CN107464528B - 外部补偿方法及其驱动集成电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种外部补偿方法及其驱动集成电路,该外部补偿方法用于一面板上的组件,该面板包含多个子像素,该外部补偿方法包含在一第一期间内,通过一第一导线对该多个子像素的一第一子像素中的一第一组件进行编程,并通过一第二导线对该第一组件进行感测;以及在一第二期间内,通过该第二导线对该多个子像素的一第二子像素中的一第二组件进行编程,并通过该第一导线或一第三导线对该第二组件进行感测。
Description
技术领域
本发明涉及一种外部补偿方法及其驱动集成电路(Driver Integrated Circuit,Driver IC),尤其涉及一种用于面板的外部补偿方法以及可对面板执行外部补偿方法的驱动集成电路。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)为发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)的一种,其电致发光层是由有机化合物所构成,该有机化合物可因接收到电流而发光。有机发光二极管广泛应用于电子装置的显示设备,例如电视屏幕、计算机显示器、各类便携设备例如移动电话、手持式游戏主机及个人数字助理(Personal DigitalAssistant,PDA)等。其中,主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix OLED,AMOLED)为目前有机发光二极管显示器的主流,主动矩阵有机发光二极管可由薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor,TFT)来进行驱动,并包含存储电容用来维持像素的状态,以应用于大尺寸及高分辨率的显示器。
在一般有机发光二极管显示器中,每一像素单元都包含三个子像素,其中每一子像素包含可产生三原色其中一者的有机发光二极管,用来组成欲显示在该像素单元上的颜色。子像素可从一驱动集成电路(Driver Integrated Circuit,Driver IC)接收一电压信号。接着,薄膜晶体管可将电压信号转换为一驱动电流,以驱动有机发光二极管发光。有机发光二极管发光的亮度则由其通过的驱动电流来决定。然而,在有机发光二极管显示器中,不同子像素中的薄膜晶体管可能存在组件参数误差或不匹配的情况,导致电压/电流转换效率产生差异,此外,有机发光二极管的发光效率也可能存在误差。当有机发光二极管显示器经过一段长时间的运作以后,可能面临电压/电流转换及发光效率的衰减。在此情形下,有机发光二极管显示器上各个位置可能存在不同程度的衰减,使得有机发光二极管显示器的画面一致性降低。
为了改善有机发光二极管显示器的画面一致性,针对有机发光二极管及薄膜晶体管的参数的有效补偿方法是必要的。外部补偿是用于有机发光二极管显示器的一种常见的补偿方法。请参考图1,图1为进行常见外部补偿方法的一面板100的示意图。面板100包含多个子像素,以矩阵形式布置。对每一列子像素而言,一数据线(source line)将子像素连接到一驱动集成电路(未示出),使得显示数据可通过数据线输出到子像素中的薄膜晶体管。同时,一感测线(sensing line)也耦接于每一列子像素及驱动集成电路之间。感测线可用来进行外部补偿,其可将子像素中薄膜晶体管或有机发光二极管的电气特性传送到驱动集成电路,使得驱动集成电路可根据接收到的电气特性数据进行后续处理。在此情况下,每一列子像素都需要两条导线,用来与驱动集成电路进行沟通,使驱动集成电路存在大量的输入输出端口,因而增加驱动集成电路的成本。若面板100包含N列子像素时,需要2N条导线来进行数据显示及外部补偿操作。举例来说,一个full-HD高分辨率有机发光二极管显示器包含1080列像素,即1080×3列子像素,因此,驱动集成电路需包含1080×6个用来连接导线的输入输出端口(1080×3个用于数据线以及1080×3个用于感测线),如此大量的端口会增加驱动集成电路的成本。鉴于此,现有技术实有改进的必要。
发明内容
因此,本发明的主要目的即在于提供一种用于面板的外部补偿方法以及可对面板执行外部补偿方法的驱动集成电路(Driver Integrated Circuit,Driver IC),以解决上述问题。
本发明公开了一种外部补偿方法,用于一面板上的组件,该面板包含多个子像素,该外部补偿方法包含在一第一期间内,通过一第一导线对该多个子像素的一第一子像素中的一第一组件进行编程,并通过一第二导线对该第一组件进行感测;以及在一第二期间内,通过该第二导线对该多个子像素的一第二子像素中的一第二组件进行编程,并通过该第一导线或一第三导线对该第二组件进行感测。
本发明还公开了一种用于一面板的驱动集成电路,用来对该面板执行外部补偿,该驱动集成电路包含多条导线、一第一数字模拟转换器(Digital to Analog Converter,DAC)及一第一输出缓冲器、一第二数字模拟转换器及一第二输出缓冲器、一数据选择器及一模拟数字转换器(Analog to Digital Converter,ADC)。该第一数字模拟转换器及该第一输出缓冲器耦接于该多条导线中的一第一导线。该第二数字模拟转换器及该第二输出缓冲器耦接于该多条导线中的一第二导线。该模拟数字转换器通过该数据选择器耦接于该第一导线及该第二导线。
附图说明
图1为进行常见外部补偿方法的一面板的示意图。
图2为本发明实施例一有机发光二极管显示器系统的示意图。
图3为本发明实施例另一有机发光二极管显示器系统的示意图。
图4为本发明实施例一有机发光二极管显示器系统及其驱动集成电路的电路结构示意图。
图5为图4的开关器的波形图。
图6A~6D为图2中子像素的详细编程及感测操作的示意图。
图7A~7D为图2中子像素的详细编程及感测操作的示意图。
图8为本发明实施例一外部补偿流程的示意图。
其中,附图标记说明如下:
100、200、300、400 面板
20、30、40 有机发光二极管显示器系统
210、310、410 驱动集成电路
L1~L5、L1’~L4’、DL1~DL4 导线
P1~P4、P1’~P4’ 子像素
B1~B4 输出缓冲器
DAC1~DAC4 数字模拟转换器
ADC1~ADC2 模拟数字转换器
MUX1~MUX2 数据选择器
SW1~SW8 开关器
LED1、LED2 有机发光二极管
T1、T2 驱动薄膜晶体管
Scan[N]、EM[N]、FB[N]、FB_O[N]、 控制信号
FB_E[N]
VDD 电源电压
VSS 接地电压
80 外部补偿流程
800~806 步骤
具体实施方式
如上所述,若面板上包含N列子像素时,需要2N条导线以用于数据显示及外部补偿操作。为了降低面板上的导线数量以及驱动集成电路(Driver Integrated Circuit,Driver IC)中相对应的端口数量,位于不同列的子像素可共享数据线(source line)及感测线(sensing line)。举例来说,用于一子像素的数据线可以是用于另一子像素的感测线。
请参考图2,图2为本发明实施例一有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)显示器系统20的示意图。如图2所示,有机发光二极管显示器系统20包含一面板200及一驱动集成电路210。面板200包含多个子像素,以矩阵形式布置,面板200可通过多条导线耦接到驱动集成电路210。为方便说明,图2仅示出4个子像素P1~P4及5条导线L1~L5,但本领域的技术人员应当了解,面板200可能包含数百或数千列子像素及导线。
如图2所示,每一子像素具有2个接触点,用以通过两条导线连接到驱动集成电路210。举例来说,子像素P1通过导线L1及L2连接于驱动集成电路210,子像素P2通过导线L2及L3连接于驱动集成电路210,并依此类推。通过这样的方式,每一条导线可由两相邻子像素共享。举例来说,导线L2可由子像素P1及P2共享,导线L3可由子像素P2及P3共享,并依此类推。由于导线的共享,相较于图1中面板100的导线数量,面板200所需的导线数量可大幅降低。在此例中,若面板200上包含N列子像素时,只需要N+1条导线即足以实现有机发光二极管显示器系统20中的数据显示及外部补偿操作,同时,驱动集成电路210的端口数量也可大幅降低。
在一显示模式中,面板200可根据来自于驱动集成电路210的数据来显示图像,此数据可通过每一列导线传送到每一列子像素以进行显示。举例来说,子像素P1可从导线L1接收数据,子像素P2可从导线L2接收数据,并依此类推。在一补偿模式中,驱动集成电路210可对面板200上的组件执行外部补偿,此时驱动集成电路210可通过一导线对一子像素中的组件进行编程,并通过另一导线对该组件进行感测。举例来说,驱动集成电路210可通过导线L1对子像素P1中的组件进行编程,并通过导线L2对子像素P1中的该组件进行感测;驱动集成电路210可通过导线L2对子像素P2中的组件进行编程,并通过导线L3对子像素P2中的该组件进行感测。
更明确来说,如图2所示,对子像素P1而言,由导线L1出发并朝向子像素P1的一接触点的箭头表示导线L1可作为一数据线,用来以一特定电压信号对子像素P1中的组件进行编程;由子像素P1的另一接触点出发并朝向导线L2的箭头表示导线L2可作为一感测线,用来接收子像素P1中的该组件的电气特性。对子像素P2而言,由导线L2出发并朝向子像素P2的一接触点的箭头表示导线L2可作为一数据线,用来以一特定电压信号对子像素P2中的组件进行编程;由子像素P2的另一接触点出发并朝向导线L3的箭头表示导线L3可作为一感测线,用来接收子像素P2中的该组件的电气特性。依此类推,根据图2所示的箭头方向,本领域的技术人员应可了解面板200上每一子像素的编程及感测操作方式。
在此例中,除了第一列及最后一列导线以外的每一条导线都可交替作为数据线及感测线。因此,整个面板200的编程及感测操作可在两段期间内完成。在第一期间内,驱动集成电路210可通过导线L1对子像素P1中的组件进行编程,并通过导线L2对子像素P1中的组件进行感测。因此,对子像素P1而言,导线L1的编程操作以及导线L2的感测操作可在同一时间执行。同理,驱动集成电路210可在第一期间内,通过导线L3对子像素P3中的组件进行编程,同时通过导线L4对子像素P3中的组件进行感测。在第二期间内,驱动集成电路210可通过导线L2对子像素P2中的组件进行编程,并通过导线L3对子像素P2中的组件进行感测。因此,对子像素P2而言,导线L2的编程操作以及导线L3的感测操作可在同一时间执行。同理,驱动集成电路210可在第二期间内,通过导线L4对子像素P4中的组件进行编程,同时通过导线L5对子像素P4中的组件进行感测。如图2所示,实线箭头代表在第一期间内执行的编程或感测操作,而虚线箭头代表在第二期间内执行的编程或感测操作。
在此情况下,面板200上的子像素可区分为两组子像素。位于第一组子像素的组件在第一期间内进行编程及感测,位于第二组子像素的组件在第二期间内进行编程及感测。在此例中,第一组子像素包含位于奇数列的子像素,即子像素P1、P3、...等,第二组子像素包含位于偶数列的子像素,即子像素P2、P4、...等。
值得注意的是,上述关于编程及感测操作的布置方式仅为本发明众多实施例当中的一种。举例来说,在另一实施例中,位于偶数列的子像素可在第一期间内进行编程及感测,而位于奇数列的子像素则在第二期间内进行编程及感测。为了进一步降低驱动集成电路的端口数量,可在驱动集成电路的输入输出端口与对应于两列子像素的两条导线之间设置一数据选择器(Multiplexer)。在此情况下,驱动集成电路的输入输出端口可通过数据选择器,选择性地与此两条导线进行沟通,此时整个面板的编程及感测操作需要更多时间来完成,如四段期间。如此一来,驱动集成电路的端口数量可再减少一半,使得本发明通过导线共享来实现的外部补偿方法得以应用于小尺寸显示系统,如智能型手机的触摸屏幕。
另外需注意的是,第一期间及第二期间的长度都可任意设定,换句话说,每一次的编程及感测操作可在任意时间长度之内执行。执行编程及感测的时间长度可根据系统需求预先设定,其可相同或不同于一像素数据显示的期间。
请参考图3,图3为本发明实施例另一有机发光二极管显示器系统30的示意图。如图3所示,有机发光二极管显示器系统30包含一面板300及一驱动集成电路310。面板300包含多个子像素,以矩阵形式布置,面板300可通过多条导线耦接到驱动集成电路310。为方便说明,图3中仅示出4个子像素P1’~P4’及4条导线L1’~L4’,但本领域的技术人员应当了解,面板300可能包含数百或数千列子像素及导线。面板300上的子像素布置方式相似于面板200的布置,但两者导线共享的方式并不相同。
在补偿模式中,驱动集成电路310可通过导线L1’对子像素P1’中的组件进行编程,并通过导线L2’对子像素P1’中的该组件进行感测。在另一期间内,驱动集成电路310可通过导线L2’对子像素P2’中的组件进行编程,并通过导线L1’对子像素P2’中的该组件进行感测。通过这样的方式,每两相邻子像素都可共享两条相同导线。由于导线的共享,相较于图1中面板100的导线数量,面板300所需的导线数量可大幅降低。在此例中,若面板300上包含N列子像素且N为偶数时,只需要N条导线即足以实现有机发光二极管显示器系统30中的数据显示及外部补偿操作,同时,驱动集成电路310的端口数量也可大幅降低。
更明确来说,如图3所示,对子像素P1’而言,由导线L1’出发并朝向子像素P1’的一接触点的箭头表示导线L1’可作为一数据线,用来以一特定电压信号对子像素P1’中的组件进行编程;由子像素P1’的另一接触点出发并朝向导线L2’的箭头表示导线L2’可作为一感测线,用来接收子像素P1’中的该组件的电气特性。对子像素P2’而言,由导线L2’出发并朝向子像素P2’的一接触点的箭头表示导线L2’可作为一数据线,用来以一特定电压信号对子像素P2’中的组件进行编程;由子像素P2’的另一接触点出发并朝向导线L1’的箭头表示导线L1’可作为一感测线,用来接收子像素P2’中的该组件的电气特性。依此类推,根据图3所示的箭头方向,本领域的技术人员应可了解面板300上每一子像素的编程及感测操作方式。
同样地,每一条导线都可交替作为数据线及感测线,而整个面板300的编程及感测操作可在两段期间内完成。如图3所示,实线箭头代表在第一期间内执行的编程或感测操作,而虚线箭头代表在第二期间内执行的编程或感测操作。本领域的技术人员可根据上述段落及图3的说明,了解面板300的详细编程及感测操作方式,在此不赘述。
为实现上述编程及感测方法,本发明的驱动集成电路(例如驱动集成电路210或310)可通过以下方式实现。请参考图4,图4为本发明实施例一有机发光二极管显示器系统40及其驱动集成电路的电路结构示意图。有机发光二极管显示器系统40包含一面板400及一驱动集成电路410,其中,驱动集成电路410的详细电路结构显示于图4。如图4所示,驱动集成电路410包含多条导线,耦接于面板上相对应的导线及子像素。驱动集成电路410还包含多个数字模拟转换器(Digital to Analog Converter,DAC)及输出缓冲器,用来对面板上子像素中的组件进行编程,同时包含多个模拟数字转换器(Analog to DigitalConverter,ADC)及数据选择器,用来对面板上子像素中的组件进行感测。这些电路组件都可通过开关器耦接到导线。为方便说明,图4仅示出4条导线DL1~DL4及其相对应的4个数字模拟转换器DAC1~DAC4、4个输出缓冲器B1~B4、2个模拟数字转换器ADC1~ADC2、2个数据选择器MUX1~MUX2及8个开关器SW1~SW8,但本领域的技术人员应当了解,驱动集成电路410可能包含数百或数千条导线及其相对应的电路组件。
详细来说,为描述驱动集成电路410的电路结构,以下说明以导线DL1~DL2及其相对应的电路组件为例。数字模拟转换器DAC1及输出缓冲器B1耦接于导线DL1,数字模拟转换器DAC2及输出缓冲器B2耦接于导线DL2,模拟数字转换器ADC1通过数据选择器MUX1耦接于导线DL1及DL2。此外,开关器SW1耦接于导线DL1及输出缓冲器B1之间,开关器SW2耦接于导线DL1及数据选择器MUX1之间,开关器SW3耦接于导线DL2及数据选择器MUX1之间,开关器SW4耦接于导线DL2及输出缓冲器B2之间。
在显示模式中,驱动集成电路410可发送显示数据到面板400,以进行图像显示。因此,开关器SW1及SW4会导通,使通过数字模拟转换器DAC1~DAC2及输出缓冲器B1~B2传送的显示数据通过,此时开关器SW2及SW3则断开。
在补偿模式中,驱动集成电路410对面板400执行外部补偿。此时,数字模拟转换器DAC1~DAC2及输出缓冲器B1~B2可输出电压信号,以对面板400上的组件进行编程。模拟数字转换器ADC1可对该组件进行感测,以从面板400接收该组件的电气特性。开关器SW1~SW4及数据选择器MUX1则控制驱动集成电路410选择性地执行面板400上组件的编程或感测。假设面板400的导线布置方式相似于面板300的布置,在第一期间内,开关器SW1~SW4及数据选择器MUX1可控制驱动集成电路410通过导线DL1(如图3所示的导线L1’)对面板400上一第一子像素的一第一组件(如图3所示面板300上的子像素P1’中的组件)进行编程,并通过导线DL2(如图3所示的导线L2’)对该第一组件进行感测。接着,在第二期间内,开关器SW1~SW4及数据选择器MUX1可控制驱动集成电路410通过导线DL2(如图3所示的导线L2’)对面板400上一第二子像素的一第二组件(如图3所示面板300上的子像素P2’中的组件)进行编程,并通过导线DL1(如图3所示的导线L1’)对该第二组件进行感测。值得注意的是,图4中电路组件的布置方式也可用于图2的面板200上的组件及子像素布置,并依照相似的方式执行编程及感测操作。在此情况下,第二组件可通过导线DL2进行编程并通过导线DL3(如图2所示的导线L3)进行感测。
图5示出了图4的开关器SW1~SW4的波形。假定控制信号位于较高电平时可控制开关器导通,位于较低电平时可控制开关器断开。在第一期间内,开关器SW1及SW3导通且开关器SW2及SW4断开。因此,耦接于输出缓冲器B1的导线DL1可作为数据线,使数字模拟转换器DAC1及输出缓冲器B1对面板400上子像素中的组件进行编程;耦接于数据选择器MUX1的导线DL2可作为感测线,使模拟数字转换器ADC1接收该组件的电气特性。在第二期间内,开关器SW2及SW4导通且开关器SW1及SW3断开。因此,耦接于数据选择器MUX1的导线DL1可作为感测线,使模拟数字转换器ADC1接收面板400上子像素中的组件的电气特性;耦接于输出缓冲器B2的导线DL2可作为数据线,使数字模拟转换器DAC2及输出缓冲器B2对该组件进行编程。
值得注意的是,开关器SW1~SW4的运作方式可类推到开关器SW5~SW8以及驱动集成电路410中其它开关器。在此情况下,驱动集成电路410中的导线可区分为两组导线,第一组导线中的每一导线都与第二组导线中的一导线相邻。在第一期间内,第一组导线(即位于奇数列的导线,如DL1及DL3)可作为数据线,用来对第一组子像素(位于奇数列的子像素)中的组件进行编程,第二组导线(即位于偶数列的导线,如DL2及DL4)可作为感测线,用来对第一组子像素中的组件进行感测。在第二期间内,第一组导线可作为感测线,用来对第二组子像素(位于偶数列的子像素)中的组件进行感测,第二组导线可作为数据线,用来对第二组子像素中的组件进行编程。如此一来,整个面板的编程及感测操作可在两段期间内完成。
另外需注意的是,在本发明中,驱动集成电路可对数字数据进行处理,并通过数字模拟转换器转换为模拟数据以后再加以输出,同时,来自于面板的感测数据通过模拟数字转换器转换以后,可由驱动集成电路接收。因此,数字模拟转换器及模拟数字转换器都是驱动集成电路中必要的组件。然而,图4中驱动集成电路410的电路结构仅为本发明众多实施方式当中的一种。举例来说,在另一实施例中,输出缓冲器可整合在相对应的数字模拟转换器。在又一实施例中,开关器SW2及SW3可整合在数据选择器MUX1,且开关器SW6及SW7可整合在数据选择器MUX2。此外,开关器可通过任何方式来实现,例如单一晶体管或传输门(transmission gate),但不限于此。
针对面板上子像素的外部补偿,欲进行感测的组件可以是有机发光二极管或薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)。驱动集成电路可根据这些组件的感测结果,在产生显示数据时对有机发光二极管以及薄膜晶体管的参数进行补偿。请参考图6A~6D,图6A~6D为图2中子像素的详细编程及感测操作的示意图。图6A~6D示出了子像素P1~P3及其对应的导线L1~L4,导线L1~L4耦接于一驱动集成电路(未示出)。每一子像素P1~P3包含一有机发光二极管LED1、一驱动薄膜晶体管T1、一电容以及数个功用如同开关器的控制薄膜晶体管。子像素P1~P3具有P型结构,其中,驱动薄膜晶体管T1为P型金氧半场效应管(P-type Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,PMOSFET)。
如图6A所示,驱动集成电路通过导线L1及L3以一极低的电压对子像素P1及P3进行编程,以通过导线L2及L4对有机发光二极管LED1进行感测。在此例中,感测操作是在子像素P1及P3中的有机发光二极管LED1上进行。详细来说,在补偿模式中,控制信号Scan[N]及FB[N]开启对应的控制薄膜晶体管,控制信号EM[N]关闭对应的控制薄膜晶体管。因此,从导线L1及L3输入的极低电压传送到驱动薄膜晶体管T1的栅极,以开启驱动薄膜晶体管T1并使驱动薄膜晶体管T1操作在放大区(linear region),此时驱动薄膜晶体管T1可视为完全导通的开关器。在此情况下,从导线L2及L4输入的感测信号可通过驱动薄膜晶体管T1进入子像素P1及P3中的有机发光二极管LED1,以取得有机发光二极管LED1的电气特性。举例来说,驱动集成电路可在感测线L2上产生一电压信号,以感测通过有机发光二极管LED1的电流,或者在感测线L2上产生一电流信号,以感测有机发光二极管LED1的电压。
值得注意的是,上述感测操作会在感测线(如导线L2及L4)上产生较高电压,此较高电压会关闭相邻于欲感测子像素的子像素(如子像素P2)中的驱动薄膜晶体管。除此之外,在非感测子像素中,驱动薄膜晶体管的栅极和电容可隔离感测线上的感测信号,因而不会干扰欲感测子像素中的感测操作。举例来说,在图6A的子像素P2中,感测信号传送到驱动薄膜晶体管T1的栅极和电容,并不会影响感测结果,且驱动薄膜晶体管T1接收到较高电压而关闭,使得从导线L3输入的编程信号不会进入子像素P2中的有机发光二极管LED1。如图6A~6D所示,标记在薄膜晶体管上的“叉号”代表该薄膜晶体管断开或关闭。因此,子像素P2可隔离子像素P1及P3中的编程及感测操作,可避免不同子像素的运作互相干扰。
在本发明的一范例实施例中,电源电压VDD为8V而接地电压VSS为0V。从导线L1及L3输入的编程信号为一极低的电压,如0V,使得子像素P1及P3中的驱动薄膜晶体管操作在放大区。导线L2及L4上感测信号的电压等于6V。在此例中,编程及感测操作是针对位于奇数列的子像素中的有机发光二极管LED1。
如图6B所示,驱动集成电路通过导线L1及L3以一相对低的电压对子像素P1及P3进行编程,以通过导线L2及L4对驱动薄膜晶体管T1进行感测。在此例中,感测操作是在子像素P1及P3中的驱动薄膜晶体管T1上进行。详细来说,在补偿模式中,控制信号Scan[N]及FB[N]开启对应的控制薄膜晶体管,控制信号EM[N]关闭对应的控制薄膜晶体管。因此,从导线L1及L3输入的相对低电压传送到驱动薄膜晶体管T1的栅极,以开启驱动薄膜晶体管T1并使驱动薄膜晶体管T1操作在饱和区(saturation region)。在此情况下,从导线L2及L4输入的感测信号可通过驱动薄膜晶体管T1进入子像素P1及P3中的有机发光二极管LED1,而感测电压及电流会遵循操作在饱和区的金氧半场效应管的电流/电压特性。因此,驱动集成电路可同时取得驱动薄膜晶体管T1及有机发光二极管LED1的电气特性。通过减去有机发光二极管LED1的部分(其可在图6A的实施例中取得),驱动集成电路可取得驱动薄膜晶体管T1的电气特性。
同样地,在图6B所示的子像素P2中,具有较高电压的感测信号传送到驱动薄膜晶体管T1的栅极和电容,其不会影响感测结果,且驱动薄膜晶体管T1接收到较高电压而关闭,使得从导线L3输入的编程信号不会进入子像素P2中的有机发光二极管LED1。因此,子像素P2可隔离子像素P1及P3中的编程及感测操作,可避免不同子像素的运作互相干扰。
在本发明的一范例实施例中,电源电压VDD为8V而接地电压VSS为0V。从导线L1及L3输入的编程信号为一相对低的电压,如4V,使得子像素P1及P3中的驱动薄膜晶体管操作在饱和区。导线L2及L4上感测信号的电压等于6V。在此例中,编程及感测操作是针对位于奇数列的子像素中的驱动薄膜晶体管T1及有机发光二极管LED1,减去有机发光二极管LED1的部分以后即可取得驱动薄膜晶体管T1的相关信息。
如图6C所示,驱动集成电路通过导线L2以一极低的电压对子像素P2进行编程,以通过导线L3对有机发光二极管LED1进行感测。在此例中,感测操作是在子像素P2中的有机发光二极管LED1上进行。更明确来说,编程及感测操作是针对位于偶数列的子像素中的有机发光二极管LED1。相较于图6A的实施例而言,在图6C的实施例中导线扮演不同角色,即,位于奇数列的导线(如L1、L3、...等)可作为感测线,用来接收位于偶数列的子像素中的有机发光二极管LED1的电气特性,位于偶数列的导线(如L2、L4、...等)可作为数据线,用来对位于偶数列的子像素进行编程。根据图6C的内容及上述说明,本领域的技术人员应可推知位于偶数列的子像素中的有机发光二极管LED1的详细编程及感测操作方式,在此不赘述。
如图6D所示,驱动集成电路通过导线L2以一相对低的电压对子像素P2进行编程,以通过导线L3对驱动薄膜晶体管T1进行感测。在此例中,感测操作是在子像素P2中的驱动薄膜晶体管T1上进行。更明确来说,编程及感测操作是针对位于偶数列的子像素中的驱动薄膜晶体管T1。相较于图6B的实施例而言,在图6D的实施例中导线扮演不同角色,即,位于奇数列的导线(如L1、L3、...等)可作为感测线,用来接收位于偶数列的子像素中的驱动薄膜晶体管T1的电气特性,位于偶数列的导线(如L2、L4、...等)可作为数据线,用来对位于偶数列的子像素进行编程。根据图6D的内容及上述说明,本领域的技术人员应可推知位于偶数列的子像素中的驱动薄膜晶体管T1的详细编程及感测操作方式,在此不赘述。
值得注意的是,本发明的编程及感测操作也适用于具有N型结构的子像素,详述如下。
请参考图7A~7D,图7A~7D为图2中子像素的详细编程及感测操作的示意图。图7A~7D示出了子像素P1~P3及其对应的导线L1~L4,导线L1~L4耦接于一驱动集成电路(未示出)。每一子像素P1~P3包含一有机发光二极管LED2、一驱动薄膜晶体管T2、一电容以及数个功用如同开关器的控制薄膜晶体管。子像素P1~P3具有N型结构,其中,驱动薄膜晶体管T2为N型金氧半场效应管(N-type Metal-Oxide Semiconductor Field-EffectTransistor,NMOSFET)。
如图7A所示,驱动集成电路通过导线L1及L3以一相对低的电压对子像素P1及P3进行编程,以通过导线L2及L4对有机发光二极管LED2进行感测。在此例中,感测操作是在子像素P1及P3中的有机发光二极管LED2上进行。详细来说,在补偿模式中,控制信号Scan[N]及FB_O[N]开启对应的控制薄膜晶体管,控制信号FB_E[N]关闭对应的控制薄膜晶体管。因此,从导线L1及L3输入的相对低电压传送到驱动薄膜晶体管T2的栅极,以关闭驱动薄膜晶体管T2并使驱动薄膜晶体管T2操作在截止区(cut-off region),此时驱动薄膜晶体管T2可视为完全断开的开关器。在此情况下,从导线L2及L4输入的感测信号可进入子像素P1及P3中的有机发光二极管LED2,而不会受到驱动薄膜晶体管T2的干扰,进而取得有机发光二极管LED2的电气特性。
值得注意的是,上述感测操作会在感测线(如导线L2及L4)上产生较高电压,此较高电压会开启相邻于欲感测子像素的子像素(如子像素P2)中的驱动薄膜晶体管。然而,控制信号FB_E[N]可关闭其对应的控制薄膜晶体管,以避免编程信号进入非感测子像素。除此之外,在非感测子像素中,驱动薄膜晶体管的栅极和电容可隔离感测线上的感测信号,因而不会干扰欲感测子像素中的感测操作。举例来说,在图7A的子像素P2中,感测信号传送到驱动薄膜晶体管T2的栅极和电容,并不会影响感测结果,且子像素P2中最右侧的控制薄膜晶体管受控于控制信号FB_E[N]而关闭,使得从导线L3输入的编程信号不会进入子像素P2中的有机发光二极管LED2。同样地,如图7A~7D所示,标记在薄膜晶体管上的“叉号”代表该薄膜晶体管断开或关闭。因此,子像素P2可隔离子像素P1及P3中的编程及感测操作,可避免不同子像素的运作互相干扰。
在本发明的一范例实施例中,电源电压VDD为8V而接地电压VSS为0V。从导线L1及L3输入的编程信号为一相对低的电压,如3V,其关闭子像素P1及P3中的驱动薄膜晶体管。导线L2及L4上感测信号的电压等于5V。在此例中,编程及感测操作是针对位于奇数列的子像素中的有机发光二极管LED2。
如图7B所示,驱动集成电路通过导线L1及L3以一相对高的电压对子像素P1及P3进行编程,以通过导线L2及L4对驱动薄膜晶体管T2进行感测。在此例中,感测操作是在子像素P1及P3中的驱动薄膜晶体管T2上进行。详细来说,在补偿模式中,控制信号Scan[N]及FB_O[N]开启对应的控制薄膜晶体管,控制信号FB_E[N]关闭对应的控制薄膜晶体管。因此,从导线L1及L3输入的相对高电压传送到驱动薄膜晶体管T2的栅极,以开启驱动薄膜晶体管T2并使驱动薄膜晶体管T2操作在饱和区。在此情况下,从导线L2及L4输入的感测信号可进入子像素P1及P3中的驱动薄膜晶体管T2,而感测电压及电流会遵循操作在饱和区的金氧半场效应管的电流/电压特性。因此,驱动集成电路可取得驱动薄膜晶体管T2的电气特性。
值得注意的是,上述感测操作会在感测线(如导线L2及L4)上产生较低电压,此较低电压会关闭相邻于欲感测子像素的子像素(如子像素P2)中的驱动薄膜晶体管。除此之外,在非感测子像素中,驱动薄膜晶体管的栅极和电容可隔离感测线上的感测信号,因而不会干扰欲感测子像素中的感测操作。举例来说,在图7B的子像素P2中,具有较低电压的感测信号传送到驱动薄膜晶体管T2的栅极和电容,并不会影响感测结果,且驱动薄膜晶体管T2接收到较低电压而关闭,受控于控制信号FB_E[N]的控制薄膜晶体管也关闭,使得从导线L3输入的编程信号不会进入子像素P2。因此,子像素P2可隔离子像素P1及P3中的编程及感测操作,可避免不同子像素的运作互相干扰。
在本发明的一范例实施例中,电源电压VDD为8V而接地电压VSS为0V。从导线L1及L3输入的编程信号为一相对高的电压,如5V,使得子像素P1及P3中的驱动薄膜晶体管操作在饱和区。导线L2及L4上感测信号的电压等于3V。在此例中,编程及感测操作是针对位于奇数列的子像素中的驱动薄膜晶体管T2。
如图7C所示,驱动集成电路通过导线L2以一相对低的电压对子像素P2进行编程,以通过导线L3对有机发光二极管LED2进行感测。在此例中,感测操作是在子像素P2中的有机发光二极管LED2上进行。更明确来说,编程及感测操作是针对位于偶数列的子像素中的有机发光二极管LED2。相较于图7A的实施例而言,在图7C的实施例中导线扮演不同角色,即,位于奇数列的导线(如L1、L3、...等)可作为感测线,用来接收位于偶数列的子像素中的有机发光二极管LED2的电气特性,位于偶数列的导线(如L2、L4、...等)可作为数据线,用来对位于偶数列的子像素进行编程。根据图7C的内容及上述说明,本领域的技术人员应可推知位于偶数列的子像素中的有机发光二极管LED2的详细编程及感测操作方式,在此不赘述。
如图7D所示,驱动集成电路通过导线L2以一相对高的电压对子像素P2进行编程,以通过导线L3对驱动薄膜晶体管T2进行感测。在此例中,感测操作是在子像素P2中的驱动薄膜晶体管T2上进行。更明确来说,编程及感测操作是针对位于偶数列的子像素中的驱动薄膜晶体管T2。相较于图7B的实施例而言,在图7D的实施例中导线扮演不同角色,即,位于奇数列的导线(如L1、L3、...等)可作为感测线,用来接收位于偶数列的子像素中的驱动薄膜晶体管T2的电气特性,位于偶数列的导线(如L2、L4、...等)可作为数据线,用来对位于偶数列的子像素进行编程。根据图7D的内容及上述说明,本领域的技术人员应可推知位于偶数列的子像素中的驱动薄膜晶体管T2的详细编程及感测操作方式,在此不赘述。
