CN103364739A - 一种开关电源中开关管的结点温升测试方法 - Google Patents
一种开关电源中开关管的结点温升测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103364739A CN103364739A CN201210088937XA CN201210088937A CN103364739A CN 103364739 A CN103364739 A CN 103364739A CN 201210088937X A CN201210088937X A CN 201210088937XA CN 201210088937 A CN201210088937 A CN 201210088937A CN 103364739 A CN103364739 A CN 103364739A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- switching tube
- temperature
- temperature rise
- node
- switch tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
本发明公开了一种开关电源中开关管的结点温升测试方法,涉及电力电子测试技术领域。其中,所述开关电源中开关管的结点温升测试方法,包括:将温度探头固定在开关管表壳并将采集到的器件表面温度Tc;使用高精度电压探头,电流探头利用示波器获取开关管单周期内电压、电流波形的抓取,并自动生成功率损耗曲线,获取耗散功率Ploss;根据实际测量中对开关周期、Pon波形、Poff波形的抓取,获取完成表壳至结点的温升ΔTj;获取开关管结点温度Tj;将开关管结点温度Tj值与降额后的标准温度范围对比得出结果。采用本发明不但可以使得使测试数据更加准确、详实,测试数据更具权威性,而且还有利于样机测试阶段测试结果的判定,也有利于产品的可靠性分析。
Description
技术领域
本发明涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种开关电源中开关管的结点温升测试方法。
背景技术
对于开关电源中关键器件的温升试验是CMTBF试验的一部分,温升数据的准确与否影响到了开关电源产品设计的可靠性。作为主回路中功率器件的开关管,主要用在PFC电路和功率变换电路中,开关管的类型主要有MOSFET(绝缘栅场效应管)和BJT(双极结型晶体管),二者的使用原理和形式基本一致。如何判断开关管器件是否满足所应用电路的实际电环境和热环境,是电源硬件测试中重要的一项。
开关管结点温度(Tj)工作范围是指开关管能稳定工作的温度范围,描述对象是开关管中PN结结点温度,测量结点温度的理想方法是在离PN结结点足够近的地方检测器件温度,其意义在于当开关管稳态工作时流过半导体结点的电流而产生的热量,经结点材料扩散至器件表面及外部。由于器件封装缘故,在不损坏开关管完整性的前提下,该值无法由热检测设备直接测量,因此测量方法引起的误差也决定了电源设计中电路、可靠性分析、设计成本等一系列相关因素的偏差。
例如:现有测试的过程中,需要的测量设备包括:温度探头(热偶)、温度采样器、电脑(通过串口直连,可选)。实施试验的环境温度:设计规范书定义的产品最高工作温度。试验整机输入输出条件:输入上、下限/额定满载。测量结果的选取和判定方法:将温度探头固定在开关管表壳并将采集到的器件表面温度近似为器件结点温度;将采集到的温度与降额后的标准温度范围对比得出结果,即采集温度在温度范围以内,表示器件在当前环境下使用是安全的,反之则不安全。开关管的温度降额通常在85%-90%之间,根据客户要求稍有差异。
在实现上述开关电源中开关管的结点温升测试过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下问题:
将开关管表面测量温度以近似方式作为结点温度,良好地回避了结点温度测量的技术困难,节省了测试时间和资源。但明显的缺点是结点温度测量值为估算值,与真实值相比较小,且依据不同电路,误差值大小有所不同,难以作为标准,测量方法也不无科学依据,从而使得现有测试方法测量误差较大,且不利于产品的可靠性分析。
发明内容
本发明的实施例提供一种开关电源中开关管的结点温升测试方法。为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种开关电源中开关管的结点温升测试方法,该方法包括:
将温度探头固定在开关管表壳并将采集到的器件表面温度Tc;使用高精度电压探头,电流探头利用示波器获取开关管单周期内电压、电流波形的抓取,并自动生成功率损耗曲线,获取耗散功率Ploss;根据实际测量中对开关周期、Pon波形、Poff波形的抓取,获取完成表壳至结点的温升ΔTj;获取开关管结点温度Tj;将开关管结点温度Tj值与降额后的标准温度范围对比得出结果。
本发明实施例提供的一种开关电源中开关管的结点温升测试方法,通过将温度探头固定在开关管表壳并将采集到的器件表面温度Tc;使用高精度电压探头,电流探头利用示波器获取开关管单周期内电压、电流波形的抓取,并自动生成功率损耗曲线,获取耗散功率Ploss;根据实际测量中对开关周期、Pon波形、Poff波形的抓取,获取完成表壳至结点的温升ΔTj;获取开关管结点温度Tj;将开关管结点温度Tj值与降额后的标准温度范围对比得出结果。采用本发明不但可以使得使测试数据更加准确、详实,测试数据更具权威性,而且还有利于样机测试阶段测试结果的判定,也有利于产品的可靠性分析。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种开关电源中开关管的结点温升测试方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例提供的一种开关电源中开关管的结点温升测试方法进行详细描述。
