CN107502872B - 一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置 - Google Patents

一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置，包括固定在地面上的下气室和反应腔室，所述下气室一侧外壁开有第一通孔，且第一通孔内壁套接有水蒸气管，所述下气室靠近水蒸气管一侧外壁开有第二通孔，且第二通孔内壁套接有Zn（C2H5）2气管，所述上气室顶部外壁开有第三通孔，且Zn（C2H5）2气管远离下气室一端套接在第三通孔内壁上，所述反应腔室内壁两侧卡接有同一沉淀板，且反应腔室内壁一侧开有第四通孔。本发明通过设置了螺旋混合管，采用螺旋式混合方式，混合面积较大，循环气管可以使气体反复进入反应腔室和螺旋混合管，配合设置在沉淀板之间的送气斗，可以均匀的多层沉淀，是沉淀均匀充分利用原材料。

Description

一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置
技术领域
本发明涉及喷淋装置技术领域，尤其涉及一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置。
背景技术
由于金属有机化合物化学气相沉淀技术具有可以生长纯度很高的材料、生长易于控制、生长超薄外延层、大规模生产等优点，所以金属有机化合物化学气相技术成为现在制备化合物半导体薄膜的关键技术，如Zn（C2H5）2气体和水蒸气反应制备氧化锌薄膜，被广泛的运用于太阳能电池、传感器、发光管等领域，但是大部分金属有机化合物化学气相沉淀设备都来源于进口，易耗品及备件中价格最高的就是反应器的喷淋头，目前有垂直喷淋头方式、双束流方式、径向三重流方式，以及双束流方式为主，但上述方式的大面积沉淀有反应不充分造成的原材料浪费、沉积不够均匀影响工艺问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置，包括固定在地面上的下气室和反应腔室，所述下气室一侧外壁开有第一通孔，且第一通孔内壁套接有水蒸气管，所述下气室靠近水蒸气管一侧外壁开有第二通孔，且第二通孔内壁套接有Zn（C2H5）2气管，所述下气室顶部外壁开有第三通孔，且Zn（C2H5）2气管远离下气室一端套接在第三通孔内壁上，所述反应腔室内壁两侧卡接有同一沉淀板，且反应腔室内壁一侧开有第四通孔，且第四通孔内壁套接有进气管，所述进气管底部外壁套接有循环气管，且循环气管外壁开有气孔，所述循环气管远离反应腔室一侧套接在第三通孔内壁上，所述进气管顶部外壁通过三通管套接有螺旋混合管，且螺旋混合管一侧外壁套接有第一送气管，螺旋混合管另一侧外壁套接有第二送气管，所述第一送气管和第二送气管底部外壁均焊接有送气斗，所述下气室顶部内壁焊接有单向透气板，且单向透气板上表面和反应腔室底部外壁紧密接触。
优选的，所述单向透气板由高分子单向透气膜制成，且单向透气板的单向透气方向为下气室到反应腔室。
优选的，所述沉淀板的数量为十至十五个，且十至十五个沉淀板等距离对称分布于反应腔室两侧内壁之间。
优选的，所述气孔数量为二十至三十个，且二十至三十个气孔等距离环形分布于循环气管外壁。
优选的，所述沉淀板外壁涂覆有催化剂，且送气斗底部外壁与沉淀板一侧内壁相互平行。
优选的，所述循环气管的外径比Zn（C2H5）2气管外径小，且循环气管的外径为二至三厘米，Zn（C2H5）2气管的外径为五至八厘米。
本发明的有益效果为：本喷淋装置，通过设置了螺旋混合管，采用螺旋式混合方式，混合面积较大，通过设置了循环气管，可以使气体反复进入反应腔室和螺旋混合管，配合设置在沉淀板之间的送气斗，可以均匀的多层沉淀，是沉淀均匀充分利用原材料。
附图说明
图1为本发明提出的一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置的结构示意图；
图2为本发明提出的一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置的循环气管的结构示意图。
图中：1下气室、2水蒸气管、3 Zn（C2H5）2气管、4反应腔室、5送气斗、6第一送气管、7进气管、8螺旋混合管、9第二送气管、10沉淀板、11循环气管、12气孔、13单向透气板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
参照图1和图2，一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置，包括固定在地面上的下气室1和反应腔室4，下气室1一侧外壁开有第一通孔，且第一通孔内壁套接有水蒸气管2，下气室1靠近水蒸气管2一侧外壁开有第二通孔，且第二通孔内壁套接有ZnC2H52气管3，下气室1顶部外壁开有第三通孔，且ZnC2H52气管3远离下气室1一端套接在第三通孔内壁上，反应腔室4内壁两侧卡接有同一沉淀板10，且反应腔室4内壁一侧开有第四通孔，且第四通孔内壁套接有进气管7，进气管7底部外壁套接有循环气管11，且循环气管11外壁开有气孔12，循环气管11远离反应腔室4一侧套接在第三通孔内壁上，进气管7顶部外壁通过三通管套接有螺旋混合管8，且螺旋混合管8一侧外壁套接有第一送气管6，螺旋混合管8另一侧外壁套接有第二送气管9，第一送气管6和第二送气管9底部外壁均焊接有送气斗5，下气室1顶部内壁焊接有单向透气板13，且单向透气板13上表面和反应腔室4底部外壁紧密接触。
本发明中，单向透气板13由高分子单向透气膜制成，且单向透气板13的单向透气方向为下气室1到反应腔室4，沉淀板10的数量为十至十五个，且十至十五个沉淀板10等距离对称分布于反应腔室4两侧内壁之间，气孔12数量为二十至三十个，且二十至三十个气孔12等距离环形分布于循环气管11外壁，沉淀板10外壁涂覆有催化剂，且送气斗5底部外壁与沉淀板10一侧内壁相互平行，循环气管11的外径比Zn（C2H5）2气管3外径小，且循环气管11的外径为二至三厘米，Zn（C2H5）2气管3的外径为五至八厘米。
工作原理：本装置在用于气相沉淀反应时，首先通过水蒸气管2通入水蒸气，再通过Zn（C2H5）2气管3通入Zn（C2H5）2气体，水蒸气通过单向透气板13，部分Zn（C2H5）2气体和水蒸气通过气孔12混合，进入到螺旋混合管8，混合气体再通过送气斗5喷淋在沉淀板10外壁上，最后Zn（C2H5）2气体反复和水蒸气混合，多次覆膜在沉淀板10即可。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置，包括固定在地面上的下气室（1）和反应腔室（4），其特征在于，所述下气室（1）侧壁上开有第一通孔，且第一通孔内套接有水蒸气管（2），所述下气室（1）靠近水蒸气管（2）的侧壁上开有第二通孔，且第二通孔内套接有Zn（C2H5）2气管（3），所述下气室（1）顶部侧壁开有第三通孔，且Zn（C2H5）2气管（3）远离下气室（1）一端套接在第三通孔内，所述反应腔室（4）内壁两侧卡接有同一沉淀板（10），且反应腔室（4）侧壁上开有第四通孔，且第四通孔内套接有进气管（7），所述进气管（7）底部外壁套接有循环气管（11），且循环气管（11）外壁开有气孔（12），所述循环气管（11）远离反应腔室（4）一侧套接在第三通孔内，所述进气管（7）顶部外壁通过三通管套接有螺旋混合管（8），且螺旋混合管（8）一侧外壁套接有第一送气管（6），螺旋混合管（8）另一侧外壁套接有第二送气管（9），所述第一送气管（6）和第二送气管（9）底部外壁均焊接有送气斗（5），所述下气室（1）顶部焊接有连通下气室（1）和反应腔室的单向透气板（13）。
2.根据权利要求1所述的一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置，其特征在于，所述单向透气板（13）由高分子单向透气膜制成，且单向透气板（13）的单向透气方向为下气室（1）到反应腔室（4）。
3.根据权利要求1所述的一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置，其特征在于，所述沉淀板（10）的数量为十至十五个，且十至十五个沉淀板（10）等距离对称分布于反应腔室（4）两侧内壁之间。
4.根据权利要求1所述的一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置，其特征在于，所述气孔（12）数量为二十至三十个，且二十至三十个气孔（12）等距离环形分布于循环气管（11）外壁。
5.根据权利要求1所述的一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置，其特征在于，所述沉淀板（10）外壁涂覆有催化剂。
6.根据权利要求1所述的一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置，其特征在于，所述循环气管（11）的外径比Zn（C2H5）2气管（3）外径小，且循环气管（11）的外径为二至三厘米，Zn（C2H5）2气管（3）的外径为五至八厘米。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108277476B (zh) * 2018-03-14 2024-01-16 深圳市志橙半导体材料有限公司 一种利用热cvd法的碳化硅沉积处理设备
CN115354305B (zh) * 2022-08-29 2024-04-19 西北大学 一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002097576A (ja) * 2000-09-21 2002-04-02 Ebara Corp ガス噴射ヘッド及びｃｖｄ装置
CN102534558A (zh) * 2011-12-31 2012-07-04 刘汝强 一种能实现上、下进气切换的化学气相沉积炉及其应用
CN202297763U (zh) * 2011-09-28 2012-07-04 北京科技大学 一种金属有机气相化学沉积装置
CN102560429A (zh) * 2012-03-13 2012-07-11 中微半导体设备(上海)有限公司 金属有机气相沉积装置
CN103320770A (zh) * 2013-06-21 2013-09-25 光垒光电科技（上海）有限公司 气体喷淋头以及气相沉积反应腔
CN105441904A (zh) * 2014-06-18 2016-03-30 中微半导体设备(上海)有限公司 气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法
WO2016060429A1 (ko) * 2014-10-13 2016-04-21 한국생산기술연구원 화학기상장치용 반응챔버
CN106498368A (zh) * 2016-11-21 2017-03-15 南昌大学 一种用于mocvd设备的喷淋头
CN207276709U (zh) * 2017-08-24 2018-04-27 新乡市巨能合成材料有限公司 一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100331544B1 (ko) * 1999-01-18 2002-04-06 윤종용 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002097576A (ja) * 2000-09-21 2002-04-02 Ebara Corp ガス噴射ヘッド及びｃｖｄ装置
CN202297763U (zh) * 2011-09-28 2012-07-04 北京科技大学 一种金属有机气相化学沉积装置
CN102534558A (zh) * 2011-12-31 2012-07-04 刘汝强 一种能实现上、下进气切换的化学气相沉积炉及其应用
CN102560429A (zh) * 2012-03-13 2012-07-11 中微半导体设备(上海)有限公司 金属有机气相沉积装置
CN103320770A (zh) * 2013-06-21 2013-09-25 光垒光电科技（上海）有限公司 气体喷淋头以及气相沉积反应腔
CN105441904A (zh) * 2014-06-18 2016-03-30 中微半导体设备(上海)有限公司 气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法
WO2016060429A1 (ko) * 2014-10-13 2016-04-21 한국생산기술연구원 화학기상장치용 반응챔버
CN106498368A (zh) * 2016-11-21 2017-03-15 南昌大学 一种用于mocvd设备的喷淋头
CN207276709U (zh) * 2017-08-24 2018-04-27 新乡市巨能合成材料有限公司 一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置

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