上述关于有机发光二极管显示器系统的编程及感测操作可归纳为一外部补偿流程80,如图8所示。外部补偿流程80可在驱动集成电路中执行,其包含以下步骤:
步骤800:开始。
步骤802:在一第一期间内,通过一第一导线对多个子像素的一第一子像素中的一第一组件进行编程,并通过一第二导线对该第一组件进行感测。
步骤804:在一第二期间内,通过第二导线对多个子像素的一第二子像素中的一第二组件进行编程,并通过第一导线或一第三导线对该第二组件进行感测。
步骤806:结束。
外部补偿流程80的详细操作及变化方式可参考上述说明,在此不赘述。
综上所述,本发明提供了一种用于面板的外部补偿方法以及可对面板执行外部补偿方法的驱动集成电路。根据外部补偿方法,每一列导线可作为数据线或感测线,由相邻子像素共享。位于奇数列子像素的组件以及位于偶数列子像素的组件交替地进行编程及感测操作。换句话说,位于奇数列子像素的组件可在第一期间内进行编程及感测,而位于偶数列子像素的组件可在第二期间内进行编程及感测。在驱动集成电路中,模拟数字转换器可由两相邻导线共享,可降低驱动集成电路中的模拟数字转换器数量,进而降低驱动集成电路的成本。除此之外,本发明的外部补偿方法可用于任何结构的子像素,如P型结构或N型结构。通过本发明的外部补偿方法,若面板上包含N列子像素时,只需要N或N+1条导线即足以实现数据显示及外部补偿操作,同时,驱动集成电路的端口数量也可大幅降低。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种外部补偿方法,用于一面板上的组件,该面板包含多个子像素,该外部补偿方法包含:
在一第一期间内,通过输出一第一电压或电流信号到一第一导线以对该多个子像素的一第一子像素中的一第一组件进行编程,并对应该第一组件的编程通过一第二导线对该第一组件进行感测;以及
在一第二期间内,通过输出一第二电压或电流信号到该第二导线以对该多个子像素的一第二子像素中的一第二组件进行编程,并对应该第二组件的编程通过该第一导线或一第三导线对该第二组件进行感测;
其中,该第一组件及该第二组件是该面板中的一有机发光二极管或一薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的外部补偿方法,其特征在于,该第二子像素与该第一子像素相邻。
3.如权利要求1所述的外部补偿方法,其特征在于,该多个子像素被区分为一第一组子像素及一第二组子像素,位于该第一组子像素的该组件在该第一期间内进行编程及感测,且位于该第二组子像素的该组件在该第二期间内进行编程及感测。
4.如权利要求3所述的外部补偿方法,其特征在于,该第一组子像素包含该多个子像素中位于奇数列的子像素,该第二组子像素包含该多个子像素中位于偶数列的子像素。
5.一种用于一面板的驱动集成电路,用来对该面板执行外部补偿,该驱动集成电路包含:
多条导线;
一第一数字模拟转换器及一第一输出缓冲器,耦接于该多条导线中的一第一导线;
一第二数字模拟转换器及一第二输出缓冲器,耦接于该多条导线中的一第二导线;
一数据选择器;
一模拟数字转换器,通过该数据选择器耦接于该第一导线及该第二导线;
一第一开关器,耦接于该第一导线及该第一输出缓冲器之间;
一第二开关器,耦接于该第一导线及该数据选择器之间;
一第三开关器,耦接于该第二导线及该数据选择器之间;以及
一第四开关器,耦接于该第二导线及该第二输出缓冲器之间。
6.如权利要求5所述的驱动集成电路,其特征在于,该第一开关器、该第二开关器、该第三开关器、该第四开关器及该数据选择器控制该驱动集成电路选择性地通过该第一导线对该面板上一第一子像素中的一第一组件进行编程并通过该第二导线对该第一组件进行感测,或通过该第二导线对该面板上一第二子像素中的一第二组件进行编程并通过该第一导线或一第三导线对该第二组件进行感测。
7.如权利要求5所述的驱动集成电路,其特征在于,该多条导线被区分为一第一组导线及一第二组导线,且该第一组导线中的每一导线都与该第二组导线中的一导线相邻。
8.如权利要求7所述的驱动集成电路,其特征在于,该驱动集成电路在一第一期间内,通过该第一组导线对该面板上多个第一组件进行编程并通过该第二组导线对该多个第一组件进行感测,以及在一第二期间内,通过该第二组导线对该面板上多个第二组件进行编程并通过该第一组导线对该多个第二组件进行感测。
9.如权利要求7所述的驱动集成电路,其特征在于,该第一组导线包含该多条导线中位于奇数列的导线,该第二组导线包含该多条导线中位于偶数列的导线。
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