CN107577419A - 一种外置高端存储卡 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种外置高端存储卡，其特征在于，包括存储板卡，所述存储板卡设有Raid控制器和外置式连接器接口，外置式连接器接口连接外置式连接器，所述Raid控制器连接有DDR4缓存阵列、PCIE主机接口、外置式连接器、Firmware保存单元、数据保护单元、时钟单元和供电单元；所述数据保护单元与供电单元连接；外置式连接器与磁盘柜内的磁盘连接。通过一张板卡实现SAS/SATA/NVME磁盘的混合部署，节省主板PCIE开销，减小机箱布线复杂度，降低系统成本；而且完全依靠存储卡硬件实现NVME磁盘的Raid5/6/50/60等高端硬Raid功能，实现NVME盘的数据冗余保护。
Description
技术领域
本发明属于服务器存储技术领域，具体设计一种外置高端存储卡。
背景技术
随着云计算技术和大数据应用的发展，市场对服务器的功能要求越来越综合。既要求其搭配的传统SAS、SATA机械磁盘实现容量增加，也要求使用SSD特别是NVME SSD来实现高性能低延迟的应用。因此，混合部署SAS/SATA/NVME磁盘的服务器系统，市场需求越来越广泛。
实现服务器SAS/SATA/NVME磁盘混合部署的传统方案，通常必须使用两种板卡，一种是支持SAS/SATA盘的存储卡，另一种是支持NVME盘的PCIE Redriver/Retimer卡或PCIESwitch卡。
这种方案需要占用主板PCIE插槽多(至少2个)，占用服务器空间大，实现成本高，而且功能上不支持NVME盘的Raid（Redundant Array of Independent Disks，即独立磁盘冗余阵列）功能，无法实现NVME盘的数据冗余保护，存在较多弊端。
发明内容
本发明的目的在于，为解决传统方案的弊端，本发明提供一种新型板卡即一种外置高端存储卡使只占用一个PCIE槽即可实现SAS/SATA/NVME磁盘混合部署，且实现NVME盘的Raid功能。
为了达到上述目的，本发明的技术方案是：
一种外置高端存储卡，包括存储板卡本体，存储板卡上设有Raid控制器和外置式连接器接口，外置式连接器接口连接外置式连接器，所述Raid控制器连接有DDR4缓存阵列、PCIE主机接口、外置式连接器、Firmware保存单元、数据保护单元、时钟单元和供电单元；
所述数据保护单元与供电单元连接；外置式连接器与磁盘柜内的磁盘连接。
优选地，DDR4缓存阵列和Raid控制器通过DDR4高速数据总线连接；所述DDR4缓存阵列为主频2133MHz、总容量有1GB-16GB任意规格的多个DDR4缓存颗粒，并且DDR4缓存阵列带有ECC校验颗粒， DDR4缓存阵列为具有64bit数据总线，8bitECC总线的内存阵列，用于将读写磁盘时的数据缓存到存储板卡上以提高读写效率，以及用于Raid算法数据的计算处理。
优选地，所述Firmware保存单元包括FLASH电路模块，所述FLASH电路模块通过QSPI总线接口与Raid控制器连接。用于保存存储卡工作所需要的Firmware固件程序、记录工作日志等。
优选地，数据保护单元和Raid控制器通过FLASH接口相连；所述数据保护单元的核心为NAND FLASH电路模块；
所述NAND FLASH电路模块设有超级电容接口；所述NAND FLASH电路模块通过超级电容接口连接有超级电容。当服务器系统意外掉电发生时，Raid控制器将DDR4缓存阵列中的数据写入NAND FLASH存储器中，待系统供电恢复后，再将此数据回传到DDR4缓存阵列中，进行正常磁盘数据读写。
优选地，所述Raid控制器为型号为SAS3508的ROC芯片。
优选地，所述时钟单元通过石英晶体或时钟振荡芯片产生存储板卡所需的100MHz差分时钟源。
优选地，PCIE主机接口为PCIE金手指接口；所述PCIE金手指接口传输速率是8Gbps，带宽x8；用于实现服务器主板与存储板卡的通信连接，传输速度快且稳定。
优选地，所述供电单元，由多个电源芯片电路组成，将PCIE金手指接口传输过来的12V和3.3V通过电源芯片电压转换为2.5V、1.8V和1.2V输出电压用于给存储板卡上各个单元供电。
优选地，外置式连接器接口通过高速差分信号线与Raid控制器连接，传输数据的模式包括SAS、SATA和NVME；
所述外置式连接器包括外置式MiniSASHD、OCUlink、Slimline接口形态的高速连接器；所述外置式连接器数量为两个，分别为第一外置式连接器和第二外置式连接器。
存储板卡主要用于服务器、存储等系统外部互联使用，所述存储板卡设有第一侧、第二侧、第三侧和第四侧；PCIE金手指接口设置在存储板卡的第四侧；所述第一外置连接器和第二外置连接器均设置在存储板卡的第一侧，便于连接线缆伸出机箱外。存储板卡通过外置式连接器可实现SAS和/或SATA磁盘直连，可支持8个磁盘，通过Expander板卡级联至多支持240个SAS和/或SATA磁盘；直连NVME磁盘时支持2个x4带宽或4个x2带宽盘，通过PCIESwitch板卡扩展时支持24个x4带宽盘。
本发明的有益效果在于，本发明提供的存储板卡使用SAS3508控制器，所支持的Firmware固件模式，是MR（MegaRaid）模式，该模式支持对SAS/SATA/NVME等3种磁盘实现RAID 0/1/5/6/10/50/60等Raid算法。本发明提供的存储板卡的DDR4缓存阵列，主频2133MHz，包括1GB-16GB多种容量规格；所使用的外置式连接器是可用于SAS/SATA/PCIE高速信号传输的各种类型的外置式MinisasHD、OCUlink、Slimilne连接器；通过一张板卡实现SAS/SATA/NVME磁盘的混合部署，节省主板PCIE开销，减小机箱布线复杂度，降低系统成本；而且完全依靠存储卡硬件实现NVME磁盘的Raid5/6/50/60等高端硬Raid功能，实现NVME盘的数据冗余保护。
此外，本发明设计原理可靠，结构简单，具有非常广泛的应用前景。
由此可见，本发明与现有技术相比，具有突出的实质性特点和显著地进步，其实施的有益效果也是显而易见的。
附图说明
图1为本实施例提供的一种外置高端存储卡硬件组成示意图。
图2为本发明存储板卡上外置式连接器摆放位置示意图。
图3为本发明实施例1混合使用SAS/SATA/NVME磁盘混合直连应用实例示意图。
图4为本发明实施例2 NVME磁盘直连应用实例示意图。
图5为本发明实施例3全部使用SAS/SATA磁盘直连应用实例示意图。
图6为本发明实施例4使用PCIE Switch板卡及SAS expander板卡扩展应用实例示意图；
其中，1-存储板卡，2.1-第一外置式连接器，2.2-第二外置式连接器，3-数据保护单元，4-Raid控制器，5-DDR4缓存阵列，6-供电单元，7-时钟单元，8-Firmware保存单元，9-PCIE金手指连接器，10-SAS Expander板卡，11-PCIE Switch板卡。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施例对本发明进行详细阐述，以下实施例是对本发明的解释，而本发明并不局限于以下实施方式。
如图1所示，一种外置高端存储卡，包括存储板卡1，所述存储板卡1上设有Raid控制器4和外置式连接器接口，外置式连接器接口连接有第一外置式连接器2.1和第二外置式连接器2.2，所述Raid控制器为型号为SAS3508的ROC芯片，所述Raid控制器4连接有DDR4缓存阵列5、PCIE金手指接口9、Firmware保存单元8、数据保护单元3、时钟单元7和供电单元6。
所述数据保护单元3与供电单元6连接；DDR4缓存阵列5和Raid控制器4通过DDR4高速数据总线连接；
所述Firmware保存单元8包括FLASH电路模块，所述FLASH电路模块通过QSPI总线接口与Raid控制器4连接。
数据保护单元3和Raid控制器4通过FLASH接口相连；所述数据保护单元3的核心为NAND FLASH电路模块；
所述NAND FLASH电路模块设有超级电容接口；所述NAND FLASH电路模块通过超级电容接口连接有超级电容。
所述时钟单元通过石英晶体或时钟振荡芯片产生存储板卡所需的100MHz差分时钟源。
所述供电单元，由多个电源芯片电路组成，将PCIE金手指接口传输过来的12V和3.3V通过电源芯片电压转换为2.5V、1.8V和1.2V输出电压用于给存储板卡的各个单元供电。
所述存储板卡1设有第一侧、第二侧、第三侧和第四侧；PCIE金手指接口9设置在存储板卡1的第四侧；所述第一外置连接器2.1和第二外置连接器2.2均设置在存储板卡的第一侧，第一外置式连接器2.1和第二外置式连接器2.2在存储板卡上的设置方式如图2所示，如图2中A所示，存储板卡1上并排相邻设置第一外置式连接器2.1和第二外置式连接器2.2；如图2中B所示，存储板卡1的第一侧的上端设置第一外置式连接器2.1下端设置第二外置式连接器2.2。
第一外置式连接器2.1和第二外置式连接器2.2分别通过高速差分信号线与Raid控制器4连接，传输数据的模式包括SAS、SATA和NVME。
实施例1，如图1、图3所示，
在装配时，将PCIE金手指接口9插入主控服务器主板的PCIE槽中，存储板卡1通过第一外置式连接器2.1用外置屏蔽线缆与磁盘柜的4个SAS和/或SATA 磁盘连接；通过第二外置式连接器2.2用外置屏蔽线缆与磁盘柜的一个NVMEx4磁盘相连。
存储板卡1上并排相邻设置第一外置式连接器2.1和第二外置式连接器2.2， 如图2中A所示。
数据保护单元3通过超级电容接口接超级电容模块。
服务器通过存储卡板卡1对与外置式连接器接口相连的磁盘阵列做Raid算法。服务器正常工作时，会将数据写入磁盘。因为读写磁盘的速度较慢，需要先将数据写入存储板卡DDR4缓存阵列5中，待磁盘空闲时，存储板卡1会将此数据写回磁盘。DDR4缓存阵列5缓存容量越大，写入磁盘数据的次数越少，读写性能越高。
服务器正常工作时，会将磁盘数据读出，暂存于DDR4缓存阵列5中，待服务器空闲时上传。
服务器出现意外断电，存储板卡会启用超级电容保护功能，将DDR4缓存阵列5中的数据写入数据保护单元3中的NAND FLASH模块，FLASH保存数据不会丢失，待供电恢复后，再将数据迁移会存储卡DDR4缓存阵列5中，重新开始读写磁盘。
实施例2，如图4所示，所述存储板卡1设有第一侧、第二侧、第三侧和第四侧；PCIE金手指接口9设置在存储板卡1的第四侧；所述第一外置连接器2.1和第二外置连接器2.2均设置在存储板卡的第一侧；存储板卡1通过第一外置式连接器2.1用外置屏蔽线缆与磁盘柜的2个NVMEx2磁盘连接；通过第二外置式连接器2.2用外置屏蔽线缆与磁盘柜的一个NVMEx4磁盘相连。
存储板卡1上并排相邻设置第一外置式连接器2.1和第二外置式连接器2.2， 如图2中A所示。
实施例3，如图5所示，所述存储板卡1设有第一侧、第二侧、第三侧和第四侧；PCIE金手指接口9设置在存储板卡1的第四侧；所述第一外置连接器2.1和第二外置连接器2.2均设置在存储板卡的第一侧；存储板卡1通过第一外置式连接器2.1用外置屏蔽线缆与磁盘柜的4个SAS和/或SATA 磁盘连接；通过第二外置式连接器2.2用外置屏蔽线缆与磁盘柜的4个SAS和/或SATA 磁盘相连。
存储板卡1上并排相邻设置第一外置式连接器2.1和第二外置式连接器2.2， 如图2中A所示。
实施例4，如图6所示，所述存储板卡1设有第一侧、第二侧、第三侧和第四侧；PCIE金手指接口9设置在存储板卡1的第四侧；所述第一外置连接器2.1和第二外置连接器2.2均设置在存储板卡的第一侧；存储板卡1的第一外置式连接器2.1用于传输NVME信号，第二外置式连接器2.1用于传输SAS信号，第一外置式连接器2.1通过外置线缆连接扩展应用磁盘柜中的PCIE Switch板卡；第二外置式连接器2.2通过外置线缆连接扩展应用磁盘柜中的SAS Expander板卡。所述外置线缆对电磁干扰具有良好的屏蔽功能。存储板卡1上并排相邻设置第一外置式连接器2.1和第二外置式连接器2.2， 如图2中A所示。
扩展应用磁盘柜中的PCIE Switch板卡通过SFF8639连接器连接NVME磁盘；SASExpander板卡通过SFF8680连接器连接SAS和/或SATA磁盘。
PCIE Switch板卡通过SFF8639连接器可以支持24个NVME磁盘；SAS Expander板卡通过SFF8680连接器可以支持240个SAS和/或SATA磁盘，升级软件可以支持更多。
英文缩写：PCIE
英文全称：Peripheral Component Interconnect Express
中文全称：外围部件互联扩展总线
英文缩写：SAS
英文全称：Serial Attached SCSI
中文全称：串行连接SCSI总线，是一种磁盘互联技术
英文缩写：SATA
英文全称：Serial Advanced Technology Attachment
中文全称：串行连接ATA总线，是一种磁盘互联技术
英文缩写 NVME
英文全称：Non-Volatile Memory express
中文全称：非易失缓存扩展总线，是一种固态磁盘互联技术
英文缩写：Raid
英文全称：Redundant Arrays of Independent Disks
中文全称：独立磁盘构成的具有冗余能力的阵列
以上公开的仅为本发明的优选实施方式，但本发明并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的没有创造性的变化，以及在不脱离本发明原理前提下所作的若干改进和润饰，都应落在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种外置高端存储卡，其特征在于，包括存储板卡本体，存储板卡上设有Raid控制器和外置式连接器接口，外置式连接器接口连接有外置式连接器；
所述Raid控制器连接有DDR4缓存阵列、PCIE主机接口、外置式连接器、Firmware保存单元、数据保护单元、时钟单元和供电单元；
所述数据保护单元与供电单元连接；
外置式连接器与磁盘柜内的磁盘连接。
2.根据权利要求1所述的一种外置高端存储卡，其特征在于，DDR4缓存阵列和Raid控制器通过DDR4高速数据总线连接；
外置式连接器接口通过高速差分信号线与Raid控制器连接。
3.根据权利要求2所述的一种外置高端存储卡，其特征在于，所述Firmware保存单元包括FLASH电路模块，所述FLASH电路模块通过QSPI总线接口与Raid控制器连接；
数据保护单元和Raid控制器通过FLASH接口相连；所述数据保护单元的核心为NANDFLASH电路模块。
4.根据权利要求3所述的一种外置高端存储卡，其特征在于，所述NAND FLASH电路模块设有超级电容接口；所述NAND FLASH电路模块通过超级电容接口连接有超级电容。
5.根据权利要求3或4所述的一种外置高端存储卡，其特征在于，所述时钟单元通过石英晶体或时钟振荡芯片产生存储板卡所需的100MHz差分时钟源。
6.根据权利要求1所述的一种外置高端存储卡，其特征在于， PCIE主机接口为PCIE金手指接口；
所述供电单元，由多个电源芯片电路组成，将PCIE金手指接口传输过来的电压通过电源芯片转换为存储板卡所需电压。
7.根据权利要求6所述的一种外置高端存储卡，其特征在于，所述Raid控制器为型号为SAS3508的ROC芯片。
8.根据权利要求7所述的一种外置高端存储卡，其特征在于， 所述外置式连接器包括外置式MiniSASHD、OCUlink、Slimline接口形态的高速连接器；所述外置式连接器数量为两个，分别为第一外置式连接器和第二外置式连接器。
9.根据权利要求8所述的一种外置高端存储卡，其特征在于，所述存储板卡设有第一侧、第二侧、第三侧和第四侧；
PCIE金手指接口设置在存储板卡的第四侧；所述第一外置连接器和第二外置连接器均设置在存储板卡的第一侧。
10.根据权利要求9所述的一种外置高端存储卡，其特征在于，存储板卡支持通过Expander板卡扩展支持240个SAS和/或SATA磁盘；
存储板卡通过PCIE Switch板卡扩展支持24个x4带宽NVME磁盘。
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