CN107529273A - 具有过孔电容结构的电路板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭露了一种具有过孔电容结构的电路板，包括：一基底；一沉积层，被设置于所述基底上，具有至少一过孔于所述沉积层中；至少一薄膜电容，每一所述至少一薄膜电容被设置于每一所述至少一过孔中，每一所述至少一薄膜电容设有一本体部、第二端部以及第一端部，其中所述第二端部与所述第一端部位于所述本体部的相对两端面；至少一第二电极，每一所述至少一第二电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第二端部；以及至少一第一电极，每一所述至少一第一电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第一端部。
Description
技术领域
本发明是有关于一种具有电容结构的电路板，且特别是有关于一种具有过孔电容结构的电路板及其制造方法。
背景技术
在一般印刷电路板(PCB)上应用的电容形式，皆需提供一定大小的面积或体积，如图1所示，为现有印刷电路板中的电容结构示意图，包括了第二电极10、第一电极11、锡膏13、实体电容14，因为实体电容的体积影响，需考虑PCB表面零件的布排及焊接的空间，往往需延伸其传输路径长度，导致所述信号的回流路径过长，故产生一定的电阻或电感，间接影响传输的质量。
因此，需要提出能减少电容面积与体积的电容结构，以减少传输路径的长度，改善传输的质量。
发明内容
本发明的目的在于提出一种较小面积与体积的电容结构，缩短讯号传输路径的长度，并改善传输的质量。
本发明的一实施例揭露了一种具有过孔电容结构的电路板，包括：一基底；一沉积层，被设置于所述基底上，具有至少一过孔于所述沉积层中；至少一薄膜电容，每一所述至少一薄膜电容被设置于每一所述至少一过孔中，每一所述至少一薄膜电容设有一本体部、第二端部以及第一端部，其中所述第二端部与所述第一端部位于所述本体部的相对两端面；至少一第一电极，每一所述至少一第一电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的一第一端部；以及至少一第二电极，每一所述至少一第二电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第二端部。一信号依序经由所述第一电极与所述至少一薄膜电容的所述本体部到达所述第二电极，以使所述第一电极、所述本体部以及所述第二电极的共线路径传输所述信号。
依据本发明所述实施例，所述电路板由有芯(core)载板制程所制造。
依据本发明所述实施例，所述电路板由增层制程所制造。
依据本发明所述实施例，所述第二电极系为电源电极并且所述第一电极系为接地电极。
依据本发明所述实施例，所述第一端部的表面完全电性接触于每一所述至少一第一电极的表面，所述第二端部的表面完全电性接触于每一所述至少一第二电极的表面。
依据本发明所述实施例，所述第一电极、所述本体部以及所述第二电极的沿着所述共线路径形成对准状态。
依据本发明所述实施例，所述至少一过孔的形成方式选自机钻、雷射、电浆以及微影制程所组成的族群。
依据本发明所述实施例，所述至少一薄膜电容的形成方式选自溅镀法、蒸镀法或原子层沉积法、印刷以及点胶方式所组成的族群。
本发明的一实施例揭露了一种具有过孔电容结构的电路板制造方法，包括以下步骤：在所述电路板中的一基板上设置至少一第一电极；在所述第一电极上覆盖一沉积层；在所述沉积层中制作出至少一过孔；设置至少一薄膜电容于至少一过孔中，每一所述至少一薄膜电容被设置于每一所述至少一过孔中，每一所述至少一薄膜电容设有一本体部、第二端部以及第一端部，其中所述第二端部与所述第一端部位于所述本体部的相对两端面，每一所述至少一第一电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第一端部；以及将至少一第二电极镀于所述至少一薄膜电容上，每一所述至少一第二电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第二端部。
本发明使用的电容结构不同于实体电容采用的打件及焊接的方式，本发明采用可依容值需求而改变介电常数的沉积薄膜电容制程，更容易控制制程质量，通过调整孔径及选择电容材料的介电常数、调整通孔厚度，采用过孔中并联的第二与第一电极，形成并联的薄膜电容，通过控制薄膜电容/过孔的数量来达到预设的容值，且能直接在电路布局中进行电容布线，且不增加组件体积，另外，由于讯号传输路径被缩短，能帮助电源分配，降低传输路径中电流波动的影响，有助于改善电源完整性(Power Integration)。
附图说明
本发明在本文中的描述仅作为示例，并参照附图所示，其中：
图1是现有印刷电路板中的电容结构剖面图；
图2是依据本发明一实施例的印刷电路板中的电容结构分解示意图；
图3是图2的印刷电路板中的电容结构成品剖面图；
图4是依据本发明另一实施例的印刷电路板中的电容结构剖面图；以及
图5是依据本发明一实施例的印刷电路板中的电容结构制作流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的技术方案进行详细说明。在此需要注意的是，不同的图标中，相同的组件符号表示相同或相似的组件。以下所提及的附加图式的面方向定义为垂直于所述平面的法向量。在此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
