CN107479232B - 一种阵列基板及其制造方法 - Google Patents

一种阵列基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107479232B
CN107479232B CN201710699686.1A CN201710699686A CN107479232B CN 107479232 B CN107479232 B CN 107479232B CN 201710699686 A CN201710699686 A CN 201710699686A CN 107479232 B CN107479232 B CN 107479232B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
drain
area
insulating material
organic insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710699686.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107479232A (zh
Inventor
时陶
陈钢
李卓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd
Original Assignee
Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd filed Critical Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd
Priority to CN201710699686.1A priority Critical patent/CN107479232B/zh
Publication of CN107479232A publication Critical patent/CN107479232A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107479232B publication Critical patent/CN107479232B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开一种阵列基板，包括：纵横交错的多个扫描线和多个数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素区域、位于扫描线和数据线交叉处的薄膜晶体管、位于像素区域内的像素电极、以及位于像素电极和数据线之间的至少一个绝缘膜；所述薄膜晶体管包括与扫描线连接的栅极、与数据线连接的源极、以及漏极；所述绝缘膜包括JAS层，所述JAS层设有漏极通孔，所述像素电极通过所述漏极通孔与漏极连接；所述JAS层在对应漏极通孔位置设有凹槽。通过本发明的技术方案，当使涂布PI液时，因凹槽位置膜厚度比凹槽周边膜厚薄，PI液液能够流入漏极通孔位置附近，有效的解决了PI液无法均匀的涂布在漏极通孔周边，而导致显示画面存在群辉点的问题。

Description

一种阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示(LCD)器件，尤其是一种可使配向膜均匀涂布的阵列基板及其制造方法。
背景技术
液晶显示(LCD)器件包括两个彼此分隔开并相对的基板，液晶材料层设置在两个基板之间。各基板包括彼此相对的电极，其中施加于各电极的电压在电极之间形成电场。通过改变所施加电场的强度或方向，从而改变液晶材料层的液晶分子的排列。因此，根据液晶分子的排列来改变穿过液晶材料层的透光率，从而使LCD器件显示图像。
图1是现有技术的阵列基板的局部平面图。在图1中，扫描线11和数据线40彼此交叉以限定像素电极70，在扫描线11和数据线40交叉处形成薄膜晶体管T，以用作开关元件。薄膜晶体管T包括连接到扫描线11并接收扫描信号的栅极、连接到数据线并接收数据信号的源极以及与源极分隔开并通过漏极通孔80与像素电极连接的漏极。其中，漏极通孔80形成于对应所述扫描线的开槽90，薄膜晶体管T还包括在栅极和源、漏极之间的有源层。
图2为图1中A-A’的截面图，在图2中，通过淀积第一金属层并通过第一掩模工艺对第一金属层构图，在透明绝缘基板10上形成扫描线11，该扫描线设有一个开槽；接着，栅绝缘层12、有源层(图未示)、刻蚀阻挡层13、数据线(图未示)、第一Pass层14、Jas层15、公共电极16、第二Pass层17、以及像素电极(图未示)依次淀积在扫描线11之上。
扫描线和数据线由金属材料制成，例如铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)。
栅绝缘层13、第一Pass层和第二Pass层由无机绝缘材料制成，例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)；Jas层为有机绝缘材料制成，在Jas层上形成有漏极通孔，漏极通孔形成于对应所述扫描线的开槽。
由于扫描线位置处的膜层厚度高于漏极通孔周边的膜厚，导致PI液(配向液)无法均匀的涂布在通孔周边，造成部分通孔位置PI液偏薄，导致配向力弱从而导致显示画面存在群辉点问题。
发明内容
发明目的：解决现有技术中的孔位置PI液偏薄，导致配向力弱从而导致显示画面存在群辉点问题。
技术方案：为了上述发明目的，本发明提供一一种阵列基板，包括：纵横交错的多个扫描线和多个数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素区域、位于扫描线和数据线交叉处的薄膜晶体管、位于像素区域内的像素电极、以及位于像素电极和数据线之间的至少一个绝缘膜；所述薄膜晶体管包括与扫描线连接的栅极、与数据线连接的源极、以及漏极；所述绝缘膜包括JAS层，所述JAS层设有漏极通孔，所述像素电极通过所述漏极通孔与漏极连接；所述JAS层位于所述扫描线的上方且在所述漏极通孔的周围区域设有凹槽。
进一步，所述凹槽位置的Jas层厚度比凹槽周边的Jas层厚度薄；
进一步，Jas层为有机绝缘膜；
进一步，所述绝缘层还包括至少一个PAS层，所述漏极通孔穿过所述PAS层；
进一步，所述PAS层为无机绝缘膜；
一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，多个扫描线形成在该基板上；
步骤2、在步骤1的基板上形成一栅绝缘层，并覆盖该多个扫描线；
步骤3、在步骤2的基板上覆盖一有机绝缘材料；
步骤4、提供一半色调光罩，将所述半色调光罩对应置于有机绝缘材料上方，所述光罩具有与预定形成漏极通孔位置的第一透光区、位于扫描线上方且位于预定形成漏极通孔位置的周围区域的第二透光区以及除第一、第二透光区以外区域的第三透光区；利用所述半色调光罩对所述有机绝缘材料进行曝光，在所述有机绝缘材料上对应第一、第二和第三透光区分别形成第一、第二和第三曝光区，其中，所述第一透光区的透光率高于第二透光区的透光率，第二曝光区的曝光程度高于第三曝光区的曝光程度；
步骤5、提供显影液，利用所述显影液对所述有机绝缘材料进行显影，所述有机绝缘材料上的第一曝光区形成一漏极通孔、所述有机绝缘材料上的第二曝光区形成一凹槽，所述有机绝缘材料上第三曝光区的高度高于所述第二曝光区的高度；
步骤6、对所述有机绝缘材料进行高温烘烤，使所述有机绝缘材料充分固化，形成JAS层。
进一步，在所述步骤2和步骤3之间还包括步骤：位于栅极绝缘层上的半导体层；
进一步，在所述步骤2和步骤3之间还包括步骤：位于栅极绝缘层上的半导体层、位于半导体层上的刻蚀阻挡层。
进一步，还包括步骤：形成第二金属、以及覆盖第二金属的第一PASS层；所述Jas层位于第一PASS层上；
进一步，还包括步骤：形成在JAS层上的公共电极；形成在公共电极上的第二PASS层；形成在第二PASS层上的像素电极。
