CN108538995A - 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 - Google Patents
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Abstract
提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。该方法具有:晶片准备工序,准备如下的晶片:该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层,在层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路,层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层;透明基板加工工序,在内部形成有多个气泡的第1或第2透明基板的至少任意一方的正面或背面上,与LED电路对应地形成多个槽;透明基板粘贴工序,将第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上,并且将第2透明基板的正面粘贴在第1透明基板的背面上,从而形成一体化晶片;以及分割工序,沿着分割预定线将晶片与第1、第2透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。
背景技术
在蓝宝石基板、GaN基板、SiC基板等晶体成长用基板的正面上形成有层叠体层,该层叠体层通过将n型半导体层、发光层和p型半导体层层叠多层而形成,将在该层叠体层上由交叉的多条分割预定线划分的区域内形成有多个LED(Light Emitting Diode:发光二极管)等发光器件的晶片沿着分割预定线切断而分割成各个发光器件芯片,分割得到的发光器件芯片被广泛地应用在移动电话、个人计算机、照明设备等各种电子设备中。
由于从发光器件芯片的发光层射出的光具有各向同性,所以光也会照射到晶体成长用基板的内部而也从基板的背面和侧面射出。然而,在照射到基板的内部的光中,由于基板与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光在界面上发生全反射而被关在基板内部,不会从基板射出到外部,所以存在导致发光器件芯片的亮度降低的问题。
为了解决该问题,在专利文献1中记载了如下的发光二极管(LED):为了抑制从发光层射出的光被关在基板的内部,将透明部件粘贴在基板的背面上而实现亮度的提高。
专利文献1:日本特开2014-175354号公报
然而,在专利文献1所公开的发光二极管中,存在如下问题:虽然通过将透明部件粘贴在基板的背面而稍微提高了亮度,但无法得到充分的亮度。
发明内容
本发明是鉴于这样的点而完成的,其目的在于,提供能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。
根据技术方案1所述的发明,提供发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,具有如下的工序:晶片准备工序,准备如下的晶片:该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层,在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路,其中,所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层;透明基板加工工序,在内部形成有多个气泡的第1透明基板或内部形成有多个气泡的第2透明基板的至少任意一方的正面或背面上,与LED电路对应地形成多个槽;透明基板粘贴工序,在实施了该透明基板加工工序之后,将该第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上并且将该第2透明基板的正面粘贴在该第1透明基板的背面上,从而形成一体化晶片;以及分割工序,在实施了该透明基板粘贴工序之后,沿着该分割预定线将该晶片与该第1透明基板和该第2透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
优选在透明基板加工工序中形成的槽的截面形状为三角形、四边形或半圆形中的任意形状。优选在透明基板加工工序中形成的槽通过切削刀具、蚀刻、喷沙以及激光中的任意方式来形成。
该第1透明基板和该第2透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石以及透明树脂中的任意材料形成,在该透明基板粘贴工序中,使用透明粘接剂将该第1透明基板粘接在晶片上,使用透明粘接剂将该第2透明基板粘接在该第1透明基板上。
根据技术方案5所述的发明,提供发光二极管芯片,其中,该发光二极管芯片具有:发光二极管,其在正面上形成有LED电路;内部形成有多个气泡的第1透明部件,其粘贴在该发光二极管的背面上;以及内部形成有多个气泡的第2透明部件,其粘贴在该第1透明部件的背面上,在该第1透明部件或该第2透明部件的至少任意一方的正面或背面上形成有槽。
关于本发明的发光二极管芯片,光通过至少形成在两层透明部件上的多个气泡和槽而复杂地折射,关在第1、第2透明部件内的光减少,从第1、第2透明部件射出的光的量增大,从而使发光二极管芯片的亮度提高。
附图说明
图1是光器件晶片的正面侧立体图。
图2的(A)是示出透明基板加工工序的立体图,图2的(B)~图2的(D)是示出所形成的槽形状的剖视图。
图3的(A)是示出将在正面上具有沿第1方向延伸的多个槽的第1透明基板粘贴在晶片的背面上而形成第1一体化晶片的透明基板粘贴工序的立体图,图3的(B)是第1一体化晶片的立体图。
图4是示出将在正面上具有沿第1方向和与第1方向垂直的第2方向延伸的多个槽的第1透明基板粘贴在晶片的背面上而进行一体化的透明基板粘贴工序的立体图。
图5的(A)是示出将第2透明基板的正面粘贴在第1一体化晶片的背面上而形成第2一体化晶片的情形的立体图,图5的(B)是第2一体化晶片的立体图。
图6是示出借助划片带而利用环状框架对第2一体化晶片进行支承的支承工序的立体图。
图7是示出将第2一体化晶片分割成发光二极管芯片的分割工序的立体图。
图8是分割工序结束后的第2一体化晶片的立体图。
图9的(A)~图9的(D)是本发明实施方式的发光二极管芯片的立体图。
标号说明
10:切削单元;11:光器件晶片(晶片);13:蓝宝石基板;14:切削刀具;15:层叠体层;17:分割预定线;19:LED电路;21:第1透明基板;21′:第1透明部件;21A:第2透明基板;21A′:第2透明部件;23、23A、23B:槽;25:第1一体化晶片;25A:第2一体化晶片;27:切断槽;29:气泡;31、31A、31B、31C:发光二极管芯片。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行详细地说明。参照图1,示出了光器件晶片(以下,有时简称为晶片)11的正面侧立体图。
光器件晶片11是在蓝宝石基板13上层叠氮化镓(GaN)等外延层(层叠体层)15而构成的。光器件晶片11具有层叠有外延层15的正面11a和蓝宝石基板13所露出的背面11b。
这里,在本实施方式的光器件晶片11中,采用蓝宝石基板13来作为晶体成长用基板,但也可以代替蓝宝石基板13而采用GaN基板或SiC基板等。
层叠体层(外延层)15是通过使电子为多数载流子的n型半导体层(例如,n型GaN层)、作为发光层的半导体层(例如,InGaN层)、空穴为多数载流子的p型半导体层(例如,p型GaN层)按顺序外延成长而形成的。
蓝宝石基板13例如具有100μm的厚度,层叠体层15例如具有5μm的厚度。在层叠体层15上由形成为格子状的多条分割预定线17划分而形成有多个LED电路19。晶片11具有形成有LED电路19的正面11a和蓝宝石基板13所露出的背面11b。
根据本发明实施方式的发光二极管芯片的制造方法,首先,实施晶片准备工序,准备图1所示的光器件晶片11。然后,实施透明基板准备工序,准备图2的(A)和图5所示的内部形成有多个气泡的第1透明基板21和内部形成有多个气泡29A的第2透明基板21A。
在实施了晶片和透明基板准备工序之后,实施透明基板加工工序,在粘贴于晶片11的背面11b的第1透明基板21的正面或背面上、或者在粘贴于第1透明基板21的背面的第2透明基板21A的正面或背面上与LED电路19对应地形成多个槽。例如,使用公知的切削装置来实施该透明基板加工工序。
如图2的(A)所示,切削装置的切削单元10包含:主轴外壳12;未图示的主轴,其以能够旋转的方式插入主轴外壳12中;以及切削刀具14,其安装在主轴的前端。
切削刀具14的切削刃例如由通过镀镍而固定了金刚石磨粒的电铸磨具形成,其前端形状为三角形、四边形或半圆形。
切削刀具14的大致上部分被刀具罩(轮罩)16覆盖,在刀具罩16上配设有在切削刀具14的里侧和近前侧水平延伸的一对(仅图示了1个)冷却喷嘴18。
在透明基板加工工序中,在第1透明基板21的正面21a上形成多个槽23,利用未图示的切削装置的卡盘工作台对第1透明基板21进行吸引保持。然后,一边使切削刀具14按照箭头R方向高速旋转一边对第1透明基板21的正面21a切入规定的深度,并对保持在未图示的卡盘工作台上的第1透明基板21按照箭头X1方向进行加工进给,从而通过切削来形成沿第1方向延伸的槽23。
一边按照晶片11的分割预定线17的间距在与箭头X1方向垂直的方向上对第1透明基板21进行分度进给,一边对第1透明基板21的正面21a进行切削,从而如图3所示依次形成沿第1方向延伸的多个槽23。
既可以是如图3的(A)所示、形成于第1透明基板21的正面21a的多个槽23仅沿一个方向延伸的方式,或者也可以如图4所示,在第1透明基板21的正面21a上形成沿第1方向和与该第1方向垂直的第2方向延伸的多个槽23。
形成于第1透明基板21的正面21a的槽可以是图2的(B)所示的截面三角形的槽23、或图2的(C)所示的截面四边形的槽23A、或图2的(D)所示的截面半圆形的槽23B。
第1透明基板21和第2透明基板21A由透明树脂、光学玻璃、蓝宝石和透明陶瓷中的任意材料形成。在本实施方式中,由比光学玻璃具有耐久性的聚碳酸酯、丙烯等透明树脂来形成第1透明基板21和第2透明基板21A。另外,作为形成槽的方法,也可以使用喷沙、蚀刻、激光。
在上述的实施方式中,在第1透明基板21的正面21a上形成了多个槽23、23A、23B,但也可以代替该实施方式,在第1透明基板21的背面21b上形成多个槽23、23A、23B。
或者,也可以不对第1透明基板21的正面和背面实施任何加工,在第2透明基板21A的正面21a或背面21b上与晶片11的各LED电路19对应地形成多个槽23、23A、23B。
在实施了透明基板加工工序之后,实施透明基板粘贴工序,将第1透明基板21的正面21a粘贴在晶片11的背面11b上,并且将第2透明基板21A的正面21a粘贴在第1透明基板21的背面21b上。
在该透明基板粘贴工序中,如图3的(A)所示,利用透明粘接剂将晶片11的背面11b粘接在正面21a上形成有沿第1方向延伸的多个槽23的第1透明基板21的正面上,从而如图3的(B)所示,将晶片11与第1透明基板21一体化而形成第1一体化晶片25。
作为代替实施方式,如图4所示,也可以利用透明粘接剂将晶片11的背面11b粘接在第1透明基板21的正面21a上,从而将晶片11与第1透明基板21一体化,其中,在第1透明基板21的正面21a上具有沿第1方向和与该第1方向垂直的第2方向延伸的多个槽23。这里,形成在第1透明基板21的正面21a上的槽23的间距与晶片11的分割预定线17的间距对应。
接着,如图5的(A)所示,将内部形成有多个气泡29A的第2透明基板21A的正面21a粘贴在第1一体化晶片25的第1透明基板21的背面21b上,从而形成图5的(B)所示的第2一体化晶片25A。
该透明基板粘贴工序并不限定于上述的顺序,也可以在将第2透明基板21A的正面21a粘贴在第1透明基板21的背面21b上之后,将第1透明基板21的正面21a粘贴在晶片11的背面11b上而形成第2一体化晶片25A。
在实施了透明基板粘贴工序之后,如图6所示,实施支承工序,将第2一体化晶片25A的第2透明基板21A粘贴在外周部被粘贴于环状框架F的划片带T上而形成框架单元,借助划片带T而利用环状框架F对第2一体化晶片25A进行支承。
在实施了支承工序之后,实施分割工序,将框架单元投入到切削装置中,利用切削装置对一体化晶片25进行切削而分割成各个发光二极管芯片。参照图7对该分割工序进行说明
在分割工序中,将第2一体化晶片25A隔着框架单元的划片带T吸引保持在切削装置的卡盘工作台20上,环状框架F被未图示的夹具夹住而固定。
然后,一边使切削刀具14按照箭头R方向高速旋转一边使切削刀具14的前端切入晶片11的分割预定线17直到到达划片带T,并且一边从冷却喷嘴18朝向切削刀具14和晶片11的加工点提供切削液,一边对第2一体化晶片25A在箭头X1方向上进行加工进给,由此,沿着晶片11的分割预定线17形成将晶片11和第1、第2透明基板21、21A切断的切断槽27。
一边对切削单元10在Y轴方向上进行分度进给,一边沿着在第1方向上延伸的分割预定线17依次形成同样的切断槽27。接着,在使卡盘工作台20旋转90°之后,沿着在与第1方向垂直的第2方向上延伸的全部的分割预定线17形成同样的切断槽27而成为图8所示的状态,从而将第2一体化晶片25A分割成图9所示的发光二极管芯片31。
在上述的实施方式中,使用切削装置将第2一体化晶片25A分割成各个发光二极管芯片31,但也可以沿着分割预定线13对晶片11照射对于晶片11和透明基板21、21A具有透过性的波长的激光束,在晶片11和透明基板21、21A的内部沿厚度方向形成多层改质层,接着,对第2一体化晶片25A施加外力而以改质层为分割起点将第2一体化晶片25A分割成各个发光二极管芯片31。
在图9的(A)所示的发光二极管芯片31中,LED 13A在正面上具有LED电路19,在该LED 13A的背面上粘贴有内部形成了多个气泡29的第1透明部件21′。并且,在第1透明部件21′的正面上形成有槽23B。进而,在第1透明部件21′的背面上粘贴有内部形成了多个气泡的第2透明部件21A′。
在图9的(B)所示的发光二极管芯片31A中,LED 13A在正面上具有LED电路19,在该LED 13A的背面上粘贴有内部形成了多个气泡的第1透明部件21′。并且,在第1透明部件21′的背面上形成有槽23B。进而,在第1透明部件21′的背面上粘贴有第2透明部件21A′的正面。
在图9的(C)所示的发光二极管芯片31B中,LED 13A在正面上具有LED电路19,在该LED 13A的背面上粘贴有内部形成了多个气泡的第1透明部件21′。并且,在第1透明部件21′的背面上粘贴有第2透明部件21A′。并且,在第2透明部件21A′的正面上形成有槽23B。
在图9的(D)所示的发光二极管芯片31C中,LED 13A在正面上具有LED电路19,在该LED 13A的背面上粘贴有内部形成了多个气泡的第1透明部件21′。进而,在第1透明部件21′的背面上粘贴有第2透明部件21A′的正面。并且,在第2透明部件21A′的背面上形成有槽23B。
因此,在图9的(A)所示的发光二极管芯片31中,由于在第1透明部件21′的正面上形成有槽23B,所以第1透明部件21′的表面积增大。并且,从发光二极管芯片31的LED电路19射出并入射到第1透明部件21′的光的一部分在槽23B部分发生折射而进入到第1透明部件21′内。
因此,能够减少从第1透明部件21′和第2透明部件21A′向外部折射而射出光时第1、第2透明部件21′、21A′与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光的比例,从第1、第2透明部件21′,21A′射出的光的量增大,发光二极管芯片31的亮度提高。
关于图9的(B)~图9的(D)所示的发光二极管芯片31A、31B、31C,也起到与图9的(A)所示的发光二极管芯片31同样的作用效果。
Claims (5)
1.一种发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序:
晶片准备工序,准备如下的晶片:该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层,在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路,其中,所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层;
透明基板加工工序,在内部形成有多个气泡的第1透明基板或内部形成有多个气泡的第2透明基板的至少任意一方的正面或背面上,与LED电路对应地形成多个槽;
透明基板粘贴工序,在实施了该透明基板加工工序之后,将该第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上并且将该第2透明基板的正面粘贴在该第1透明基板的背面上,从而形成一体化晶片;以及
分割工序,在实施了该透明基板粘贴工序之后,沿着该分割预定线将该晶片与该第1透明基板和该第2透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,其中,
在该透明基板加工工序中形成的所述槽的截面形状为三角形、四边形以及半圆形中的任意形状。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,其中,
在该透明基板加工工序中,通过切削刀具、蚀刻、喷沙以及激光中的任意方式来形成所述槽。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,其中,
该第1透明基板和该第2透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石以及透明树脂中的任意材料形成,在该透明基板粘贴工序中使用透明粘接剂将该第1透明基板粘接在晶片上,使用透明粘接剂将该第2透明基板粘贴在该第1透明基板上。
5.一种发光二极管芯片,其中,
该发光二极管芯片具有:
发光二极管,其在正面上形成有LED电路;
内部形成有多个气泡的第1透明部件,其粘贴在该发光二极管的背面上;以及
内部形成有多个气泡的第2透明部件,其粘贴在该第1透明部件的背面上,
在该第1透明部件或该第2透明部件的至少任意一方的正面或背面上形成有槽。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003046124A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
CN102201502A (zh) * | 2010-03-23 | 2011-09-28 | 株式会社迪思科 | 光器件晶片的加工方法 |
CN102468415A (zh) * | 2010-11-01 | 2012-05-23 | 三星Led株式会社 | 半导体发光器件 |
CN104037299A (zh) * | 2013-03-06 | 2014-09-10 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件及其制造方法 |
JP2014239123A (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-18 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
CN104733588A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 株式会社迪思科 | 发光芯片 |
CN105531833A (zh) * | 2013-05-15 | 2016-04-27 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有衬底中的散射特征的led |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4232585B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2009-03-04 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
KR20070000952A (ko) * | 2005-06-27 | 2007-01-03 | 주식회사 엘지화학 | 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자의 제조방법 |
CN104160520A (zh) * | 2012-02-01 | 2014-11-19 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光元件、其制造方法和光源装置 |
WO2013129477A1 (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-06 | 三菱化学株式会社 | 波長変換部材及びこれを用いた半導体発光装置 |
JP5941306B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-06-29 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
TWI581458B (zh) * | 2012-12-07 | 2017-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
JP2014175354A (ja) | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光ダイオード |
TWI513051B (zh) * | 2013-05-08 | 2015-12-11 | Ind Tech Res Inst | 發光二極體晶圓及其製造方法 |
JP2015018953A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 株式会社ディスコ | 発光チップ |
WO2015030237A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 半導体発光素子及び光学フィルム |
KR20150047844A (ko) * | 2013-10-25 | 2015-05-06 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광다이오드 |
KR101539994B1 (ko) * | 2013-11-28 | 2015-07-30 | 순천대학교 산학협력단 | 측면 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
WO2015099084A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 信越石英株式会社 | 波長変換用石英ガラス部材及びその製造方法 |
JP6255255B2 (ja) | 2014-01-27 | 2017-12-27 | 株式会社ディスコ | 光デバイスの加工方法 |
KR101662751B1 (ko) * | 2015-07-02 | 2016-10-07 | 참엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법과 이로 제작된 기판 |
-
2017
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003046124A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
CN102201502A (zh) * | 2010-03-23 | 2011-09-28 | 株式会社迪思科 | 光器件晶片的加工方法 |
CN102468415A (zh) * | 2010-11-01 | 2012-05-23 | 三星Led株式会社 | 半导体发光器件 |
CN104037299A (zh) * | 2013-03-06 | 2014-09-10 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件及其制造方法 |
CN105531833A (zh) * | 2013-05-15 | 2016-04-27 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有衬底中的散射特征的led |
JP2014239123A (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-18 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
CN104733588A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 株式会社迪思科 | 发光芯片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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