本发明的目的在于提出一种较小面积与体积的电容结构，通过所述结构的并联来控制容值，亦可因应不同频率点的容值需求，并且所述结构可缩短讯号传输路径的长度，并改善传输的质量。
本发明的一实施例揭露了一种具有过孔电容结构的电路板，请参照图2，图2是依据本发明一实施例的印刷电路板中的电容结构分解示意图，具有过孔电容结构的所述电路板包括：一基底20，例如是绝缘结构所组成；一沉积层20’，例如是绝缘结构所组成，设置于所述基底20上，具有至少一过孔21于所述沉积层20’中；至少一薄膜电容22，每一所述至少一薄膜电容22设置于每一所述至少一过孔21中，每一所述至少一薄膜电容22设有一本体部28、第二端部26以及第一端部27，其中所述第二端部26与所述第一端部27位于所述本体部28的相对两端面；至少一第一电极24，每一所述至少一第一电极24电性连接每一所述至少一薄膜电容22的一第一端部27，所述薄膜电容22所用的材料可属中、高介电值材料，且化学成份包括金属及非金属元素，并可为二元或多元素的组成(例如:钛酸钡(BaTiO3)、二氧化钛(TiO2)等)，若所选用的介电材料易漏电，则可于电极与介电材件间增加阻隔层，如:钛(Ti)、氮化钛(TiN)等；以及至少一第二电极23，每一所述至少一第二电极23电性连接每一所述至少一薄膜电容22的所述第二端部26。一信号S依序经由所述第一电极24与所述至少一薄膜电容22的所述本体部28到达所述第二电极23，以使所述第一电极24、所述本体部28以及所述第二电极23的共线路径L(如图中虚线所示)传输所述信号S。其中，所述第二电极23与第一电极24为金属材料，可为合金，如:铜(Cu)、铝(Au)、钴镍合金(NiCo)等。其中，所述第二电极23系为电源电极并且所述第一电极24系为接地电极。所述第一端部27的表面完全电性接触于每一所述至少一第一电极24的表面，所述第二端部26的表面完全电性接触于每一所述至少一第二电极23的表面。另外，所述第一电极24、所述本体部28以及所述第二电极23的沿着所述共线路径L形成对准状态(如图中虚线所示)。
在此电路板结构是以增层(Build up)制程所制成的一增层结构。本实施例中过孔个数为两个，此仅为举例，而非用于限制本发明。电容结构一般是放置于沉积层20’的上，如图1中的电容14，而本案则是在电路板中沉积层20’挖出过孔21，并在每一过孔中直接放入第二电极23与第一电极24来形成电容，由于每一过孔21中的第二电极23与第一电极24的并联排列，因此所述至少一过孔21中形成的至少一薄膜电容22是彼此并联的电容，如此一来，因为薄膜电容22形成于过孔21，能在固定介电常数下，调整过孔21的厚度、过孔21的面积、以及不同的过孔21数量来决定所形成的总电容值，薄膜电容22是直接在过孔21中形成，相较于使用一般电容于电路板上，减少了占用体积，而所形成的薄膜电容22位于过孔21中，直接在讯号的共线路径L上，比起一般实体电容，如图1中的电容14，减少了路径L’(如图中虚线部分所示)，更减少讯号传输路径的长度，更为靠近晶圆端或IC端。
较佳地，所述至少一过孔21的形成方式选自机钻、雷射、电浆以及微影制程所组成的族群。所述机钻例如是机械钻孔形成所述至少一过孔21。
较佳地，所述至少一薄膜电容22的形成方式选自溅镀法、蒸镀法或原子层沉积法、印刷以及点胶方式所组成的族群。
请参照图3、4，图3是图2的印刷电路板中的电容结构成品剖面图，图4是依据本发明另一实施例的印刷电路板中的电容结构剖面图，在图4中所述沉积层20’是由有芯(core)载板制程所制造。
本发明的一实施例揭露了一种具有过孔电容结构的电路板制造方法，请参照图5，图5是依据本发明一实施例的印刷电路板中的电容结构制作流程图，包括以下步骤：
S500：在所述电路板中的一基板上设置至少一第一电极；
S501：在所述第一电极上覆盖一沉积层；
S502：在所述沉积层中制作出至少一过孔；
S503：设置至少一薄膜电容于至少一过孔中；以及
S504：将至少一第二电极镀于所述至少一薄膜电容上。
在步骤S503中，每一所述至少一薄膜电容被设置于每一所述至少一过孔中，每一所述至少一薄膜电容设有一本体部、第二端部以及第一端部，其中所述第二端部与所述第一端部位于所述本体部的相对两端面，每一所述至少一第一电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第一端部。在步骤S504中，每一所述至少一第二电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第二端部。所述至少一过孔中形成的至少一薄膜电容是彼此并联的电容，如此一来通过不同的过孔数量能决定所形成的总电容值。其中所述薄膜电容所用的材料可属中、高介电值材料，且化学成份包括金属及非金属元素，并可为二元或多元素的组成(例如:钛酸钡(BaTiO3)、二氧化钛(TiO2)…等)，若所选用的介电材料有漏电发生，则可于电极与介电材件间增加阻隔层，如:钛(Ti)、氮化钛(TiN)等。所述上第一电极为金属材料，可为合金，如:铜(Cu)、铝(Au)、钴镍合金(NiCo)等。
本发明使用的电容结构不同于实体电容采用的结构与焊接的方式，本发明采用可依电容值需求而改变介电常数的沉积薄膜电容制程，更容易控制制程质量，通过调整孔径及选择电容材料的介电常数、调整通孔厚度，采用过孔中并联的第二与第一电极，形成并联的薄膜电容，通过控制薄膜电容/过孔的数量来达到预设的容值，且能直接在电路布局中进行电容布线，且不增加组件体积，另外，由于讯号传输路径被缩短，能帮助电源分配，降低传输路径中电流波动的影响，有助于改善电源完整性(Power Integrity)。
尽管已经参照多个例证性的实施例描述了实施例，但是应该理解的是，可以由本领域技术人员设计的许多其它改进和实施例将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在本公开、附图和所述权利要求的范围内，在主题合并设置的部件和/或设置内的多种变化和改进是可能的。除了在部件和/或设置中的变化和改进，可选的使用对本领域技术人员来说也将变得明显。
Claims (13)
1.一种具有过孔电容结构的电路板，其特征在于，包括：
一基底；
一沉积层，被设置于所述基底上，具有至少一过孔于所述沉积层中；
至少一薄膜电容，每一所述至少一薄膜电容设置于每一所述至少一过孔中，每一所述至少一薄膜电容设有一本体部、第二端部以及第一端部，其中所述第二端部与所述第一端部位于所述本体部的相对两端面；
至少一第二电极，每一所述至少一第二电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第二端部；以及
至少一第一电极，每一所述至少一第一电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第一端部；
其中一信号依序经由所述第一电极与所述至少一薄膜电容的所述本体部到达所述第二电极，以使所述第一电极、所述本体部以及所述第二电极的共线路径传输所述信号。
2.如权利要求1所述的具有过孔电容结构的电路板，其特征在于，所述电路板由有芯载板制程所制造。
3.如权利要求1所述的具有过孔电容结构的电路板，其特征在于，所述电路板由增层制程所制造。
4.如权利要求1所述的具有过孔电容结构的电路板，其特征在于，所述第二电极系为电源电极并且所述第一电极系为接地电极。
5.如权利要求1所述的具有过孔电容结构的电路板，其特征在于，所述第一端部的表面完全电性接触于每一所述至少一第一电极的表面，所述第二端部的表面完全电性接触于每一所述至少一第二电极的表面。
6.如权利要求1所述的具有过孔电容结构的电路板，其特征在于，所述第一电极、所述本体部以及所述第二电极的沿着所述共线路径形成对准状态。
7.如权利要求1所述的具有过孔电容结构的电路板，其特征在于，所述至少一过孔的形成方式选自机钻、雷射、电浆以及微影制程所组成的族群。
8.如权利要求1所述的具有过孔电容结构的电路板，其特征在于，所述至少一薄膜电容的形成方式选自溅镀法、蒸镀法或原子层沉积法、印刷以及点胶方式所组成的族群。
9.一种具有过孔电容结构的电路板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在所述电路板中的一基板上设置至少一第一电极；
在所述第一电极上覆盖一沉积层；
在所述沉积层中制作出至少一过孔；
设置至少一薄膜电容于至少一过孔中，每一所述至少一薄膜电容被设置于每一所述至少一过孔中，每一所述至少一薄膜电容设有一本体部、第二端部以及第一端部，其中所述第二端部与所述第一端部位于所述本体部的相对两端面，每一所述至少一第一电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第一端部；以及
将至少一第二电极镀层于于所述至少一薄膜电容上，每一所述至少一第二电极电性连接每一所述至少一薄膜电容的所述第二端部。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述电路板由有芯载板制程所制造。
11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述电路板由增层制程所制造。
12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述至少一过孔的形成方式选自机钻、雷射、电浆以及微影制程所组成的族群。
13.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述至少一薄膜电容的形成方式选自溅镀法、蒸镀法或原子层沉积法、印刷以及点胶方式所组成的族群。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200501312A (en) * | 2003-06-19 | 2005-01-01 | Advanced Semiconductor Eng | Build-up manufacturing process of IC substrate with embedded parallel capacitor |
| US20070230151A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Fujitsu Limited | Circuit substrate and electronic apparatus, fabrication process thereof |
| CN204425772U (zh) * | 2014-02-05 | 2015-06-24 | 株式会社村田制作所 | 多层基板 |
| CN206332916U (zh) * | 2016-06-21 | 2017-07-14 | 中华精测科技股份有限公司 | 具有过孔电容结构的电路板 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147763A (en) * | 1975-06-14 | 1976-12-18 | Fujitsu Ltd | Method of making resistors and capacitors |
| JPS62178570U (zh) * | 1986-04-30 | 1987-11-12 | ||
| US5055966A (en) * | 1990-12-17 | 1991-10-08 | Hughes Aircraft Company | Via capacitors within multi-layer, 3 dimensional structures/substrates |
| JPH09116247A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Oki Purintetsudo Circuit Kk | コンデンサー内蔵ビルドアップ型プリント配線基板の製造方法及びそのプリント配線基板並びにこの基板へのコンデンサーの実装構造 |
| US6542379B1 (en) * | 1999-07-15 | 2003-04-01 | International Business Machines Corporation | Circuitry with integrated passive components and method for producing |
| US6395996B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-05-28 | Silicon Integrated Systems Corporation | Multi-layered substrate with a built-in capacitor design |
| JP3817463B2 (ja) * | 2001-11-12 | 2006-09-06 | 新光電気工業株式会社 | 多層配線基板の製造方法 |
| US20060013305A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Temporal scalable coding using AVC coding tools |
| KR100867038B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2008-11-04 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| JP2007013051A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 基板及びその製造方法 |
| US8334537B2 (en) * | 2007-07-06 | 2012-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| KR100882608B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2009-02-12 | 삼성전기주식회사 | 캐비티 캐패시터의 제작 방법 및 캐비티 캐패시터가 내장된인쇄회로기판 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200501312A (en) * | 2003-06-19 | 2005-01-01 | Advanced Semiconductor Eng | Build-up manufacturing process of IC substrate with embedded parallel capacitor |
| US20070230151A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Fujitsu Limited | Circuit substrate and electronic apparatus, fabrication process thereof |
| CN204425772U (zh) * | 2014-02-05 | 2015-06-24 | 株式会社村田制作所 | 多层基板 |
| CN206332916U (zh) * | 2016-06-21 | 2017-07-14 | 中华精测科技股份有限公司 | 具有过孔电容结构的电路板 |
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