CN107471062B - 一种切割方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种切割方法，应用于切割刀片，所述切割刀片包括交替排布的金刚砂和粘合剂，该方法包括：利用所述切割刀片交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割，其中，所述半切割的单次切割长度为第一预设长度，全切割的单次切割长度为第二预设长度，且所述第二预设长度为所述第一预设长度的1‑3倍包括端点值，以避免现有的切割刀片容易出现粘合剂脱落不规律的现象，解决刀片切割时芯片有效面积增大的问题，提高切割质量，延长使用寿命。

Description

一种切割方法
技术领域
本发明涉及半导体切割技术领域，尤其涉及一种切割方法。
背景技术
全切割操作是将物体切割成两件或更多件的操作，半切割操作是在保留一部分的同时切割物体的操作。现有半导体工艺中在切割刀片的使用中基本会保持半切刀片始终执行半切割操作，切穿刀始终执行全切割操作，从而导致现有的切割刀片容易出现粘合剂脱落不规律的现象，造成切割质量差，以及刀片切割时芯片有效面积增大。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种切割方法，以避免现有的切割刀片容易出现粘合剂脱落不规律的现象，解决刀片切割时芯片有效面积增大的问题，提高切割质量，延长使用寿命。
为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种切割方法，应用于切割刀片，所述切割刀片包括交替排布的金刚砂和粘合剂，该方法包括：
利用所述切割刀片交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割，其中，所述半切割的单次切割长度为第一预设长度，全切割的单次切割长度为第二预设长度，且所述第二预设长度为所述第一预设长度的1-3倍包括端点值。
可选的，所述交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割包括：
先采用半切割的切割方式，对待切割对象进行切割；再采用全切割的切割方式，对待切割对象进行切割。
可选的，所述第一预设长度的取值范围为70米-360米，包括端点值。
可选的，该方法在利用所述切割刀片交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割之前还包括：
利用磨刀石对所述切割刀片进行打磨。
可选的，所述利用磨刀石对所述切割刀片进行打磨包括：
将所述切割刀片安装在机台上；
采用第一进刀速度，对所述切割刀片进行打磨；
采用第二进刀速度，对所述切割刀片进行打磨；
其中，所述第二进刀速度大于所述第一进刀速度。
可选的，采用第一进刀速度，对所述切割刀片进行打磨包括：
采用第一进刀速度，利用所述切割刀片在磨刀石上单向打磨第一预设值次，其中，所述第一进刀速度为2mm/s-8mm/s，包括端点值；所述第一预设值的取值范围为2-10次。
可选的，采用第二进刀速度，对所述切割刀片进行打磨包括：
采用第二进刀速度，利用所述切割刀片在磨刀石上单向打磨第二预设值次，其中，所述第二预设值为所述第一预设值的2-20倍，包括端点值；所述第二进刀速度大于预设进刀速度，所述预设进刀速度为利用所述切割刀片对所述待切割对象进行切割时的切割速度。
可选的，所述第二进刀速度为所述预设进刀速度的1.5-2.5倍。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
本发明实施例所提供的技术方案，在利用切割刀片切割半导体产品时，利用所述切割刀片交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割，其中，所述半切割的单次切割长度为第一预设长度，全切割的单次切割长度为第二预设长度，且所述第二预设长度为所述第一预设长度的1-3倍包括端点值，从而既可以避免现有的切割刀片在切割时出现粘合剂脱落不规律的现象，解决刀片切割时的芯片有效面积增大的问题，可以提高切割质量，延长所述切割刀片的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施例所提供的切割方法应用的切割刀片的结构示意图；
图2为本发明一个实施例所提供的切割方法的流程图；
图3为本发明另一个实施例所提供的切割方法的流程图；
图4为本发明一个实施例所提供的切割方法中全切割完成后，所述切割刀片的结构示意图；
图5为本发明一个实施例所提供的切割方法中半切割完成后，所述切割刀片的结构示意图；
图6为本发明一个实施例所提供的切割方法中打磨完成后，所述切割刀片的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
目前半导体领域应用的切割刀片的生长过程包括：S1：先生长一层粘合剂；S2：在所述粘合剂上喷涂一层金刚砂；S3：在所述金刚砂上生长一层粘合剂；S4：重复步骤S1-S3，直至获得预设长度和预设厚度的切割刀片。
具体的，当所述切割刀片在切割半导体时是依靠露出的金刚砂进行切割，使用相邻金刚砂之间的间隙将金刚砂切削下了的碎屑排除。然而，切割刀片中金刚砂和粘合剂是具有一定的交替规律和脱落周期的，所以把握好这样的周期才能使得切割质量更好，并充分利用切割刀片的切割长度，延长切割刀片的寿命。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种切割方法，应用于切割刀片，如图1所示，所述切割刀片包括交替排布的金刚砂10和粘合剂20，该切割方法包括：利用所述切割刀片交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割，其中，所述半切割的单次切割长度为第一预设长度，全切割的单次切割长度为第二预设长度，且所述第二预设长度为所述第一预设长度的1-3倍包括端点值。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割包括：先采用半切割的切割方式，对待切割对象进行切割；再采用全切割的切割方式，对待切割对象进行切割。具体的，如图2所示，该方法包括：
S10：采用半切割的切割方式，对待切割对象进行切割，所述半切割的单次切割长度为第一预设长度；
S20：采用全切割的切割方式，对待切割对象进行切割，全切割的单次切割长度为第二预设长度，且所述第二预设长度为所述第一预设长度的1-3倍包括端点值。
S30：重复步骤S10和S20。
在本发明的另一个实施例中，所述交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割包括：先采用全切割的切割方式，对待切割对象进行切割；再采用半切割的切割方式，对待切割对象进行切割。具体的，如图3所示，该方法包括：
S40：采用全切割的切割方式，对待切割对象进行切割，全切割的单次切割长度为第二预设长度，切割后的切割刀片如图4所示；
S50：采用半切割的切割方式，对待切割对象进行切割，所述半切割的单次切割长度为第一预设长度，且所述第二预设长度为所述第一预设长度的1-3倍包括端点值，切割后的切割刀片如图5所示。
S60：重复步骤S40和S50。
需要说明的是，在本发明实施例中，所述交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割优选包括：先采用半切割的切割方式，对待切割对象进行切割；再采用全切割的切割方式，对待切割对象进行切割，以避免首次对所述待切割对象进行切割时，所述切割刀片中金刚砂露出量少，导致所述切割刀片发生正崩或背崩，影响切割质量，降低所述切割刀片的使用寿命。
下面以所述交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割优选包括：先采用半切割的切割方式，对待切割对象进行切割；再采用全切割的切割方式，对待切割对象进行切割为例，对本发明实施例所提供的切割方法进行说明。
在正常切割普通半导体产品时，不论先采用全切割的切割方式还是先采用半切割的切割方式，都需要把握所述切割刀片的脱落周期。在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一预设长度的取值范围为70米-360米，包括端点值，以保证所述切割刀片的正常代谢，即保证所述切割刀片中所述金刚砂和所述粘合剂的正常脱落，解决现有技术中所述金刚砂和所述粘合剂脱落不规律的问题，而且本发明实施例所提供的切割方法还既不会增加所述半切割的切割时间，同时又可以增加所述切割刀片中金刚砂的露出量，保证后续全切割时的切割质量。
需要说明的是，在本发明实施例中，该切割方法对所述全切割的单次切割长度(即第二预设长度)并不做限定，只要保证所述第二预设长度为所述第一预设长度的1-3倍，包括端点值，从而可以均衡所述金刚砂和所述粘合剂的脱落速度，使得全切割完成后所述切割刀片的刀尖变钝而侧壁变薄，保证在下次脱落周期内将所述切割刀片应用在半切割时的切割质量。
由于待切割对象表面张力所致，在采用半切割的切割方式进行切割时，所需要的切割锋利程度较小而侧壁较薄，因此，本发明实施例所提供的切割方法，在全切割完成后，采用半切割进行切割时，可以使得切割时损失的待切割对象的面积较小，依次规律往复使用所述切割刀片可以达到一个正常的代谢周期。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，该方法在利用所述切割刀片交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割之前还包括：利用磨刀石对所述切割刀片进行打磨，打磨后的切割刀片示意图如图6所示。
具体的，在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述利用磨刀石对所述切割刀片进行打磨包括：将所述切割刀片安装在机台上；采用第一进刀速度，对所述切割刀片进行打磨，以对所述切割刀片进行预热；采用第二进刀速度，对所述切割刀片进行打磨，去除所述切割刀片最表层的粘合剂，露出所述金刚砂；其中，所述第二进刀速度大于所述第一进刀速度。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，采用第一进刀速度，对所述切割刀片进行打磨包括：采用第一进刀速度，利用所述切割刀片在磨刀石上单向打磨第一预设值次，其中，所述第一进刀速度为2mm/s-8mm/s，包括端点值；所述第一预设值的取值范围为2-10次，以在保证所述预热过程不会对所述切割刀片造成损坏的基础上，缩短所述切割刀片的预热时间。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，采用第二进刀速度，对所述切割刀片进行打磨包括：采用第二进刀速度，利用所述切割刀片在磨刀石上单向打磨第二预设值次，其中，所述第二预设值为所述第一预设值的2-20倍，包括端点值，所述第二进刀速度大于预设进刀速度，所述预设进刀速度为利用所述切割刀片对所述待切割对象进行切割时的切割速度。
需要说明的是，在本发明实施例中，先用一个较慢的进刀速度对所述切割刀片进行打磨，可以保证所述切割刀片在预热过程中各处受力均匀。再采用一个较快的进刀速度对所述切割刀片进行打磨，可以在预热完成后，加快所述切割刀片的打磨速度。
而且，在本发明实施例中，所述第二进刀速度大于预设进刀速度，所述预设进刀速度为利用所述切割刀片对所述待切割对象进行切割时的切割速度，以便于所述切割刀片最表面粘合剂的脱落。可选的，所述第二进刀速度为所述预设进刀速度的1.5-2.5倍，包括端点值。但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
综上所述，本发明实施例所提供的切割方法，在利用切割刀片切割半导体产品时，利用所述切割刀片交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割，其中，所述半切割的单次切割长度为第一预设长度，全切割的单次切割长度为第二预设长度，且所述第二预设长度为所述第一预设长度的1-3倍包括端点值，从而既可以避免现有的切割刀片在切割时出现粘合剂脱落不规律的现象，解决刀片切割时的芯片有效面积增大的问题，可以提高切割质量，延长所述切割刀片的使用寿命。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种切割方法，应用于切割刀片，所述切割刀片包括交替排布的金刚砂和粘合剂，其特征在于，该方法包括：
利用所述切割刀片交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割，其中，所述半切割的单次切割长度为第一预设长度，全切割的单次切割长度为第二预设长度，且所述第二预设长度为所述第一预设长度的1-3倍包括端点值，以避免切割刀片在切割时出现粘合剂脱落不规律的现象，解决刀片切割时的芯片有效面积增大的问题，提高切割质量，延长所述切割刀片的使用寿命；
其中，所述半切割和所述全切割的交替次数大于1。
2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割包括：
先采用半切割的切割方式，对待切割对象进行切割；再采用全切割的切割方式，对待切割对象进行切割。
3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述第一预设长度的取值范围为70米-360米，包括端点值。
4.根据权利要求1-3任一项所述的切割方法，其特征在于，该方法在利用所述切割刀片交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割之前还包括：
利用磨刀石对所述切割刀片进行打磨。
5.根据权利要求4所述的切割方法，其特征在于，所述利用磨刀石对所述切割刀片进行打磨包括：
将所述切割刀片安装在机台上；
采用第一进刀速度，对所述切割刀片进行打磨；
采用第二进刀速度，对所述切割刀片进行打磨；
其中，所述第二进刀速度大于所述第一进刀速度。
6.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，采用第一进刀速度，对所述切割刀片进行打磨包括：
采用第一进刀速度，利用所述切割刀片在磨刀石上单向打磨第一预设值次，其中，所述第一进刀速度为2mm/s -8mm/s，包括端点值；所述第一预设值的取值范围为2-10次。
7.根据权利要求6所述的切割方法，其特征在于，采用第二进刀速度，对所述切割刀片进行打磨包括：
采用第二进刀速度，利用所述切割刀片在磨刀石上单向打磨第二预设值次，其中，所述第二预设值为所述第一预设值的2-20倍，包括端点值；所述第二进刀速度大于预设进刀速度，所述预设进刀速度为利用所述切割刀片对所述待切割对象进行切割时的切割速度。
8.根据权利要求7所述的切割方法，其特征在于，所述第二进刀速度为所述预设进刀速度的1.5-2.5倍。
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