CN111613547B - 基板及膜层材料确定方法、制造方法、测试系统 - Google Patents

基板及膜层材料确定方法、制造方法、测试系统 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种基板及膜层材料确定方法、制造方法、测试系统,涉及显示技术领域。该方法可以获取多个具有目标膜层的测试基板,测试每个测试基板中目标有机膜层的方阻,并将方阻最大的目标有机膜层的材料确定为用于形成显示基板中的目标有机膜层的材料。由于材料的方阻越大,导电能力越低,因此采用方阻最大的材料形成显示基板中的目标有机膜层,可以避免电子沿多个子像素共用的膜层传输至其他子像素所在区域,从而能够改善子像素的串扰现象,提高显示装置的显示效果。

Description

基板及膜层材料确定方法、制造方法、测试系统
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种基板及膜层材料确定方法、制造方法、测试系统。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示装置包括红绿蓝三种颜色的子像素,每个子像素包括:阳极层,空穴注入层,发光层以及阴极层。其中,
相关技术中,为了简化显示装置的制造工艺,可以使得该显示装置包括的多个子像素的空穴注入层共用。该空穴注入层可以用于将阳极层的空穴注入至发光层,该空穴能够与阴极层注入至发光层的电子结合而使发光层发光。对于每种颜色的子像素,在驱动电路提供的驱动电压大于或等于该子像素的启亮电压时,该子像素中的发光层即可发光。其中,子像素的启亮电压是指能够驱动该子像素中的发光层发光的最小电压。
但是,由于蓝色子像素的启亮电压比其他颜色的子像素的启亮电压大,因此若驱动电路向蓝色子像素施加驱动电压以驱动蓝色子像素发光时,该驱动电压所产生的电子能够沿空穴注入层传输至其他颜色的子像素所在区域,其他颜色的子像素也能够发光,即各个子像素出现串扰现象,显示装置的显示效果较差。
发明内容
本申请提供了一种基板及膜层材料确定方法、制造方法、测试系统,可以解决相关技术中由于各个子像素出现串扰现象,导致显示装置的显示效果较差的问题。所述技术方案如下:
一方面,提供了一种显示基板的膜层材料确定方法,所述方法包括:
获取多个测试基板,其中,每个所述测试基板包括第一衬底基板,位于所述第一衬底基板上的测试电极,以及与所述测试电极连接的目标有机膜层,所述多个测试基板中的目标有机膜层的材料不同;
向每个所述测试基板的测试电极施加驱动电压,测试流经每个所述测试基板中的目标有机膜层的电流;
对于每个所述测试基板中的目标有机膜层,根据所述驱动电压以及流经所述目标有机膜层的电流确定所述目标有机膜层的方阻;
将方阻最大的目标有机膜层的材料确定为用于形成所述显示基板中的目标有机膜层的材料。
可选的,所述测试电极包括:同层且相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述目标有机膜层靠近所述第一衬底基板的一侧;
所述向每个所述测试基板的测试电极施加驱动电压,包括:
向每个所述测试基板的所述第一电极和所述第二电极施加电压。
可选的,所述测试电极还包括:位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个第三电极和多个第四电极;
所述多个第三电极沿所述第一电极的延伸方向间隔排布,且每个所述第三电极的延伸方向与所述第一电极的延伸方向相交,每个所述第三电极的一端与所述第一电极连接;
所述多个第四电极沿所述第二电极的延伸方向间隔排布,且每个所述第四电极的延伸方向与所述第二电极的延伸方向相交,每个所述第四电极的一端与所述第一电极连接,且每个所述第四电极的另一端位于所述多个第三电极中两个所述第三电极之间。
可选的,所述多个第三电极和所述多个第四电极交错排布,且所述多个第三电极和所述多个第四电极中任意相邻的两个电极之间的距离为固定值;所述目标有机膜层的方阻Rs满足:Rs=(V/I)/(X×Z(n-1));
其中,所述V为所述驱动电压,所述I为流经所述目标有机膜层的电流,所述X为所述多个第三电极和所述多个第四电极中相邻的两个电极之间的距离,所述Z为所述第一电极与所述第二电极之间的距离,所述n为所述多个第三电极和所述多个第四电极的总数。
可选的,所述目标有机膜层的厚度小于厚度阈值,每个所述测试基板还包括:位于所述目标有机膜层远离所述第一衬底基板的一侧的保护膜层;
其中,所述多个测试基板中的所述保护膜层的材料相同。
可选的,每个所述测试基板还包括:阴极层,以及其他有机膜层,所述目标有机膜层和所述其他有机膜层均位于所述阴极层靠近所述第一衬底基板的一侧;
其中,所述多个测试基板中所述阴极层的材料相同,且所述多个测试基板中所述其他有机膜层的材料相同。
可选的,所述测试基板还包括:位于所述第一衬底基板的一侧的阳极层;
所述目标有机膜层和所述其他有机膜层均位于所述阳极层和所述阴极层之间,且所述阳极层在所述第一衬底基板上的正投影,与所述测试电极在所述第一衬底基板上的正投影不重叠;
所述阳极层用于与测试设备连接。
可选的,所述目标有机膜层为空穴传输层,空穴注入层,空穴阻挡层,电子传输层,电子注入层,电子阻挡层,以及发光层中的任一层。
另一方面,提供了一种测试基板,所述测试基板包括:第一衬底基板,位于所述第一衬底基板上的测试电极,以及与所述测试电极连接的目标有机膜层;
其中,所述测试电极包括:相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述第一衬底基板的一侧;
所述第一电极和所述第二电极用于向所述目标有机膜层施加电压。
可选的,所述测试电极还包括:多个第三电极,以及多个第四电极;
所述多个第三电极沿所述第一电极的延伸方向间隔排布,且每个所述第三电极的延伸方向与所述第一电极的延伸方向相交,每个所述第三电极的一端与所述第一电极连接;
所述多个第四电极沿所述第二电极的延伸方向间隔排布,且每个所述第四电极的延伸方向与所述第二电极的延伸方向相交,每个所述第四电极的一端与所述第一电极连接,且每个所述第四电极的另一端位于所述多个第三电极中两个所述第三电极之间。
又一方面,提供了一种测试系统,所述测试系统包括:测试设备,以及如上述方面所述的测试基板;
所述测试设备与所述测试基板中的测试电极连接,所述测试设备用于向所述测试电极施加驱动电压,测试流经所述测试基板中的目标有机膜层的电流,根据所述驱动电压和所述电流确定所述目标有机膜层的方阻。
再一方面,提供了一种显示基板的制造方法,所述制造方法包括:
提供一第二衬底基板;
在所述第二衬底基板的一侧形成多个子像素;
其中,每个子像素包括:阳极层,阴极层,以及位于所述阳极层和所述阴极层之间的一个或多个有机膜层,至少一个所述有机膜层的材料由上述方面所述的方法确定得到。
再一方面,提供了一种显示基板,所述显示基板由上述方面所述的方法制造得到。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括:
本申请提供了一种基板及膜层材料确定方法、制造方法、测试系统,该方法可以获取多个具有目标膜层的测试基板,测试每个测试基板中目标有机膜层的方阻,并将方阻最大的目标有机膜层的材料确定为用于形成显示基板中的目标有机膜层的材料。由于材料的方阻越大,导电能力越低,因此采用方阻最大的材料形成显示基板中的目标有机膜层,可以避免电子沿多个子像素共用的膜层传输至其他子像素所在区域,从而能够改善子像素的串扰现象,提高显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图;
图2是本申请实施例提供的一种显示基板中不同颜色的子像素的电流密度与显示基板的驱动电压的示意图;
图3是本申请实施例提供的一种显示装置的显示效果的示意图;
图4是本申请实施例提供的一种显示基板的膜层材料确定方法的流程图;
图5是本申请实施例提供的一种测试基板的结构示意图;
图6是本申请实施例提供的一种驱动电压与电流的示意图;
图7是本申请实施例提供的另一种驱动电压与电流的示意图;
图8是本申请实施例提供的又一种驱动电压与电流的示意图;
图9是本申请实施例提供的一种第一衬底基板和测试电极的俯视图;
图10是本申请实施例提供的另一种第一衬底基板和测试电极的俯视图;
图11是本申请实施例提供的另一种测试基板的结构示意图;
图12是本申请实施例提供的再一种驱动电压与电流的示意图;
图13是本申请实施例提供的一种第一衬底基板,测试电极以及阳极层的俯视图;
图14是本申请实施例提供的一种测试系统的结构示意图;
图15是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
图1是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图。参考图1可以看出,该显示基板10可以包括:第二衬底基板101,以及位于该第二衬底基板101的一侧的多个子像素102(例如,图中示出三个子像素102a,102b,以及102c)。每个子像素102可以包括沿远离第二衬底基板101的一侧依次层叠的阳极(anode)层1021,空穴注入层(hole injectionlayer,HIL)1022,空穴传输层(hole transport layer,HTL)1023,电子阻挡层(electronblock layer,EBL)1024,发光层(emission layer,EML)1025,空穴阻挡层1026,电子传输层(electron transport layer,ETL)1027,电子注入层(electron injection layer,EIL)1028,阴极层(cathode)1029,以及封盖层(capping layer,CPL)10210。
参考图1,其示出的三个子像素102可以为:红色子像素102a,绿色子像素102b,以及蓝色子像素102c。该三个子像素102的阳极层1021,空穴注入层1022,空穴传输层1023,电子传输层1027,电子注入层1028,阴极层1029,以及封盖层10210可以共用。
在本申请实施例中,阳极层1021以及阴极层1029可以由金属材料制成。空穴注入层1022,空穴传输层1023,电子阻挡层1024,发光层1025,空穴阻挡层1026,电子传输层1027以及电子注入层1028可以均由有机材料制成。
图2是本申请实施例提供的一种显示基板中不同颜色的子像素的电流密度与显示基板的驱动电压的示意图。参考图2可以看出,显示基板的驱动电压为2.2V(伏)时,红色子像素的电流密度开始增大;显示基板的驱动电压为2.4V时,绿色子像素的电流密度开始增大;显示基板的驱动电压为2.8V时,蓝色子像素的电流密度开始增大。对于每个子像素,该子像素的电流密度开始增大时对应的驱动电压即为该子像素的启亮电压。也即是,蓝色子像素的启亮电压,大于绿色子像素的启亮电压,绿色子像素的启亮电压大于红色子像素的启亮电压。
在本申请实施例中,若提供给红色子像素,绿色子像素,以及蓝色子像素的驱动电压相同,则红色子像素的电流密度,大于绿色子像素的电流密度,绿色子像素的电流密度,大于蓝色子像素的电流密度。示例的,参考图2,显示基板的驱动电压为2.6V时,该红色子像素的电流密度为0.8毫安/平方厘米(mA/cm2),该绿色子像素的电流密度为0.35mA/cm2,该蓝色子像素的电流密度为0mA/cm2
但是,相关技术中由于蓝色子像素的启亮电压比其他颜色的子像素(红色子像素以及绿色子像素)的启亮电压大,因此若驱动电路向蓝色子像素施加的驱动电压以驱动蓝色子像素发光时(例如该驱动电压需大于或等于2.8V),该驱动电压所产生的电子能够沿多个子像素共用的膜层(例如空穴注入层1022)传输至其他颜色的子像素所在区域,其他颜色的子像素也能够发光,例如参考图3,各个子像素出现串扰(crosstalk)现象,显示装置的显示效果较差。
因此本申请实施例提供了一种显示基板的膜层材料确定方法,该方法可以解决相关技术中由于各个子像素出现串扰现象,导致显示装置的显示效果较差的问题。其中该膜层材料确定方法可以先获取多个测试基板,向每个测试基板的测试电极施加驱动电压,测试流经每个测试基板中目标有机膜层的电流,对于每个测试基板中目标有机膜层,根据驱动电压以及流经该目标有机膜层的电流确定目标有机膜层的方阻,将方阻最大的目标有机膜层的材料确定为用于形成显示基板中的目标有机膜层的材料。
由于材料的方阻越大,导电能力越低,因此通过采用方阻最大的目标有机膜层的材料制备显示基板中该目标有机膜层,可以避免电子沿多个子像素共用的膜层传输至其他子像素所在区域,从而能够改善子像素的串扰现象,提高显示装置的显示效果。
在本申请实施例中,图4是本申请实施例提供的一种显示基板的膜层材料确定方法的流程图。参考图4,该方法可以包括:
步骤201、获取多个测试基板。
在本申请实施例中,可以先获取多个测试基板30。其中,参考图5,每个测试基板30包括第一衬底基板301,位于第一衬底基板301上的测试电极302,以及与测试电极302连接的目标有机膜层303。该多个测试基板30中的目标有机膜层303的材料不同。
示例的,该目标有机膜层303位于测试电极302远离第一衬底基板301的一侧,且该目标有机膜层303在第一衬底基板301上的正投影,可以与测试电极302在第一衬底基板301上的正投影重叠。
需要说明的是,获取该多个测试基板30时,可以先获取多个第一衬底基板301,并采用溅射工艺在每个第一衬底基板301的一侧形成测试电极302。之后,采用不同的材料,分别在每个测试电极302远离第一衬底基板301的一侧蒸镀形成目标有机膜层303。
其中,该目标有机膜层303为显示基板10中的有机膜层。可选的,该目标有机膜层303可以为显示基板10中的空穴传输层1023,空穴注入层1022,空穴阻挡层1026,电子传输层1027,电子注入层1028,电子阻挡层1024,以及发光层1025中的任一层。该目标有机膜层303的材料可以为显示基板10中该膜层的可选材料中的一种。
示例的,该空穴传输层1023的可选材料可以包括:三嗪,吡啶,嘧啶或咪唑类的有机化合物或其衍生化合物。该电子传输层1027的可选材料可以包括:含氮杂环衍生物,膦氧基芳香化合物或金属络合物。电子阻挡层1024的可选材料可以包括:芳胺类化合物或其衍生物。
步骤202、向每个测试基板的测试电极施加驱动电压,测试流经每个测试基板中的目标有机膜层的电流。
在本申请实施例中,可以向每个测试基板30的测试电极302施加驱动电压,进而测试流经每个测试基板30中的目标有机膜层303的电流。
可选的,本申请实施例提供的方法可以应用于测试设备中,该测试设备可以与该测试电极302连接,自动测量流经测试基板30中目标有机膜层303的电流。当然,也可以将电源与测试电极302接通,并采用电流表测试该目标有机膜层303的电流。本申请实施例对此不做限定。
假设该目标有机膜层303为空穴传输层1023,且该空穴传输层1023的可选材料可以包括:第一空穴传输材料,第二空穴传输材料,第三空穴传输材料,以及第四空穴传输材料。则在本申请实施例中,可以根据步骤201获取到四个测试基板30。其中,第一个测试基板30中该目标有机膜层303的材料为第一空穴传输材料,第二个测试基板30中该目标有机膜层303的材料为第二空穴传输材料,第三个测试基板30中该目标有机膜层303的材料为第三空穴传输材料,第四个测试基板30中目标有机膜层303的材料为第四空穴传输材料。
如图6所示,向该四个测试基板30的测试电极302分别施加驱动电压后,可以测试得到流经该四个测试基板30中目标有机膜层303(空穴传输层1023)的电流。并且,向该测试基板30的测试电极302施加的驱动电压越大,测试得到流经该测试基板30中目标有机膜层303的电流越大。
示例的,参考图6,假设向四个测试基板30的测试电极302施加的驱动电压均为0.5V,则测试得到流经第一个测试基板30中目标有机膜层303的电流为0.000005mA(毫安),测试得到流经第二个测试基板30中目标有机膜层303的电流为0.000003mA,测试得到流经第三个测试基板30中目标有机膜层303的电流为0.000001mA,测试得到流经第四个测试基板30中目标有机膜层303的电流为0.000001mA。
或者,假设向三个测试基板30的测试电极302施加的驱动电压均为1V,测试得到流经第一个测试基板30中目标有机膜层303的电流为0.00001mA,测试得到流经第二个测试基板30中目标有机膜层303的电流为0.000006mA,测试得到流经第三个测试基板30中目标有机膜层303的电流为0.0000015mA,测试得到流经第四个测试基板30中目标有机膜层303的电流为0.0000015mA。
假设该目标有机膜层303为电子传输层1027,且该电子传输层1027的可选材料可以包括:第一电子传输材料,第二电子传输材料,以及第三电子传输材料。则在本申请实施例中,可以根据步骤201中获取到三个测试基板30。其中,第一个测试基板30中该目标有机膜层303的材料为第一电子传输材料,第二个测试基板30中该目标有机膜层303的材料为第二电子传输材料,第三个测试基板30中该目标有机膜层303的材料为第三电子传输材料。
如图7所示,向该三个测试基板30的测试电极302分别施加驱动电压后,可以测试得到流经该三个测试基板30中该目标有机膜层303(电子传输层1027)的电流。并且,向该测试基板30的测试电极302施加的驱动电压越大,测试得到流经该测试基板30中目标有机膜层303的电流越大。
示例的,参考图7,假设向三个测试基板30的测试电极302施加的驱动电压均为-0.9V,测试得到流经第一个测试基板30中目标有机膜层303(电子传输层1027)的电流为-0.000005mA,测试得到流经第二个测试基板30中目标有机膜层303的电流为-0.000007mA,测试得到流经第三个测试基板30中目标有机膜层303的电流为-0.000008mA。
或者,假设向三个测试基板30的测试电极302施加的驱动电压均为1V,测试得到流经第一个测试基板30中该目标有机膜层303的电流为0.000006mA,测试得到流经第二个测试基板30中该目标有机膜层303的电流为0.000007mA,测试得到流经第三个测试基板30中该目标有机膜层303的电流为0.000009mA。
假设该目标有机膜层303为电子阻挡层1024,且该电子阻挡层1024的可选材料可以包括:第一电子阻挡材料,第二电子阻挡材料,第三电子阻挡材料,以及第四电子阻挡材料。则在本申请实施例中,根据步骤201中可以获取四个测试基板30。其中,第一个测试基板30中该目标有机膜层303的材料为第一电子阻挡材料,第二个测试基板30中该目标有机膜层303的材料为第二电子阻挡材料,第三个测试基板30中该目标有机膜层303的材料为第三电子阻挡材料,第四测试基板30中该目标有机膜层303的材料为第四电子阻挡材料。
如图8所示,向该四个测试基板30的测试电极302分别施加驱动电压后,可以测试得到流经该四个测试基板30中该目标有机膜层303(电子阻挡层1024)的电流。并且,向该测试基板30的测试电极302施加的驱动电压越大,测试得到流经该测试基板30中目标有机膜层303的电流越大。
示例的,参考图8,假设向四个测试基板30的测试电极302施加的驱动电压均为1V,测试得到流经第一个测试基板30中该目标有机膜层303的电流为0.000058mA,测试得到流经第二个测试基板30中该目标有机膜层303的电流为0.00005mA,测试得到流经第三个测试基板30中该目标有机膜层303的电流为0.000045mA,测试得到流经第四个测试基板30中该目标有机膜层303的电流为0.000035mA。
步骤203、对于每个测试基板中的目标有机膜层,根据驱动电压以及流经目标有机膜层的电流确定目标有机膜层的方阻。
在本申请实施例中,对于每个测试基板30中的目标有机膜层303,可以根据施加至该测试电极302的驱动电压,以及根据上述步骤202确定出流经目标有机膜层303的电流,确定目标有机膜层303的方阻。
图9是本申请实施例提供的一种第一衬底基板和测试电极的俯视图。参考图9,该测试电极302可以包括:同层且相对设置的第一电极3021和第二电极3022,该第一电极3021和第二均位于目标有机膜层303靠近第一衬底基板301的一侧。参考图9,该第一电极3021的延伸方向A可以与第二电极3022的延伸方向B平行,且该第一电极3021与第二电极3022之间具有间隙。
