CN107557732B - 蒸镀掩膜板及蒸镀装置、蒸镀工艺及测试膜层厚度的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种蒸镀掩膜板及蒸镀装置、蒸镀工艺及测试膜层厚度的方法，涉及显示技术领域，可测试一次蒸镀工艺中各蒸镀材料沉积的膜厚。该蒸镀掩膜板包括掩膜板本体；M组温度监控装置；每组温度监控装置至少包括一个温度监控装置；与每个温度监控装置一一对应的膜层监控区域；设置在每个膜层监控区域上的控制窗口；设置在每个膜层监控区域内的检测电极对，用于获取沉积到膜层监控区域内的膜层在测试电压下的测试电流值；每组温度监控装置用于当设定的一预设温度的区间包含温度监控装置获取到的蒸镀温度时，控制对应的膜层监控区域上的控制窗口打开，以使具有蒸镀温度的蒸镀源蒸发出的蒸镀材料沉积在露出的膜层监控区域内。

Description

蒸镀掩膜板及蒸镀装置、蒸镀工艺及测试膜层厚度的方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种蒸镀掩膜板及蒸镀装置、蒸镀工艺及测试膜层厚度的方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode)是一种利用有机半导体材料制成的薄膜发光器件，具有自发光的特性。OLED器件形成在基板上，通常包括相对设置的阳极、阴极以及位于二者之间的有机电致发光材料层(Electroluminescence Layer，EL)。其中，EL层具体可包括：空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)、空穴传输层(Hole TransportLayer，HTL)、电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)、电子传输层(ElectronTransport Layer，ETL)以及发光层(Emissive Layer，EML)，各材料层根据器件的设计需要，可以为单层或多层结构。

OLED器件目前多采用蒸镀法进行制作金属层和EL层，并以Inline(连续作业)的方式进行蒸镀沉积。以蒸镀各层有机材料为例，如图1所示，一次蒸镀的具体工艺过程为：

在各蒸镀源2(Evaporation Source)中分别填入待蒸镀的不同有机材料，各蒸镀源放置在不同的蒸镀腔室内；

将待蒸镀基板3(Evaporation Substrates)贴附在金属掩膜(Metal Mask)1a上，金属掩膜1a的开口部分露出待蒸镀基板3上的待蒸镀区域(图中以虚线框3a示意出)；

对各蒸镀源2进行加热，并将金属掩膜1a依次移动至不同蒸镀腔室内的蒸镀源2上方，从各蒸镀源2中蒸发出的各有机材料(图中仅以有机材料1、有机材料2、有机材料3为示例)的蒸气依次沉积在待蒸镀区域上从而形成由多层材料层构成的镀层(EvaporationLayer)。

利用上述连续作业的方式可在一次蒸镀工艺中完成多个待蒸镀基板的膜层沉积，以满足量产要求。

由于OLED器件为电流驱动型，其发光亮度与流经该OLED器件的电流大小有关，在显示单元中作为驱动的薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)的电学性能一般较为稳定，因此金属层和EL层的制作工艺的优劣直接影响OLED器件的显示效果。尤其是当EL层的沉积膜厚控制不精准时，导致整个OLED显示器件出现显示不均匀的问题。

因此，为了监控所蒸镀膜层的厚度，在金属掩膜的边缘处会相应地设置膜厚检测的区域，即在各有机材料的蒸气在依次沉积在待蒸镀区域的同时，各有机材料的蒸气也同步地依次沉积在金属掩膜的边缘处，以便蒸镀完成后对膜层厚度进行测试。

然而，由于现有的蒸镀作业方式为Inline连续作业，各有机材料依次蒸镀沉积在金属掩膜的边缘处形成层叠的多层膜，利用椭偏仪或台阶仪等膜厚测试仪器仅能获取同步沉积的多层膜的整体厚度，无法确定各层具体的厚度，难以准确地控制各蒸镀源的蒸镀速率。如果需要确定各蒸镀源的蒸镀速率，则在一次蒸镀工艺中仅能蒸镀沉积一种材料，从而对同步沉积在金属掩膜的边缘处的单一材料的膜层进行测试，才能获取单一材料在一定蒸镀时间内沉积的膜厚，以确定该蒸镀材料的蒸镀速率。但是这种一次蒸镀工艺中仅蒸镀一种材料的制备工艺难以采用Inline连续作业的方式，导致工艺消耗和生产成本显著增加、生产效率降低，难以满足量产化要求。

发明内容

鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种蒸镀掩膜板及蒸镀装置、蒸镀工艺及测试膜层厚度的方法，可简单有效地测试一次蒸镀工艺中各蒸镀源蒸发出的蒸镀材料沉积的膜厚，从而获取各蒸镀源准确的蒸镀速率，进一步提高了制备出的OLED器件的稳定性，并可降低蒸镀工艺的成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面、本发明实施例提供了一种蒸镀掩膜板，所述蒸镀掩膜板应用于依次沉积M种蒸镀材料，每种所述蒸镀材料放置在不同的蒸镀源中，每种所述蒸镀材料的蒸镀温度的区间无交集，M为大于1的正整数；所述蒸镀掩膜板包括掩膜板本体；所述蒸镀掩膜板还包括：设置在所述掩膜板本体朝向所述蒸镀源的第一表面上的M组温度监控装置；每组所述温度监控装置至少包括一个所述温度监控装置；设置在所述第一表面上呈凹陷的与每个所述温度监控装置一一对应的膜层监控区域；设置在每个所述膜层监控区域上的控制窗口；设置在每个所述膜层监控区域内的检测电极对，用于获取沉积到所述膜层监控区域内的膜层在测试电压下的测试电流值；每组所述温度监控装置用于当设定的一预设温度的区间包含所述温度监控装置获取到的所述蒸镀温度时，控制对应的所述膜层监控区域上的所述控制窗口打开，以使具有所述蒸镀温度的所述蒸镀源蒸发出的所述蒸镀材料沉积在露出的所述膜层监控区域内；其中，M组所述温度监控装置与M种所述蒸镀材料一一对应，且每组所述温度监控装置的所述预设温度的区间仅包含对应的一种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度；或者，M组所述温度监控装置包括：第一类型的M₁组所述温度监控装置和第二类型的(M-M₁)组所述温度监控装置，1≤M₁<M；所述M₁组中的任意一组所述温度监控装置的所述预设温度的区间包含N种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度，2≤N≤M，则其中(N-1)种所述蒸镀材料在所述第二类型的(M-M₁)组所述温度监控装置中均有一一对应的一组所述温度监控装置，且每组所述温度监控装置的所述预设温度的区间仅包含对应的一种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度。

优选的，每个所述温度监控装置包括：温度感应单元和处理单元；所述温度感应单元用于获取所述掩膜板本体下方的所述蒸镀温度，并向所述处理单元发送包含获取到的所述蒸镀温度的感应信息；所述处理单元用于对接收到的所述感应信息进行处理，并向与所述温度监控装置对应的所述控制窗口发出反馈信息；所述控制窗口根据接收到的所述反馈信息作出打开或关闭的反应；其中，当所述处理单元判断所述预设温度的区间包含所述蒸镀温度时，所述反馈信息包括开启信息；当所述处理单元判断所述预设温度的区间不包含所述蒸镀温度时，所述反馈信息包括关闭信息。

优选的，在多种所述蒸镀材料均为有机材料的情况下，所述检测电极对包括：相对设置的两个交叉指型电极，且所述两个交叉指型电极的交叉部分具有间隙。

优选的，在多种所述蒸镀材料均为金属材料的情况下，所述检测电极对包括：相对设置的两个条形电极，且所述两个条形电极分别位于所述膜层监控区域的相对的两个边缘处。

优选的，所述掩膜板本体包括：开口部分和架设在所述开口部分内的支撑条。

第二方面、本发明实施例提供了一种蒸镀装置，包括放置在不同蒸镀区域内的M个蒸镀源；每个所述蒸镀源放置不同的蒸镀材料，每种所述蒸镀材料的蒸镀温度的区域无交集，M为大于1的正整数；所述蒸镀装置还包括：设置在所述蒸镀源蒸发方向上方的上述所述的蒸镀掩膜板。

第三方面、本发明实施例提供了一种蒸镀工艺，所述蒸镀工艺包括：提供M个蒸镀源；每个所述蒸镀源放置不同的蒸镀材料，每种所述蒸镀材料的蒸镀温度的区间无交集，M为大于1的正整数；对各所述蒸镀源进行加热；将上述所述的蒸镀掩膜板依次移动至各所述蒸镀源上方，当设定的一所述预设温度的区间包含所述温度监控装置获取到的所述蒸镀温度时，控制对应的所述膜层监控区域上的所述控制窗口打开，以使具有所述蒸镀温度的所述蒸镀源蒸发出的所述蒸镀材料沉积在露出的所述膜层监控区域内；其中，M组所述温度监控装置与M种所述蒸镀材料一一对应，且每组所述温度监控装置的所述预设温度的区间仅包含对应的一种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度；或者，M组所述温度监控装置包括：第一类型的M₁组所述温度监控装置和第二类型的(M-M₁)组所述温度监控装置，1≤M₁<M；所述M₁组中的任意一组所述温度监控装置的所述预设温度的区间包含N种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度，2≤N≤M，则其中(N-1)种所述蒸镀材料在所述第二类型的(M-M₁)组所述温度监控装置中均有一一对应的一组所述温度监控装置，且每组所述温度监控装置的所述预设温度的区间仅包含对应的一种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度。

第四方面、本发明实施例提供了一种测试膜层厚度的方法，所述膜层为上述所述的蒸镀工艺在各膜层监控区域内蒸镀沉积的膜层；所述测试膜层厚度的方法包括：根据设置在所述膜层监控区域内的检测电极对获取沉积到各所述膜层监控区域内的膜层在测试电压下的测试电流值；根据所述测试电压和所述测试电流值获取每个所述蒸镀源在一定蒸镀时间内蒸镀沉积的膜层厚度。

优选的，在多种所述蒸镀材料均为有机材料，且所述膜层监控区域内仅沉积单一的一种蒸镀材料的情况下，每个所述蒸镀源在一定蒸镀时间内蒸镀沉积的膜层厚度d₀＝ε×S×U/(4π×k×Q)；其中，ε为介电常数，S为所述检测电极对的正对面积，k为静电力常量，U为所述测试电压，Q为所述测试电流值。

优选的，在多种所述蒸镀材料均为金属材料，且所述膜层监控区域内仅沉积单一的一种蒸镀材料的情况下，每个所述蒸镀源在一定蒸镀时间内蒸镀沉积的膜层厚度d₀＝U/(I×ρ×S)；其中，ρ为所述蒸镀材料的电阻率，S为所述膜层监控区域13的面积，U为所述测试电压，I为所述测试电流值。

基于此，通过本发明实施例提供的上述蒸镀掩膜板，由于该蒸镀掩膜板上设置了相应的感应装置，可联合辨别出不同的蒸镀材料，一次蒸镀过程即可检测各不同蒸镀源的蒸镀，从而可准确测试出一次蒸镀工艺中各蒸镀源蒸发出的蒸镀材料沉积的膜厚，从而获取各蒸镀源准确的蒸镀速率，进一步提高了制备出的OLED器件的稳定性，并可降低蒸镀工艺的成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种蒸镀工艺示意图；

图2为本发明实施例1提供的一种蒸镀掩膜板的结构示意图；

图3为本发明实施例1提供的一种蒸镀掩膜板的局部结构示意图一；

图4为本发明实施例1提供的一种蒸镀掩膜板的局部结构示意图二；

图5为本发明实施例1提供的一种蒸镀掩膜板的局部结构示意图三；

图6为本发明实施例1提供的一种蒸镀掩膜板的局部结构示意图四；

图7为本发明实施例1提供的一种OLED显示基板和器件的制备工艺流程示意图；

图8为本发明实施例5提供的蒸镀沉积的膜层厚度测量示意图；

图9为本发明实施例6提供的蒸镀沉积的膜层厚度测量示意图。

附图标记：

1a-金属掩膜；1-蒸镀掩膜板；11-掩膜板本体；12-开口部分；13-膜层监控区域；14-控制窗口；15-温度感应单元；16-处理单元；171-交叉指型电极；172-条形电极；18-支撑条；2-蒸镀源；21-有机膜层；22-金属膜层；3-待蒸镀基板；3a-待蒸镀区域。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。

