第二电阻，所述可控型开关器件的一端连接至所述DC/DC模块的正输出端；所述可控型开关器件的另一端为所述输出保护模块的正输出端连接至MCU芯片的电源端，本实用新型的具有保护功能的辅助电源，可控开关器件的导通和断开，能有效地防止供电电源电路反接对MCU芯片造成损坏。另稳压二极管保护可控型开关器件，避免可控型开关器件的栅极的偏压过高造成损坏。
Description
技术领域
本实用新型涉及电源电路，具体涉及具有保护功能的辅助电源。
背景技术
在MCU芯片的使用中，MCU芯片的供电电压的稳定对MCU芯片的性能很关键，现有的具有保护功能的辅助电源，在使用过程中，若MCU芯片的电源端和地端反接，很容易造成芯片烧坏。现有通过在MCU芯片的电源端处连接一单向导通二极管防止电源电路接反，然而二极管会产生较高的压降，导致损坏增大。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术问题，提出一种具有保护功能的辅助电源，具体方案如下，
包括AC/DC模块（1）、DC/DC模块（2）、输出保护模块（3）；
所述AC/DC模块（1）的输入端口用于连接至市电；所述AC/DC模块（1）的输出端连接至所述DC/DC模块（2）的输入端；所述DC/DC模块（2）的输出端连接至所述输出保护模块（3）的输入端，所述输出保护模块（3）的输出端连接至MCU芯片（4）的电源端（VCC）；
所述AC/DC模块（1）用于将交流电转成直流电；
所述DC/DC模块（2）用于将较高的直流电压转换成较低的直流电压；
所述输出保护模块（3）包括可控型开关器件（Q1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2），所述可控型开关器件（Q1）的一端连接至所述DC/DC模块（2）的正输出端（V+）；所述可控型开关器件（Q1）的另一端为所述输出保护模块（3）的正输出端（Vout+）连接至MCU芯片（4）的电源端（VCC）；
所述第二电阻（R2）的一端连接至所述可控型开关器件（Q1）的另一端，所述第二电阻（R2）的另一端连接至所述第一电阻（R1）的一端，所述第一电阻（R1）的另一端连接至所述DC/DC模块（2）的负输出端（V-）；
所述DC/DC模块（2）的负输出端（V-）为所述输出保护模块（3）的负输出端（Vout-）连接至MCU芯片（4）的接地端。
进一步的，所述输出保护模块（3）还包括稳压二极管（DZ1），所述稳压二极管（DZ1）的阴极连接至所述可控型开关器件（Q1）的控制端；所述稳压二极管（DZ1）的阳极连接至所述DC/DC模块（2）的负输出端。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述AC/DC模块（1）为桥式整流电路。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述DC/DC模块（2）为单端反激式降压电路。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述可控型开关器件（Q1）为MOSFET晶体管，所述MOSFET晶体管的源极（S）连接至所述DC/DC模块（2）的正输出端（V+），所述MOSFET晶体管的漏极（D）连接至所述第二电阻（R2）的一端；
所述MOSFET晶体管的栅极为所述可控型开关管（Q1）的控制端（G）。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述MOSFET晶体管还设有反向恢复二极管，所述反向恢复二极管的阳极连接至所述MOSFET晶体管的源极，所述反向恢复二极管的阴极连接至所述MOSFET晶体管的漏极。
本实用新型的具有保护功能的辅助电源，包括AC/DC模块、DC/DC模块、输出保护模块，通本实用新型的具有保护功能的辅助电源，可控开关器件的导通和断开，能有效地防止供电电源电路反接对MCU芯片造成损坏。另稳压二极管保护可控型开关器件，避免可控型开关器件的栅极的偏压过高造成损坏。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对发明的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1为本实用新型实施例具有保护功能的辅助电源的原理示意图；
图2为本实用新型实施例具有保护功能的辅助电源的输出保护模块与MCU芯片的示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
本实用新型提供了一种具有保护功能的辅助电源，如附图1所示，包括AC/DC模块（1）、DC/DC模块（2）、输出保护模块（3）；
所述AC/DC模块（1）的输入端口用于连接至市电；所述AC/DC模块（1）的输出端连接至所述DC/DC模块（2）的输入端；所述DC/DC模块（2）的输出端连接至所述输出保护模块（3）的输入端，所述输出保护模块（3）的输出端连接至MCU芯片（4）的电源端（VCC）；
所述AC/DC模块（1）用于将交流电转成直流电；
所述DC/DC模块（2）用于将较高的直流电压转换成较低的直流电压；
所述输出保护模块（3），如附图2所示，包括可控型开关器件（Q1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2），所述可控型开关器件（Q1）的一端连接至所述DC/DC模块（2）的正输出端（V+）；所述可控型开关器件（Q1）的另一端为所述输出保护模块（3）的正输出端（Vout+）连接至MCU芯片（4）的电源端（VCC）；
所述第二电阻（R2）的一端连接至所述可控型开关器件（Q1）的另一端，所述第二电阻（R2）的另一端连接至所述第一电阻（R1）的一端，所述第一电阻（R1）的另一端连接至所述DC/DC模块（2）的负输出端（V-）；
所述DC/DC模块（2）的负输出端（V-）为所述输出保护模块（3）的负输出端（Vout-）连接至MCU芯片（4）的接地端。
进一步的，所述输出保护模块（3）还包括稳压二极管（DZ1），所述稳压二极管（DZ1）的阴极连接至所述可控型开关器件（Q1）的控制端；所述稳压二极管（DZ1）的阳极连接至所述DC/DC模块（2）的负输出端。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述AC/DC模块（1）为桥式整流电路。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述DC/DC模块（2）为单端反激式降压电路。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述可控型开关器件（Q1）为MOSFET晶体管，所述MOSFET晶体管的源极（S）连接至所述DC/DC模块（2）的正输出端（V+），所述MOSFET晶体管的漏极（D）连接至所述第二电阻（R2）的一端；
所述MOSFET晶体管的栅极为所述可控型开关器件（Q1）的控制端（G）。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述MOSFET晶体管还设有反向恢复二极管，所述反向恢复二极管的阳极连接至所述MOSFET晶体管的源极，所述反向恢复二极管的阴极连接至所述MOSFET晶体管的漏极。
本实用新型的包括AC/DC模块、DC/DC模块、输出保护模块，通本实用新型的具有保护功能的辅助电源，可控开关器件的导通和断开，能有效地防止供电电源电路反接对MCU芯片造成损坏。另稳压二极管保护可控型开关器件，避免可控型开关器件的栅极的偏压过高造成损坏。
上述说明描述了本实用新型的优选实施例，但应当理解本实用新型并非局限于上述实施例，且不应看作对其他实施例的排除。通过本实用新型的启示，本领域技术人员结合公知或现有技术、知识所进行的改动也应视为在本实用新型的保护范围内。
Claims (6)
1.一种具有保护功能的辅助电源，其特征在于，
包括AC/DC模块（1）、DC/DC模块（2）、输出保护模块（3）；
所述AC/DC模块（1）的输入端口用于连接至市电；所述AC/DC模块（1）的输出端连接至所述DC/DC模块（2）的输入端；所述DC/DC模块（2）的输出端连接至所述输出保护模块（3）的输入端，所述输出保护模块（3）的输出端连接至MCU芯片（4）的电源端（VCC）；
所述AC/DC模块（1）用于将交流电转成直流电；
所述DC/DC模块（2）用于将较高的直流电压转换成较低的直流电压；
所述输出保护模块（3）包括可控型开关器件（Q1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2），所述可控型开关器件（Q1）的一端连接至所述DC/DC模块（2）的正输出端（V+）；所述可控型开关器件（Q1）的另一端为所述输出保护模块（3）的正输出端（Vout+）连接至MCU芯片（4）的电源端（VCC）；
所述第二电阻（R2）的一端连接至所述可控型开关器件（Q1）的另一端，所述第二电阻（R2）的另一端连接至所述第一电阻（R1）的一端，所述第一电阻（R1）的另一端连接至所述DC/DC模块（2）的负输出端（V-）；
所述DC/DC模块（2）的负输出端（V-）为所述输出保护模块（3）的负输出端（Vout-）连接至MCU芯片（4）的接地端。
2.根据权利要求1所述的具有保护功能的辅助电源，其特征在于，
所述输出保护模块（3）还包括稳压二极管（DZ1），所述稳压二极管（DZ1）的阴极连接至所述可控型开关器件（Q1）的控制端；所述稳压二极管（DZ1）的阳极连接至所述DC/DC模块（2）的负输出端。
3.根据权利要求1所述的具有保护功能的辅助电源，其特征在于，
所述AC/DC模块（1）为桥式整流电路。
4.根据权利要求1所述的具有保护功能的辅助电源，其特征在于，
所述DC/DC模块（2）为单端反激式降压电路。
5.根据权利要求1所述的具有保护功能的辅助电源，其特征在于，
所述可控型开关器件（Q1）为MOSFET晶体管，所述MOSFET晶体管的源极（S）连接至所述DC/DC模块（2）的正输出端（V+），所述MOSFET晶体管的漏极（D）连接至所述第二电阻（R2）的一端；
所述MOSFET晶体管的栅极为所述可控型开关器件（Q1）的控制端（G）。
6.根据权利要求5所述的具有保护功能的辅助电源，其特征在于，
所述MOSFET晶体管还设有反向恢复二极管，所述反向恢复二极管的阳极连接至所述MOSFET晶体管的源极，所述反向恢复二极管的阴极连接至所述MOSFET晶体管的漏极。
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| CN115333053A (zh) * | 2022-10-14 | 2022-11-11 | 荣耀终端有限公司 | 一种辅助电路及电子设备 |
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