在本申请实施例中,若该测试电极302为图9所示的测试电极302。则该步骤202中向每个测试基板30的测试电极302施加驱动电压可以为:向每个测试基板30的第一电极3021和第二电极3022施加电压。例如,可以向该第一电极3021施加正电压,向第二电极3022施加负电压。其中,向该第一电极3021施加的正电压与向第二电极3022施加的负电压的电压差可以即为向测试电极302施加的驱动电压。
需要说明的是,由于该目标有机膜层303位于该测试电极302远离第一衬底基板301的一侧,而该测试电极302中的第一电极3021和第二电极3022之间具有间隙,因此该目标有机膜层303除了位于该第一电极3021和第二电极3022远离第一衬底基板301的一侧,还可以位于该第一电极3021和第二电极3022的间隙处。由此,在向第一电极3021以及第二电极3022施加电压时,位于该第一电极3021和第二电极3022间隙处的目标有机膜层303可以用于传输提供给第一电极3021的正电子,以及传输提供给第二电极3022的负电子。该正电子和负电子在该目标有机膜层303中结合即可在该目标有机膜层303中形成电流。也即是,可以在向第一电极3021和第二电极3022施加电压时,测试流经该目标有机膜层303的电流。
图10是本申请实施例提供的另一种第一衬底基板和测试电极的俯视图。参考图10可以看出,该测试电极302还可以包括:位于第一电极3021和第二电极3022之间的多个第三电极3023和多个第四电极3024。
该多个第三电极3023可以沿第一电极3021的延伸方向A间隔排布,且每个第三电极3023的延伸方向C与第一电极3021的延伸方向A相交,每个第三电极3023的一端可以与第一电极3021连接。该多个第四电极3024可以沿第二电极3022的延伸方向B间隔排布,且每个第四电极3024的延伸方向D可以与第二电极3022的延伸方向B相交,每个第四电极3024的一端可以与第二电极3022连接,且每个第四电极3024的另一端可以位于多个第三电极3023中两个第三电极3023之间。
示例的,参考10,每个第三电极3023的延伸方向C可以与第一电极3021的延伸方向A垂直。每个第四电极3024的延伸方向D可以与第二电极3022的延伸方向B垂直。并且,该多个第三电极3023和该多个第四电极3024可以交错排布,该多个第三电极3023和多个第四电极3024中任意相邻的两个电极之间的距离X为固定值。
由于目标有机膜层303由有机材料制成,该目标有机膜层303传输电子的能力较弱。并且该第一电极3021和第二电极3022之间的间隙较大,可能会导致施加至第一电极3021和第二电极3022的电压难以在该目标有机膜层303产生电流,进而导致无法测试流经该目标有机膜层303的电流。
因此在本申请实施例中,该测试电极302包括多个第三电极3023和多个第四电极3024,且每个第三电极3023与第一电极3021连接,每个第四电极3024与第二电极3022连接。由此,施加至第一电极3021的正电压所产生的正电子能够沿第三电极3023传输,施加至第二电极3022的负电压所产生的负电子能够沿第四电极3024传输。由于该多个第三电极3023与多个第四电极3024中相邻的两个电极之间的距离较小,因此该第三电极3023中的正电子以及第四电极3024中的负电子能够在目标有机膜层303中结合形成电流,进而能够保证测试得到的流经该目标有机膜层303的电流的准确性。
在本申请实施例中,该第三电极3023的数量可以与第四电极3024的数量相等,且该多个第三电极3023和多个第四电极3024的总数可以大于或等于2。例如,该测试电极302包括1个第三电极3023以及1个第四电极3024。
需要说明的是,若该测试电极302为图9所示的测试电极302,则该目标有机膜层303的方阻Rs可以满足:Rs=V/I。其中,V为施加至该测试电极302的驱动电压,I可以为根据上述步骤202确定出的流经该目标有机膜层303的电流。
由于图6至图8示出了驱动电压与电流的曲线图,而对于测试电极302为图9所示的测试电极302的情况,该目标有机膜层303的方阻即为该驱动电压与电流的比值,因此该图6至图8中每条曲线的斜率与该曲线所属材料的目标有机膜层303的方阻负相关。也即是,曲线的斜率越大,该曲线所属材料的目标有机膜层303的方阻越小,曲线的斜率越小,该曲线所属材料的目标有机膜层303的方阻越大。
示例的,对于图7所示的三条曲线,采用第一电子传输材料制备得到的第一个电子传输层1027的驱动电压与电流的曲线的斜率,大于采用第二电子传输材料制备得到的第二个电子传输层1027的驱动电压与电流的曲线的斜率。并且,采用第二电子传输材料制备得到的第二个电子传输层1027的驱动电压与电流的曲线的斜率,大于采用第三电子传输材料制备得到的第三个电子传输层1027的驱动电压与电流的曲线的斜率。也即是,采用该第一电子传输材料制备得到的第一电子传输层1027的方阻,小于采用该第二电子传输材料制备得到的第二个电子传输层1027的方阻。并且,采用该第二电子传输材料制备得到的第二个电子传输层1027的方阻,小于采用第三电子传输材料自备得到的第三电子传输层1027的方阻。
若该测试电极302为图10所示的测试电极302,则该目标有机膜层303的方阻Rs可以满足:Rs=(V/I)/(X×Z(n-1))。其中,该方阻Rs可以为单位面积的电阻。V为施加至该测试电极302的驱动电压,I为根据上述步骤202确定出的流经该目标有机膜层303的电流。X为多个第三电极3023和多个第四电极3024中相邻的两个电极之间的距离,Z为第一电极3021与第二电极3022之间的距离,n为多个第三电极3023和多个第四电极3024的总数。
可选的,X的范围可以为0.1毫米(mm)至3mm,每个电极的宽度Y的范围可以为0.1mm至3mm,Z的范围可以为20mm至100mm。
步骤204、将方阻最大的目标有机膜层的材料确定为用于形成显示基板中的目标有机膜层的材料。
由于材料的方阻越大,导电能力越低,即电子在该材料构成的膜层中的传输能力越小。因此为了减弱电子在膜层中的横向传输能力,可以选择方阻较大的材料制备膜层,从而能够改善子像素的串扰现象,显示装置的显示效果较好。
根据步骤203能够确定出多个测试基板30中每个测试基板30中目标有机膜层303的方阻,即能够确定出多个方阻。因此在本申请实施例中,可以将确定出的多个方阻中方阻最大的目标有机膜层303的材料确定为用于形成显示基板10中该目标有机膜层303的材料。
示例的,参考表1,其示出了三种电子传输材料制备得到的三个电子传输层1027的方阻,四种空穴传输材料制备得到的四个空穴传输层1023的方阻,以及四种电子阻挡材料制备得到的四个电子阻挡层1024的方阻。
表1
参考表1,采用该第一电子传输材料制备得到的电子传输层1027的方阻为4.32576+14欧姆/平方米(Ω/m2),采用该第二电子传输材料制备得到的电子传输层1027的方阻为3.45329+14Ω/m2,采用该第三电子传输材料制备得到的电子传输层1027的方阻为3.24426+14Ω/m2。由此可以看出,采用该第一电子传输材料制备得到的电子传输层1027的方阻最大,因此可以将该第一电子传输材料确定为用于形成显示基板10中的电子传输层1027的材料。
采用第一空穴传输材料制备得到的空穴传输层1023的方阻为4.60106+14Ω/m2,采用第二空穴传输材料制备得到的空穴传输层1023的方阻为2.73028+14Ω/m2,采用第三空穴传输材料制备得到的空穴传输层1023的方阻为1.91457+15Ω/m2,采用第四空穴传输材料制备得到的空穴传输层1023的方阻为2.21048+15Ω/m2。由此可以看出,采用第一空穴传输材料制备得到的空穴传输层1023的方阻最大,因此可以将该第一空穴传输材料确定为用于形成显示基板中的空穴传输层1023的材料。
采用第一电子阻挡材料制备得到的电子阻挡层1024的方阻为4.72227+13Ω/m2,采用第二电子阻挡材料制备得到的电子阻挡层1024的方阻为4.99825+13Ω/m2,采用第三电子阻挡材料制备得到的电子阻挡层1024的方阻为7.54445+13Ω/m2,采用第三电子阻挡材料制备得到的电子阻挡层1024的方阻为6.04218+13Ω/m2。由此可以看出,采用第三电子阻挡材料制备得到的电子阻挡层1024的方阻最大,因此可以将该第三电子阻挡材料确定为用于形成显示基板中的电子阻挡层1024的材料。
参考表1还可以看出,空穴传输层1023的材料不同,该空穴传输层1023的方阻变化较大,因此相对于电子传输层1027以及电子阻挡层1024,调整空穴传输层1023的材料(即将第一空穴传输材料确定为空穴传输层1023的材料)可以较大程度的改善子像素的串扰现象,保证显示装置的显示效果。
在本申请实施例中,为了提高确定目标有机膜层303的材料的准确性,形成在该测试电极302远离第一衬底基板301的一侧的目标有机膜层303的厚度,可以与显示基板10中该目标有机膜层303的厚度相等。
参考图11,若目标有机膜层303的厚度小于厚度阈值,则获取到的每个测试基板30还可以包括:位于目标有机膜层303远离第一衬底基板301的一侧的保护膜层304。该多个测试基板30中的保护膜层304的材料相同。
由于目标有机膜层303的厚度小于厚度阈值(即该目标有机膜层303的厚度较薄),可能会影响测试得到的流经该目标有机膜层303的电流的准确性。因此在本申请实施例中,可以在该目标有机膜层303远离第一衬底基板301的一侧蒸镀形成保护膜层304。该保护膜层304可以为显示基板10中目标有机膜层303远离第二衬底基板101的一侧的有机膜层。并且,由于多个测试基板30中的保护膜层304的材料相同,因此对流经该目标有机膜层303的电流的影响相同,不会对各个材料制备得到的目标有机膜层303的方阻的大小关系造成影响,能够保证确定出的目标有机膜层303的材料的准确性。
示例的,假设目标有机膜层303为显示基板10中的空穴注入层1022,且显示基板10中该空穴注入层1022的厚度的范围为2纳米(nm)至20nm,例如为10nm,则形成在该测试电极302远离第一衬底基板301的一侧的目标有机膜层303(空穴注入层1022)的厚度也为10nm。也即是,该目标有机膜层303的厚度较薄,因此为了提高对目标有机膜层303的材料确定的准确性,可以在该目标有机膜层303远离测试电极302的一侧形成保护膜层304(该保护膜层304可以为空穴传输层1023)。其中,在该目标有机膜层303远离测试电极302的一侧形成的该保护膜层304的厚度的范围为50nm至200nm,例如为100nm。
需要说明的是,显示基板10中的空穴注入层1022可以由第一主体材料以及第一掺杂材料制备得到。因此在对空穴注入层1022的第一主体材料进行选择时(此时该目标有机膜层303为空穴注入层1022),可以将多个测试基板30中该目标有机膜层303的第一掺杂材料确定为同一材料,并将该第一掺杂材料的掺杂浓度确定为同一浓度。当然,在对该目标有机膜层303的第一掺杂材料进行选择时(此时该目标有机膜层303为空穴注入层1022),可以将该多个测试基板30中该目标有机膜层303的第一主体材料确定为同一材料,并将第一掺杂材料的掺杂浓度确定为同一浓度。其中,该第一掺杂材料的浓度的范围为1%至5%,例如为2%。
还需要说明的是,空穴注入层1022中第一掺杂材料的掺杂浓度越大,该空穴注入层1022的方阻越小。假设获取到三个测试基板30,该三个测试基板30中的该目标有机膜层303(空穴注入层1022)中第一掺杂材料的掺杂浓度包括第一浓度(0.5%),第二浓度(1%),以及第三浓度(3%)。参考图12,若向该三个测试基板30的测试电极302分别施加驱动电压,则可以测试得到流经该三个测试基板30中目标有机膜层303的电流。参考图12,能够得到三个驱动电压与电流的曲线,且该空穴注入层1022中第一掺杂材料的掺杂浓度越大,该曲线的斜率越大。由于该曲线的斜率的大小与该目标有机膜层303的方阻的大小负相关,因此参考图12能够看出,该空穴注入层1022中第一掺杂材料的掺杂浓度为3%,该曲线的斜率最大,该空穴注入层1022的方阻最小。
假设目标有机膜层303为空穴阻挡层1026,且显示基板10中该空穴阻挡层1026的厚度的范围为2nm至10nm,例如为5nm,则形成在该测试电极302远离第一衬底基板301的一侧的目标有机膜层303(空穴阻挡层1026)的厚度也为5nm。也即是,该目标有机膜层303的厚度较薄,因此为了提高目标有机膜层303的材料确定的准确性,可以在该目标有机膜层303远离测试电极302的一侧形成保护膜层304(该保护膜层304可以为电子传输层1027)。其中,在该目标有机膜层303远离测试电极302的一侧形成的保护膜层304的厚度的范围为30nm至50nm,例如为30nm。
需要说明的是,电子传输层1027可以由第二主体材料以及第二掺杂材料制备得到。由于在对空穴阻挡层1026的材料进行选择时,需在该空穴阻挡层1026远离测试电极302的一侧形成该电子传输层1027,因此为了避免该电子传输层1027对该空穴阻挡层1026的材料的选择造成影响,可以使得多个测试基板30中保护膜层304(电子传输层1027)的第二主体材料为同一材料,多个测试基板30中保护膜层304的第二掺杂材料为同一材料,且多个测试基板30中保护膜层304的第二掺杂材料的掺杂浓度为同一浓度。可选的,该第二掺杂材料可以为锂喹啉配合物(quinolinato lithium,liq),且该第二主体材料与第二掺杂材料的比例为1:1。
由于该空穴传输层1023以及电子传输层1027的厚度均较厚,因此若目标有机膜层303为空穴传输层1023或电子传输层1027,则无需在该目标有机膜层303远离测试电极302的一侧形成保护膜层304,即可保证材料确定的准确性。
并且,由于该电子传输层1027由第二主体材料以及第二掺杂材料制备得到,因此在对该电子传输层1027的第二主体材料进行选择时(此时该目标有机膜层303为电子传输层1027),可以将多个测试基板30中该目标有机膜层303的第二掺杂材料确定为同一材料,并将该第二掺杂材料的掺杂浓度确定为同一浓度。当然,在对该目标有机膜层303的第二掺杂材料进行选择时(此时该目标有机膜层303为电子传输层1027),可以将该多个测试基板30中该目标有机膜层303的第二主体材料确定为同一材料,并将第二掺杂材料的掺杂浓度确定为同一浓度。
需要说明的是,参考图1,显示基板10中示出的三个子像素102(红色子像素102a,绿色子像素102b,以及蓝色子像素102c)的空穴注入层1022,空穴传输层1023,空穴阻挡层1026,电子传输层1027均可以共用。而各个颜色的电子阻挡层1024以及发光层1025均不共用。参考图1,红色子像素102a包括的电子阻挡层1024的厚度,大于绿色子像素102b包括的电子阻挡层1024。绿色子像素102b包括的电子阻挡层1024的厚度,大于蓝色子像素102c包括的电子阻挡层1024的厚度。并且,该红色子像素102a包括的发光层1025用于发出红光,绿色子像素102b包括的发光层1025用于发出绿光,蓝色子像素102c包括的发光层1025用于发出蓝光。
在本申请实施例中,除了对各个子像素102共用的有机膜层的材料进行选择,还可以对各个子像素102不共用的有机膜层的材料进行选择。
示例的,假设目标有机膜层303为电子阻挡层1024,则可以在测试电极302远离第一衬底基板301的一侧形成第一厚度的电子阻挡层1024,该第一厚度可以为显示基板10中红色子像素102a包括的电子阻挡层1024的厚度,例如该第一厚度可以为80nm。或者,可以在测试电极302远离第一衬底基板301的一侧形成第二厚度的目标有机膜层303,该第二厚度可以为显示基板10中绿色子像素102b包括的电子阻挡层1024的厚度,例如该第二厚度可以为50nm。又或者,可以在测试电极302远离第一衬底基板301的一侧形成第三厚度的目标有机膜层303,该第三厚度可以为显示基板10中蓝色子像素102c包括的电子阻挡层1024的厚度。
假设目标有机膜层303为发光层1025,则可以在测试电极302远离第一衬底基板301的一侧形成能够发出红光的发光层1025。或者,可以在测试电极302远离第一衬底基板301的一侧形成能够发出绿光的发光层1025。又或者,可以在测试电极302远离第一衬底基板301的一侧形成能够发出蓝光的发光层1025。
其中,由于显示基板10中的发光层1025由第三主体材料以及第三掺杂材料制备得到,因此在对该发光层1025的第三主体材料进行选择时(此时该目标有机膜层303为发光层1025),可以将多个测试基板30中目标有机膜层303的第三掺杂材料确定为同一材料,并将该第三掺杂材料的掺杂浓度确定为同一浓度。当然,在对该发光层1025的第三掺杂材料进行选择时(此时该目标有机膜层303为发光层1025),可以将该多个测试基板30中目标有机膜层303的第三主体材料确定为同一材料,并将该第三掺杂材料的掺杂浓度确定为同一浓度。可选的,该第三掺杂材料的浓度的范围为1%至5%,例如可以为3%。
需要说明的是,每个测试基板30还可以包括:阴极层,以及其他有机膜层。该目标有机膜层303和其他有机膜层可以均位于阴极层靠近第一衬底基板101的一侧。其中,该测试基板30包括的阴极层以及其他有机膜层均为显示基板10中的膜层。该测试基板30中各个膜层在第一衬底基板301上的层叠关系,可以与显示基板10中各个膜层在第二衬底基板101上的层叠关系相同。
并且,为了避免阴极层以及其他有机膜层的材料对目标有机膜层303的材料选择造成影响,该多个基板30中阴极层的材料可以相同,多个测试基板30中其他有机膜层的材料可以相同。
在本申请实施例中,为了便于测试采用目标有机膜层303制备得到的显示基板10的性能,参考图13,该测试基板30还可以包括:位于第一衬底基板301的一侧的阳极层305。该阳极层305可以与测试电极10同层设置,且该阳极层305在第一衬底基板301上的正投影,可以与测试电极302在第一衬底基板301上的正投影不重叠。
并且,由于需测试采用目标有机膜层303制备得到的显示基板10的性能,该阳极层远离第一衬底基板301的一侧需形成有目标有机膜层303,其他有机膜层,以及阴极层。该目标有机膜层303和其他有机膜层可以均位于阳极层305和阴极层之间。其中,该阳极层305远离第一衬底基板301的一侧形成的各个膜层,可以与测试电极302远离第一衬底基板301的一侧形成的对应膜层采用同一次构图工艺形成。该阳极层305可以用于与测试设备连接,该测试设备能够检测该阳极层305,目标有机膜层303,其他有机膜层以及阴极层构成的结构(该结构与显示基板10的结构相同)的性能。例如,能够检测该结构的寿命,效率以及电压等性能。
在本申请实施例中,测试基板30可以包括至少一个阳极层305,以及至少一个测试电极302,从而能够对目标有机膜层303的材料进行选择,且能够检测显示基板10的性能。可选的,参考图13,测试基板30包括的阳极层305和测试电极302的总数量为4。例如,该测试基板30包括2个阳极层305,以及2个测试电极302。
需要说明的是,由于测试基板30包括阳极层305,位于该阳极层远离第一衬底基板101的一侧的目标有机膜层,其他有机膜层,以及阴极层时,能够检测该结构的性能。因此为了保证制备得到的显示基板10的质量,对于目标有机膜层303,可以选择在寿命,效率,以及电压等性能均符合条件的情况下,方阻最大的目标有机膜层303的材料制备该目标有机膜层。
综上所述,本申请实施例提供了一种显示基板的膜层材料确定方法,该方法可以获取多个具有目标膜层的测试基板,测试每个测试基板中目标有机膜层的方阻,并将方阻最大的目标有机膜层的材料确定为用于形成显示基板中的目标有机膜层的材料。由于材料的方阻越大,导电能力越低,因此采用方阻最大的材料形成显示基板中的目标有机膜层,可以避免电子沿多个子像素共用的膜层传输至其他子像素所在区域,从而能够改善子像素的串扰现象,提高显示装置的显示效果。
本申请实施例还提供了一种测试基板,参考图5可以看出,该测试基板30可以包括:第一衬底基板301,位于第一衬底基板301上的测试电极302,以及与该测试电极302连接的目标有机膜层303。该目标有机膜层303可以为显示基板10中由有机材料制备得到的膜层。
可选的,该目标有机膜层303可以为显示基板10中的空穴传输层1023,空穴注入层1022,空穴阻挡层1026,电子传输层1027,电子注入层1028,电子阻挡层1024,以及发光层1025中的任一层。
由于有机材料制备得到的膜层的方阻较大,通常位于10+13Ω至10+15Ω范围内,而相关技术中的方阻测试仪的测试范围有限,无法对目标有机膜层303的方阻进行测试。因此通过而本申请实施例提供的测试基板30对该目标有机膜层303的方阻进行测试,进而实现对该目标有机膜层303的材料的选择。其中,该测试基板30还可以称为侧向漏电(lateralleakage)基板。
参考图9,该测试电极302可以包括:相对设置的第一电极3021和第二电极3022,该第一电极3021和第二电极3022可以均位于第一衬底基板301的一侧。该第一电极3021和第二电极3022可以用于测试目标有机膜层303的方阻。
可选的,参考图10,该测试电极302还可以包括:多个第三电极3023,以及多个第四电极3024。该多个第三电极3023可以沿第一电极3021的延伸方向A间隔排布,且每个第三电极3023的延伸方向C可以与第一电极3021的延伸方向A相交,每个第三电极3023的一端可以与第一电极3021连接。该多个第四电极3024可以沿第二电极3022的延伸方向B间隔排布,且每个第四电极3024的延伸方向D可以与第二电极3022的延伸方向B相交,每个第四电极3024的一端可以与第一电极3021连接,且每个第四电极3024的另一端可以位于多个第三电极3023中两个第三电极3023之间。
综上所述,本申请实施例提供了一种测试基板,该测试基板中的第一电极和第二电极可以用于测试目标有机膜层的方阻,进而采用方阻最大的目标有机膜层的材料形成显示基板中的目标有机膜层,可以避免电子沿多个子像素共用的膜层传输至其他子像素所在区域,从而能够改善子像素的串扰现象,提高显示装置的显示效果。
图14是本申请实施例提供的一种测试系统的结构示意图。参考图14可以看出,该测试系统00可以包括:测试设备40以及上述实施例提供的测试基板30。
其中,该测试设备40可以与测试基板30中的测试电极连接,该测试设备40可以用于向测试电极施加驱动电压,测试流经测试基板中的目标有机膜层的电流,并根据驱动电压和电流确定目标有机膜层的方阻。其中,目标有机膜层的方阻与驱动电压正相关,与电流负相关。
可选的,参考图14,该测试设备40可以包括电源以及电流-电压-亮度测试设备。该电源可以向该测试电极施加驱动电压,该电流-电压-亮度测试设备可以与测试电极连接,能够自动完成对目标有机膜层的电流测试,并自动根据驱动电压与电流确定出该目标有机膜层的方阻。其中,该电流的符号为I,电压的符号为V,亮度的符号为L,即该电流-电压-亮度测试设备为IVL设备。
或者,该测试设备40可以包括电源以及电流计,该电源可以向该测试电极施加驱动电压,该电流计可以用于检测流经目标有机膜层的电流。
需要说明的是,若测试基板30中的测试电极为图9或图10所示的测试电极302,即该测试电极包括第一电极和第二电极,则该测试设备40可以向该第一电极和第二电极施加电压。其中,该测试设备40可以向该第一电极施加正电压,向第二电极施加负电压。该正电压与该负电压的电压差的大小即为该测试设备40向测试电极302施加的驱动电压的大小。
在本申请实施例中,该测试设备40中可以预先存储有方阻公式,该测试设备40可以根据驱动电压,电流以及预先存储的方阻的公式计算该目标膜层的方阻。
若该测试基板中的测试电极为图9所示的测试电极302,则该测试设备40中预先存储的方阻Rs可以满足:Rs=V/I。其中,V为施加至该测试电极的驱动电压,I可以为确定出的流经该目标有机膜层的电流。
若该测试基板中测试电极为图10所示的测试电极302,则该测试设备40中预先存储的方阻Rs可以满足:Rs=(V/I)/(X×Z(n-1))。其中,V为施加至该测试电极的驱动电压,I为确定出的流经该目标有机膜层303的电流。X为多个第三电极3023和多个第四电极3024中相邻的两个电极之间的距离,Z为第一电极3021与第二电极3022之间的距离,n为多个第三电极3023和多个第四电极3024的总数。
图15是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。参考图15可以看出,该方法可以包括:
步骤501、提供第二衬底基板。
在本申请实施例中,该第二衬底基板可以为玻璃基板。
步骤502、在该第二衬底基板的一侧形成多个子像素。
其中,每个子像素可以包括:阳极层,阴极层,以及位于阳极层和阴极层之间的一个或多个有机膜层。该阳极层和阴极层可以由金属材料制成,每个有机膜层可以由有机材料制成。并且,该一个或多个有机膜层中的至少一个有机膜层的材料由上述实施例提供的膜层材料确定方法确定得到。例如,该子像素中的每个有机膜层的材料均可以由上述实施例提供的膜层材料确定方法确定得到。
可选的,制成阳极层的材料可以为氧化铟锡(indium tin oxide,ITO),制成阴极层的材料可以为金属或金属合金。例如该阴极层可以由银或铝等金属材料制成,或者,该阴极层可以由镁银、镁铝或镁钙等金属合金材料制成。
本申请实施例还提供了一种显示基板,参考图1,该显示基板可以由上述实施例提供的制造方法制造得到。也即是,该显示基板中的至少一个有机膜层的材料可以由上述实施例提供的膜层材料确定方法确定得到。例如,显示基板中的每个有机膜层的材料均可以由上述实施例提供的膜层材料确定方法确定得到。
本申请实施例还提供了一种显示装置,该显示装置可以包括:驱动电路以及上述实施例提供的显示基板。该驱动电路可以用于为显示面板中的子像素提供驱动信号。
可选的,该显示装置可以为液晶显示装置、电子纸、无源矩阵有机发光二极管(passive-matrix organic light-emitting diode,PMOLED)显示装置、有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本申请的可选实施例,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种显示基板的膜层材料确定方法,其特征在于,所述方法包括:
获取多个测试基板,其中,每个所述测试基板包括第一衬底基板,位于所述第一衬底基板上的测试电极,以及与所述测试电极连接的目标有机膜层,所述多个测试基板中的目标有机膜层的材料不同,所述目标有机膜层位于所述测试电极远离第一衬底基板的一侧,且所述目标有机膜层在所述第一衬底基板上的正投影,与所述测试电极在所述第一衬底基板上的正投影重叠,所述测试电极包括:同层且相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述目标有机膜层靠近所述第一衬底基板的一侧;
向每个所述测试基板的所述第一电极和所述第二电极施加驱动电压,测试流经每个所述测试基板中的目标有机膜层的电流;
对于每个所述测试基板中的目标有机膜层,根据所述驱动电压以及流经所述目标有机膜层的电流确定所述目标有机膜层的方阻;
将方阻最大的目标有机膜层的材料确定为用于形成所述显示基板中的目标有机膜层的材料;
所述测试电极还包括:位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个第三电极和多个第四电极;
所述多个第三电极沿所述第一电极的延伸方向间隔排布,且每个所述第三电极的延伸方向与所述第一电极的延伸方向相交,每个所述第三电极的一端与所述第一电极连接;
所述多个第四电极沿所述第二电极的延伸方向间隔排布,且每个所述第四电极的延伸方向与所述第二电极的延伸方向相交,每个所述第四电极的一端与所述第二电极连接,且每个所述第四电极的另一端位于所述多个第三电极中两个所述第三电极之间;
所述多个第三电极和所述多个第四电极交错排布,且所述多个第三电极和所述多个第四电极中任意相邻的两个电极之间的距离为固定值;所述目标有机膜层的方阻Rs满足:Rs=(V/I)/(X×Z(n-1));
其中,所述V为所述驱动电压,所述I为流经所述目标有机膜层的电流,所述X为所述多个第三电极和所述多个第四电极中相邻的两个电极之间的距离,所述Z为所述第一电极与所述第二电极之间的距离,所述n为所述多个第三电极和所述多个第四电极的总数;
所述目标有机膜层的厚度小于厚度阈值,每个所述测试基板还包括:位于所述目标有机膜层远离所述第一衬底基板的一侧的保护膜层;
其中,所述多个测试基板中的所述保护膜层的材料相同。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每个所述测试基板还包括:阴极层,以及其他有机膜层,所述目标有机膜层和所述其他有机膜层均位于所述阴极层靠近所述第一衬底基板的一侧;
其中,所述多个测试基板中所述阴极层的材料相同,且所述多个测试基板中所述其他有机膜层的材料相同。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述测试基板还包括:位于所述第一衬底基板的一侧的阳极层;
所述目标有机膜层和所述其他有机膜层均位于所述阳极层和所述阴极层之间,且所述阳极层在所述第一衬底基板上的正投影,与所述测试电极在所述第一衬底基板上的正投影不重叠;
所述阳极层用于与测试设备连接。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述目标有机膜层为空穴传输层,空穴注入层,空穴阻挡层,电子传输层,电子注入层,电子阻挡层,以及发光层中的任一层。
5.一种测试装置,其特征在于,所述测试装置包括多个测试基板,所述测试基板包括:第一衬底基板,位于所述第一衬底基板上的测试电极,以及与所述测试电极连接的目标有机膜层,所述多个测试基板中的目标有机膜层的材料不同,所述目标有机膜层位于所述测试电极远离第一衬底基板的一侧,且所述目标有机膜层在所述第一衬底基板上的正投影,与所述测试电极在所述第一衬底基板上的正投影重叠,所述测试电极包括:同层且相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述目标有机膜层靠近所述第一衬底基板的一侧;
其中,所述测试电极包括:相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述第一衬底基板的一侧;
所述第一电极和所述第二电极用于向所述目标有机膜层施加驱动电压;
所述测试电极还包括:多个第三电极,以及多个第四电极;
所述多个第三电极沿所述第一电极的延伸方向间隔排布,且每个所述第三电极的延伸方向与所述第一电极的延伸方向相交,每个所述第三电极的一端与所述第一电极连接;
所述多个第四电极沿所述第二电极的延伸方向间隔排布,且每个所述第四电极的延伸方向与所述第二电极的延伸方向相交,每个所述第四电极的一端与所述第二电极连接,且每个所述第四电极的另一端位于所述多个第三电极中两个所述第三电极之间;
所述多个第三电极和所述多个第四电极交错排布,且所述多个第三电极和所述多个第四电极中任意相邻的两个电极之间的距离为固定值;所述目标有机膜层的方阻Rs满足:Rs=(V/I)/(X×Z(n-1));
其中,所述V为所述驱动电压,所述I为流经所述目标有机膜层的电流,所述X为所述多个第三电极和所述多个第四电极中相邻的两个电极之间的距离,所述Z为所述第一电极与所述第二电极之间的距离,所述n为所述多个第三电极和所述多个第四电极的总数;
所述目标有机膜层的厚度小于厚度阈值,每个所述测试基板还包括:位于所述目标有机膜层远离所述第一衬底基板的一侧的保护膜层;
其中,所述多个测试基板中的所述保护膜层的材料相同。
6.一种测试系统,其特征在于,所述测试系统包括:测试设备,以及如权利要求5所述的测试装置;
所述测试设备与所述测试基板中的测试电极连接,所述测试设备用于向所述测试电极施加驱动电压,测试流经所述测试基板中的目标有机膜层的电流,根据所述驱动电压和所述电流确定所述目标有机膜层的方阻。
7.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供一第二衬底基板;
在所述第二衬底基板的一侧形成多个子像素;
其中,每个子像素包括:阳极层,阴极层,以及位于所述阳极层和所述阴极层之间的一个或多个有机膜层,至少一个所述有机膜层的材料由权利要求1至4任一所述的方法确定得到。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57120866A (en) * 1981-01-21 1982-07-28 Yokogawa Hokushin Electric Corp Resistance value measuring method of thin film resistance
CN107104130A (zh) * 2017-05-26 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及制备方法、显示面板及显示装置
CN107557732A (zh) * 2017-08-29 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀掩膜板及蒸镀装置、蒸镀工艺及测试膜层厚度的方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57120866A (en) * 1981-01-21 1982-07-28 Yokogawa Hokushin Electric Corp Resistance value measuring method of thin film resistance
CN107104130A (zh) * 2017-05-26 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及制备方法、显示面板及显示装置
CN107557732A (zh) * 2017-08-29 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀掩膜板及蒸镀装置、蒸镀工艺及测试膜层厚度的方法
CN109599413A (zh) * 2017-09-30 2019-04-09 上海和辉光电有限公司 一种显示面板和显示装置

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