例如，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，仅是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上/上方”、“下/下方”、“一侧”以及“另一侧”等指示的方位或位置关系的术语为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于说明本发明的技术方案的简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

实施例1

如图2所示，本发明实施例提供了一种蒸镀掩膜板1，该蒸镀掩膜板1应用于依次沉积M种蒸镀材料，每种蒸镀材料放置在不同的蒸镀源中，每种蒸镀材料的蒸镀温度的区间无交集，M为大于1的正整数；上述蒸镀掩膜板1具体包括：掩膜板本体11；设置在掩膜板本体11朝向蒸镀源的第一表面上的M组温度监控装置，每组温度监控装置至少包括一个温度监控装置；温度监控装置设置在第一表面上呈凹陷的与每个温度监控装置一一对应的膜层监控区域13；设置在每个膜层监控区域13上的控制窗口14；设置在每个膜层监控区域13内的检测电极对(图2中未示意出)，用于获取沉积到膜层监控区域内的膜层在测试电压下的测试电流值；每组温度监控装置用于当设定的一预设温度的区间包含温度监控装置获取到的蒸镀温度时，控制对应的膜层监控区域13上的控制窗口14打开，以使具有该蒸镀温度的蒸镀源蒸发出的蒸镀材料沉积在露出的膜层监控区域13内；其中，M组温度监控装置与M种蒸镀材料一一对应，且每组温度监控装置的预设温度的区间仅包含对应的一种蒸镀材料的蒸镀温度；或者，M组温度监控装置包括：第一类型的M₁组温度监控装置和第二类型的(M-M₁)组温度监控装置，1≤M₁<M；M₁组中的任意一组温度监控装置的预设温度的区间包含N种蒸镀材料的蒸镀温度，2≤N≤M，则其中(N-1)种蒸镀材料在前述的第二类型的(M-M₁)组温度监控装置中均有一一对应的一组温度监控装置，且每组温度监控装置的预设温度的区间仅包含对应的一种蒸镀材料的蒸镀温度。

需要说明的是，第一、参考图2所示，上述掩膜板本体11为构成蒸镀掩膜板1(Evaporation Mask)的主体结构，通常为一个薄片状的金属板材，其上形成有呈镂空状的一个或多个开口部分12。待蒸镀基板贴附在蒸镀掩膜板1上，即位于掩膜板本体11背离蒸镀源的另一侧，开口部分12露出待蒸镀基板上相应的蒸镀区域，以使从蒸镀源中蒸发出的蒸镀材料沉积在待蒸镀基板上。

第二、本发明实施例提供的上述蒸镀掩膜板1具体应用于依次沉积不同蒸镀材料的蒸镀工艺中。其中，每种蒸镀材料放置在不同的蒸镀源中，各蒸镀材料的蒸镀温度的区间无交集，各蒸镀温度的区间互不相同。即，蒸镀掩膜板1依次移动至不同的蒸镀源上方进行蒸镀，对于某一膜层监控区域13而言，如图3所示，当控制窗口14打开露出该膜层监控区域13后，控制窗口14开启一次后仅有一种蒸镀材料沉积在该膜层监控区域13内。

这里，上述的“蒸镀温度”即指的是蒸镀材料受热蒸发出的气体的温度，该温度为具有一定范围的某一温度区间。对于不同的蒸镀材料，其蒸镀温度也不同，例如一种HIL材料的蒸镀温度的范围为300～360℃，一种ETL材料的蒸镀温度的范围为230～285℃，OLED器件在进行有机材料蒸镀时，各膜层有机材料的蒸镀温度都不相同。同样的，OLED器件在进行金属材料，例如锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)等或其合金材料的蒸镀时，当待形成的金属电极层为多层结构时，各膜层金属材料的蒸镀温度也都不相同。为此可以通过设置上述的温度监控装置，实时监测用于向待蒸镀基板进行蒸镀沉积的材料的蒸镀温度，用以监测辨别不同蒸镀区域(即不同蒸镀源所在的蒸镀腔室)所蒸镀的材料种类。

第三、每组温度监控装置至少包括一个温度监控装置，即一组温度监控装置至少对应有一个膜层监控区域13(Layer Test Zone)，当温度监控装置感应到对应的蒸镀材料的蒸镀温度后，控制对应的控制窗口14(Control Window)打开露出与该温度监控装置对应的膜层监控区域13。其中，每组温度监控装置设定有一预设温度，该预设温度的区间包含温度监控装置获取到的蒸镀温度，即指该温度监控装置获取到的蒸镀温度为设定的该预设温度的封闭区间上(包括区间两端的数值)的任意一数值。

第四、检测电极对用于获取沉积到膜层监控区域内的膜层在测试电压下的测试电流值。根据测试电压和测试电流值可以获取沉积到膜层监控区域内的膜层厚度。

当上述的多种蒸镀材料均为有机材料时，具体的检测原理如下所述：

由于蒸镀的有机材料导电能力较差可以作为设置在膜层监控区域13内的检测电极对之间的绝缘层。即，检测电极对与沉积的膜层构成了一个电容，电容C的表达式有以下两种：

C＝ε×S/(4π×k×d)； (Equ.1)

C＝Q/U； (Equ.2)

其中，ε为介电常数，S为构成检测电极对的两个电极的正对面积，k为静电力常量，d为沉积到前述膜层监控区域13内的膜层的厚度，Q为沉积到前述膜层监控区域13内的膜层的两端的电荷量(即前述的检测电流值)，U为电压(即前述的测试电压)。

根据上述表达式Equ.1和Equ.2可知，对于单层有机材料，其在一定蒸镀时间内沉积的膜厚d₀可由以下表达式确定：

d₀＝ε×S×U/(4π×k×Q)；

再由蒸镀时间t即可获得该种蒸镀材料的蒸镀速率(E_R)，E_R的表达式为：

E_R＝ε×S×U/(4π×k×Q×t)；

这里，为了简便起见，上述的M组温度监控装置与M种蒸镀材料一一对应，且每组温度监控装置的预设温度的区间仅包含对应的一种蒸镀材料的蒸镀温度，即每种蒸镀材料都有对应的独立的一组温度监控装置，该组温度监控装置仅感应到该蒸镀材料的蒸镀温度后才开启控制窗口14，以沉积该蒸镀材料。

这样一来，在一次蒸镀工艺结束后，每个膜层监控区域13内均沉积的为单一材料的膜层，上述的测试电压和测试电流值，即可获取每种蒸镀材料在一定蒸镀时间t内沉积的单一膜层厚度d₀，并进一步获取该种蒸镀材料的蒸镀速率E_R。通过确定出的各种蒸镀材料的具体蒸镀速率E_R可获得复合有机材料的最佳蒸镀工艺参数，以提升OLED显示器件的性能。

或者，也可以将部分膜层监控区域13设计为仅沉积一种蒸镀材料，即在一次蒸镀工艺结束后，部分膜层监控区域13内沉积的为一种蒸镀材料的单一膜层厚度d₀；同时将另外部分的膜层监控区域13设计为依次沉积不同的蒸镀材料，即在一次蒸镀工艺结束后，这部分膜层监控区域13内沉积的为多种蒸镀材料的复合膜层厚度d_复合。对于沉积的多层结构，可以看作是具有单一膜层的多个单一电容的并联，通过之前获取的部分蒸镀材料的单一膜层厚度d₀即可获取复合膜层厚度d_复合。

即M组温度监控装置包括：第一类型的M₁组温度监控装置和第二类型的(M-M₁)组温度监控装置，1≤M₁<M；M₁组中的任意一组温度监控装置的预设温度的区间包含N种蒸镀材料的蒸镀温度，2≤N≤M，则其中(N-1)种蒸镀材料在第二类型的(M-M₁)组温度监控装置中均有一一对应的一组温度监控装置，且每组温度监控装置的预设温度的区间仅包含对应的一种蒸镀材料的蒸镀温度。具体过程为，以蒸镀材料为A、B、C三种为例，A的蒸镀温度例如为150～200℃，则与A对应的一组温度监控装置(简称为S_A)的预设温度的区间也为150～200℃；B的蒸镀温度例如为220～280℃，则与B对应的一组温度监控装置(简称S_B)的预设温度的区间也为220～280℃；S_A与S_B即属于上述的第二类型的温度监控装置，该温度监控装置的预设温度的区间均仅包含对应的一种蒸镀材料的蒸镀温度，即S_A与S_B均仅对应单独的一种蒸镀材料。

C的蒸镀温度例如为300～350℃，则与C对应的一组温度监控装置(简称S_C)的预设温度的区间为150～350℃，即S_C属于上述的第一类型的温度监控装置，该预设温度的区间包含N取值为3的三种蒸镀材料的蒸镀温度，即S_C设定的预设温度的区间跨越了A、B、C这三种蒸镀材料的蒸镀温度的总区间范围，从而使得该温度监控装置也可感应到A和B的蒸镀温度。

当上述蒸镀掩膜板1下方的蒸镀源蒸发出的蒸气的蒸镀温度为150～200℃时，S_A感应到该温度并控制对应的控制窗口14打开露出膜层监控区域13，与S_A对应的膜层监控区域(简称为L_A)内沉积单一的A；S_c同时也感应到该温度并驱动控制窗口14打开露出膜层监控区域13，与S_C对应的膜层监控区域13(简称为L_C)内沉积第一层的单一的A；当上述蒸镀掩膜板1下方的蒸镀源蒸发出的物质的蒸镀温度为220～280℃，同理，S_B和S_C均感应到该温度，即与S_B对应的膜层监控区域13(简称为L_B)内沉积单一的B，L_C继续沉积第二层的单一的B；当上述蒸镀掩膜板1下方的蒸镀源蒸发出的物质的蒸镀温度为300～350℃，仅有S_C能感应到该温度，L_C内继续沉积第三层的单一的C。

在一次蒸镀工艺结束后，通过检测L_A内的膜层测试电压和测试电流值，可获取沉积的单一A膜层的电容值，进而确定沉积的单一的A的膜厚d_A；通过检测L_B内的膜层测试电压和测试电流值，可获取沉积的单一B膜层的电容值，进而确定沉积的单一的B的膜厚d_B；通过检测L_C内的膜层测试电压和测试电流值，可获取沉积的三层复合材料A+B+C的总电容值，由于该电容中的有机材料由A、B、C依次沉积而成，可看作三层电容的并联结构，根据已获取的单一A膜层的电容值和单一B膜层的电容值，可确定其中单一C膜层的电容值，由于单一材料的介电常数是已知的物理常数，故通过相应的计算可得到单一的C的膜厚。

第五、检测电极对用于获取沉积到膜层监控区域内的膜层在测试电压下的测试电流值。根据测试电压和测试电流值可以获取沉积到膜层监控区域内的膜层厚度。

当上述的多种蒸镀材料均为金属材料时，具体的检测原理如下所述：

由于蒸镀的金属材料(如Li，Al，Mg等或其合金材料)导电性较好，可以采用电流数据设计测量方法。根据伏特测量法和电阻计算方法，有以下电学表达式：

U＝I×R＝I×R_sq×S； (Equ.3)

R_sq＝ρ×d； (Equ.4)

E_R＝d/t； (Equ.5)

其中，U为电压，I为电流，R为电阻，R_sq为方阻，S为膜层监控区域13的面积，ρ为电阻率，d为沉积到前述膜层监控区域13内的膜层的厚度，E_R为蒸镀速率，t为蒸镀时间。

根据上述表达式Equ.3和Equ.4可知，对于单层金属材料，电阻率ρ为蒸镀的金属材料的物理特性(即已知常数)，该种蒸镀材料在一定蒸镀时间内沉积的膜厚d₀可由以下表达式确定：

d₀＝U/(I×ρ×S)；

再由蒸镀时间t即可获得该种蒸镀材料的蒸镀速率(E_R)，E_R的表达式为：

E_R＝U/(I×ρ×S×t)；

这里，为了简便起见，上述的M组温度监控装置与M种蒸镀材料一一对应，且每组温度监控装置的预设温度的区间仅包含对应的一种蒸镀材料的蒸镀温度，即每种蒸镀材料都有对应的独立的一组温度监控装置，该组温度监控装置仅感应到该蒸镀材料的蒸镀温度后才开启控制窗口14，以沉积该蒸镀材料。

这样一来，在一次蒸镀工艺结束后，每个膜层监控区域13内均沉积的为单一材料的膜层，上述的测试电压和测试电流值，即可获取每种蒸镀材料在一定蒸镀时间t内沉积的单一膜层厚度d₀，并进一步获取该种蒸镀材料的蒸镀速率E_R。通过确定出的各种蒸镀材料的具体蒸镀速率E_R可获得多层金属材料的最佳蒸镀工艺参数，以提升OLED显示器件的性能。

或者，也可以将部分膜层监控区域13设计为仅沉积一种蒸镀材料，即在一次蒸镀工艺结束后，部分膜层监控区域13内沉积的为一种蒸镀材料的单一膜层厚度d₀；同时将另外部分的膜层监控区域13设计为依次沉积不同的蒸镀材料，即在一次蒸镀工艺结束后，这部分膜层监控区域13内沉积的为多种蒸镀材料的复合膜层厚度d复合。对于沉积的多层结构，可以看作是具有单一膜层的多个单一电阻的并联，通过之前获取的部分蒸镀材料的单一膜层厚度d₀即可获取复合膜层厚度d_复合，具体原理可参见上述蒸镀材料为有机材料时的相关说明，本发明实施例对此不再赘述。

基于此，通过本发明实施例提供的上述蒸镀掩膜板1，由于该蒸镀掩膜板1上设置了相应的感应装置，可联合辨别出不同的蒸镀材料，一次蒸镀过程即可检测各不同蒸镀源的蒸镀，从而可准确测试出一次蒸镀工艺中各蒸镀源蒸发出的蒸镀材料沉积的膜厚，从而获取各蒸镀源准确的蒸镀速率，进一步提高了制备出的OLED器件的稳定性，并可降低蒸镀工艺的成本。

并且，当上述蒸镀材料具体为OLED材料中的EL层的各层材料时，并不容易使用椭偏仪或台阶仪等常规膜厚测量仪器进行各层材料的精确测量；同时，由于各有机材料的折射率较为相近，也难以通过各层折射率之间的计算获得相应膜厚。而本发明实施例提供的上述蒸镀掩膜板1，不是通过椭偏仪、台阶仪等常规膜厚测量仪器，或者计算各层折射率的方式获取沉积膜层的厚度，而是通过测量电容的方式，从而可准确获取各有机材料的沉积厚度和蒸镀速率。

在上述基础上，进一步的，如图4所示，上述温度监控装置具体包括：温度感应单元15(Temperature Sensor)和处理单元(即IC Control，由IC控制的部分)16；温度感应单元15用于获取掩膜板本体11下方的蒸镀温度，并向处理单元16发送包含获取到的蒸镀温度的感应信息；处理单元16用于对接收到的感应信息进行处理，并向与该温度监控装置对应的控制窗口14发出反馈信息；控制窗口14根据接收到的反馈信息作出打开或关闭的反应；其中，当处理单元16判断预设温度的区间包含蒸镀温度时，反馈信息包括开启信息，控制窗口14即作出打开的反应；当处理单元16判断预设温度的区间不包含蒸镀温度时，反馈信息包括关闭信息，控制窗口14即作出关闭的反应。

进一步的，为了提高膜层厚度检测的准确率，减小测量误差，每组温度监控装置包括有两个温度监控装置，即对应有两个膜层监控区域13。

这样一来，可以选取掩膜板本体11的第一表面上不同位置的至少两个膜层监控区域13进行检测，根据获取的每种蒸镀材料的单层厚度的至少两个数值得到均匀参数，以提高检测的准确率，降低测量误差。

在上述基础上，在多个蒸镀材料均为有机材料的情况下，如图5所示，上述的检测电极对包括：相对设置的两个交叉指型电极171，且两个交叉指型电极171的交叉部分具有间隙(图中标记为a)，即蒸镀材料相应地会沉积在两个交叉指型电极171的交叉部分，从而构成一个电容结构。

在多个蒸镀材料均为金属材料的情况下，如图6所示，上述的检测电极对包括：相对设置的两个条形电极172，且两个条形电极172分别位于膜层监控区域13的相对的两个边缘处，即蒸镀材料沉积在两个条形电极172和膜层监控区域13内，以便通过条形电极172获取沉积的膜层在测试电压下的测试电流值。

进一步的，参考图2所示，上述掩膜板本体11还包括架设在开口部分12内的支撑条18(Sheet)。支撑条18可根据不同待蒸镀基板尺寸设置，例如通过在开口部分12内架设两个支撑条来放置三个待蒸镀基板Panel A、Panel B和Panel C。

可利用上述蒸镀掩膜板1来监测各蒸镀源的蒸镀速率，并通过获取的蒸镀速率指导蒸镀工艺，来制备OLED显示基板和器件，如图7所示，具体制备工艺流程为：

步骤S01、由温度监控装置感应辨别不同的蒸镀材料，一次蒸镀过程即监测各不同膜层的蒸镀；

步骤S02、由测试电压和测试电流值计算各膜层的电容值或电阻值；

步骤S03、计算各膜层的相应厚度并获取各蒸镀材料的蒸镀速率；

步骤S04、由各蒸镀材料的蒸镀速率反馈指导蒸镀工艺的参数设定；

步骤S05、制备OLED显示器件和显示装置。

实施例2

进一步的，本发明实施例进一步还提供了一种蒸镀装置，包括放置在不同蒸镀区域内的M个蒸镀源；每个蒸镀源放置不同的蒸镀材料，每种蒸镀材料的蒸镀温度的区域无交集，M为大于1的正整数；上述蒸镀装置还包括：设置在蒸镀源蒸发方向上方的上述蒸镀掩膜板1。

实施例3

进一步的，本发明实施例进一步还提供了一种蒸镀工艺，该蒸镀工艺包括：

步骤S(1-1)、提供多个蒸镀源；每个蒸镀源放置不同的蒸镀材料，每种蒸镀材料的蒸镀温度的区间无交集，M为大于1的正整数；

步骤S(2-1)、对各蒸镀源进行加热；

步骤S(3-1)、将上述的蒸镀掩膜板依次移动至各蒸镀源上方，当设定的一所述预设温度的区间包含所述温度监控装置获取到的所述蒸镀温度时，控制对应的所述膜层监控区域上的所述控制窗口打开，以使具有所述蒸镀温度的所述蒸镀源蒸发出的所述蒸镀材料沉积在露出的所述膜层监控区域内；其中，M组所述温度监控装置与M种所述蒸镀材料一一对应，且每组所述温度监控装置的所述预设温度的区间仅包含对应的一种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度；或者，M组所述温度监控装置包括：第一类型的M₁组所述温度监控装置和第二类型的(M-M₁)组所述温度监控装置，1≤M₁<M；所述M₁组中的任意一组所述温度监控装置的所述预设温度的区间包含N种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度，2≤N≤M，则其中(N-1)种所述蒸镀材料在所述第二类型的(M-M₁)组所述温度监控装置中均有一一对应的一组所述温度监控装置，且每组所述温度监控装置的所述预设温度的区间仅包含对应的一种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度。

需要说明的是，上述的蒸镀工艺可仅对蒸镀掩膜板上的膜层监控区域进行沉积，即该蒸镀工艺仅作为测试的前段工序；或者，上述蒸镀工艺也可以在待蒸镀基板上同步沉积各层蒸镀材料。

具体过程为，在进行上述步骤S(3-1)之前，将待蒸镀基板贴附在上述蒸镀掩膜板1上，蒸镀掩膜板1上的开口部分12露出待蒸镀基板上的待蒸镀区域；则在进行步骤S(3-1)时，各蒸镀源蒸发出的蒸镀材料依次沉积在待蒸镀区域上。

这里，针对上述步骤S(3-1)，由于每种蒸镀材料均有对应的一组或多组温度监控装置，故每种蒸镀源中的蒸镀材料均会沉积到相应的膜层监控区域内，从而可在一次蒸镀工艺中即监测各不同蒸镀材料在一定蒸镀时间内蒸镀的膜层厚度。

实施例4

进一步的，本发明实施例进一步还提供了一种测试膜层厚度的方法，该膜层为采用上述蒸镀工艺在各膜层监控区域内蒸镀沉积的膜层；该测试膜层厚度的方法包括：

步骤S(1-2)、根据设置在膜层监控区域13内的检测电极对获取沉积到各膜层监控区域内13的膜层在测试电压下的测试电流值；

步骤S(2-2)、根据测试电压和测试电流值获取在一定蒸镀时间内从每个蒸镀源蒸镀沉积的膜层厚度。其中，在多种蒸镀材料均为有机材料，且膜层监控区域内仅沉积单一的一种蒸镀材料的情况下，每个蒸镀源在一定蒸镀时间内蒸镀沉积的膜层厚度d₀＝ε×S×U/(4π×k×Q)；其中，ε为介电常数，S为检测电极对的正对面积，k为静电力常量，U为测试电压，Q为测试电流值。

对于某一膜层监控区域13内沉积有N层不同有机材料的情况，可看作N层电容的并联结构，由于其中的(N-1)种有机材料均对应有独立的单一膜层的膜层监控区域13，根据已获取的单一(N-1)层的电容值，可确定其余的一种没有单一检测区域的有机材料膜层的电容值，由于该有机材料膜层的介电常数是已知的物理常数，故通过相应的计算可得到前述的没有单一检测区域的有机材料膜层的膜厚，从而可获取各蒸镀源在一定蒸镀时间内蒸镀沉积的膜层厚度。

在多种蒸镀材料均为金属材料，且膜层监控区域内仅沉积单一的一种蒸镀材料的情况下，每个蒸镀源在一定蒸镀时间内蒸镀沉积的膜层厚度d₀＝U/(I×ρ×S)；其中，ρ为该种蒸镀材料的电阻率，S为膜层监控区域13的面积，U为测试电压，I为测试电流值。

对于某一膜层监控区域13内沉积有N层不同金属材料的情况，可看作N层电阻的并联结构，由于其中的(N-1)种金属材料均对应有独立的单一膜层的膜层监控区域13，根据已获取的单一(N-1)层的电阻值，可确定其余的一种没有单一检测区域的金属材料膜层的电阻值，由于该金属材料膜层的电阻率是已知的物理常数，故通过相应的计算可得到前述的没有单一检测区域的金属材料膜层的膜厚，从而可获取各蒸镀源在一定蒸镀时间内蒸镀沉积的膜层厚度。

下面进一步提供两个具体实施例，用于详细描述上述的蒸镀工艺及后续的测试过程：

实施例5

本实施例的具体方案为：

1、提供参考图2所示的蒸镀掩膜板1，该蒸镀掩膜板1的掩膜板本体11朝向蒸镀源的第一表面上设置有多个呈凹陷的膜层监控区域13(即L01、L02、L03……L11、L12)，每个膜层监控区域13对应有一个温度监控装置，图中仅以示意出其中的温度感应单元(即S01、S02、S03……S11、S12)，为了简便起图中标示为S/L-01、S/L-02、S/L-03……S/L-11、S/L-12。其中，每种蒸镀材料对应的一组温度监控装置至少包括两个温度监控装置。对于任一组温度监控装置而言，其设定的预设温度的区间仅包含对应的一种蒸镀材料的蒸镀温度，而不包括其他蒸镀材料的蒸镀温度。

2、参考图2和图4所示，每个温度监控装置具体包括：温度感应单元15(Temperature Sensor)和处理单元(即IC Control，由IC控制的部分)16；温度感应单元15用于获取掩膜板本体11下方的蒸镀温度，并向处理单元16发送包含获取到的蒸镀温度的感应信息；处理单元16用于对接收到的感应信息进行处理，并向与该温度监控装置对应的控制窗口14发出反馈信息；控制窗口14根据接收到的反馈信息作出打开或关闭的反应；其中，当处理单元16判断预设温度的区间包含蒸镀温度时，反馈信息包括开启信息，控制窗口14即作出打开的反应；当处理单元16判断预设温度的区间不包含蒸镀温度时，反馈信息包括关闭信息，控制窗口14即作出关闭的反应。

主要作用机制为：

1)、各个膜层监控区域13(L01、L02、L03……L11、L12)连接的温度感应单元15获取掩膜板本体11下方的蒸镀源蒸发出的蒸气的蒸镀温度；

2)、温度感应单元15向处理单元16发送包含获取到的蒸镀温度的感应信息，即将获得的信号传送给处理单元16；

3)、由处理单元16对信号进行处理，反馈作用信息至相应的各个控制窗口14；

4)、控制窗口14根据接收到的反馈信息作出打开或关闭的反应；

5)、根据控制窗口14的打开或关闭状态，露出的膜层监控区域13上将蒸镀沉积不同的单一有机材料膜层；

3、将待蒸镀基板所需蒸镀的各有机材料依次填入不同的蒸镀源中；

4、将待蒸镀基板贴附在上述蒸镀掩膜板1上；

5、由蒸镀源蒸发出的有机材料，蒸镀沉积在待蒸镀基板、蒸镀掩膜板1的掩膜板本体11靠近蒸镀源的第一表面以及控制窗口14的状态为打开的膜层监控区域13上；

6、在蒸镀不同有机材料的膜层时，可以选取掩膜板本体11上不同位置的膜层监控区域13区域至少两个；

7、蒸镀工艺完成后，由一次蒸镀获得的各有机材料在相应膜层监控区域13内沉积的膜层。如图8所示，采用交叉指型电极进行测试，蒸镀的有机材料膜层21沉积在两个交叉指型电极171的交叉部分之间的间隙处，由于有机材料导电能力较差可以作为交叉电极中的绝缘层，读取测试电压和测试电流(即电荷数值)；

8、单层有机材料可测得：d₀＝ε×S×U/(4π×k×Q)；再由蒸镀时间t可该种有机材料的蒸镀速率E_R＝ε×S×U/(4π×k×Q×t)；

9、选取同一有机膜层蒸镀的不同膜层监控区域13，可根据单层厚度的至少两个数值得到平均参数；

10、通过各有机材料的蒸镀速率E_R＝ε×S×U/(4π×k×Q×t)可获得复合有机材料的最佳蒸镀厚度；

11、由此蒸镀工艺制备OLED显示基板和显示器件。

实施例6

本实施例的具体方案为：

1、提供参考图2所示的蒸镀掩膜板1，该蒸镀掩膜板1的掩膜板本体11朝向蒸镀源的第一表面上设置有多个呈凹陷的膜层监控区域13(即L01、L02、L03……L11、L12)，每个膜层监控区域13对应有一个温度监控装置，图中仅以示意出其中的温度感应单元(即S01、S02、S03……S11、S12)，为了简便起图中标示为S/L-01、S/L-02、S/L-03……S/L-11、S/L-12。其中，每种蒸镀材料对应的一组温度监控装置至少包括两个温度监控装置。对于任一组温度监控装置而言，其设定的预设温度的区间仅包含对应的一种蒸镀材料的蒸镀温度，而不包括其他蒸镀材料的蒸镀温度。

2、参考图2和图4所示，每个温度监控装置具体包括：温度感应单元15(Temperature Sensor)和处理单元(即IC Control，由IC控制的部分)16；温度感应单元15用于获取掩膜板本体11下方的蒸镀温度，并向处理单元16发送包含获取到的蒸镀温度的感应信息；处理单元16用于对接收到的感应信息进行处理，并向与该温度监控装置对应的控制窗口14发出反馈信息；控制窗口14根据接收到的反馈信息作出打开或关闭的反应；其中，当处理单元16判断预设温度的区间包含蒸镀温度时，反馈信息包括开启信息，控制窗口14即作出打开的反应；当处理单元16判断预设温度的区间不包含蒸镀温度时，反馈信息包括关闭信息，控制窗口14即作出关闭的反应。

主要作用机制为：

1)、各个膜层监控区域13(L01、L02、L03……L11、L12)连接的温度感应单元15获取掩膜板本体11下方的蒸镀源蒸发出的蒸气的蒸镀温度；

2)、温度感应单元15向处理单元16发送包含获取到的蒸镀温度的感应信息，即将获得的信号传送给处理单元16；

3)、由处理单元16对信号进行处理，反馈作用信息至相应的各个控制窗口14；

4)、控制窗口14根据接收到的反馈信息作出打开或关闭的反应；

5)、根据控制窗口14的打开或关闭状态，露出的膜层监控区域13上将蒸镀沉积不同的单一金属材料膜层；

3、将待蒸镀基板所需蒸镀的各金属材料依次填入不同的蒸镀源中；

4、将待蒸镀基板贴附在上述蒸镀掩膜板1上；

5、由蒸镀源蒸发出的金属材料，蒸镀沉积在待蒸镀基板、蒸镀掩膜板1的掩膜板本体11靠近蒸镀源的第一表面以及控制窗口14的状态为打开的膜层监控区域13上；

6、在蒸镀不同金属材料的膜层时，可以选取掩膜板本体11上不同位置的膜层监控区域13区域至少两个；

7、蒸镀工艺完成后，由一次蒸镀获得的各金属材料在相应膜层监控区域13内沉积的膜层。如图9所示，采用相对的条形电极进行伏安测试，蒸镀的金属膜层22沉积在相对的两个条形电极172上，读取条形电极172两端的测试电压和测试电流(即电荷数值)；

8、单层金属材料可测得：d₀＝U/(I×ρ×S)；再由蒸镀时间t可该种金属材料的蒸镀速率E_R＝U/(I×ρ×S×t)；

9、选取同一金属膜层蒸镀的不同膜层监控区域13，可根据单层厚度的至少两个数值得到平均参数；

10、通过各金属材料的蒸镀速率E_R＝U/(I×ρ×S×t)可获得复合金属材料的最佳蒸镀厚度；

11、由此蒸镀工艺制备OLED显示基板和显示器件。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种蒸镀掩膜板，所述蒸镀掩膜板应用于依次沉积M种蒸镀材料，每种所述蒸镀材料放置在不同的蒸镀源中，每种所述蒸镀材料的蒸镀温度的区间无交集，M为大于1的正整数；所述蒸镀掩膜板包括掩膜板本体；其特征在于，所述蒸镀掩膜板还包括：

设置在所述掩膜板本体朝向所述蒸镀源的第一表面上的M组温度监控装置；每组所述温度监控装置至少包括一个所述温度监控装置；

设置在所述第一表面上呈凹陷的与每个所述温度监控装置一一对应的膜层监控区域；

设置在每个所述膜层监控区域上的控制窗口；

设置在每个所述膜层监控区域内的检测电极对，用于获取沉积到所述膜层监控区域内的膜层在测试电压下的测试电流值；

每组所述温度监控装置用于当设定的一预设温度的区间包含所述温度监控装置获取到的所述蒸镀温度时，控制对应的所述膜层监控区域上的所述控制窗口打开，以使具有所述蒸镀温度的所述蒸镀源蒸发出的所述蒸镀材料沉积在露出的所述膜层监控区域内；其中，

M组所述温度监控装置与M种所述蒸镀材料一一对应，且每组所述温度监控装置的所述预设温度的区间仅包含对应的一种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度；

或者，M组所述温度监控装置包括：第一类型的M₁组所述温度监控装置和第二类型的(M-M₁)组所述温度监控装置，1≤M₁<M；所述M₁组中的任意一组所述温度监控装置的所述预设温度的区间包含N种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度，2≤N≤M，则其中(N-1)种所述蒸镀材料在所述第二类型的(M-M₁)组所述温度监控装置中均有一一对应的一组所述温度监控装置，且每组所述温度监控装置的所述预设温度的区间仅包含对应的一种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度。

2.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，每个所述温度监控装置包括：温度感应单元和处理单元；

所述温度感应单元用于获取所述掩膜板本体下方的所述蒸镀温度，并向所述处理单元发送包含获取到的所述蒸镀温度的感应信息；

所述处理单元用于对接收到的所述感应信息进行处理，并向与所述温度监控装置对应的所述控制窗口发出反馈信息；

所述控制窗口根据接收到的所述反馈信息作出打开或关闭的反应；

其中，当所述处理单元判断所述预设温度的区间包含所述蒸镀温度时，所述反馈信息包括开启信息；当所述处理单元判断所述预设温度的区间不包含所述蒸镀温度时，所述反馈信息包括关闭信息。

3.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，在多种所述蒸镀材料均为有机材料的情况下，所述检测电极对包括：相对设置的两个交叉指型电极，且所述两个交叉指型电极的交叉部分具有间隙。

4.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，在多种所述蒸镀材料均为金属材料的情况下，所述检测电极对包括：相对设置的两个条形电极，且所述两个条形电极分别位于所述膜层监控区域的相对的两个边缘处。

5.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述掩膜板本体包括：开口部分和架设在所述开口部分内的支撑条。

6.一种蒸镀装置，包括放置在不同蒸镀区域内的M个蒸镀源；每个所述蒸镀源放置不同的蒸镀材料，每种所述蒸镀材料的蒸镀温度的区域无交集，M为大于1的正整数；其特征在于，所述蒸镀装置还包括：设置在所述蒸镀源蒸发方向上方的如权利要求1至5任一项所述的蒸镀掩膜板。

7.一种蒸镀工艺，其特征在于，所述蒸镀工艺包括：

提供M个蒸镀源；每个所述蒸镀源放置不同的蒸镀材料，每种所述蒸镀材料的蒸镀温度的区间无交集，M为大于1的正整数；

对各所述蒸镀源进行加热；

将权利要求1至5任一项所述的蒸镀掩膜板依次移动至各所述蒸镀源上方，当设定的一所述预设温度的区间包含所述温度监控装置获取到的所述蒸镀温度时，控制对应的所述膜层监控区域上的所述控制窗口打开，以使具有所述蒸镀温度的所述蒸镀源蒸发出的所述蒸镀材料沉积在露出的所述膜层监控区域内；其中，

M组所述温度监控装置与M种所述蒸镀材料一一对应，且每组所述温度监控装置的所述预设温度的区间仅包含对应的一种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度；

或者，M组所述温度监控装置包括：第一类型的M₁组所述温度监控装置和第二类型的(M-M₁)组所述温度监控装置，1≤M₁<M；所述M₁组中的任意一组所述温度监控装置的所述预设温度的区间包含N种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度，2≤N≤M，则其中(N-1)种所述蒸镀材料在所述第二类型的(M-M₁)组所述温度监控装置中均有一一对应的一组所述温度监控装置，且每组所述温度监控装置的所述预设温度的区间仅包含对应的一种所述蒸镀材料的所述蒸镀温度。

8.一种测试膜层厚度的方法，其特征在于，所述膜层为采用权利要求7所述的蒸镀工艺在各膜层监控区域内蒸镀沉积的膜层；所述测试膜层厚度的方法包括：

根据设置在所述膜层监控区域内的检测电极对获取沉积到各所述膜层监控区域内的膜层在测试电压下的测试电流值；

根据所述测试电压和所述测试电流值获取每个所述蒸镀源在一定蒸镀时间内蒸镀沉积的膜层厚度。

9.根据权利要求8所述的测试膜层厚度的方法，其特征在于，

在多种所述蒸镀材料均为有机材料，且所述膜层监控区域内仅沉积单一的一种蒸镀材料的情况下，

每个所述蒸镀源在一定蒸镀时间内蒸镀沉积的膜层厚度d₀＝ε×S×U/(4π×k×Q)；

其中，ε为介电常数，S为所述检测电极对的正对面积，k为静电力常量，U为所述测试电压，Q为所述测试电流值。

10.根据权利要求8所述的测试膜层厚度的方法，其特征在于，

在多种所述蒸镀材料均为金属材料，且所述膜层监控区域内仅沉积单一的一种蒸镀材料的情况下，

每个所述蒸镀源在一定蒸镀时间内蒸镀沉积的膜层厚度d₀＝U/(I×ρ×S)；

其中，ρ为所述蒸镀材料的电阻率，S为所述膜层监控区域的面积，U为所述测试电压，I为所述测试电流值。