CN107505555A - 一种二极管电学特性曲线绘制方法及测试设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及二极管测试技术领域，特别是涉及一种二极管电学特性曲线绘制方法及测试设备。其中，该方法包括：在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，获取二极管处于最高结温下的最大正向平均电流及与最大正向平均电流对应的正向直流电压；根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗；确定二极管的结到壳的热阻参数；根据二极管的结到壳的热阻参数与功率损耗，计算出最大功率损耗；根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流、正向平均电流对应的功率损耗及最大功率损耗，绘制第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。因此，其所需要的测试数据相对不大，计算方便。
Description
技术领域
本发明涉及二极管测试技术领域，特别是涉及一种二极管电学特性曲线绘制方法及测试设备。
背景技术
最大正向平均电流(IF(AV))与功率损耗(Ptot)之间的关系曲线对于工程师具有非常重要的意义。工程师在选用功率二极管时，可以通过查阅数据手册知悉功率二极管的各个性能，以便选择合适的功率二极管。
最大正向平均电流(IF(AV))与功率损耗(Ptot)之间的关系曲线是在不同占空比的脉冲方波下，通过检测出二极管的最大平均电流与功率损耗而绘制出的。绘制该曲线时，首先，确定一个占空比的脉冲方波(一般需要确定4至6条不同占空比下的曲线)。其次，采集不同正向平均电流下，功率二极管达到稳态时的功率损耗。最后，再根据正向平均电流与功率损耗绘制该曲线。
发明人在实现本发明的过程中，发现传统技术至少存在以下问题：绘制该曲线时，由于在不同测试环境下，测试得出的正向平均电流不同，所测试的正向平均电流并非一定为最大正向平均电流，并且，需要大量的测试数据造成测试耗时与计算量巨大。
发明内容
本发明实施例一个目的旨在提供一种二极管电学特性曲线绘制方法及测试设备，其解决了传统技术存在着绘制曲线不够精确并且比较繁琐的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供以下技术方案：
在第一方面，本发明实施例提供一种二极管电学特性曲线绘制方法，所述方法包括：在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，获取所述二极管处于最高结温下的最大正向平均电流以及与所述最大正向平均电流对应的正向直流电压；根据所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗；确定所述二极管的结到壳的热阻参数；根据所述二极管的结到壳的热阻参数与所述功率损耗，计算出最大功率损耗；根据所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流、所述正向平均电流对应的功率损耗以及最大功率损耗，绘制所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
可选地，在绘制所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线后，所述方法还包括：确定第二预设占空比D2，其中，D2＝K*D1，比例系数K为正数；根据换算关系，计算出所述第二预设占空比对应的最大正向平均电流与功率损耗；根据所述第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流、所述正向平均电流对应的功率损耗以及最大功率损耗，绘制所述第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
可选地，所述换算关系为：所述第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流＝所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流乘以K，所述第二预设占空比D2对应的功率损耗＝所述第一预设占空比D1对应的功率损耗乘以K。
可选地，所述比例系数K的取值范围为0至1之间。
可选地，所述根据所述二极管的结到壳的热阻参数与所述功率损耗，计算出最大功率损耗，包括：根据比例关系，计算出最大功率损耗，其中，所述比例关系为：为所述二极管的结到壳的热阻参数＝温差/功率损耗，温差＝所述二极管的最高结温-所述二极管的壳温。
可选地，所述根据所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗，包括：根据功率计算原理，将所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压进行相乘，以计算出功率损耗。
可选地，所述最大正向平均电流至少大于或等于所述二极管的额定电流的5倍。
可选地，所述第一预设占空比D1等于100％。
可选地，所述二极管为功率二极管。
在第二方面，本发明实施例提供一种二极管电学特性曲线绘制装置，所述装置包括：获取模块，用于在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，获取所述二极管处于最高结温下的最大正向平均电流以及与所述最大正向平均电流对应的正向直流电压；第一计算模块，用于根据所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗；第一确定模块，用于确定所述二极管的结到壳的热阻参数；第二计算模块，用于根据所述二极管的结到壳的热阻参数与所述功率损耗，计算出最大功率损耗；第一绘制模块，用于根据所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流、所述正向平均电流对应的功率损耗以及最大功率损耗，绘制所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
可选地，所述装置还包括：第二确定模块，用于确定第二预设占空比D2，其中，D2＝K*D1，比例系数K为正数；第三计算模块，用于根据换算关系，计算出所述第二预设占空比对应的最大正向平均电流与功率损耗；第二绘制模块，用于根据所述第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流、所述正向平均电流对应的功率损耗以及最大功率损耗，绘制所述第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
可选地，所述换算关系为：所述第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流＝所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流乘以K，所述第二预设占空比D2对应的功率损耗＝所述第一预设占空比D1对应的功率损耗乘以K。
可选地，所述比例系数K的取值范围为0至1之间。
可选地，所述第二计算模块具体用于：根据比例关系，计算出最大功率损耗，其中，所述比例关系为：为所述二极管的结到壳的热阻参数＝温差/功率损耗，温差＝所述二极管的最高结温-所述二极管的壳温。
可选地，所述第一计算模块具体用于：根据功率计算原理，将所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压进行相乘，以计算出功率损耗。
可选地，所述最大正向平均电流至少大于或等于所述二极管的额定电流的5倍。
可选地，所述第一预设占空比D1等于1。
可选地，所述二极管为功率二极管。
在第三方面，本发明实施例提供一种测试设备，所述测试设备包括：至少一个处理器；以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够用于执行任一项所述的二极管电学特性曲线绘制方法。
在第四方面，本发明实施例提供一种非暂态计算机可读存储介质，所述非暂态计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使测试设备执行任一项所述的二极管电学特性曲线绘制方法。
在本发明各个实施例中，在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，直接通过获取二极管处于最高结温下的最大正向平均电流以及与最大正向平均电流对应的正向直流电压，并以此计算出功率损耗，因此，其便可以确定第一预设占空比D1的最大正向平均电流与功率损耗之间的关系。进一步的，其还可以通过结到壳的热阻参数确定最大功率损耗。再进一步的，其便可以根据第一预设占空比D1的最大正向平均电流、功率损耗以及最大功率损耗绘制曲线。因此，其直接通过测试最高结温下的电学参数，避免了在不同测试环境下所测试得出的正向平均电流不同并且不一定是最大正向平均电流的问题，并且，其所需要的测试数据相对不大，计算方便并且节约计算时间，从而提升绘制效率。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1a是本发明实施例提供的不同结温下的功率二极管的输出特性曲线的部分数据的示意图；
图1b是本发明实施例提供的一种不同结温下的功率二极管的输出特性曲线的示意图；
图2a是本发明实施例提供的不同结温下的功率二极管的正向电流与功率损耗的部分对应数据的示意图；
图2b是本发明实施例提供的一种不同结温下的功率二极管的正向电流与功率损耗的示意图；
图3是本发明实施例提供一种二极管电学特性曲线绘制方法的流程意图；
图3a是本发明实施例提供一种不同占空比下的功率二极管的正向电流与功率损耗的示意图；
图4是本发明另一实施例提供一种二极管电学特性曲线绘制方法的流程意图；
图5是本发明实施例提供一种二极管电学特性曲线绘制装置的结构示意图；
图6是本发明另一实施例提供一种二极管电学特性曲线绘制装置的结构示意图；
图7是本发明实施例提供一种测试设备的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供的二极管可以为合适类型与性能的二极管，其中，本发明实施例以二极管为功率二极管详细阐述本发明实施例，值得说明的是：本发明实施例以功率二极管作为例子进行说明，其应当并不用于限制本发明的保护范围。
本发明实施例提供的功率二极管可以为任意类型的，例如：整流二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管等等。
为了便于理解本发明实施例，本发明实施例对一些电学参数专有名词在此作出说明，值得注意的是：可以理解的是，本领域技术人员根据本发明实施例所训导的内容，皆可以理解该专有名词所表达的含义，并不由于所依据版本的不同或翻译所引起的专有名词不对应而造成误解。例如：IF(AV)为正向平均电流，IFM(IM)为最大正向平均电流，亦即：在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。Ptot为功率损耗。Ptot(max)为最大功率损耗。R(th)jc为结到壳的热阻。
如前所述，传统技术在绘制IF(AV)-Ptot曲线时，首先，需要确定一个脉冲信号。其次，为该脉冲信号配置一个预设占空比(一般有4-6条不同占空比下的曲线)，并将该脉冲信号输入功率二极管中，使得该功率二极管维持一定正向电流，在该正向电流下，功率二极管达到稳态时，读取此时功率二极管的功率损耗。最后，绘制曲线。
然而，在传统技术的第一个步骤中，确定该脉冲信号时，脉冲发生器的波形误差尽量要小。因为，脉冲信号的脉宽越短，波形畸变越严重，测试数据采集越难，而脉冲越宽，会导致超出测试仪器功率限制。
在传统技术的第二个步骤中，但功率二极管处在该正向电流下，若温度环境不同，则功率二极管测试出的功率损耗不同。因此，需要不断尝试，通过提升环境温度来提升功率二极管的芯片的结温，使得功率二极管在该正向电流下的功率损耗最小(同时，此处正向电流为该最小功率损耗下的最大正向平均电流)。此种测试方法很可能让功率二极管超过最大限制结温，导致功率二极管出现热损坏，而且每一个电流点需要测试的时间很长，而制作该占空比下的曲线，所需采的点会很多，因此此种方法的工程量及耗时是巨大的。
在传统技术的第三个步骤中，采用此种方法绘制的IF(AV)-Ptot关系曲线将会耗费大量时间，并且由于各种设备(加温箱，脉冲源表，热偶计等)需要监测壳温，避免功率二极管损坏，需要埋热偶，这会影响功率二极管测试时的实际热阻，导致测试不准确。
基于此，本发明实施例提供一种二极管电学特性曲线绘制方法。不过，在阐述本发明实施例提供的二极管电学特性曲线绘制方法之前，此处先介绍功率二极管在不同结温下的电学特性及其原理。
在测试功率二极管时，首先，工程师使用曲线跟踪仪(CurverTrace)测试功率二极管在不同结温下的I-V伏安特性曲线，并导出测试数据，如图1a与图1b所示。如图1a与1b所示，当正向电流IF一定时，功率二极管的正向直流电压VF随着结温的升高而降低。因此，若需要计算出功率二极管在一定的功率损耗下的最大正向平均电流，那么，该最大正向平均电流出现在最高结温处。例如：在图1b中，由于P＝I*V＝固定值，其作为反比例函数曲线，并且与不同结温下I-V曲线交点的电流值，当结温越高，正向电流越大。因此，最大正向平均电流落在最高结温处。
紧接着，其将I-V曲线对应的正向电流与正向直流电压转换为I-P曲线对应的正向电流与功率损耗，亦即：其直接将每一个点的数据进行I*V＝P计算，得出I-P的对应数据，结果如图2a所示。如图2b所示。在相同的功率损耗下，结温越高，正向电流越大。因此，其再一次证明：在绘制IF(AV)-Ptot关系曲线时，只需选取最高结温处的I-P数据即可。
因此，在本发明实施例中，如图3所示，该二极管电学特性曲线绘制方法30包括：
步骤31、在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，获取二极管处于最高结温下的最大正向平均电流以及与最大正向平均电流对应的正向直流电压。
在步骤31中，第一预设占空比D1由用户自定义，例如：D1为100％，20％，75％等等。
每个功率二极管皆对应着最高结温，每个功率二极管的最高结温在出产时是已得知。在一些实施例中，每个功率二极管的最高结温可以预存于测试设备的数据库，测试时，测试设备直接调取。如前所述，在该最高结温下采集的正向电流并根据该正向电流计算出的正向平均电流都是最大的。
为了更加精确地绘制曲线，其所采集的最大正向平均电流以及与最大正向平均电流对应的正向直流电压的数据点尽量密集，并且，最大正向平均电流的设定尽量大，因此，在一些实施例中，测试设备以至少大于或等于该功率二极管的额定电流的5倍设定最大正向平均电流。
步骤32、根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗。
在步骤32中，具体的，根据功率计算原理(P＝U*I)，将第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流IF(AV)与正向直流电压VF进行相乘，以计算出功率损耗Ptot。
步骤33、确定二极管的结到壳的热阻参数。
在步骤33中，该二极管为功率二极管。
步骤34、根据二极管的结到壳的热阻参数与功率损耗，计算出最大功率损耗。
在步骤34中，测试设备根据比例关系，计算出最大功率损耗Ptot(max)，其中，该比例关系为：功率二极管的结到壳的热阻参数R(th)jc＝温差detlaT/功率损耗Ptot，温差detlaT＝功率二极管的最高结温-功率二极管的壳温。例如：已知功率二极管的壳温为25℃，最高结温为150℃的情况下，因此，其能确定该功率二极管允许的最大结温-壳温的温度差detlaT＝150-25＝125℃，那么，最大功率损耗Ptot(max)＝125℃/R(th)jc。
步骤35、根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流、正向平均电流对应的功率损耗以及最大功率损耗，绘制第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
在步骤35中，请参阅图3a，绘制曲线时，横坐标为最大正向平均电流IF(AV)，纵坐标为功率损耗Ptot，其中，最大功率损耗Ptot(max)为70W。
综上，其直接通过测试最高结温下的电学参数，避免了在不同测试环境下所测试得出的正向平均电流不同并且不一定是最大正向平均电流的问题，并且，其所需要的测试数据相对不大，计算方便并且节约计算时间，从而提升绘制效率。
请再参阅图3a，图3a包含多条不同占空比对应的曲线。在一些实施例中，其需要绘制多条曲线方可更加准确地评价功率二极管。因此，在步骤35之后，在一些实施例中，如图4所示，该二极管电学特性曲线绘制方法30还包括：
步骤36、确定第二预设占空比D2。
在步骤36中，D2＝K*D1，比例系数K为正数，该比例系数K的取值范围为0至1之间。
步骤37、根据换算关系，计算出第二预设占空比对应的最大正向平均电流与功率损耗。
在步骤37中，换算关系为：第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流＝第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流乘以K，亦即：IF(AV)2＝IF(AV)1*K，第二预设占空比D2对应的功率损耗＝第一预设占空比D1对应的功率损耗乘以K，亦即：Ptot2＝Ptot1*K。
步骤38、根据第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流、正向平均电流对应的功率损耗以及最大功率损耗，绘制第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
在本实施例中，由于需要绘制多条曲线，为了便于绘制，该D1可以为100％，因此，后续步骤换算时，其能够快速地根据D1确定最大正向平均电流与功率损耗。例如：D1＝100％＝1，K＝50％或1/3或1/5，因此，当D2＝50％或1/3或1/5，在换算时，其可以快速确定IF(AV)2＝(1/2)*IF(AV)1，或者＝(1/3)*IF(AV)1，或者＝(1/5)*IF(AV)1。Ptot2＝Ptot1*(1/2)，或者＝Ptot1*(1/3)，或者＝Ptot1*(1/5)。
因此，在绘制多条曲线时，其通过依据第一条曲线所关联的数据换算出下一条的数据，从而避免多次测量数据的麻烦。
作为本发明实施例的另一方面，本发明实施例提供一种二极管电学特性曲线绘制装置。如图5所示，该二极管电学特性曲线绘制装置50包括：获取模块51、第一计算模块52、第一确定模块53、第二计算模块54以及第一绘制模块55。
获取模块51用于在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，获取二极管处于最高结温下的最大正向平均电流以及与最大正向平均电流对应的正向直流电压。
第一计算模块52用于根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗。
第一确定模块53用于确定二极管的结到壳的热阻参数。
第二计算模块54用于根据二极管的结到壳的热阻参数与功率损耗，计算出最大功率损耗。
第一绘制模块55用于根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流、正向平均电流对应的功率损耗以及最大功率损耗，绘制第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
综上，其直接通过测试最高结温下的电学参数，避免了在不同测试环境下所测试得出的正向平均电流不同并且不一定是最大正向平均电流的问题，并且，其所需要的测试数据相对不大，计算方便并且节约计算时间，从而提升绘制效率。
在一些实施例中，如图6所示，该装置50还包括：第二确定模块56、第三计算模块57以及第二绘制模块58。
第二确定模块56，用于确定第二预设占空比D2，其中，D2＝K*D1，比例系数K为正数。
第三计算模块57用于根据换算关系，计算出第二预设占空比对应的最大正向平均电流与功率损耗。
第二绘制模块58，用于根据第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流、正向平均电流对应的功率损耗以及最大功率损耗，绘制第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
其中，该换算关系为：第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流＝所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流乘以K，第二预设占空比D2对应的功率损耗＝第一预设占空比D1对应的功率损耗乘以K。
其中，比例系数K的取值范围为0至1之间。
其中，第二计算模块54具体用于：根据比例关系，计算出最大功率损耗，其中，比例关系为：二极管的结到壳的热阻参数＝温差/功率损耗，温差＝二极管的最高结温-二极管的壳温。
其中，第一计算模块52具体用于：根据功率计算原理，将第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压进行相乘，以计算出功率损耗。
其中，最大正向平均电流至少大于或等于二极管的额定电流的5倍。
其中，第一预设占空比D1等于1。
其中，二极管为功率二极管。
由于装置实施例与方法实施例同属于发明构思，在内容不构成冲突的前提下，装置实施例可以引用方法实施例，在此不赘述。
作为本发明实施例的另一方面，本发明实施例提供一种测试设备。如图7所示，该测试设备60包括一个或多个处理器61以及存储器62，图7中以一个处理器61为例。处理器61和存储器62可以通过总线或者其他方式连接，图7中以通过总线连接为例。
存储器62作为一种非易失性计算机可读存储介质，可用于存储非易失性软件程序、非易失性计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的二极管电学特性曲线绘制方法对应的程序指令/单元(例如，上述实施例提供的二极管电学特性曲线绘制装置各个模块与单元)。处理器61通过运行存储在存储器62中的非易失性软件程序、指令以及模块，从而执行测试设备的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例二极管电学特性曲线绘制方法。
存储器62可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储根据二极管电学特性曲线绘制装置的使用所创建的数据等。此外，存储器62可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。
所述一个或者多个单元存储在所述存储器62中，当被所述一个或者多个处理器61执行时，执行上述任意方法实施例中的二极管电学特性曲线绘制方法。
上述产品可执行本发明实施例所提供的方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明实施例所提供的方法。
本申请实施例提供了一种非易失性计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令被一个或多个处理器执行，例如图7中的一个处理器61，可使得上述一个或多个处理器可执行上述任意方法实施例中的二极管电学特性曲线绘制方法。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
通过以上的实施例的描述，本领域普通技术人员可以清楚地了解到各实施例可借助软件加通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-OnlyMemory,ROM)或随机存储记忆体(Random Access Memory,RAM)等。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请的不同方面的许多其它变化，为了简明，它们没有在细节中提供；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种二极管电学特性曲线绘制方法，其特征在于，包括：
在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，获取所述二极管处于最高结温下的最大正向平均电流以及与所述最大正向平均电流对应的正向直流电压；
根据所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗；
确定所述二极管的结到壳的热阻参数；
根据所述二极管的结到壳的热阻参数与所述功率损耗，计算出最大功率损耗；
根据所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流、所述正向平均电流对应的功率损耗以及最大功率损耗，绘制所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在绘制所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线后，所述方法还包括：
确定第二预设占空比D2，其中，D2＝K*D1，比例系数K为正数；
根据换算关系，计算出所述第二预设占空比对应的最大正向平均电流与功率损耗；
根据所述第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流、所述正向平均电流对应的功率损耗以及最大功率损耗，绘制所述第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述换算关系为：所述第二预设占空比D2对应的最大正向平均电流＝所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流乘以K，所述第二预设占空比D2对应的功率损耗＝所述第一预设占空比D1对应的功率损耗乘以K。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述比例系数K的取值范围为0至1之间。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述二极管的结到壳的热阻参数与所述功率损耗，计算出最大功率损耗，包括：
根据比例关系，计算出最大功率损耗，其中，所述比例关系为：所述二极管的结到壳的热阻参数＝温差/功率损耗，温差＝所述二极管的最高结温-所述二极管的壳温。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗，包括：
根据功率计算原理，将所述第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压进行相乘，以计算出功率损耗。
7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述最大正向平均电流至少大于或等于所述二极管的额定电流的5倍。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设占空比D1等于100％。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二极管为功率二极管。
10.一种测试设备，其特征在于，包括：
至少一个处理器；以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够用于执行如权利要求1至9任一项所述的二极管电学特性曲线绘制方法。
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