如图1所示,为本发明实施例提供的一种开关电源中开关管的结点温升测试方法流程图;该测试方法所采用的测量设备包括:温度探头(热偶)、温度采样器、数字荧光示波器(高精度电压探头:精度0.1%以上,电流探头:精度1%以上)、电脑(通过串口直连,可选)。实施试验的环境温度:设计规范书定义的产品最高工作温度。试验整机输入输出条件:输入上、下限/额定满载。
101:将温度探头固定在开关管表壳并将采集到的器件表面温度Tc;
102:使用高精度电压探头,电流探头利用示波器获取开关管单周期内电压、电流波形的抓取,并自动生成功率损耗曲线,获取耗散功率Ploss;
103:根据实际测量中对开关周期、Pon波形、Poff波形的抓取,获取完成表壳至结点的温升ΔTj;
104:获取开关管结点温度Tj;
所述开关管结点温度的计算公式有:
Tj=Tc+ΔTj (1)
其中,Tj为开关管结点温度;Tc为开关管封装表壳测量温度;ΔTj为表壳至结点的温升。公式(1)的意义是在任意条件下,开关管的结点温度可以分解为表壳温度和结点至表壳温升两部分加成。
ΔTj=Ploss*Rth-c; (2)
公式(2)中:Ploss为开关管工作中的耗散功率;Rth-c为开关管表壳至结点的热阻值。
公式(2)的意义是表壳至结点的温升等于耗散功率与热阻值的乘积,开关管器件的热阻值通常分为结点至表壳热阻值、结点至环境热阻值两种,分别描述器件在有散热片接触和无散热片接触工作状态下得热阻,因为大功率开关电源中主开关管都固定在散热片上,因此取前一热阻值。该值可在器件参数书中查到。
Ploss=Psteady+Pon+Poff (3)
公式(3)中,Psteady为开关管稳态时的功耗,Pon为开关管导通瞬间的功耗,Poff为开关管关闭瞬间的功耗。
公式(3)的意义是根据开关电源中开关管的工作原理,耗散功率可由以上三个值之和得出。
105:将开关管结点温度Tj值与降额后的标准温度范围对比得出结果,即Tj在降额后的标准温度范围以内,计合格,反之则不合格。开关管的温度降额通常在85%-90%之间,根据客户要求稍有差异。
本发明实施例提供的一种开关电源中开关管的结点温升测试方法,通过将温度探头固定在开关管表壳并将采集到的器件表面温度Tc;使用高精度电压探头,电流探头利用示波器获取开关管单周期内电压、电流波形的抓取,并自动生成功率损耗曲线,获取耗散功率Ploss;根据实际测量中对开关周期、Pon波形、Poff波形的抓取,获取完成表壳至结点的温升ΔTj;获取开关管结点温度Tj;将开关管结点温度Tj值与降额后的标准温度范围对比得出结果。采用本发明不但可以使得使测试数据更加准确、详实,测试数据更具权威性,而且还有利于样机测试阶段测试结果的判定,也有利于产品的可靠性分析。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成,所述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,包括如下步骤:(方法的步骤),所述的存储介质,如:ROM/RAM、磁碟、光盘等。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (3)
1.一种开关电源中开关管的结点温升测试方法,其特征在于,包括:
将温度探头固定在开关管表壳并将采集到的器件表面温度Tc;使用高精度电压探头,电流探头利用示波器获取开关管单周期内电压、电流波形的抓取,并自动生成功率损耗曲线,获取耗散功率Ploss;根据实际测量中对开关周期、Pon波形、Poff波形的抓取,获取完成表壳至结点的温升ΔTj;获取开关管结点温度Tj;将开关管结点温度Tj值与降额后的标准温度范围对比得出结果。
2.根据权利要求1所述的开关电源中开关管的结点温升测试方法,其特征在于,所述开关管结点温度的计算公式有:
Tj=Tc+ΔTj;其中,Tj为开关管结点温度;Tc为开关管封装表壳测量温度;ΔTj为表壳至结点的温升。
3.根据权利要求2所述的开关电源中开关管的结点温升测试方法,其特征在于,上述公式中ΔTj=Ploss*Rth-c;
其中:Ploss为开关管工作中的耗散功率;Rth-c为开关管表壳至结点的热阻值;
所述开关工作中的耗散功率Ploss=Psteady+Pon+Poff;
其中,Psteady为开关管稳态时的功耗,Pon为开关管导通瞬间的功耗,Poff为开关管关闭瞬间的功耗。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210088937.XA CN103364739B (zh) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 一种开关电源中开关管的结点温升测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210088937.XA CN103364739B (zh) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 一种开关电源中开关管的结点温升测试方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103364739A true CN103364739A (zh) | 2013-10-23 |
CN103364739B CN103364739B (zh) | 2016-04-20 |
Family
ID=49366523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210088937.XA Active CN103364739B (zh) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 一种开关电源中开关管的结点温升测试方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103364739B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106482859A (zh) * | 2015-07-01 | 2017-03-08 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于获取控制器的开关装置的多个开关单元的温度的方法和装置以及控制器的开关装置 |
CN106644150A (zh) * | 2015-07-01 | 2017-05-10 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于获取控制器的至少一个第一开关单元和第二开关单元的温度的方法和装置以及控制器 |
CN112564256A (zh) * | 2019-09-26 | 2021-03-26 | 上海绿浦环保科技有限公司 | 一种基于积温判定的智能电源调度技术 |
CN113589013A (zh) * | 2021-08-12 | 2021-11-02 | 深圳市鼎阳科技股份有限公司 | 一种示波器探头的信号激励装置及示波器校准系统 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5931580A (en) * | 1996-05-22 | 1999-08-03 | Integrated Device Technology, Inc. | Apparatus for measuring junction temperature |
CN1997904A (zh) * | 2004-03-01 | 2007-07-11 | 全美达股份有限公司 | 用于调节老化期间的温度的系统和方法 |
CN101093241A (zh) * | 2006-06-20 | 2007-12-26 | 北京航空航天大学 | 控制晶体管结温的稳态工作寿命试验设备 |
CN101165500A (zh) * | 2006-10-20 | 2008-04-23 | 冠魁电机股份有限公司 | 半导体接面温度检测装置与方法 |
CN101495821A (zh) * | 2005-03-08 | 2009-07-29 | 威尔斯-Cti股份有限公司 | 集成电路插座中的温度感测与预测 |
US7651268B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-01-26 | Cao Group, Inc. | Method and testing equipment for LEDs and laser diodes |
DE102010000875A1 (de) * | 2010-01-13 | 2011-07-14 | Infineon Technologies AG, 85579 | Verfahren zur Messung der Junction-Temperatur bei Leistungshalbleitern in einem Stromrichter |
-
2012
- 2012-03-29 CN CN201210088937.XA patent/CN103364739B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5931580A (en) * | 1996-05-22 | 1999-08-03 | Integrated Device Technology, Inc. | Apparatus for measuring junction temperature |
CN1997904A (zh) * | 2004-03-01 | 2007-07-11 | 全美达股份有限公司 | 用于调节老化期间的温度的系统和方法 |
CN101495821A (zh) * | 2005-03-08 | 2009-07-29 | 威尔斯-Cti股份有限公司 | 集成电路插座中的温度感测与预测 |
CN101093241A (zh) * | 2006-06-20 | 2007-12-26 | 北京航空航天大学 | 控制晶体管结温的稳态工作寿命试验设备 |
CN101165500A (zh) * | 2006-10-20 | 2008-04-23 | 冠魁电机股份有限公司 | 半导体接面温度检测装置与方法 |
US7651268B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-01-26 | Cao Group, Inc. | Method and testing equipment for LEDs and laser diodes |
DE102010000875A1 (de) * | 2010-01-13 | 2011-07-14 | Infineon Technologies AG, 85579 | Verfahren zur Messung der Junction-Temperatur bei Leistungshalbleitern in einem Stromrichter |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
佚名: "功率开关管功耗计算方法", 《电子发烧友》 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106482859A (zh) * | 2015-07-01 | 2017-03-08 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于获取控制器的开关装置的多个开关单元的温度的方法和装置以及控制器的开关装置 |
CN106644150A (zh) * | 2015-07-01 | 2017-05-10 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于获取控制器的至少一个第一开关单元和第二开关单元的温度的方法和装置以及控制器 |
CN106644150B (zh) * | 2015-07-01 | 2020-02-14 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于获取控制器的至少一个第一开关单元和第二开关单元的温度的方法和装置以及控制器 |
CN112564256A (zh) * | 2019-09-26 | 2021-03-26 | 上海绿浦环保科技有限公司 | 一种基于积温判定的智能电源调度技术 |
CN113589013A (zh) * | 2021-08-12 | 2021-11-02 | 深圳市鼎阳科技股份有限公司 | 一种示波器探头的信号激励装置及示波器校准系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103364739B (zh) | 2016-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
van der Broeck et al. | IGBT junction temperature estimation via gate voltage plateau sensing | |
Luo et al. | Enabling junction temperature estimation via collector-side thermo-sensitive electrical parameters through emitter stray inductance in high-power IGBT modules | |
Yang et al. | A fast IGBT junction temperature estimation approach based on ON-state voltage drop | |
Dupont et al. | Preliminary evaluation of thermo-sensitive electrical parameters based on the forward voltage for online chip temperature measurements of IGBT devices | |
Baker et al. | Improved reliability of power modules: A review of online junction temperature measurement methods | |
CN106969851A (zh) | 基于饱和压降测量igbt功率模块结温的在线检测装置 | |
CN106443400B (zh) | 一种igbt模块的电-热-老化结温计算模型建立方法 | |
CN105572558A (zh) | 一种功率二极管模块工作结温的在线检测系统及其检测方法 | |
Xiang et al. | Monitoring solder fatigue in a power module using case-above-ambient temperature rise | |
Baker et al. | Junction temperature measurements via thermo-sensitive electrical parameters and their application to condition monitoring and active thermal control of power converters | |
Zhou et al. | Dynamic junction temperature estimation via built-in negative thermal coefficient (NTC) thermistor in high power IGBT modules | |
WO2019063000A1 (zh) | 半导体功率器件动态结温的实时在线预测方法 | |
CN105510793B (zh) | 一种变流器igbt功率模块结温测量的自标定方法 | |
Tong et al. | Output capacitance loss characterization of silicon carbide Schottky diodes | |
Luo et al. | Online high-power PiN diode chip temperature extraction and prediction method with maximum recovery current di/dt | |
CN104458039B (zh) | Igbt模块壳温的实时估算方法 | |
Dupont et al. | Evaluation of thermo-sensitive electrical parameters based on the forward voltage for on-line chip temperature measurements of IGBT devices | |
Li et al. | A turn-off delay time measurement and junction temperature estimation method for IGBT | |
CN102759544B (zh) | 一种大功率碳化硅二极管热阻测试方法 | |
CN106443401A (zh) | 一种功率mos器件温升和热阻构成测试装置和方法 | |
CN109186795A (zh) | Igbt模块壳温的估算方法 | |
Niu et al. | Sensing IGBT junction temperature using gate drive output transient properties | |
CN103364739B (zh) | 一种开关电源中开关管的结点温升测试方法 | |
CN105158667B (zh) | 一种变流器功率二极管结温测量系统与方法 | |
Yang et al. | A method of junction temperature estimation for SiC power MOSFETs via turn-on saturation current measurement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |