CN107452685A - 印刷光伏模块的制造方法和相关光伏模块 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 44
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 4
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000010022 rotary screen printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 3
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 41
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical class [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000005487 naphthalate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole-5,6-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)C(=O)N=C21 FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
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- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
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Abstract
本发明涉及一种光伏模块的制造方法和相关光伏模块。光伏模块包括电连接的至少两个多层结构的光伏电池。该方法包括:在衬底上设置间隔开的、沿网络横跨方向延伸的多个第一电极带;在第一电极带层上设置沿网络顺延方向延伸的绝缘材料制成的至少一个绝缘带,各绝缘带限定连接区域和活性区域。包括光敏半导体材料制成的全网涂层的功能叠层形成在第一层上且在活性区域内。在活性区域内设置间隔开的多个第二电极带,各第二电极带沿网络横跨方向延伸以形成光伏电池,并通过如下方式将相邻的至少两个光伏电池电连接来形成光伏模块:电连接图案在绝缘带上延伸,以在一个或多个连接区域内将一光伏电池的第二电极带电连接至相邻光伏电池的第一电极带。
Description
技术领域
本发明涉及一种光伏模块的制造方法,该光伏模块包括电连接的至少两个光伏电池,每个光伏电池都具有沉积在具有网络顺延方向和网络横跨方向的衬底上的多层结构。本发明还涉及一种相关的光伏模块。
本发明属于光伏模块的制造领域。
背景技术
光伏电池是当其暴露于光(光子)下时会通过作为产生电力现象的起源的光伏效应而产生电力的一种电子部件。所获得的电流与入射光功率相关。光伏电池传送DC(直流)电压。
对于光伏电池而言,光伏效应是通过半导体材料的性质来获得的。
表述“半导体”是指一种具有绝缘体的电特性的材料,但是对于该材料而言,尽管电子对电流作出贡献的概率较低,但是这也是不可忽略的。换句话说,半导体的电导率介于金属的电导率和绝缘体的电导率之间。
本发明更具体地涉及有机光伏电池和模块的领域,该有机光伏领域通常由以“有机光伏”(organic photovoltaic)的首字母缩略词OPV来表示。
有机光伏电池是一种特殊的光伏电池,其形成为多层结构,该多层结构具有第一导电材料制成的第一电极层或底部电极、至少一个有源层,以及第二导电材料制成的第二电极层或顶部电极,其中,所述有源层由形成光敏半导体材料的有机分子或聚合物制成。
只要半导体包括作为由以下项形成的基团的一部分的至少一个键:碳原子和氢原子之间的共价键、碳原子和氮原子之间的共价键,又或者碳原子和氧原子之间的键,则认为半导体是有机的。
有机半导体材料具有禁带,该禁带的宽度界定了被提供给电子以使该电子从基态转变到激发态的最小能量。该能量例如被提供为光能。
当单个OPV电池暴露于光时,其会生成给定电压和给定电流。
为了增大由太阳能产生的DC电压,已知将多个光伏电池串联连接。例如,通过将多个有机光伏电池电连接,以形成有机光伏模块。
制造由电连接的有机光伏电池组成的有机光伏模块可以通过“辊对辊”(roll-to-roll,R2R)方法实现,该方法发表在2009年4月的“太阳能材料和太阳能电池”中的“Polymersolar cell modules prepared using roll-to-roll methods:Knife-over-edgecoating,slot-die coating and screen printing(使用辊对辊方法制备聚合物太阳能电池模块:边缘刀涂布,狭缝模具涂布以及丝网印刷)”。这些方法允许进行连续和有效的制造,因为衬底呈现为按照纵向方向缠绕的数十或数百米的一大卷,并且在解绕衬底的同时,几乎连续地在衬底上对层施加涂布工艺。
已知为倒置结构的有机光伏电池在具有网络顺延方向或纵向方向,网络横跨方向或横向方向的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底上形成为五层的多层结构。通过按照纵向方向进行图案化或涂布来形成层,以沿着纵向方向产生多个基本上平行的光伏电池。电池具有给定的宽度,并且施加横向位移以将电池的底部电极层电连接到纵向方向上的后续电池的顶部电极层。
为了实现光伏电池之间的电连接而施加的横向位移同样被专利申请WO 2013/152952 A1所公开。为了根据该方法进行电连接,需要高精度地执行横向位移,这使得制造工艺变得复杂。
现有技术所包括的其它方法提出使用图案化技术(例如,阴影掩模)来降低精确对准的必要性。然而,这样的方法阻碍了通过连续制造方法(例如,R2R方法)获得的经改良的工艺的优点。
发明内容
本发明旨在弥补现有技术的缺点。
为此,根据第一方面,本发明提出一种光伏模块的制造方法,所述光伏模块包括电连接的至少两个光伏电池,每个光伏电池为沉积在具有网络顺延方向和网络横跨方向的衬底上的多层结构。
该方法包括以下步骤:
-a)在所述衬底上设置间隔开的第一导电材料制成的多个第一电极带,每个第一电极带沿所述网络横跨方向延伸以形成第一导电材料层,
-b)在所述第一导电材料层上沿所述网络顺延方向设置绝缘材料制成的至少一个绝缘带,每个绝缘带限定连接区域和活性区域,
-c)在所述第一导电材料层上、所述活性区域内设置包括功能叠层,该功能叠层包括光敏半导体材料制成的全网涂层,
-d)在所述功能叠层上、所述活性区域内设置间隔开的第二导电材料制成的多个第二电极带,每个第二电极带沿所述网络横跨方向延伸,每个第二电极带按照预定对准图案与相应的第一电极带对准以形成光伏电池,并且通过如下方式将至少两个相邻的光伏电池电连接:设置电连接图案在所述绝缘带上延伸,以在一个或多个连接区域内将一光伏电池的第二电极带电连接至相邻的光伏电池的第一电极带。
有利地,所提出的光伏模块的制造方法使得光伏电池的串联电连接更简单,同时保持了连续制造工艺的优点。
有利地,任意数量的光伏电池都可以串联电连接,从而允许生成应用所需的任何输出电压。
本发明的方法还包括从属权利要求所示的、独立地采取的或根据技术上可接受的任何组合的特征。
根据另一方面,本发明涉及一种光伏模块,该光伏模块包括电连接的至少两个光伏电池,每个光伏电池为沉积在具有网络顺延方向和网络横跨方向的衬底上的多层结构。
光伏模块包括:
-所述衬底上的间隔开的、第一导电材料制成的至少两个第一电极带,每个第一电极带沿所述网络横跨方向延伸以形成第一导电材料层,
-所述第一导电材料层上、沿所述网络顺延方向延伸的绝缘材料制成的至少一个绝缘带,每个绝缘带限定连接区域和活性区域,
-所述第一导电材料层上、所述活性区域内的功能叠层,该功能叠层包括光敏半导体材料制成的全网涂层,
-所述功能叠层上、所述活性区域内的间隔开的第二导电材料制成的至少两个第二电极带,每个第二电极带沿所述网络横跨方向延伸,每个第二电极带按照预定对准图案与相应的第一电极带对准以形成光伏电池(4i),以及
-电连接图案,该电连接图案在所述绝缘带上延伸以在一个或多个连接区域内将一光伏电池的第二电极带电连接至相邻的光伏电池的第一电极带。
根据一个实施例,每个第一电极带对于具有可见光谱中的波长的光波而言是透明的。
根据一个实施例,每个第二电极带对于具有可见光谱中的波长的光波而言是透明的。
本发明有利地应用于制造有机光伏模块,该有机光伏模块包括电连接的至少两个有机光伏电池。
附图说明
根据下面列出的详细描述和附图,将更好地理解本发明,这些附图仅是示例性的,而非限制性的:
-图1示意性地示出了根据实施例的有机光伏电池的横向截面;
-图2是根据实施例的制造方法的主要步骤的流程图;
-图3至图7是图2的制造工艺的中间结果的俯视图;
-图8示出了根据本发明的有机光伏模块的多个布局。
具体实施方式
在下文中针对本发明在制造有机光伏模块中的应用进行说明。
根据本发明的一个实施例,如图1、图3至图7所示,有机光伏模块2由多个有机光伏电池4i组成。
每个有机光伏电池4由衬底6上的层形成,该衬底6是优选地由PET类材料(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或PEN类材料(聚萘二甲酸乙二醇酯)、金属箔或柔性玻璃制成的柔性片。
有机光伏模块的制造工艺是称之为辊对辊工艺的连续工艺,其中,用于形成有机光伏电池的后续层通过涂布或印刷沉积在衬底辊上。
我们将衬底6的网络顺延方向或纵向方向称为X方向,以及将衬底的网络横跨方向或横向方向称之为Y方向。
衬底6在网络顺延方向X上具有第一外部边界6a和第二外部边界6b。
形成有机光伏电池的多个层按照被称为Z方向的叠层方向沉积在衬底上。
图1是有机光伏电池4i在(Y,Z)平面内的示意图,而图3至图7表示(X,Y)平面内的各个连续层。
柔性衬底6具有给定的宽度W和厚度z,厚度z优选地介于50μm与500μm之间,优选地为125μm。
图2是根据本发明的实施例应用的制造工艺的主要步骤的流程图。
制造工艺的第一步骤100包括在衬底6上设置多个(N个)间隔开的、第一导电材料制成的第一电极带,每个第一电极带8i沿横向方向延伸以形成第一导电材料层10。
图3至图7中示出了多个(N=8)第一电极带81、82...8i+1。应当理解的是,可以提供任何数量N的第一电极带8n。
第一电极带8i明显地按照网络横跨方向Y平行,并且相邻的两个第一电极带8i与8i+1间隔的行宽为r,r优选地介于100μm与1000μm之间。
因此,第一电极带按照第一预定对准或配准图案设置在衬底6上。
每个第一电极带8i具有长度yB、宽度xB和厚度zB,长度yB等于或略小于衬底6的宽度W,宽度xB优选地介于5mm与15mm之间。
第一电极带8i由第一导电材料制成。
合适的导电材料例如包括导电金属、导电合金、导电聚合物以及导电金属氧化物。
导电金属例如包括金、银、铜、铝、镍、钯、铂以及钛。
导电合金例如包括不锈钢(例如,不锈钢,不锈钢)、金合金、银合金、铜合金、铝合金、镍合金、钯合金、铂合金以及钛合金。
导电聚合物例如包括聚噻吩(例如,掺杂的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(掺杂的PEDOT)、聚苯胺(例如掺杂的聚苯胺)、聚吡咯(例如,掺杂的聚吡咯)。
导电金属氧化物例如包括氧化铟锡(ITO)、氟化氧化锡、氧化锡以及氧化锌。
在一些实施例中,上述导电金属氧化物可以是经过掺杂的。在一些实施例中,第一导电材料可以包括多层材料,诸如,ITO/金属/ITO材料或电介质/金属/电介质材料。在一些实施例中,可以使用上述材料的组合。
优选地,第一导电材料对于具有可见光谱中的波长的光波而言是透明的。
优选地,第一电极带8i通过湿法工艺(包括柔性版印刷、旋转丝网印刷、喷墨印刷)被施加至衬底6上。
在图3所示的实施例中,每个第一电极带8i涂布或印刷有栅格部分12i。每个栅格部分12i具有长度yG和宽度xG,长度yG小于第一电极带8i的长度yB,宽度xG小于第一电极带8i的宽度xB。
每个栅格部分的长度yG小于或等于如下文所详细描述的活性区域18的宽度W1。
有利地,栅格部分12i提高了电池和模块的透明度。透明度对于将模块集成到终端用户应用而言是有价值的属性。
在设置间隔开的多个第一电极带的步骤100之后是在第一导电材料层10上设置绝缘带14a、14b的步骤110,绝缘带14a、14b沿着网络顺延方向X沉积或印刷的在第一电极带8i的各部分上。
在一个实施例中,如图4示意性所示出的那样,绝缘带14a、14b连续地沉积在第一层10上。
可以在衬底的中间区域中涂布一个或多个附加的绝缘带对,以便限定平行的两组串联连接的电池,从而产生具有较小宽度的两个不同模块,这两个模块可以同时被涂布。
每个绝缘带14a、14b沿纵向方向延伸,并且具有沿网络横跨方向Y的宽度W2以及厚度z3,W2介于0.5mm与1.5mm之间且优选等于1mm,厚度z3介于10μm与25μm之间。
每个绝缘带在与外部边界相距给定距离Da、Db处被沉积成明显地平行于衬底6的相应外部边界6a、6b。
优选地,每侧的距离Da、Db均为10mm。
每个绝缘带14a、14b限定了介于的外部连接区域16a、16b与活性区域18之间的边界,该外部连接区域16a、16b包括第一电极带的多个平坦的第一导电材料部分。
活性区域18沿着作为网络横跨方向的Y方向的尺寸为W1,该尺寸也称为活性区域宽度。
每个连接区域16a、16b沿着网络横跨方向的尺寸(也称为连接区域宽度)分别等于Da、Db。
每个连接区域宽度Da、Db被选择成使得连接区域包括允许形成如下文所述的电连接的第一电极带的平坦的第一导电材料部分。
绝缘带14a、14b通过湿法工艺(包括狭缝模具涂布、柔性版印刷、丝网印刷、喷墨印刷)来施加。
在一个实施例中,绝缘带由诸如单体材料制备的聚合物之类的绝缘材料制成,该单体材料例如为胺、丙烯酸酯、环氧树脂、聚氨酯或上述项的组合。
当这些单体材料在室温下为液体形式时,这些单体材料可以通过溶剂涂布到衬底上或不使用溶剂就直接涂布到衬底上。
单体材料(例如,胺和环氧化物)可以混合、涂布在衬底上,以及经过热处理以产生透明或半透明的聚合物作为绝缘体。
在设置绝缘带14a、14b的步骤110之后是步骤120,在步骤120中,在活性区域18中设置一个或多个全网涂层,形成功能叠层20,其结果在图1和图5中示意性地示出。
在一个实施例中,功能叠层20被构造为三层的叠加,其包括第一中间层22、光敏层24和第二中间层26,第一中间层22设置在活性区域18内,光敏层24设置在第一中间层22上且在活性区域18内,第二中间层26设置在光敏层24上且在活性区域18内。
在一个替代实施例中,功能叠层20被构造为单个光敏层24。
光敏层24是沉积或印刷在活性区域内的光敏半导体材料制成的全网涂层。
光敏半导体材料由电子施主材料(也称为n型材料)和电子受主材料(也称为p型材料)的混合物构成。这些半导体材料可以是分子材料(molecule)、低聚物或者共轭有机聚合物。因此,光敏层24可以是具有电子施主材料和电子受主材料的异质结。
光敏层可以包括有机电子施主材料和有机电子受主材料。合适的有机电子施主材料包括共轭聚合物,例如,聚噻吩(例如,聚(3-己基噻吩)(P3HT)或者聚(亚苯基亚乙烯基)(PPV)、小分子(例如,DTS-(FBTTH2)2、IBTP、IDF、DTS-(PTTH2)、硼二吡咯、二酮吡咯并吡咯、低聚噻吩、靛蓝、喹吖啶酮、部花青、方酸的小分子。
合适的有机电子受主材料包括富勒烯(例如,替代富勒烯,例如,[6,6]-苯基C61-酸甲酯(C61-PCBM)和[6,6]-苯基C71-丁酸甲酯(C71-PCBM))。
可替代地,光敏层24可由诸如钙钛矿材料之类的有机/无机混合材料构成。
第一中间层22和第二中间层26形成界面层,该界面层由适于执行根据光敏层24的半导体材料选择进行电子或空穴的输运或注入的p型或n型半导体材料制成。
例如,第一中间层22和第二中间层26由半导体材料制成。
第一中间层22、光敏层24以及第二中间层26分别通过湿法工艺(包括狭缝模具涂布、柔性版印刷、丝网印刷、喷墨印刷)来施加。
在一个实施例中,第一中间层22是通过湿法工艺施加到由包括氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiOx)、碳酸铯Cs2CO3、聚乙烯亚胺(PEI)在内的半导体材料制成的第一导电层10上的导电层。
在一个实施例中,第二中间层26是空穴输运层,该空穴输运层通过湿法工艺被施加到由包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS),三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)在内的半导体材料制成的光敏层24上。
在活性区域18内设置功能叠层20的步骤120之后是步骤130a,在步骤130a中,如图1和图6所示,在功能叠层20上、活性区域18内设置第二电极层30,该第二电极层30由间隔开的第二导电材料制成的多个(N个)第二电极带28i组成。
多个第二电极带形成第二导电层30。
每个第二电极带28i沿网络横跨方向延伸,并且按照第二预定对准图案与相应的第一电极带对准以形成有机光伏电池4i。
图6中示出了多个(N=8)第二电极带281、282、...、28i+1。
第二电极带28i由第二导电材料制成。
如已经针对第一导电材料描述的那样,合适的导电材料例如包括导电金属、导电合金、导电聚合物以及导电金属氧化物。
在一个实施例中,所使用的第二导电材料与所使用的第一导电材料相同。
优选地,第二导电材料对于具有可见光谱中的波长的光波而言是透明的。
优选地,第二电极带28i通过湿法工艺(包括柔性版印刷、旋转丝网印刷、喷墨印刷)被施加至第二中间层26上。
每个有机光伏电池4i由下列项组成:第一电极带8i的叠层,第一电极带8i可选地在活性区域18内以栅格方式涂布有栅格部分12i;活性区域18内的功能叠层20,该功能叠层在一个实施例中是通过包括光敏层的半导体层的叠加形成的;以及第二电极带28i,第二电极带28i按照通过配准工艺制成的第二预定对准图案与第一电极带对准。
每个第二电极带沿Y方向的长度为yT,沿X方向的宽度为xT,以及厚度为zT。
长度yT等于或小于活性区域的宽度W1,并且宽度xT等于或小于第一电极带的宽度xB。
第二对准图案使得第二电极带28i位于相应的第一电极带8i的顶部,第二电极带的沿着Y方向的边界明显平行于第一电极带的沿着Y方向的边界,第二电极带28i与相应的第一电极带之间的沿着X方向的位置偏移Offi介于100μm与1000μm之间。
设置间隔开的多个(N个)第二电极带28i的步骤130a之后是步骤130b,在步骤130b中,通过将有机光伏电池4i的第二电极带28i与有机光伏电池4i+1的第一电极带8i+1在连接区域16a、16b内连接,以形成用于电连接相邻有机光伏电池4i、4i+1的串联连接图案。
图1、图6和图7中示意性地示出了这样的电连接图案321、...、32i。
电连接图案32i在绝缘带14a、14b上延伸。
在所示的实施例中,电连接图案具有如图6和图7所示的大致“U形”,用于将第二电极带28i连接到相邻的第一电极带8i+1的连接区域16a、16b。
应当理解的是,可选地,可以在有机光伏电池4i的第一电极带8i与有机光伏电池4i+1的第二电极带28i+1之间实现电连接。
电连接图案32i被设置成使得施加到有机光伏电池4i的第二电极带28i上的导电材料仅与相邻有机光伏电池4i+1的在连接区域16a、16b内的第一电极带接触,而不与所述电池4i+1的任何其它部分接触。
优选地,步骤130a和130b通过对作为具有相同导电材料的第二电极和电连接的单层进行印刷和图案化来在单个步骤130中实现。
优选地,第二电极带28i和电连接32i形成为同一层,并且通过湿法工艺(包括柔性版印刷、旋转丝网印刷、喷墨印刷)被施加到第二中间层26上。
在一个实施例中,第二电极层30由施加到活性区域18内的功能叠层(20)上的强导电材料(<100欧姆/平方)(例如,PEDOT或银纳米线)制成的全网涂层以及施加到该强导电材料的全网涂层的顶部上的、间隔开的金属栅格带组成。例如,间隔开的金属栅格带由银(Ag)制成。
活性区域18内的强导电材料的全网涂层被处理,以在相邻电池之间形成相应的隔离线34i,使得该线34i将有机光伏电池4i与4i+1隔离,并且改善开路电压(Voc)和填充因子(FF)。
优选地,隔离线34i的形成通过激光烧蚀或机械划线来实现。
在一个实施例中,第二中间层26是空穴输运层,并且对第二中间层26进行了处理以进一步隔离相邻电池。
图7示意性地示出了连接相邻的两个有机光伏电池的电流。
有机光伏电池被串联电连接。
在一个实施例中,形成光伏模块的步骤140之后是形成用于电连接相邻有机光伏电池的串联连接,每个光伏模块包括P个的电连接的电池。
有利地,可以选择任何数量P个电池以形成有机光伏模块,通过将经涂布的辊切割成具有所选数量的电池的模块来形成模块,使得可以自定义输出电压。
有利地,所提出的方法适于大规模制造工艺,例如,R2R工艺。
图8示意性地示出了多个架构或布局160a、160b、160c,每个布局的有机光伏电池具有沿着网络顺延方向X的不同宽度,用于产生具有不同的每米电压特性的有机光伏模块。
通过如下方式增大电压:增大形成模块的串联连接的有机光伏电池的数量,或者,换句话说,增大模块的长度,或者通过调节电池的宽度和电池的数量以形成具有相同长度的模块。可以通过增大活性区域18的宽度W1,进而增大每个有机光伏电池的长度yG,从而增大电流。
有利地,所提出的方法允许较高的电压并且降低了功率损耗。
上面已经通过本发明的制造在制造有机光伏模块的特定应用来描述了本发明的制造方法。然而,该方法不限于此实施例。特别地,该方法直接适用于例如使用铜铟镓硒(CIGS)或铜锌锡硫化物(CZTS)层的非有机光伏模块的工业辊对辊印刷方法。
Claims (15)
1.一种光伏模块的制造方法,所述光伏模块包括电连接的至少两个光伏电池,每个光伏电池为沉积在具有网络顺延方向(X)和网络横跨方向(Y)的衬底上的多层结构,
其特征在于,所述方法包括以下步骤:
-a)在所述衬底(6)上设置(100)间隔开的第一导电材料制成的多个第一电极带(8i、8i+1、12i、12i+1),每个第一电极带沿所述网络横跨方向(Y)延伸以形成第一导电材料层(10),
-b)在所述第一导电材料层(10)上沿所述网络顺延方向(X)设置(110)绝缘材料制成的至少一个绝缘带(14a、14b),每个绝缘带(14a、14b)限定连接区域(16a、16b)和活性区域(18),
-c)在所述第一导电材料层(10)上、所述活性区域(18)内设置(120)功能叠层(20),所述功能叠层包括光敏半导体材料制成的全网涂层,
-d)在所述功能叠层(20)上、所述活性区域(18)内设置(130a、130b、130)间隔开的第二导电材料制成的多个第二电极带(28i、28i+1),每个第二电极带(28i、28i+1)沿所述网络横跨方向(Y)延伸,每个第二电极带(28i)按照预定对准图案与相应的第一电极带(8i)对准以形成光伏电池(4i),并且通过如下方式将至少两个相邻的光伏电池(4i、4i+1)电连接:设置电连接图案(32i)在所述绝缘带(14a、14b)上延伸,以在一个或多个连接区域(16a、16b)内将一光伏电池(4i+1)的第二电极带(28i+1)电连接至相邻的光伏电池(4i)的第一电极带(8i)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,步骤c)还包括:
-在所述第一导电材料层(10)上、所述活性区域(18)内设置第一半导体材料制成的第一中间层(22),
-在所述第一中间层(22)上、所述活性区域(18)内设置光敏半导体材料制成的全网涂层(24),以及
-在光敏半导体材料制成的所述全网涂层上、所述活性区域(18)内设置第二半导体材料制成的第二中间层(26),所述全网涂层(24)和所述第二中间层(26)形成所述功能叠层(20)。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一中间层(22)为导电层,所述第一中间层(22)通过湿法工艺被施加至所述第一导电材料层(10)上。
4.根据权利要求2或3所述的方法,其中,所述第二中间层(26)是空穴输运层,所述第二中间层(26)通过湿法工艺被施加至光敏半导体材料制成的所述层(24)上。
5.根据权利要求2至4所述的方法,其中,光敏半导体材料制成的所述全网涂层通过湿法工艺被施加至所述第一中间层(22)上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,间隔开的所述多个第一电极带(8i、12i)是通过湿法工艺来施加和/或构造的,所述湿法工艺包括柔性版印刷、丝网印刷、喷墨印刷。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中,每个第一电极带(8i,12i)对于具有可见光谱中的波长的光波而言是透明的。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,步骤b)包括设置两个绝缘带(14a、14b),每个绝缘带沿所述网络顺延方向、与所述衬底(6)的外部边界(6a、6b)相距预定距离(Da、Db)延伸,以形成边界的两个连接区域(16a、16b)和中间的活性区域(18)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中,所述绝缘带(14a、14b)通过湿法工艺来进行连续沉积,所述湿法工艺包括狭缝模具涂布、柔性版印刷、丝网印刷、喷墨印刷。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,其中,在步骤d)中,所述第二电极带和所述电连接图案是通过对第二导电材料制成的同一层进行印刷和图案化来实现的,其中,所述印刷是通过湿法工艺来实现的,所述湿法工艺包括柔性版印刷、旋转丝网印刷、喷墨印刷。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,其中,步骤d)包括将导电材料制成的全网涂层施加至所述活性区域(18)上,并且将间隔开的金属栅格带施加到半导体材料制成的所述全网涂层上。
12.根据权利要求11和权利要求4所述的方法,还包括穿过导电材料的所述全网涂层并穿过所述第二中间层(22)应用激光烧蚀或机械划线来形成隔离线(34i)。
13.一种光伏模块,包括电连接的至少两个光伏电池,每个光伏电池为沉积在具有网络顺延方向(X)和网络横跨方向(Y)的衬底上的多层结构,
其特征在于,所述光伏模块包括:
-所述衬底(6)的上的间隔开的、第一导电材料制成的至少两个第一电极带(8i、8i+1、12i、12i+1),每个第一电极带沿所述网络横跨方向(Y)延伸以形成第一导电材料层(10),
-所述第一导电材料层(10)上、沿所述网络顺延方向(X)延伸的绝缘材料制成的至少一个绝缘带(14a、14b),每个绝缘带(14a、14b)限定连接区域(16a、16b)和活性区域(18),
-所述第一导电材料层(10)上、所述活性区域(18)内的功能叠层(20),所述功能叠层包括光敏半导体材料制成的全网涂层,
-所述功能叠层(20)上、所述活性区域(18)内的间隔开的第二导电材料制成的至少两个第二电极带(28i、28i+1),每个第二电极带(28i、28i+1)沿所述网络横跨方向(Y)延伸,每个第二电极带(28i)按照预定对准图案与相应的第一电极带(8i)对准以形成光伏电池(4i),以及
-电连接图案(32i),所述电连接图案在所述绝缘带(14a、14b)上以在一个或多个连接区域(16a、16b)内将一光伏电池(4i+1)的第二电极带(28i+1)电连接至相邻的光伏电池(4i)的第一电极带(8i)。
14.根据权利要求13所述的光伏模块,其中,每个第一电极带(8i、12i)对于具有可见光谱中的波长的光波而言是透明的。
15.根据权利要求13或14所述的光伏模块,其中,每个第二电极带(28i)对于具有所述可见光谱中的波长的光波而言是透明的。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16305290.5A EP3220421B1 (en) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | Method of manufacturing printed photovoltaic modules |
EP16305290.5 | 2016-03-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107452685A true CN107452685A (zh) | 2017-12-08 |
Family
ID=55587224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710157977.8A Pending CN107452685A (zh) | 2016-03-16 | 2017-03-16 | 印刷光伏模块的制造方法和相关光伏模块 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10985287B2 (zh) |
EP (1) | EP3220421B1 (zh) |
JP (1) | JP6917739B2 (zh) |
KR (1) | KR102264457B1 (zh) |
CN (1) | CN107452685A (zh) |
AU (1) | AU2017201749B2 (zh) |
BR (1) | BR102017005177A2 (zh) |
DK (1) | DK3220421T3 (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR3083372B1 (fr) * | 2018-06-29 | 2020-06-19 | Dracula Technologies | Cellule photovoltaique et son procede de fabrication |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP2837032B1 (en) | 2012-04-10 | 2021-05-12 | InfinityPV ApS | A photovoltaic module |
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-
2016
- 2016-03-16 DK DK16305290.5T patent/DK3220421T3/da active
- 2016-03-16 EP EP16305290.5A patent/EP3220421B1/en active Active
-
2017
- 2017-03-15 US US15/459,662 patent/US10985287B2/en active Active
- 2017-03-15 JP JP2017049562A patent/JP6917739B2/ja active Active
- 2017-03-15 BR BR102017005177-3A patent/BR102017005177A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2017-03-15 AU AU2017201749A patent/AU2017201749B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-03-16 CN CN201710157977.8A patent/CN107452685A/zh active Pending
- 2017-03-16 KR KR1020170033359A patent/KR102264457B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6917739B2 (ja) | 2021-08-11 |
DK3220421T3 (da) | 2021-06-28 |
US10985287B2 (en) | 2021-04-20 |
JP2017168842A (ja) | 2017-09-21 |
KR102264457B1 (ko) | 2021-06-15 |
AU2017201749A1 (en) | 2017-10-05 |
BR102017005177A2 (pt) | 2017-09-19 |
EP3220421B1 (en) | 2021-04-21 |
KR20170107932A (ko) | 2017-09-26 |
AU2017201749B2 (en) | 2021-12-09 |
EP3220421A1 (en) | 2017-09-20 |
US20170271539A1 (en) | 2017-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20200907 Address after: Fa Guonante Applicant after: Almo solar film Co. Address before: Fa Guonante Applicant before: ARMOR |
|
TA01 | Transfer of patent application right | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20171208 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |