CN107527985A - 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 - Google Patents
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- CN107527985A CN107527985A CN201710436931.XA CN201710436931A CN107527985A CN 107527985 A CN107527985 A CN 107527985A CN 201710436931 A CN201710436931 A CN 201710436931A CN 107527985 A CN107527985 A CN 107527985A
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，得到充分的亮度。发光二极管芯片的制造方法具有如下工序：晶片准备工序，准备如下晶片：晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；晶片背面加工工序，在晶片的背面上与各LED电路对应地形成多个凹部或第1槽；透明基板加工工序，在透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个第2槽；一体化工序，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；和分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。
背景技术
在蓝宝石基板、GaN基板、SiC基板等晶体成长用基板的正面上形成有层叠体层，该层叠体层通过将n型半导体层、发光层和p型半导体层层叠多层而形成，在该层叠体层上在由交叉的多条分割预定线划分出的区域内形成有多个LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等发光器件的晶片被沿着分割预定线切断而分割成各个发光器件芯片，分割得到的发光器件芯片被广泛地应用在移动电话、个人计算机、照明设备等各种电子设备中。
由于从发光器件芯片的发光层射出的光具有各向同性，所以光也会照射到晶体成长用基板的内部而也从基板的背面和侧面射出。然而，在照射到基板的内部的光中，由于基板与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光在界面上发生全反射而被关在基板内部，不会从基板射出到外部，所以存在导致发光器件芯片的亮度降低的问题。
为了解决该问题，在日本特开2014-175354号公报中记载了如下的发光二极管(LED)：为了抑制从发光层射出的光被关在基板的内部，将透明部件粘贴在基板的背面上而实现亮度的提高。
专利文献1：日本特开2014-175354号公报
然后，在专利文献1所公开的发光二极管中，存在如下问题：虽然通过将透明部件粘贴在基板的背面而稍微提高了亮度，但无法得到充分的亮度。
发明内容
本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。
根据技术方案1所述的发明，提供发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层中形成有包含发光层的多个半导体层，在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路；晶片背面加工工序，在该晶片的背面上与各LED电路对应地形成多个凹部或第1槽；透明基板加工工序，在透明基板的背面上与该晶片的各LED电路对应地形成多个第2槽；一体化工序，在实施了该晶片背面加工工序和该透明基板加工工序之后，将该透明基板的正面粘贴在该晶片的背面而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着该分割预定线将该晶片与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
优选在透明基板加工工序中形成的第2槽的截面形状为三角形、四边形以及半圆形中的任意形状。优选通过切削刀具、蚀刻、喷沙以及激光中的任意方式来形成晶片背面加工工序中所形成的凹部或第1槽，通过切削刀具、蚀刻、喷沙以及激光中的任意方式来形成透明基板加工工序中所形成的第2槽。
优选该透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石以及透明树脂中的任意材料形成，在该一体化工序中使用透明粘接剂将该透明基板粘接在晶片上。
根据技术方案5所述的发明，提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片具有：发光二极管，其在正面上形成有LED电路并且在背面上形成有凹部或第1槽；以及透明部件，其粘贴在该发光二极管的背面上，在该透明部件的与该发光二极管的粘贴面的相反侧的面上形成有第2槽。
关于本发明的发光二极管芯片，由于在粘贴于LED的背面的透明部件的背面上形成有第2槽，所以透明部件的表面积增大，而且从LED的发光层照射并入射到透明部件的光在该凹部或该第1槽以及第2槽部分中复杂地折射，因此能够减少在光从透明部件射出时透明部件与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光的比例，从透明部件射出的光的量增大而使发光二极管芯片的亮度提高。
附图说明
图1是光器件晶片的正面侧立体图。
图2的(A)是示出切削刀具所进行的晶片的背面加工工序的立体图，图2的(B)～图2的(D)是示出所形成的槽形状的剖视图。
图3的(A)是具有形成在晶片的背面的沿第1方向伸长的多个槽的晶片的背面侧立体图，图3的(B)是形成有沿第1方向和与第1方向垂直的第2方向伸长的形成在晶片的背面的多个槽的晶片的背面侧立体图。
图4的(A)是示出将掩模粘贴在晶片的背面上的情形的立体图，图4的(B)是在晶片的背面上粘贴了具有多个孔的掩模的状态的立体图，图4的(C)～图4的(E)是示出形成在晶片的背面的凹部的形状的晶片的局部的立体图。
图5的(A)是示出通过激光束在晶片的背面上形成槽的情形的立体图，图5的(B)是示出槽形状的晶片的局部剖视图，图5的(C)是示出通过激光束在晶片的背面上形成圆形凹部的情形的立体图，图5的(D)是示出所形成的圆形的凹部的晶片的部分立体图。
图6的(A)是示出透明基板加工工序的立体图，图6的(B)～图6的(D)是示出所形成的槽形状的剖视图。
图7的(A)是背面上形成有沿第1方向伸长的多个槽的透明基板的背面侧立体图，图7的(B)是背面上形成有互相交叉的多个槽的透明基板的背面侧立体图。
图8的(A)是示出将背面上具有多个槽的透明基板粘贴在晶片的背面上而进行一体化的一体化工序的立体图，图8的(B)是一体化晶片的立体图。
图9是示出借助划片带而利用环状框架对一体化晶片进行支承的支承工序的立体图。
图10是示出将一体化晶片分割成发光二极管芯片的分割工序的立体图。
图11是分割工序结束后的一体化晶片的立体图。
图12的(A)～图12的(C)是本发明实施方式的发光二极管芯片的立体图。
标号说明
2：掩模；3、3A、3B：槽；4：孔；5、5A、5B：凹部；7：槽；9：凹部；10：切削单元；11：光器件晶片(晶片)；13：蓝宝石基板；14：切削刀具；15：层叠体层；17：分割预定线；19：LED电路；21：透明基板；21A：透明部件；23、23A、23B：槽；25：一体化晶片；27：切断槽；31、31A、31B：发光二极管芯片。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细地说明。参照图1，示出了光器件晶片(以下，有时简称为晶片)11的正面侧立体图。
光器件晶片11构成为在蓝宝石基板13上层叠有氮化镓(GaN)等外延层(层叠体层)15。光器件晶片11具有层叠有外延层15的正面11a和蓝宝石基板13所露出的背面11b。
这里，在本实施方式的光器件晶片11中，采用蓝宝石基板13来作为晶体成长用基板，但也可以代替蓝宝石基板13而采用GaN基板或SiC基板等。
层叠体层(外延层)15是通过使电子为多数载流子的n型半导体层(例如，n型GaN层)、作为发光层的半导体层(例如，InGaN层)、空穴为多数载流子的p型半导体层(例如，p型GaN层)按顺序外延成长而形成的。
蓝宝石基板13具有例如100μm的厚度，层叠体层15具有例如5μm的厚度。在层叠体层15上通过形成为格子状的多条分割预定线17划分而形成有多个LED电路19。晶片11具有形成有LED电路19的正面11a和蓝宝石基板13所露出的背面11b。
根据本发明实施方式的发光二极管芯片的制造方法，首先，实施晶片准备工序，准备图1所示的光器件晶片11。进而，实施晶片背面加工工序，在晶片11的背面11b上与LED电路19对应地形成多个槽3。
例如，使用公知的切削装置来实施该晶片背面加工工序。如图2的(A)所示，切削装置的切削单元10包含：主轴外壳12；未图示的主轴，其以能够旋转的方式插入在主轴外壳12中；以及切削刀具14，其安装在主轴的前端。
切削刀具14的切削刃例如由通过镀镍而固定了金刚石磨粒的电铸磨具形成，其前端形状为三角形、四边形或半圆形。
切削刀具14的大致上部分被刀具罩(轮罩)16覆盖，在刀具罩16上配设有在切削刀具14的里侧和近前侧水平伸长的一对(仅图示了1个)冷却喷嘴18。
在晶片背面加工工序中，在晶片11的背面11b上形成多个槽3，利用未图示的切削装置的卡盘工作台对晶片11的正面11a进行吸引保持。然后，一边使切削刀具14按照箭头R方向高速旋转一边对晶片11的背面11b切入规定的深度，并对保持在未图示的卡盘工作台上的晶片11按照箭头X1方向进行加工进给，从而通过切削来形成沿第1方向伸长的槽3。
一边对晶片11按照晶片11的分割预定线17的间距在与箭头X1方向垂直的方向上进行分度进给，一边对晶片11的背面11b进行切削而如图3的(A)所示依次形成沿第1方向伸长的多个槽3。
如图3的(A)所示，形成于晶片11的背面11b的多个槽3可以是仅沿一个方向伸长的方式，或者如图3的(B)所示，也可以在晶片11的背面11b上形成沿第1方向和与该第1方向垂直的第2方向伸长的多个槽3。
形成于晶片11的背面11b的槽可以是图2的(B)所示的截面三角形的槽3、或图2的(C)所示的截面四边形的槽3A、或图2的(D)所示的截面半圆形的槽3B。
也可以在晶片11的背面11b上与LED电路19对应地形成多个凹部，从而代替通过切削在晶片11的背面11b上形成多个槽3、3A、3B的实施方式。在该实施方式中，如图4的(A)所示，使用具有与晶片11的LED电路19对应的多个孔4的掩模2。
如图4的(B)所示，使掩模2的孔4与晶片11的各LED电路19对应而粘贴在晶片11的背面11b上。然后，如图4的(C)所示，通过湿蚀刻或等离子蚀刻在晶片11的背面11b上形成与掩模2的孔4的形状对应的三角形的凹部5。
也可以通过将掩模2的孔4的形状变更为四边形或圆形而在晶片11的背面11b上形成图4的(D)所示的四边形的凹部5A，或者在晶片11的背面11b上形成图4的(E)所示的圆形的凹部5B。
作为本实施方式的变形例，在将掩模2粘贴在晶片11的背面11b之后，也可以通过实施喷沙加工而在晶片11的背面11b上形成图4的(C)所示的三角形的凹部5、或图4的(D)所示的四边形的凹部5A、或图4的(E)所示的圆形凹部5B。
要想在晶片11的背面11b上形成与LED电路19对应的多个槽或多个凹部，则也可以利用激光加工装置。在激光加工所进行的第1实施方式中，如图5的(A)所示，一边从聚光器(激光头)24对晶片11的背面11b照射对于晶片11具有吸收性的波长(例如，266nm)的激光束，一边对保持着晶片11的未图示的卡盘工作台按照箭头X1方向进行加工进给，从而通过烧蚀在晶片11的背面11b上形成沿第1方向伸长的槽7。
一边对晶片11按照晶片11的分割预定线17的间距在与箭头X1方向垂直的方向上进行分度进给，一边对晶片11的背面11b进行烧蚀加工而依次形成沿第1方向伸长的多个槽7。槽7的截面形状例如可以是图5的(B)所示的半圆形，也可以是其他的形状。
作为代替实施方式，如图5的(C)所示，也可以从聚光器24间歇地照射对于晶片11具有吸收性的波长(例如，266nm)的脉冲激光束而在晶片11的背面11b上形成与LED电路19对应的多个凹部9。凹部9的形状通常是与激光束的光斑形状对应的图5的(D)所示的圆形。
在实施了晶片背面加工工序之后或实施之前，实施透明基板加工工序，在粘贴于晶片11的背面11b的透明基板21的背面21b上与LED电路19对应地形成多个槽。
例如，使用公知的切削装置来实施该透明基板加工工序。在透明基板加工工序中，利用未图示的切削装置的卡盘工作台对透明基板21进行吸引保持，在透明基板21的背面21b上形成多个槽23。
然后，一边使切削刀具14按照箭头R方向高速旋转一边对透明基板21的背面21b切入规定的深度，并对保持在未图示的卡盘工作台上的透明基板21按照箭头X1方向进行加工进给，从而通过切削来形成沿第1方向伸长的槽23。
一边对透明基板21按照晶片11的分割预定线17的间距在与箭头X1方向垂直的方向上进行分度进给，一边对透明基板21的背面21b进行切削而如图6所示依次形成沿第1方向伸长的多个槽23。
如图7的(A)所示，形成于透明基板21的背面21b的多个槽23可以是仅沿一个方向伸长的方式，或者如图7的(B)所示，也可以在透明基板21的背面21b上形成沿第1方向和与该第1方向垂直的第2方向伸长的多个槽23。
形成于透明基板21的背面21b的槽可以是图6的(B)所示的截面三角形的槽23、或图6的(C)所示的截面四边形的槽23A、或图6的(D)所示的截面半圆形的槽23B。
透明基板21由透明树脂、光学玻璃、蓝宝石、透明陶瓷中的任意一种形成。在本实施方式中，由比光学玻璃具有耐久性的聚碳酸酯、丙烯等透明树脂来形成透明基板21。另外，作为形成槽的方法，也可以使用喷沙、蚀刻、激光。
在实施了在透明基板21的背面21b上形成多个槽23、23A、23B的透明基板加工工序之后，实施将透明基板21粘贴在晶片11的背面11b上而形成一体化晶片25的一体化工序。
在该一体化工序中，如图8的(A)所示，通过透明粘接剂将晶片11的背面11b粘接在背面21b上形成有沿第1方向伸长的多个槽23的透明基板21的正面上从而如图8的(B)所示将晶片11和透明基板21一体化而形成一体化晶片25。
作为代替实施方式，如图8的(A)所示，也可以在透明基板21的背面21b上具有沿第1方向和与该第1方向垂直的第2方向伸长的多个槽23，通过透明粘接剂将晶片11的背面11b粘接在透明基板21的背面21b上而使晶片11和透明基板21一体化。这里，形成于透明基板21的背面21b的槽23的间距与晶片11的分割预定线17的间距对应。
在实施了一体化工序之后，如图9所示，实施支承工序，将一体化晶片25的透明基板21粘贴在外周部被粘贴于环状框架F的划片带T上而形成框架单元，借助划片带T而利用环状框架F对一体化晶片25进行支承。
在实施了支承工序之后，实施分割步骤，将框架单元投入到切削装置中，利用切削装置对一体化晶片25进行切削而分割成各个发光二极管芯片。参照图10对该分割步骤进行说明。
在分割步骤中，一体化晶片25隔着框架单元的划片带T被吸引保持在切削装置的卡盘工作台20上，环状框架F被未图示的夹具夹住而固定。
然后，一边使切削刀具14按照箭头R方向高速旋转一边使切削刀具14的前端切入晶片11的分割预定线17直到到达划片带T，并且一边从冷却喷嘴18朝向切削刀具14和晶片11的加工点提供切削液，一边对一体化晶片25在箭头X1方向上进行加工进给，由此，沿着晶片11的分割预定线17形成将晶片11和透明基板21切断的切断槽27。
一边使切削单元10在Y轴方向上进行分度进给，一边沿着在第1方向上伸长的分割预定线17依次形成同样的切断槽27。接着，在使卡盘工作台20旋转90°之后，沿着在与第1方向垂直的第2方向上伸长的全部的分割预定线17形成同样的切断槽27而成为图11所示的状态，从而将一体化晶片25分割成图12的(A)所示的发光二极管芯片31。
在上述的实施方式中，虽然使用切削装置将一体化晶片25分割成各个发光二极管芯片31，但也可以沿着分割预定线13对晶片11照射对于晶片11和透明基板21具有透过性的波长的激光束而在晶片11和透明基板21的内部沿厚度方向形成多层的改质层，接着对一体化晶片25施加外力而以改质层为分割起点将一体化晶片25分割成各个发光二极管芯片31。
图12的(A)所示的发光二极管芯片31中，对在正面上具有LED电路19的LED 13A的背面粘贴透明部件21A。进而，在晶片11的背面11b上形成有凹部5或槽3，在透明部件21A的背面上形成有槽23。
因此，在图12的(A)所示的发光二极管芯片31中，由于在透明部件21A的背面上形成有槽23，所以透明部件21A的表面积增大。进而，从发光二极管芯片31的LED电路19射出并入射到透明部件21A的光的一部分在形成于晶片11的背面11b的凹部5或槽3以及形成于透明部件21A的背面的槽23部分中发生折射而进入到透明部件21A内。
因此，能够减少当从透明部件21A向外部折射而射出时透明部件21A与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光的比例，从透明部件21A射出的光的量增大，发光二极管芯片31的亮度提高。
在图12的(B)所示的发光二极管芯片31A中，除了在LED 13A的背面上形成凹部5或槽3之外，通过透明的粘接剂将具有截面四边形的槽23A的透明部件21A粘接在LED 13A的背面上。
在本实施方式的发光二极管芯片31A中，也与图12的(A)所示的发光二极管芯片31同样，从LED电路19射出并入射到透明部件21A的光的一部分在形成于LED 13A的背面的凹部5或槽3以及形成于透明部件21A的背面的槽23A部分中发生折射而进入到透明部件21A。
因此，能够减少当从透明部件21A向外部射出时透明部件21A与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光的比例，从透明部件21A射出的光的量增大，发光二极管芯片31A的亮度提高。
参照图12的(C)，还示出了其他的实施方式的发光二极管芯片31B的立体图。在本实施方式的发光二极管芯片31B中，在LED 13A的背面上形成有凹部5或槽3，并且在透明部件21A的背面上沿互相垂直的方向形成有截面半圆形的槽23B。
在本实施方式的发光二极管芯片31B中，由于在透明部件21A的背面上沿互相垂直的方向形成有截面半圆形的槽23B，所以从LED电路19射出并进入到透明部件21A的光的一部分在槽23B内复杂地折射而射出到外部。
因此，由于能够减少在光从透明部件21A向外部射出时透明部件21A与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光的量，所以从透明部件21A向外部射出的光的量增大，发光二极管芯片31B的亮度提高。
Claims (5)
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：
晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；
晶片背面加工工序，在该晶片的背面上与各LED电路对应地形成多个凹部或第1槽；
透明基板加工工序，在透明基板的背面上与该晶片的各LED电路对应地形成多个第2槽；
一体化工序，在实施了该晶片背面加工工序和该透明基板加工工序之后，将该透明基板的正面粘贴在该晶片的背面上而形成一体化晶片；以及
分割工序，沿着该分割预定线将该晶片与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其中，
在该透明基板加工工序中形成的所述第2槽的截面形状为三角形、四边形以及半圆形中的任意形状。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其中，
在该晶片背面加工工序中，通过切削刀具、蚀刻、喷沙以及激光中的任意方式来形成所述凹部或所述第1槽，
在该透明基板加工工序中，通过切削刀具、蚀刻、喷沙以及激光中的任意方式来形成所述第2槽。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其中，
该透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石以及透明树脂中的任意材料形成，在该一体化工序中使用透明粘接剂将该透明基板粘贴在该晶片上。
5.一种发光二极管芯片，其中，
该发光二极管芯片具有：
发光二极管，其在正面上形成有LED电路并且在背面上形成有凹部或第1槽；以及
透明部件，其粘贴在该发光二极管的背面上，
在该透明部件的与该发光二极管的粘贴面的相反侧的面上形成有第2槽。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016119053A JP2017224725A (ja) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
| JP2016-119053 | 2016-06-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107527985A true CN107527985A (zh) | 2017-12-29 |
| CN107527985B CN107527985B (zh) | 2021-08-17 |
Family
ID=60687185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710436931.XA Active CN107527985B (zh) | 2016-06-15 | 2017-06-12 | 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2017224725A (zh) |
| KR (1) | KR102166197B1 (zh) |
| CN (1) | CN107527985B (zh) |
| TW (1) | TWI757292B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2016
- 2016-06-15 JP JP2016119053A patent/JP2017224725A/ja active Pending
-
2017
- 2017-05-11 TW TW106115659A patent/TWI757292B/zh active
- 2017-06-09 KR KR1020170072670A patent/KR102166197B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-12 CN CN201710436931.XA patent/CN107527985B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI757292B (zh) | 2022-03-11 |
| KR20170141601A (ko) | 2017-12-26 |
| CN107527985B (zh) | 2021-08-17 |
| TW201810714A (zh) | 2018-03-16 |
| KR102166197B1 (ko) | 2020-10-15 |
| JP2017224725A (ja) | 2017-12-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |