CN107564834A - 药液温度调节装置、利用其的基板处理系统及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及药液温度调节装置、利用其的基板处理系统及基板处理方法，实时调节处理基板的药液的温度，并将药液温度调节装置配置在储液罐外部，由此可减少储液罐内部空间中不必要体积。为此，本发明提供一种药液温度调节装置，包括：储液罐，收容处理基板的药液；药液温度调节单元，独立配置于所述储液罐的外部，并且调节所述药液的温度；药液循环管单元，连接所述储液罐和所述药液温度调节单元，引导所述药液移动；药液循环泵，使药液循环，以使收容于所述储液罐的药液和收容于所述药液温度调节单元的药液混合。

Description

药液温度调节装置、利用其的基板处理系统及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种药液温度调节装置、利用其的基板处理系统及基板处理方法,更详细地说，涉及实时调节处理基板的药液的温度，并将药液温度调节装置置于外部，从而可缩小储液罐内部空间中不必要的体积的药液温度调节装置、利用其的基板处理系统及基板处理方法。
背景技术
一般来说，执行半导体工艺及LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)工艺的基板处理装置利用多种药液执行基板的工艺。
例如，基板处理装置进行处理基板的蚀刻工艺、清洗工艺等，在这种基板的工艺中使用多种种类的药液，具体地说酸性溶液(氢氟酸、磺酸、硝酸、磷酸等)、碱性溶液(氢氧化钾、氢氧化钠、铵等)或者其中任意一种或该酸性溶液与碱性溶液的混合液等。
利用该多种种类的药液发生化学反应，由此去除或清洗基板上不必要的物质。
在处理基板的工艺中，向基板喷射的药液的温度起到工艺的主要要因的作用。
因此，在蚀刻或清洗工艺中，为了基板工艺的均匀性和效率性，保持药液固定的温度和稳定地供应药液是必不可少的。
一般来说，以往的药液加热装置包括：加热药液以适合基板的工艺条件的至少一个加热器；及用于冷却所述药液的冷却装置。
图1作为概略示出所述药液加热装置的图面，参照该图面对以往技术的药液加热装置的说明如下：
如图1所示，以往的药液加热装置包括：收容药液的腔室11；用于加热所述药液的加热器13；以及用于冷却由所述加热器13加热的药液的冷却装置15。
但是，所述加热器13和所述冷却装置15存在被药液腐蚀的问题。
因此，所述加热器13和所述冷却装置15的外侧使用由PFA(Perfluoroalkoxy，全氟烷)或PTFE(Ploytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)等具有耐酸性的材质进行涂层，由此具有药液的耐腐蚀性。
但是，如上所述，具备耐腐蚀性的材质与一般金属材质相比，导热率非常低，因此为了用通过药液充分传达热，存在需要大面面积的所述加热器13和所述冷却装置15的问题。
因此，所述加热器13和所述冷却装置15的体积非效率地占据所述腔室11内部空间，从而产生收容在所述腔室11内部的药液量减少的问题。
并且，因为所述加热器13和所述冷却装置15体积的增加，不仅增加了制作所述加热器13和所述冷却装置15的制作成本，还增加了使用于所述加热器13和所述冷却装置15的电量，因此存在发生经济损失的问题。
发明内容
(要解决的问题)
本发明要解决的问题在于提供如下的药液温度调节装置、利用其的基板处理系统及基板处理方法：实时调节处理基板的药液的温度，并将药液温度调节装置配置于外部，由此可减少储液罐内部空间中不必要体积。
(解决问题的手段)
为了解决上述问题，本发明提供一种药液温度调节装置，包括：储液罐，收容处理基板的药液；药液温度调节单元，独立配置于所述储液罐的外部，并且调节所述药液的温度；药液循环管单元，连接所述储液罐和所述药液温度调节单元，并引导所述药液移动；药液循环泵，使药液循环，以使收容于所述储液罐的药液和收容于所述药液温度调节单元的药液混合；
所述药液温度调节单元可包括：外壳，与所述药液循环管单元连通，并且收容用于温度调节的药液；药液加热器，配置于所述外壳内部空间从而加热收容于所述外壳内部的药液；及药液冷却部，至少一部分包裹所述药液加热器外侧面，同时冷却收容于所述外壳内部的药液。
所述药液循环管单元包括：第一药液循环管，形成收容于所述储液罐的药液向所述外壳移动的流路，并且配置有所述药液循环泵；及第二药液循环管，形成所述外壳的药液向所述储液罐移动的流路。
所述药液冷却部可包括：药液冷却管，沿着所述药液加热器的外侧面配置成线圈状，并且在其内部循环冷却水；冷却水罐，向所述药液冷却管内部供应冷却水；及冷却水循环泵，使所述药液冷却管内部的冷却水循环。
所述药液温度调节装置还可包括药液温度测量单元，测量收容于所述储液罐内部的药液的温度。
并且，所述药液温度调节装置还可包括控制部，根据由所述药液温度测量单元测量的药液的温度，控制驱动所述药液加热器和所述冷却水循环泵。
根据本发明另一实施形态，本发明提供一种基板处理系统，包括：基板处理部，利用药液处理基板；药液温度调节装置，从所述基板处理部接收药液从而调节所述药液温度；药液移动管，一端连接所述药液温度调节装置，另一端连接所述基板处理部，并且形成所述药液移动流路；药液移动控制阀，配置在所述药液温度调节装置和所述药液移动管的连接部，并且根据所述药液的温度控制药液的流动；及药液移动泵，配置在所述药液移动管上部，并且使调节至预定温度的药液从所述药液温度调节装置移动至所述基板处理部。
所述基板处理部可包括：基板腔室，在内部配置所述基板；喷射喷嘴，喷射沿着所述药液移动管移动的药液；及药液储存部，收容并储存使用于所述基板腔室的药液。
根据本发明其他一实施形态，本发明提供一种基板处理方法，包括如下的步骤：药液温度调节步骤，通过所述药液温度调节装置加热和冷却所述药液，从而调节所述药液的温度；阀门开闭步骤，根据所述药液的温度开闭所述药液移动控制阀；药液移动步骤，借助于所述药液移动泵从所述药液温度调节单元向所述基板处理部移动调节至预定温度的药液；基板处理步骤，利用沿着所述药液移动管移动的药液处理基板。
所述药液温度调节步骤可包括如下的步骤：药液循环步骤，循环药液，以使收容于所述储液罐内部的药液和收容于外壳的药液混合；药液加热步骤，加热收容于所述外壳内部的药液；药液温度测量步骤，测量收容于所述储液罐内部的药液的温度；及药液冷却步骤，冷却收容于所述外壳内部的药液。
在所述药液冷却步骤中，当在所述药液温度测量步骤中测量的药液的温度超出预定范围时，驱动冷却水循环泵，从而可使冷却水循环。
附图说明
图1是概略示出以往药液加热装置的概略图。
图2是示出根据本发明的药液温度调节装置的结构的图面。
图3是示出根据本发明的药液温度调节单元的详细结构的图面。
图4是示出根据本发明的基板处理系统的结构的图面。
图5是概略示出根据本发明的基板处理方法的框图。
具体实施方式
以下，参照附图，说明可具体实现所述要解决的问题的本发明的优选实施例。对本实施例的说明中，对于相同的结构使用相同名称和相同符号，省略对所述内容的额外说明。
参照图2至图3，如下说明根据本发明的药液温度调节装置：
如图2至图3所示，根据本发明的药液温度调节装置包括：储液罐20、药液循环管单元40、药液温度调节单元及药液循环泵。
所述储液罐20收容处理基板P的药液C。优选为，所述储液罐20由耐腐蚀性的材质制作而成以不受所述药液腐蚀。
所述药液循环泵使药液循环，进而使收容于所述储液罐20内的药液C和收容于所述药液温度调节单元内的药液相互混合。
所述药液循环泵包括第一药液循环泵41a，该第一药液循环泵41a配置于所述第一药液循环管41上。
由此，收容于所述储液罐20内部的药液向所述药液温度调节单元移动从而加热所述药液，并且可使由所述药液温度调节单元调节的药液向所述储液罐20移动。
所述药液循环管单元40连接所述储液罐20和所述药液温度调节单元，并且引导所述药液移动。
具体地说，所述药液循环管单元40包括第一药液循环管41和第二药液循环管43。
所述第一药液循环管41设有所述第一药液循环泵41a，并通过所述药液循环泵的驱动力，使收容于所述储液罐20的药液通过所述第一药液循环管41向所述外壳310移动。
所述第二药液循环管43形成流路，以使收容于所述外壳310的药液向所述储液罐20移动。
由此，使收容于所述储液罐20的药液C和收容于所述外壳310的药液混合从而循环。
优选为，所述第一药液循环管41和所述第二药液循环管43由耐腐蚀性材质制作，以不受所述药液腐蚀。
并且，在所述第一药液循环管41和所述第二药液循环管43与所述储液罐20和所述外壳310连接的连接点可以使用附加的密封装置。由于使用所述密封装置，在所述连接点不会向外部泄漏药液。
所述药液温度调节单元独立配置在所述储液罐20的外部，并且调节所述药液的温度。
由于所述药液温度调节单元与所述储液罐20独立配置，由此可能增大收容于所述储液罐20的药液的容量。
因此，放宽对用于处理基板的药液的限制供应，从而可以连续进行基板处理工艺过程。
并且，由于已稳定地供应在基板处理工艺过程中使用药液的供应，由此提高了所述基板处理工艺的效率性。
具体地说，所述药液温度调节单元包括：外壳310、药液加热器330、药液冷却部。
所述外壳310与所述药液循环管单元40连通，并在内部空间收容所述药液。
优选为，所述外壳310与所述储液罐20相同由耐腐蚀性材质制作，以不受所述药液腐蚀。
所述药液加热器330配置于所述外壳310内部空间，从而加热收容于所述外壳310内部的药液。
所述药液加热器330的外侧由PFA或PTFE等的耐酸性材质涂层，由此具有对所述药液的耐腐蚀性。
所述药液加热器330可拆卸地配置在所述外壳310上，由此当所述药液加热器330发生故障时，可以只单独更换所述药液加热器330。
所述药液加热器330贯通所述外壳310，从而可配置在所述外壳310内部。所述药液加热器330和所述外壳310可以通过另外的密封装置连接。由此，防止向所述外壳310外部泄漏所述药液。
所述药液冷却部的至少一部分包裹所述药液加热器330的外侧面，同时冷却收容于所述外壳310内部的药液。
具体地说，所述药液冷却部包括：药液冷却管351、冷却水罐353、冷却水循环泵355。
所述药液冷却管351沿着所述药液加热器330的外侧面配置成线圈状，并且在内部循环冷却水。
通过在所述药液冷却管351内部循环的冷却水，冷却收容于所述外壳310内部的药液。
所述药液冷却管351的外侧涂覆具有PFA或PTFE等的耐酸性材质涂层，由此具有对所述药液的耐腐蚀性。
由于所述药液加热器330和所述药液冷却管351涂覆耐酸性材质，因而降低热传达系数。为了最大限度地降低的热传达系数，应该将接触于所述药液加热器330和所述药液冷却管351流动的药液的流速最大化。
为了将所述药液的流速最大化，在具有线圈状的所述药液冷却管351的中心配置所述药液加热器330，由此减小从所述外壳310内部流动的药液的流动横截面积。
由此，因为配置有所述药液加热器330和所述药液冷却管351的所述外壳310内部流动的药液的流速升高，导致通过所述外壳310内部的药液的热传达系数变大。
从而，所述药液加热器330和所述药液冷却管351涂覆耐腐蚀性的材质，从而即使向药液传导的热传达率低，但是调节通过所述外壳310的药液的流速来提高热传达系数，从而能够有效地降低所述药液加热器330和所述药液冷却管351的体积。
此时，药液流动的所述外壳310的横截面积在一定标准以下时，产生压力损失，从而可妨碍药液向所述外壳310内部流入药液。
为了防止上述问题，并且使药液顺畅地流向所述外壳310内部并提高热传达系数，优选为需按照流入所述外壳310内部的药液的流量，设计向所述外壳310的内径、药液加热器330的外径以及所述药液冷却管351的外径及配置。。
所述冷却水罐353的内部收容向所述药液冷却管351供应的冷却水供应。
所述冷却水循环泵355使冷却水循环于所述药液冷却管351内部。
根据本发明的药液温度调节装置还包括：叶轮90、药液温度测量单元20a以及控制部50。
所述叶轮90配置在所述储液罐20的内部，从而使收容于所述储液罐20的药液循环。
所述叶轮90混合由所述外壳310调节后流入的药液和已经储存在所述储液罐20内部的现有的药液。由此，储存在所述储液罐20内部的药液整体具有均匀的温度。
因此，对于基板所述药液具有均匀的温度并进行喷射，从而执行均匀的基板处理工艺。
优选为，所述叶轮90由耐腐蚀性材质制作而成，以不受所述药液腐蚀。
所述药液温度测量单元20a配置在所述储液罐20的内部空间，并且测量测量收容于所述储液罐20的药液的温度。
所述控制部50根据由所述药液温度测量单元20a测量的所述药液的温度，控制驱动所述药液加热器330和所述冷却水循环泵355。
所述控制部50可保持具有驱动所述药液加热器330和所述冷却水循环泵355的标准的所述药液温度范围的标准。所述控制部50可根据所述温度范围标准驱动所述药液加热器330和所述冷却水循环泵355。
根据本发明的药液温度调节装置还可包括药液温度监控部，使用者可以监控由所述药液温度测量单元20a测量的药液的温度。
根据所述药液温度监控部中显示的所述药液的温度，使用者可以通过所述控制部50手动驱动所述药液加热器330和所述冷却水循环泵355。
因此，所述控制部50根据所述基板P工艺处理步骤和使用于基板处理的药液种类可使使用者选择性地调节温度。当然，所述控制部50以包括所述药液种类的信息为基础，可自动控制所述药液的温度。
参照图2和图4，对根据本发明的基板处理系统如下进行说明：
如图2和图4所示，根据本发明的基板处理系统包括：基板处理部80、药液温度调节装置、药液移动管70、药液移动控制阀60及药液移动泵60a。
所述基板处理部80包括：基板腔室81、喷射喷嘴83及药液储存部85。
在所述基板腔室81的内部配置有通过所述药液执行工艺的基板P。
所述喷射喷嘴83向所述基板P喷射沿着所述药液移动管70移动的药液。
所述药液储存部85收容并储存使用于所述基板腔室81中使用的药液，储存于所述药液储存部85的药液向所述储液罐20移动。
为了去除在基板处理部80处理基板P过程中产生的污泥，储存于所述药液储存部85中的所述药液通过污泥去除装置之后可向所述储液罐20移动。
根据本实施例的药液温度调节装置包括：第一药液温度调节装置A1和第二药液温度调节装置A2，所述第一药液温度调节装置A1和所述第二药液温度调节装置A2实际上具有相同结构。所述第一药液温度调节装置A1和所述第二药液温度调节装置A2的结构与图2和图3中的药液温度调节装置类似，省略其详细说明。
但是，所述第一药液温度调节装置A1和所述第二药液温度调节装置A2具备的药液温度调节单元400A、400B与上述药液温度调节单元不同。
具体地说，所述药液温度调节单元400A、400B包括多个药液调节组件，所述药液调节组件包括药液加热器、药液冷却管及外壳。所述药液调节组件上下叠层且串联连接。
由于所述药液调节组件上下叠层配置，从而药液通过重力从配置于上部的外壳向配置在下部的外壳自然流动。
根据本实施例的所述药液循环泵包括配置在第二药液循环管43上的第二药液循环泵43a。
因此，通过所述第二药液循环泵43a，所述药液从所述外壳310向所述储液罐20移动。
当然，本发明不受上述限定，所述药液温度调节装置的个数可以根据基板P工艺中所所要求的药液量而自由改变，并且所述药液调节装置也可以相互并联连接。
所述药液移动管70的一端与所述药液温度调节装置连接，而另一端与所述基板P处理部连接，并且引导所述药液从所述药液温度调节装置向所述基板P处理部移动。
所述药液移动控制阀60配置于所述药液温度调节装置和所述药液移动管70的连接部，并且根据由所述药液温度测量单元20a测量的所述药液的温度，控制所述药液的流动。
所述药液移动控制阀60包括：第一控制阀61，控制从所述第一药液温度调节装置A1供应的药液的移动；及第二控制阀63，控制从所述第二药液温度调节装置A2供应的药液的移动。
根据所述药液的温度借助于所述控制部50开闭所述药液移动控制阀60。
所述药液移动泵60a配置于所述药液移动管70上，并且从所述药液温度调节组件向所述基板处理部80移动调节至预定温度的药液。
参照图2至图5，对根据本发明的基板处理方法如下进行说明：
如图5所示，根据本发明的基板处理方法包括：药液温度调节步骤S100、阀门开闭步骤S200、药液移动步骤S300及基板处理步骤S400。
基板处理结束之后，为了调节在药液储存部85收集的药液的温度，所述药液从所述药液储存部85向药液温度调节装置移动。
向所述药液温度调节装置移动的药液通过所述药液调节步骤再次调节至基板处理所需温度。
所述药液温度调节步骤S100包括：药液循环步骤S110、药液加热步骤S120、药液温度测量步骤S130及药液冷却步骤S140。
在所述药液循环步骤S110中，为了使收容于所述储液罐20的药液和收容于所述外壳310中的药液混合，通过所述药液循环泵循环上述药液。
所述药液加热步骤S120通过所述药液加热器330加热收容于所述外壳310内部的药液。
通过所述药液加热器330加热的药液借助于所述药液循环泵向所述储液罐20移动从而循环，并且收容于所述储液罐20内部的药液通过配置在所述储液罐20内部的叶轮90，以使药液整体具有均匀的温度。
在所述药液温度测量步骤S130中，测量收容于所述储液罐20内部的药液的温度。
以在所述药液温度测量步骤S130中测量的药液的温度为标准，所述控制部50驱动所述药液加热器330和所述冷却水循环泵355。
在所述药液冷却步骤S140中，驱动所述冷却水循环泵355，从而冷却收容于所述外壳310内部的药液。
在所述药液冷却步骤S140中，当所述药液温度测量步骤S130测量的所述药液的温度超出预定范围时，通过所述控制部50的控制指令驱动所述冷却水循环泵355使冷却水循环。
通过所述冷却水循环泵355冷却的所述药液借助于药液循环泵向所述储液罐20移动，并且与已经在所述储液罐20内部的药液混合，同时冷却用于所述基板处理部80的药液的温度。
在所述阀门开闭步骤S200中，根据所述药液的温度开闭所述药液移动控制阀60。
根据所述药液的温度打开所述药液移动控制阀60时，所述药液向所述基板处理部移动，当关闭所述药液移动控制阀60时，所述药液滞留在所述储液罐20中。
在所述药液移动步骤S300中，在所述药液加热调节步骤调节预定温度的药液借助于所述药液移动泵60a从所述药液温度调节单元向所述基板处理部80移动。
所述药液向包括于所述基板处理部80的所述喷射喷嘴83移动。
在所述基板处理步骤S400中，利用沿着所述药液移动管70移动的所述药液进行基板P处理。
借助于所述喷射喷嘴83向所述基板P喷射所述药液，从而执行基板工艺。
根据本发明的药液温度调节装置、利用该药液温度调节装置的基板处理系统及基板处理方法具有如下效果：
第一，将可加热和冷却药液的药液温度调节单元配置在收容药液的储液罐外部，由此具有增大收容于所述储液罐的药液容量的优点。
第二，在药液加热器和药液冷却部的外侧涂覆PFA(Perfluoroalkoxy)或PTFE(Polytetrafluoroethylene)等的耐酸性材料，由此具有不受药液腐蚀的优点。
第三，利用根据外壳的内径、药液加热器的外径及药液冷却部的配置所决定的所述外壳的横截面积调节药液的流速，由此提高所述药液的热传达系数，即便是较小的体积，也具有高热传达效率的优点。
第四，利用内嵌方式的药液加热器和线圈状的药液冷却部将药液的热传达系数最大化，由此将所述药液加热器和所述药液冷却部的体积最小化，具有减少装置制造成本和使用电量的优点。
如上述说明，本发明不受上述特定优选实施例所限制，并且在不超出权利要求中保护的本发明的要旨的情况下，可通过在本发明所属的技术领域中具有公知常识的技术人员实施多种变形，并且这种变形属于在发明的范围。

Claims (10)

1.一种药液温度调节装置，其特征在于，包括：
储液罐，收容处理基板的药液；
药液温度调节单元，独立配置于所述储液罐的外部，并且调节所述药液的温度；
药液循环管单元，连接所述储液罐和所述药液温度调节单元，并引导所述药液移动；
药液循环泵，使药液循环，以使收容于所述储液罐的药液和收容于所述药液温度调节单元的药液混合；
其中，所述药液温度调节单元包括：
外壳，与所述药液循环管单元连通，并且收容用于温度调节的药液；药液加热器，配置于所述外壳内部空间从而加热收容于所述外壳内部的药液；及
药液冷却部，至少一部分包裹所述药液加热器外侧面，同时冷却收容于所述外壳内部的药液。
2.根据权利要求1所述的药液温度调节装置，其特征在于，
所述药液循环管单元包括：
第一药液循环管，形成收容于所述储液罐的药液向所述外壳移动的流路，并且配置有所述药液循环泵；及第二药液循环管，形成所述外壳的药液向所述储液罐移动的流路。
3.根据权利要求1所述的药液温度调节装置，其特征在于，
所述药液冷却部包括：
药液冷却管，沿着所述药液加热器的外侧面配置成线圈状，并且在其内部循环冷却水；
冷却水罐，向所述药液冷却管内部供应冷却水；及
冷却水循环泵，使所述药液冷却管内部的冷却水循环。
4.根据权利要求3所述的药液温度调节装置，其特征在于，还包括：
药液温度测量单元，测量收容于所述储液罐内部的药液的温度。
5.根据权利要求4所述的药液温度调节装置，其特征在于，还包括：
控制部，根据由所述药液温度测量单元测量的药液的温度，控制驱动所述药液加热器和所述冷却水循环泵。
6.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
基板处理部，利用药液处理基板；
权利要求1至5中任意一项所述的药液温度调节装置，从所述基板处理部接收药液从而调节所述药液温度；
药液移动管，一端连接所述药液温度调节装置，另一端连接所述基板处理部，并且形成所述药液移动流路；
药液移动控制阀，配置在所述药液温度调节装置和所述药液移动管的连接部，并且根据所述药液的温度控制药液的流动；及
药液移动泵，配置在所述药液移动管上部，并且使调节至预定温度的药液从所述药液温度调节装置移动至所述基板处理部。
7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，
所述基板处理部包括：
基板腔室，在内部配置所述基板；
喷射喷嘴，喷射沿着所述药液移动管移动的药液；及
药液储存部，收容并储存使用于所述基板腔室的药液。
8.一种基板处理方法，利用权利要求6所述的基板处理系统处理基板，其特征在于，包括如下的步骤：
药液温度调节步骤，通过所述药液温度调节装置加热和冷却所述药液，从而调节所述药液的温度；
阀门开闭步骤，根据所述药液的温度开闭所述药液移动控制阀；
药液移动步骤，借助于所述药液移动泵从所述药液温度调节单元向所述基板处理部移动调节至预定温度的药液；
基板处理步骤，利用沿着所述药液移动管移动的药液处理基板。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
所述药液温度调节步骤包括如下的步骤：
药液循环步骤，使药液循环，以使收容于所述储液罐内部的药液和收容于外壳的药液混合；
药液加热步骤，加热收容于所述外壳内部的药液；
药液温度测量步骤，测量收容于所述储液罐内部的药液的温度；及
药液冷却步骤，冷却收容于所述外壳内部的药液。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述药液冷却步骤中，当在所述药液温度测量步骤中测量的药液的温度超出预定范围时，驱动冷却水循环泵，从而使冷却水循环。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020009699A (ko) * 2000-07-26 2002-02-02 윤종용 습식 식각 장치의 불화수소산 공급 시스템
US20030132193A1 (en) * 2002-01-17 2003-07-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20050215063A1 (en) * 1997-05-09 2005-09-29 Bergman Eric J System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone
JP4393687B2 (ja) * 2000-09-18 2010-01-06 株式会社堀場エステック 熱交換器、気化器、および、この気化器を用いた気化システム
TWM495800U (zh) * 2014-09-05 2015-02-21 Lin-Ru Guo 茶盤裝置
CN104903995A (zh) * 2012-12-25 2015-09-09 科理克株式会社 循环冷却加热装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100265286B1 (ko) * 1998-04-20 2000-10-02 윤종용 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법
JP2013021198A (ja) 2011-07-13 2013-01-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薬液温調装置および薬液温調方法
JP6012394B2 (ja) * 2012-10-23 2016-10-25 東邦化学工業株式会社 毛髪弾力性向上剤及び毛髪化粧料

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050215063A1 (en) * 1997-05-09 2005-09-29 Bergman Eric J System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone
KR20020009699A (ko) * 2000-07-26 2002-02-02 윤종용 습식 식각 장치의 불화수소산 공급 시스템
JP4393687B2 (ja) * 2000-09-18 2010-01-06 株式会社堀場エステック 熱交換器、気化器、および、この気化器を用いた気化システム
US20030132193A1 (en) * 2002-01-17 2003-07-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN104903995A (zh) * 2012-12-25 2015-09-09 科理克株式会社 循环冷却加热装置
TWM495800U (zh) * 2014-09-05 2015-02-21 Lin-Ru Guo 茶盤裝置

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