有益效果：通过本发明的技术方案，扫描线上方的Jas层对应漏极通孔位置形成一凹槽，故所述凹槽位置的Jas层厚度比凹槽周边的Jas层厚度薄。当使涂布PI液时，因凹槽位置膜厚度比凹槽周边膜厚薄，PI液能够流入漏极通孔位置附近，有效的解决了PI液无法均匀的涂布在漏极通孔周边，而导致显示画面存在群辉点的问题。
附图说明
图1为现有技术中像素局部剖面图；
图2为图1中AA’位置的剖面图；
图3为本发明的沿扫描线方向的像素区局部剖面图；
图4为本发明的第二实施例步骤1-3的剖面图；
图5为本发明的第二实施例步骤4的剖面图；
图6为本发明的第二实施例步骤5的剖面图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定。
本发明是对现有技术中阵列基板做了进一步改善，本发明的阵列基板包括：纵横交错的多个扫描线和多个数据线、由扫描线和数据线彼此交叉限定的像素电极区域、位于扫描线和数据线交叉处的薄膜晶体管TFT、以及位于像素区域内的像素电极、位于像素电极和数据线之间的JAS层和至少一个PAS层。薄膜晶体管TFT用作开关元件，包括连接到扫描线并接收扫描信号的栅极、连接到数据线并接收数据信号的源极以及与源极分隔开并通过漏极通孔与像素电极相连接的漏极。其中，薄膜晶体管还包括在栅极和源、漏极之间的半导体层。第一Pass层和JAS层是为了保护TFT衬底，并使形成像素电极的面变得平坦。
图3为本发明沿扫描线方向的剖面图，在基板20上形成扫描线21、栅极(图中未示)，扫描线、数据线由金属材料制成，例如铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)；以及依次沉积在扫描线21上并覆该基板的栅绝缘层22、有源层(图未示)、刻蚀阻挡层23、数据线(图未示)、第一Pass层24、Jas层25、公共电极26、第二Pass层27、以及像素电极(图未示)。栅绝缘层22、第一Pass层和第二Pass层由无机绝缘材料制成，例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)；Jas层由有机绝缘材料制成，在Jas层上形成有漏极通孔。
其中，漏极通孔依序穿过第二Pass层27、公共电极26、JAS层25和第一PASS层24后，漏极通孔连接像素电极和漏极。
为了避免PI液(配向液)无法均匀的涂布在漏极通孔周边，造成部分漏极通孔位置PI液偏薄，导致配向力弱从而导致显示画面存在群辉点问题。本发明将扫描线上方的Jas层且对应漏极通孔位置的周围区域形成一凹槽，故所述凹槽位置的Jas层厚度比凹槽周边的Jas层厚度薄。当使涂布PI液时，因凹槽位置膜厚度比凹槽周边膜厚薄，PI液能够流入漏极通孔位置附近，有效的解决了PI液无法均匀的涂布在漏极通孔周边，而导致显示画面存在群辉点的问题。
本发明还提供一种阵列基板的制作方法，如图4-图6所示包括如下步骤：
一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板20；并形成多个扫描线21于该基板上；
步骤2、在步骤1的基板上形成一栅绝缘层22，并覆盖该多个扫描线；
步骤3、在步骤2的基板上覆盖一层有机绝缘材料；
步骤4、提供一半色调光罩30，将所述半色调光罩对应置于有机绝缘材料上方，
所述光罩具有与预定设定漏极通孔位置的第一透光区(图中未示)、位于扫描线上方且位于预定设定漏极通孔位置的周围区域的第二透光区32以及除第一、第二透光区以外区域的第三透光区33；利用所述半色调光罩对所述有机绝缘材料进行曝光，在所述有机绝缘材料上对应第一、第二和第三透光区分别形成第一、第二和第三曝光区，其中，所述第一透光区的透光率高于第二透光区32的透光率，第二曝光区的曝光程度高于第三曝光区的曝光程度；
步骤5、提供显影液，利用所述显影液对所述有机绝缘材料进行显影，所述有机绝缘材料上的第一曝光区形成一漏极通孔、所述有机绝缘材料上的第二曝光区形成一凹槽250，所述有机绝缘材料上第三曝光区的高度高于所述第二曝光区的高度；
步骤6、对所述有机绝缘材料进行高温烘烤，使所述有机绝缘材料充分固化，形成JAS层。
在所述步骤2和步骤3之间还包括步骤：位于栅极绝缘层上的半导体层。
在其他实施例中，在所述步骤2和步骤3之间还包括步骤：位于栅极绝缘层上的半导体层、位于半导体层上的刻蚀阻挡层23。
即，当半导体层是非晶硅或低温多晶硅时，不需要刻蚀阻挡层。当半导体层是金属氧化物时，可以需要刻蚀阻挡层，也可以不需要刻蚀阻挡层。
还包括步骤：形成第二金属、覆盖第二金属的第一PASS层24、形成在JAS层上的公共电极、形成在公共电极上的第二PASS层、以及形成在第二PASS层上的像素电极。
第二金属形成数据线、与数据线连接的源极和漏极。
所述Jas层位于第一PASS层上。漏极通孔依序穿过第二PASS层、公共电极、JAS层和第一PASS层，漏极通孔连接像素电极和漏极。

Claims (8)

1.一种阵列基板，包括：纵横交错的多个扫描线和多个数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素区域、位于扫描线和数据线交叉处的薄膜晶体管、位于像素区域内的像素电极、以及位于像素电极和数据线之间的至少一个绝缘膜；所述薄膜晶体管包括与扫描线连接的栅极、与数据线连接的源极、以及漏极；其特征在于：所述绝缘膜包括JAS层，所述JAS层设有漏极通孔，所述像素电极通过所述漏极通孔与漏极连接；所述JAS层在位于所述扫描线的上方且在所述漏极通孔的周围区域设有凹槽；所述凹槽位置的Jas层厚度比凹槽周边的Jas层厚度薄；Jas层为有机绝缘膜；当涂布PI液时，PI液流入漏极通孔位置附近。
2.根据权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于：所述绝缘层还包括至少一个PAS层，所述漏极通孔穿过所述PAS层。
3.根据权利要求2所述的一种阵列基板，其特征在于：所述PAS层为无机绝缘膜。
4.一种阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，多个扫描线形成在该基板上；
步骤2、在步骤1的基板上形成一栅绝缘层，并覆盖该多个扫描线；
步骤3、在步骤2的基板上覆盖一有机绝缘材料；
步骤4、提供一半色调光罩，将所述半色调光罩对应置于有机绝缘材料上方，所述光罩具有与预定形成漏极通孔位置的第一透光区、位于扫描线上方且位于预定形成漏极通孔位置的周围区域的第二透光区以及除第一、第二透光区以外区域的第三透光区；利用所述半色调光罩对所述有机绝缘材料进行曝光，在所述有机绝缘材料上对应第一、第二和第三透光区分别形成第一、第二和第三曝光区，其中，所述第一透光区的透光率高于第二透光区的透光率，第二曝光区的曝光程度高于第三曝光区的曝光程度；
步骤5、提供显影液，利用所述显影液对所述有机绝缘材料进行显影，所述有机绝缘材料上的第一曝光区形成一漏极通孔、所述有机绝缘材料上的第二曝光区形成一凹槽，所述有机绝缘材料上第三曝光区的高度高于所述第二曝光区的高度；
步骤6、对所述有机绝缘材料进行高温烘烤，使所述有机绝缘材料充分固化，形成JAS层；当涂布PI液时，PI液流入漏极通孔位置附近。
5.根据权利要求4所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤2和步骤3之间还包括步骤：位于栅极绝缘层上的半导体层。
6.根据权利要求4所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤2和步骤3之间还包括步骤：位于栅极绝缘层上的半导体层、位于半导体层上的刻蚀阻挡层。
7.根据权利要求5或6所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于：还包括步骤：形成第二金属、以及覆盖第二金属的第一PASS层；第二金属形成数据线、与数据线连接的源极和漏极，所述Jas层位于第一PASS层上。
8.根据权利要求7所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于：还包括步骤：形成在JAS层上的公共电极；形成在公共电极上的第二PASS层；形成在第二PASS层上的像素电极。
CN201710699686.1A 2017-08-16 2017-08-16 一种阵列基板及其制造方法 Active CN107479232B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710699686.1A CN107479232B (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种阵列基板及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710699686.1A CN107479232B (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种阵列基板及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107479232A CN107479232A (zh) 2017-12-15
CN107479232B true CN107479232B (zh) 2020-10-02

Family

ID=60599588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710699686.1A Active CN107479232B (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种阵列基板及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107479232B (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4206005A (en) * 1978-11-27 1980-06-03 Xerox Corporation Method of making split gate LSI VMOSFET
CN103676367B (zh) * 2012-09-06 2016-08-03 群康科技(深圳)有限公司 显示面板及显示装置
CN205248273U (zh) * 2015-12-24 2016-05-18 厦门天马微电子有限公司 一种用于液晶显示器的阵列基板
CN106773365B (zh) * 2017-04-01 2019-10-29 厦门天马微电子有限公司 液晶显示面板、显示装置及制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107479232A (zh) 2017-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101255616B1 (ko) 다중톤 광마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 기판의 제조방법
KR100816333B1 (ko) 액정 표시 장치용 색 필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판및 이들의 제조 방법
US6882376B2 (en) Array panel for liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US8330924B2 (en) Array substrate having first and second data lines for a liquid crystal display device and manufacturing method for the same
KR102012854B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
US8054395B2 (en) Liquid crystal display device and fabrication method thereof
KR101923717B1 (ko) 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법
US10424669B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
US10727257B2 (en) Exposure mask and method of manufacturing a substrate using the exposure mask
US10431602B2 (en) Array substrate, display panel, and display apparatus
US20170139297A1 (en) Display Substrate and Method for Fabricating the Same, Display Panel and Display Device
US20080157086A1 (en) Method for manufacturing thin film transistor
US8698148B2 (en) Display devices and fabrication methods thereof
US7811724B2 (en) Method for fabricating color filter layer
US20090289257A1 (en) Exposure mask using gray-tone pattern, manufacturing method of tft substrate using the same and liquid crystal display device having the tft substrate
US7787098B2 (en) Manufacturing method of a liquid crystal display device comprising a first photosensitive layer of a positive type and a second photosensitive layer of a negative type
US9383608B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof
US8263447B2 (en) Pixel structure and manufacturing method thereof and display panel
KR101409704B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR20070060827A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101202982B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
CN107479232B (zh) 一种阵列基板及其制造方法
US8435722B2 (en) Method for fabricating liquid crystal display device
KR100650400B1 (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100719265B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200903

Address after: No.7 Tianyou Road, Qixia District, Nanjing City, Jiangsu Province

Applicant after: NANJING CEC PANDA LCD TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Nanjing Crystal Valley Road in Qixia District of Nanjing City Tianyou 210033 Jiangsu province No. 7

Applicant before: NANJING CEC PANDA LCD TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Applicant before: NANJING CEC PANDA FPD TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Applicant before: Nanjing East China Electronic Information Technology Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant