CN107516681A - 一种快速恢复二极管及其制造方法 - Google Patents
一种快速恢复二极管及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107516681A CN107516681A CN201610424393.8A CN201610424393A CN107516681A CN 107516681 A CN107516681 A CN 107516681A CN 201610424393 A CN201610424393 A CN 201610424393A CN 107516681 A CN107516681 A CN 107516681A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- conductivity type
- type semiconductor
- layer
- lifetime control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 89
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N aluminum lead Chemical compound [Al].[Pb] IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003137 locomotive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009469 supplementation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/102—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法，该快速恢复二极管包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种快速恢复二极管及其制造方法。
背景技术
快速开关器件是电力系统、机车牵引、新能源等高端市场中所需要的基本元器件，快速恢复二极管(FRD)作为开关器件的续流二极管被大量应用。
对快速恢复二极管的重要要求是器件的功率损耗小，这要求器件的开关速度快(以关断过程中的电流恢复时间tr小来标志)以减小开关损耗，反向漏电IR小以减小断态损耗，正向压降Von小以减小通态损耗。一种有效的减小tr的方法是提高器件中复合中心的密度，以降低过剩载流子的寿命，从而加速在导通状态时积累于器件中的过剩载流子的复合，这种减小tr的方法被称作寿命控制。现有的寿命控制技术大致包括整体寿命控制技术和局域寿命控制技术两大类。整体寿命控制技术是在遍及整体半导体器件各区域产生复合中心，然而减小tr的同时会造成不同程度的IR变大、Von变大等不良后果。作为对整体寿命控制技术的一种改进，局域寿命控制技术是只在对减小tr最有效的很小的局部区域内(比如在电流流动方向上靠近PN结的地方)产生复合中心，而在对减小tr效果不大却对IR、Von等其它性能影响很大的其它区域不产生复合中心，由此降低了IR变大、Von变大等不良后果。然而，如果局域寿命控制层靠PN结太近，会导致反向漏电流过大，从而劣化反向阻断性能；如果离PN太远，又会导致反向恢复峰值电流值过大，从而不利于二极管的反向恢复。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于如何在保证反向漏电流不过大的同时，减小反向恢复峰值电流。
为此，本发明实施例提供了一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。
优选地，所述第二导电类型半导体层(4)形成在所述第一导电类型半导体层(2)上方。
优选地，所述第二导电类型半导体层(4)形成在所述第一导电类型半导体层(2)内，且所述第二导电类型半导体层(4)与所述第一导电类型半导体层(2)的顶面齐平。
优选地，所述第二导电类型半导体层(4)的的厚度为11-22μm。
优选地，所述快速恢复二极管还包括全局寿命控制层，设置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层内。
本发明实施例还提供了一种快速恢复二极管的制造方法，包括：形成第一导电类型半导体层(2)；形成第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；在所述第二导电类型半导体层(4)内形成局域寿命控制层(5)，所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。
优选地，对所述第一导电类型半导体层(2)进行掺杂以形成所述第二导电类型半导体层(4)。
优选地，所述局域寿命控制层通过注入氢或氦形成。
优选地，在所述第二导电类型半导体层(4)内形成局域寿命控制层(5)的步骤之后，还包括：在第一导电类型半导体层(2)和所述第二导电类型半导体层(4)内形成全局寿命控制层。
优选地，所述全局寿命控制层通过电子辐照或重金属高温推结注入形成。
本发明实施例快速恢复二极管及制造方法，通过限制局域寿命控制层为所述的位置，实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例的快速恢复二极管的结构示意图；
图2为图1所示的快速恢复二极管的局域寿命控制层位置与反向恢复峰值电流间关系图；
图3为图1所示的快速恢复二极管的局域寿命控制层位置与反向漏电流间关系图；
图4为本发明另一实施例的快速恢复二极管的结构示意图；
图5为本发明实施例的快速恢复二极管的制造方法的流程图；
图6为图1所示的快速恢复二极管的制造方法的步骤1的示意图；
图7为图1所示的快速恢复二极管的制造方法的步骤2的示意图；
图8为图1所示的快速恢复二极管的制造方法的步骤3的示意图；
图9为图1所示的快速恢复二极管的制造方法的步骤4的示意图；
图10为图1所示的快速恢复二极管的制造方法的步骤5的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合附图和具体实施例对本发明的技术方案进行详细描述。
如图1所示，本发明实施例提供了一种快速恢复二极管，包括：
第一导电类型半导体层2，该第一导电类型例如是N型；
第二导电类型半导体层4，该第二导电类型例如是P型，其底面与该第一导电类型半导体层2接触以形成PN结；具体地，第二导电类型半导体层4可以通过掺杂形成在在该第一导电类型半导体层2内，且该第二导电类型半导体层4与该第一导电类型半导体层2的顶面齐平；
局域寿命控制层5，设置在该第二导电类型半导体层4内，优选地，该局域寿命控制层5的中心距离该第二导电类型半导体层4的该底面至少3μm，距离该第二导电类型半导体层4的顶面至少7μm。
申请人经过反复实验发现，如图2所示，当局域寿命控制层5的中心到第二导电类型半导体层4的顶面的距离D1小于7μm时，二极管反向恢复峰值电流处于高位，且当D1接近7μm时陡然下降，而当D1大于7μm时维持在较为稳定的低位，因此为了获得较低的反向恢复峰值电流，从而有利于二极管的反向恢复特性，D1至少为7μm是优选的；另一方面，如图3所示，当局域寿命控制层5的中心到第二导电类型半导体层4的底面的距离D2小于3μm时，二极管反向漏电流处于高位，其当D2接近3μm时陡然下降，而当D2大于3μm时维持在较为稳定的低位，因此为了获得较低的反向漏电流，从而有利于降低二极管反向阻断时的关断态损耗，D2至少为3μm是优选的。
由此，本发明实施例快速恢复二极管，通过限制局域寿命控制层为该的位置，实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。
优选地，本发明实施例快速恢复二极管是深结快速恢复二极管，具体地，第二导电类型半导体层4的厚度11-22μm。
优选地，该快速恢复二极管还包括全局寿命控制层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层内，用于进一步提高器件反向阻断性能。
如图4所示，本发明另一实施例提供了一种快速恢复二极管，其中，第二导电类型半导体层4设置在第一导电类型半导体层2上，局域寿命控制层5设置在该第二导电类型半导体层4内。具体地，该第二导电类型半导体层4通过外延生长形成并覆盖在第一导电类型半导体层2上。
如图5所示，本发明实施例还提供了一种快速恢复二极管的制造方法，包括：
S1.形成第一导电类型半导体层2。具体地，如图6所示，提供一N型硅衬底，该衬底从下而上包括N+层1和N-层2。
S2.在该第一导电类型半导体层2上形成氧化层3。具体地，如图7所示，在衬底上生长厚度8000-20000埃的氧化层3，生长条件为：H2和O2的气氛；900℃-1100℃的温度范围；1-10小时的氧化时间。
S3.图案化该氧化层3。如图8所示，用光刻法图案化氧化层3，以形成后续用于离子注入的窗口，优选地，还在窗口上生长300-500埃氧化层(未图示)作为掩蔽层。
S4.形成第二导电类型半导体层(4)，其底面与该第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结：具体地，如图9所示，通过氧化层的窗口对N型硅衬底硼离子注入，形成硼离子注入层，其中硼离子注入剂量为1x1013cm-2～1x1015cm-2，再在1200℃氮气气氛下推结下形成11-22μm的重掺杂P型半导体层4(作为快速恢复二极管的阳极)。优选地，还可以同时形成终端结构6。
S5.在该第二导电类型半导体层(4)内形成局域寿命控制层(5)。具体地，如图10所示，利用金属或光刻胶8在除阳极4窗口外区域进行阻挡，并通过在该窗口注入氢或氦，退火形成局域寿命控制层5。
本发明实施例的快速恢复二极管的制造方法，通过限制局域寿命控制层为该的位置，实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。
在另一个优选的实施例中，还可以将上述步骤S2-S4替换为：通过外延生长在第一导电类型半导体层2上形成第二导电类型半导体层(4)。
优选地，在形成局域寿命控制层之后，还包括形成阳极区补硼层，有助于降低金属电极与半导层之间的接触电阻。具体地，在阳极4表面补注入浓硼，能量20-50KeV，注入剂量为1x1013cm-2～1x1015cm-2，在温度900℃条件下持续1小时退火进行激活。
优选地，在形成局域寿命控制层之后，还包括形成电极。具体地，在正面阳极区4表面和背面阴极区1表面采用蒸发或者溅射金属铝，再刻蚀形成金属电极。
优选地，在形成电极的步骤之后，还包括形成表面钝化层和发射极铝引线PAD区域。具体地，在阳极区4表面，通过形成氮化硅(SIN)、二氧化硅(SIO2)或聚酰亚胺(PI)以进行表面钝化，并在阳极区4表面形成发射极铝引线PAD区域。
优选地，在形成该局域寿命控制层之后，在第一导电类型半导体层(2)和该第二导电类型半导体层(4)内形成全局寿命控制层。优选地，该全局寿命控制层通过电子辐照或重金属高温推结注入形成。具体地，在一种实施方式中，该全局寿命控制层可以在上述形成发射极铝引线PAD区域的步骤之后，通过电子辐照在器件的阴极和阳极区内均形成全局寿命控制层，以实现对器件正向压降温度特征的微调。在另一种实施方式中，该全局寿命控制层形成发射极铝引线PAD区域之前，通过重金属(比如铂、金或钯)高温推结注入形成。优选地，上述两种全局寿命控制层的方法也可以叠加实施。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种快速恢复二极管，其特征在于，包括：
第一导电类型半导体层(2)；
第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；
局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。
2.根据权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述第二导电类型半导体层(4)形成在所述第一导电类型半导体层(2)上方。
3.根据权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述第二导电类型半导体层(4)形成在所述第一导电类型半导体层(2)内，且所述第二导电类型半导体层(4)与所述第一导电类型半导体层(2)的顶面齐平。
4.根据权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述第二导电类型半导体层(4)的厚度为11-22μm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的快速恢复二极管，其特征在于，还包括：
全局寿命控制层，设置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层内。
6.一种快速恢复二极管的制造方法，其特征在于，包括：
形成第一导电类型半导体层(2)；
形成第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；
在所述第二导电类型半导体层(4)内形成局域寿命控制层(5)，所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，对所述第一导电类型半导体层(2)进行掺杂以形成所述第二导电类型半导体层(4)。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述局域寿命控制层通过注入氢或氦形成。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的制造方法，其特征在于，在所述第二导电类型半导体层(4)内形成局域寿命控制层(5)的步骤之后，还包括：
在第一导电类型半导体层(2)和所述第二导电类型半导体层(4)内形成全局寿命控制层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述全局寿命控制层通过电子辐照或重金属高温推结注入形成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610424393.8A CN107516681A (zh) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 一种快速恢复二极管及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610424393.8A CN107516681A (zh) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 一种快速恢复二极管及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107516681A true CN107516681A (zh) | 2017-12-26 |
Family
ID=60720938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610424393.8A Pending CN107516681A (zh) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 一种快速恢复二极管及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107516681A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114639599A (zh) * | 2022-05-23 | 2022-06-17 | 南通尚阳通集成电路有限公司 | 一种半导体器件局域寿命控制方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013069989A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2013077615A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Semiconductor Components Industries Llc | ダイオードの製造方法 |
| CN103618006A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-03-05 | 国家电网公司 | 一种快恢复二极管及其制造方法 |
| CN103872144A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-06-18 | 国家电网公司 | 一种软快恢复二极管及其制造方法 |
| CN204230250U (zh) * | 2014-11-26 | 2015-03-25 | 国家电网公司 | 一种快恢复二极管 |
| CN204243050U (zh) * | 2014-12-05 | 2015-04-01 | 国家电网公司 | 一种快恢复二极管 |
| CN104952936A (zh) * | 2014-03-25 | 2015-09-30 | 国家电网公司 | 一种快速恢复二极管及其制造方法 |
| CN205881912U (zh) * | 2016-06-15 | 2017-01-11 | 全球能源互联网研究院 | 一种快速恢复二极管 |
-
2016
- 2016-06-15 CN CN201610424393.8A patent/CN107516681A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013069989A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2013077615A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Semiconductor Components Industries Llc | ダイオードの製造方法 |
| CN103618006A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-03-05 | 国家电网公司 | 一种快恢复二极管及其制造方法 |
| CN103872144A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-06-18 | 国家电网公司 | 一种软快恢复二极管及其制造方法 |
| CN104952936A (zh) * | 2014-03-25 | 2015-09-30 | 国家电网公司 | 一种快速恢复二极管及其制造方法 |
| CN204230250U (zh) * | 2014-11-26 | 2015-03-25 | 国家电网公司 | 一种快恢复二极管 |
| CN204243050U (zh) * | 2014-12-05 | 2015-04-01 | 国家电网公司 | 一种快恢复二极管 |
| CN205881912U (zh) * | 2016-06-15 | 2017-01-11 | 全球能源互联网研究院 | 一种快速恢复二极管 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114639599A (zh) * | 2022-05-23 | 2022-06-17 | 南通尚阳通集成电路有限公司 | 一种半导体器件局域寿命控制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7834367B2 (en) | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating | |
| JP6104575B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN107275406B (zh) | 一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法 | |
| CN108682695A (zh) | 一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法 | |
| CN108346688A (zh) | 具有CSL输运层的SiC沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法 | |
| CN107425068B (zh) | 一种碳化硅Trench MOS器件及其制作方法 | |
| WO2015077916A1 (zh) | GaN基肖特基二极管整流器 | |
| CN105720107B (zh) | 一种快恢复二极管及其制造方法 | |
| CN107978642A (zh) | 一种GaN基异质结二极管及其制备方法 | |
| CN113013242A (zh) | 基于n-GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管 | |
| CN117613106A (zh) | 一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法 | |
| CN106611797A (zh) | 一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法 | |
| CN104393045B (zh) | 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 | |
| CN204243050U (zh) | 一种快恢复二极管 | |
| CN107958940A (zh) | 一种n型碳化硅耐击穿肖特基二极管结构 | |
| CN205881912U (zh) | 一种快速恢复二极管 | |
| CN116169157A (zh) | 一种氧化镓器件及制备方法 | |
| CN107516681A (zh) | 一种快速恢复二极管及其制造方法 | |
| CN110556431A (zh) | 一种垂直导通氮化镓功率二极管及其制备方法 | |
| CN117457710A (zh) | 基于p型Ga2O3的肖特基二极管及制备方法 | |
| CN117497590A (zh) | 基于p型Ga2O3的MOSFET器件及其制备方法 | |
| Wang et al. | High performance β-Ga 2 o 3 vertical Schottky barrier diodes | |
| CN115863446A (zh) | 一种GaN基异质结二极管及其制备方法 | |
| JP2014130913A (ja) | 半導体装置及びその駆動方法 | |
| CN109326637B (zh) | 一种高压功率器件的阶梯结终端扩展结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 102209 18 Riverside Avenue, Changping District science and Technology City, Beijing Applicant after: GLOBAL ENERGY INTERCONNECTION RESEARCH INSTITUTE Co.,Ltd. Applicant after: STATE GRID CORPORATION OF CHINA Applicant after: STATE GRID ZHEJIANG ELECTRIC POWER Co. Address before: 102209 18 Riverside Avenue, Changping District science and Technology City, Beijing Applicant before: GLOBAL ENERGY INTERCONNECTION RESEARCH INSTITUTE Co.,Ltd. Applicant before: State Grid Corporation of China Applicant before: STATE GRID ZHEJIANG ELECTRIC POWER Co. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20171226 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |