CN107431766B - 使用双栅极tft结构的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

检测器具有按列和行布置的像素阵列。所述像素中的每一者具有光电传感器和开关装置。每对行相邻像素中的所述开关装置连接到共同数据线和共同底部栅极线。一对顶部栅极线各自连接到所述行相邻像素对中的一个像素。

Description

使用双栅极TFT结构的设备和方法
发明背景
数字X射线检测器(DXD)含有二维像素元件阵列。每个像素元件通常含有二极管元件和薄膜晶体管(TFT)元件。所述二极管元件收集从入射于闪烁体材料上的X射线转换的光。TFT元件充当开关。当“断开”所述开关时，没有电荷经由数据线从二极管元件传递到读出电路上。当“接通”所述开关时，在二极管元件上收集的任何电荷经由数据线传递到读出电路上。TFT元件配置受到所施加的栅极电压控制。在DXD检测器的情况下，所施加的栅极电压是基于行的操作，其中给定行中的所有像素具有共同的行栅极控制线。
图1是根据一个实施例的现有技术数字射线照相(DR)成像系统 10的透视图，所述系统包括：大体上平坦DXD 40(为了描述清晰起见而在没有外壳的情况下示出)；x射线源14，被配置成产生射线照相能量(x射线辐射)；以及数字监视器26，被配置成显示由DXD 40捕获的图像。DXD 40可以包括以电子可寻址的行和列布置的检测器单元22(光电二极管)的二维阵列12。DXD 40可以定位成在射线照相能量曝光或射线照相能量脉冲期间接收由x射线源14发射的穿过身体20的x射线16。如图1中所示，射线照相成像系统10可以使用x 射线源14，所述x射线源14发射选择性地瞄准并且穿过主体20的预选区域18的准直x射线16，例如，x射线束。x射线束16可以根据主体20的内部结构沿着其多条射线不同程度地衰减，通过光敏检测器单元22的阵列12来检测衰减的射线。平坦DXD 40定位成与由 x射线源14发射的多条射线16中的大体上中央射线17尽可能成垂直关系。个别光敏单元(像素)22的阵列12可以通过它们的根据列和行的位置而进行电子寻址(扫描)。如本文所使用，术语“列”和“行”是指光电传感器单元22的垂直和水平布置，且出于描述清晰起见，将假定行水平地延伸且列垂直地延伸。然而，列和行的定向是任意的，且不限制本文公开的任何实施例的范围。此外，可以将术语“主体”说明为图1的描述中的人类患者，然而，如本文使用的术语“DR成像系统的主体”可以是人类、动物、无生命物体或其部分。
在一个示例性实施例中，电子扫描电路28可以一次扫描光敏单元22的一个或多个行，使得可以将来自阵列12的曝光数据传输到电子读出电路30。每个光敏单元22可以独立地存储与所述单元中接收和吸收的衰减的射线照相辐射或x射线的强度或能量水平成比例的电荷。因此，每个光敏单元在被读出时提供界定射线照相图像24的像素的信息，例如，亮度水平或由像素吸收的能量的量，所述亮度水平或能量的量可以由图像处理电子器件34数字解码且进行传输，以通过数字监视器26进行显示来供用户观看。电子偏置电路32电连接到二维检测器阵列12以向光敏单元22中的每一者提供偏置电压。
偏置电路32、扫描电路28和读出电路30中的每一者可以经由连接缆线(有线)33与采集控制和图像处理单元34通信，或者DR检测器可以配备有无线传输器以向采集控制和图像处理单元34无线地 35传输射线照相图像数据。偏置电路32、扫描电路28和读出电路 30可以形成为用于读出的电子集成电路(ROIC)。采集控制和图像处理单元34可以包括处理器和电子存储器(未示出)以如本文中所描述来控制DXD 40的操作，包括(例如)通过使用程序指令来控制ROIC 28、30和32。采集控制和图像处理单元34还可以用于在射线照相曝光期间控制x射线源14的激活，从而控制x射线管电流量值，且因此控制x射线束16中的x射线的注量，和/或x射线管电压，且因此控制x射线束16中的x射线的能量水平。
采集控制和图像处理单元34可以基于从光敏单元22的阵列12 接收的射线照相曝光数据而将图像(像素)数据传输到监视器26。替代地，采集控制和图像处理单元34可以处理所述图像数据并且存储所述图像数据，或者所述采集控制和图像处理单元可以将原始的未经处理的图像数据存储在本地或远程可访问的存储器中。
关于DXD 40的直接检测实施例，光敏单元22可以各自包括对x 射线敏感的感测元件，即，所述光敏单元吸收x射线且产生与所吸收的x射线能量的量值成比例的电荷载流子的量。开关元件可以被配置成被选择性地激活以读出对应的x射线感测元件的电荷电平。关于 DXD 40的间接检测实施例，光敏单元22可以各自包括：对可见光谱中的光射线敏感的感测元件，即，其吸收光射线且产生与所吸收的光能的量值成比例的电荷载流子的量；以及开关元件，所述开关元件被选择性地激活以读取对应的感测元件的电荷电平。闪烁体或波长转换器安置在光敏感测元件上以将入射的x射线射线照相能量转换为可见的光能。
在感测阵列12中使用的感测元件的实例包括各种类型的光电转换装置(例如，光电传感器)，例如光电二极管(P-N或PIN二极管)、光电电容器(MIS)、光电晶体管或光电导体。用于信号读出的开关元件的实例包括MOS晶体管、双极晶体管和其他p-n结组件。
图2A是用于DXD 40的二维阵列12的一部分的示意图240。光电传感器单元阵列212(其操作可以与上文描述的光电传感器阵列12 一致)可以包括若干非晶硅(a-Si)或氢化非晶硅(a-Si:H)n-i-p光电二极管270和形成为场效应晶体管(FET)的薄膜晶体管(TFT)271，所述薄膜晶体管各自具有栅极(G)、源极(S)和漏极(D)端子。在本文公开的 DXD 40的实施例中，光电传感器单元的二维阵列12可以形成于邻接 DR检测器结构的相邻层的装置层中。多个栅极驱动器电路228(ROIC) 可以电连接到控制施加到TFT 271的栅极的电压的多个栅极线283，多个读出电路230(ROIC)可以电连接到数据线284，且多个偏置线285 可以电连接到控制施加到光电二极管270的电压的偏置线总线或可变偏置参考电压线232。电荷放大器286可以电连接到数据线284以从其接收信号。来自电荷放大器286的输出可以电连接到多路复用器 287，例如模拟多路复用器，随后电连接到模拟-数字转换器(ADC) 288，或者它们可以直接电连接到ADC，以便以所要速率流式输出数字射线照相图像数据。在一个实施例中，图2A的示意图可以表示DXD 40的一部分，例如，如下文所描述的基于a-Si的间接平板成像器。
入射的x射线或x射线16被闪烁体转换为光学光子或光射线，所述光射线随后在撞击a-Si n-i-p光电二极管270之后被转换为电子- 空穴对或电荷。在一个实施例中，示例性检测器单元222(其可以在本文等效地被称作像素)可以包括光电二极管270，所述光电二极管的阳极电连接到偏置线285且所述光电二极管的阴极电连接到TFT 271的漏极(D)。偏置参考电压线232可以控制检测器单元222中的每一者处的光电二极管270的偏置电压。光电二极管270中的每一者的电荷容量随其偏置电压和其电容而变。一般来说，可以将反向偏置电压(例如，负电压)施加到偏置线285以产生跨光电二极管270中的每一者的pn结的电场(和因此耗尽区)，以便增强其对由入射的光射线产生的电荷的收集效率。当例如通过经由栅极驱动器电路228将栅极线283 维持于负电压而使光电二极管的相关联的TFT 271保持在非传导(断开)状态时，可以通过光电二极管集成由光电传感器单元阵列212表示的图像信号。可以通过借助栅极驱动器电路228循序地将TFT 271 的行切换为传导(接通)状态来读出光电传感器单元阵列212。在例如通过向对应的栅极线283施加正电压而将像素22的行切换为传导状态时，来自那些像素中的光电二极管的所收集的电荷可以沿着数据线 284进行传递并且由外部电荷放大器电路286集成。所述行随后可以切换回到非传导状态，且针对每个行重复所述过程，直到已经读出整个光电传感器单元阵列212为止。使用并行-串行转换器(例如，多路复用器287)将集成的信号输出从外部电荷放大器286传递到模拟-数字转换器(ADC)288，所述外部电荷放大器、模拟-数字转换器和并行 -串行转换器一起构成读出电路230。
此数字图像信息随后可以由图像处理系统34处理以产生数字图像，所述数字图像随后可以以数字方式存储并且立即在监视器26上显示，或者可以在稍后时间通过访问含有所存储的图像的数字电子存储器来显示所述数字图像。具有如参考图2A所描述的成像阵列的平板 DXD 40可以能够进行单摄(例如，静态、射线照相)和连续(例如，荧光检查)图像采集。另外，DXD面板40的外壳可以容纳图像处理系统34中的很多控制电子器件。
图2B示出具有一个光电二极管元件和一个TFT元件的单像素结构的示例性示意图，所述一个TFT元件由每个物理行的单个栅极线控制来控制，所述示意图说明大约20V(“接通”)至大约-4V(“断开”) 的用于栅极线(行)的示例性电压控制电平。对于给定像素大小，光电二极管元件占据大部分所述区域，如图2C的成像像素的区域表示中所说明。一些所述区域可以被TFT元件占据。TFT大小可以尽可能小，以使光电二极管元件的区域最大化。铟镓锌氧化物(IGZO)TFT元件由于其较高的迁移率而可以制得比非晶硅(a-Si)TFT小。
图3示出图2C的单个单位像素的示例性二维阵列区域布局。所述阵列中的数据线(读出)输出线302的数目将等于物理列的数目。所述阵列中的栅极线304的数目将等于物理行的数目。而且，输出数据线上的TFT元件的数目等于行的数目。对于较大的DXD检测器，可以存在读出整个面板所需的许多ROIC组合件。在高性能面板和双面读出配置中，第二组ROIC组合件是共同架构。对于低成本检测器 DXD应用，将有利的是，减小所需的ROIC组合件的数目以降低DXD 面板成本。
在示出共同多路复用架构的图4中说明用于减小外部ROIC的数目的一种方式，其中使用阵列端处的多路复用电路(“mux”)将来自像素阵列的两条数据线向下多路复用到一个物理数据线输出。这是单像素阵列和置于所述阵列的一端处的多路复用输出数据线的共同架构。在此配置中，可以将两条单独和相邻的像素数据线减少到一条，这可以导致ROIC的数目的2x减少。为了使用一条共享的数据线成功地读出所有像素，通常将花费两个线读出时间以便读出一个物理行。使用图4的结构的一种方法是组合共享一条输出数据线(被称为装仓，或更具体来说，水平2x装仓)的水平相邻的像素中的检测到的光电二极管电荷。此多路复用方案由于以下事实而不提供相对于水平电荷装仓的信号-噪声(SNR)优势：在两条单独数据线上共享电荷(在mux之前)，且数据线噪声是典型的DXD面板中的支配性噪声源。
发明内容
将有利的是，在像素内提供多路复用并且共享一条共同数据线，以便减少数据线的数目并且利用水平电荷装仓的由于减小的数据线电容而得到的SNR益处。重要的是还要注意，可以将IGZO TFT制得比a-Si TFT小。举例来说，TFT大小的2x减小将允许在类似的DXD噪声下的两倍的TFT结构的数目。
公开了具有按列和行布置的像素阵列的检测器。所述像素中的每一者具有光电传感器和开关装置。每对行相邻像素中的开关装置连接到共同数据线和共同底部栅极线。一对顶部栅极线各自连接到所述行相邻像素对中的一者。在实践本文公开的一些实施例的过程中可以实现的优势是：用于较低成本DXD的减小数目的输出数据线、具有信号-噪声益处的相邻水平2x电荷装仓、在全分辨率帧速率不减小的同时仍然具有多路复用的像素、与标准方法相比之下的水平2x电荷仓模式中的帧速率的提高，以及与标准方法读出方案相比之下的4x电荷仓(2x2)模式中的帧速率的提高。
在一个实施例中，一种操作检测器的方法包括：激活两个行相邻像素中的每一者中的TFT开关和顶部栅极，且经由一条数据线从所述两个行相邻像素同时读出电荷。
在另一实施例中，一种从像素阵列中的每一者个别地读出电荷的方法包括：在第一线时间期间激活两个行相邻像素中的第一像素中的第一顶部栅极线；以及在第二线时间期间激活两个行相邻像素中的第二像素中的第二顶部栅极线，以从所述两个行相邻像素中的第二像素读出电荷。
在另一实施例中，一种检测器包括按列和行布置的像素阵列，其中所述像素中的每一者包括光电传感器。一对行相邻像素中的每一者中的开关装置连接到共同数据线和共同底部栅极线。
在另一实施例中，一种操作检测器的方法包括：在所述检测器中捕获射线照相图像；激活第一行中的两个行相邻像素中的每一者中和第二行中的两个行相邻像素中的每一者中的TFT开关和顶部栅极。仅经由一条数据线同时读出来自所述第一行和所述第二行中的行相邻像素的电荷。
以上概述不打算描述其元件不可以互换的个别单独的实施例。实际上，关于特定实施例而描述的许多元件可以与其他描述的实施例的元件一起使用，且有可能互换地使用。在不脱离本发明的精神的情况下可以在本发明的范围内作出许多改变和修改，且本发明包括所有此类修改。下图无意根据相对于相对大小、角度关系、相对位置或时序关系的任何精确尺度来绘制，也无意根据相对于所需的实施方案的可互换性、替代或表示的任何组合关系来绘制。
对本发明的此简要描述仅意在提供对根据一个或多个说明性实施例的本文公开的标的的简要概述，且不用作用于解译权利要求书或界定或限制本发明的范围的指南，本发明的范围仅由所附权利要求书界定。提供此简要描述以引入以简化的形式对在下文在详细描述中进一步描述的概念的说明性选择。此简要描述无意识别所要求保护的标的的关键特征或实质特征，且无意用作确定所要求保护的标的的范围的辅助。所要求保护的标的不限于解决在背景中所述的任何或所有缺点的实施方案。
附图说明
因此可以通过参考某些实施例而具有可以理解本发明的特征的方式、对本发明的详细描述，所述实施例中的一些实施例说明于附图中。然而，应注意，图式仅说明本发明的某些实施例且因此将不被视为限制本发明的范围，因为本发明的范围涵盖其他同等有效的实施例。图式不一定按比例，一般着重于说明本发明的某些实施例的特征。在图式中，相同的数字用于指示所有各种视图中的相同的部分。因此，为了进一步理解本发明，可以参考结合附图阅读的以下详细描述，附图中：
图1说明示例性数字X射线系统；
图2A是示例性像素阵列和DXD面板电子器件的图；
图2B示出具有一个光电二极管元件和一个TFT元件的单像素结构的示例性示意图；
图2C示出具有光电二极管元件和由每个物理行的一个栅极线控制来控制的一个TFT元件的示例性典型的单像素区域布局；
图3示出图2C的单个单位像素的示例性阵列；
图4示出图3的阵列但具有多路复用架构的阵列区域布局，其中使用阵列端处的多路复用电路将来自所述像素阵列的两条数据线向下多路复用到一个物理数据线输出；
图5A至图5B示出两个示例性TFT结构与它们的相应I-V曲线的比较，其中图5A示出仅标准底部栅极，且图5B示出具有顶部和底部栅极的替代性TFT；
图5C示出具有底部栅极和在几何上偏移的顶部栅极以减少与数据线的电容性耦合的替代性TFT；
图5D示出使用替代性两个双栅极TFT结构的示例性单像素结构，其中可以使用两个顶部栅极、两个底部栅极和一个光电二极管来用于读出操作；
图6示出示例性共享像素架构，其中两个成镜像的水平相邻像素利用图5C的示例性像素结构；
图7是共享图6的共同数据线的成镜像的水平相邻像素的示例性阵列的示意图；
图8A至图8D是使用图7的阵列结构进行DXD读出的示例性时序图；以及
图9A和图9B分别示出2x2单位单元和每行交错的2x2单位单元的阵列。
具体实施方式
图5A至图5B示出呈横截面的两个TFT元件结构与它们相关联的I-V曲线(Id漏极电流相对于栅极电压)的比较。这些装置中的有源层可以包括IGZO。图5A的底部部分说明对图5A的顶部部分中示出的单个(底部)栅极控制TFT结构的共同I-V曲线描绘。此底部栅极电极(BG)连接到DXD面板的基于行的读出。BG的“断开”和“接通”电压是由检测器要求界定。在IGZO TFT中，由于与a-Si TFT相比之下更高的迁移率，也可以使“接通”电压远低于a-Si。图5B的底部说明对图5B的顶部部分中示出的双栅极TFT结构的所测得的I-V特性。图 5B的底部部分说明用于以0V、-2V、-4V、-6V、-8V和-10V的步进减小顶部栅极电压的一系列六条曲线，其中越来越负的顶部栅极电压使I-V曲线向右移位，即，接通TFT所需的更高的栅极电压。Vee和Vgg分别表示示例性DXD面板的断开和接通栅极线电压电平。如图5B的底部部分中所示，所施加的-10V的顶部栅极电压(离右侧最远的I-V曲线)超过DXD面板的栅极电压接通电平Vgg，且因此，此所施加的顶部栅极电压有效地停用TFT，且将防止使用TFT的底部栅极来接通TFT，进而防止从此TFT的光电二极管到所连接的数据线的任何电荷传递。如本文所使用，术语“断开”和“接通”将关于用于接通和断开TFT的栅极的TFT底部栅极电压(“接通”以用于读出)，而术语“停用”和“启用”将关于用于停用和启用TFT以用于读出的TFT 顶部栅极电压。
对于典型的TFT结构，通过如图5A的底部部分中所示的单个曲线来表示所述I-V曲线。图5B的顶部部分中的交替的TFT结构是含有底部栅极和顶部栅极电极的双栅极TFT元件。具有带有单独的顶部栅极电极的TFT将允许根据I-V曲线来调整阈值电压，如本文阐释。如果将使用顶部栅极控制线的阈值电压设定为显著负，例如，在示例性配置中设定于-10V，那么甚至在将底部栅极控制设定为“接通”时，将没有电荷从光电二极管元件传递到数据线上，且将仍然被检测为“断开”。因此，可以依据顶部栅极电极来界定两个新的状态。即使底部栅极被设定为“接通”状态，大的负电压将“停用”TFT而不“接通”。如果顶部栅极电极电压被设定为零伏或相对于零伏为正的某一电压，那么将“启用”TFT。如果TFT被“启用”且底部栅极“断开”，那么TFT 将仍然与仅具有底部栅极结构的TFT结构一样不将电荷从像素光电二极管传递到数据线。如果TFT被“启用”和“接通”，那么TFT将把电荷从光电二极管传递到数据线。在一个实施例中，TFT结构可以具有如图5C中所描绘的偏移顶部栅极560(在所述图的角度上较窄)，以使与数据线的重叠电容最小化，以便使检测器噪声最小化。
图5D说明包括与共同底部栅极、源极和漏极电连接的两个单独和独立的TFT(TFT1、TFT2)的双TFT结构580。顶部栅极电极TG1、 TG2保持分离且可独立控制。在启用两个TFT时，将使用处于指定 VGG接通电平下的两个TFT结构引发电流。在停用两个TFT时，将在指定VGG接通电平下不出现电流。在仅启用一个TFT时，电流将仅流过被启用的TFT，而没有电流将流过被停用的TFT。每个TFT 可以使其阈值电压移位超过VGG接通电平，从而通过使用顶部栅极电极而产生两个操作状态，以便将TFT置于停用状态。
通过使用来自顶部和底部栅极TFT结构的这两个添加的状态(其中顶部栅极上的大的负电压可以调整阈值电压以保持“断开”，甚至在底部栅极处于“接通”状态也如此)，在独立地控制每个TFT顶部栅极时，可以将顶部和底部栅极TFT结构用作像素内多路复用器开关。通过使用此顶部栅极和底部栅极TFT结构，可以制造具有两个水平相邻的“成镜像的”像素结构和共同共享数据线的像素架构。图6说明将顶部栅极和底部栅极双TFT结构580用作多路复用开关的此类像素架构的示例性实施例。具有单独的TFT的两个成镜像的水平相邻像素共享数据线和单个栅极控制线。顶部栅极1和顶部栅极2控制线示出为在大体上垂直于栅极线的方向上电连接到双栅极TFT结构。
图7示出利用双TFT结构580的像素阵列。数据线702的数目是物理列的数目的一半。数据线的数目的此两倍减少意味着将需要一半数目的外部读出IC(ROIC)，且可以降低DXD面板的成本。
为了使用共享数据线读出两个像素，将通过相应地设定独立控制的顶部栅极电压TG1、TG2而“停用”一个TFT且“启用”一个TFT。参考图8A，在栅极线(底部栅极)“接通”(光电二极管电荷传递)时，当停用另一像素光电二极管(使用TG2)时，仅具有“启用”的TFT(使用TG1)的像素光电二极管将把电荷从光电二极管元件传递到数据线。在下一个线时间，将“启用”另一TFT(使用TG2)，同时将“停用”先前使用的TFT(使用TG1)，使得栅极线在“接通”时将读取另一光电二极管元件。因此，此结构仍然需要两个读出线时间来读出一个物理行。术语“线时间”在本文用于指针对阵列的一条线所执行的读出序列。在其中ROIC利用取样和保持方案的现有技术单栅极TFT实施例中，读出步骤序列可以包括：将数据线复位，包括将电荷冲洗出读出IC并且存储复位电平(复位取样)，随后读取光电二极管中的电荷电平(电荷传递)并且将那个电荷电平存储为像素数据(信号取样)。在图8A至图8D 中将此步骤序列说明为底部栅极时序。如图8A至图8D中所示，TG1 和TG2顶部栅极线可以在0V(启用)与-10V(停用)之间切换。
如果“启用”每个TFT的两个顶部栅极电压，那么在栅极线“接通”时，两个光电二极管元件将把电荷传递到相同的共同数据线上。此配置允许水平电荷装仓。在此情况下将由于以下事实看到信号-噪声益处：与在像素阵列外部的典型的多路复用方案中的单独数据线(图4) 相比，在阵列内使用共享的共同数据线。
可以相对于阵列信号的时序来考虑。任何开关元件将在从“断开”到“接通”的转变中(且反之亦然)将电荷注入到数据线和光电二极管中 /从数据线和光电二极管移除电荷。对于仅底部TFT结构也是如此，这是众所周知的。对于在从“停用”到“启用”的转变中(且反之亦然)的具有顶部栅极电极的TFT结构将出现电荷的类似的注入/移除。
关于用于操作图7的阵列结构的控制线的时序信号，在图8A中说明一种方法。可以在线时间开始时或在线时间结束时改变“启用”和“停用”状态。在图8A中，将从外部读出电子器件清除从顶部栅极转变注入的电荷，之后读取阵列中的给定像素行，这是因为在取样(存储)像素的复位电平之前发生数据线复位。如本文阐释，将需要两个线时间来使用共享数据线进行读出。第一线时间用于读出成镜像的像素中的一者，而第二线时间可以用于读出剩余的像素。如图8B中说明，可以利用第二时序方案，“启用”和“停用”的开关时序是互补且并发的，使得将出现数据线上的电荷消除。在此实例中，外部电子器件将看不到电荷的较大变化。
其他方法包括恰好在光电二极管(底部栅极)传递信号之前或之后使“启用”和“停用”状态交替，如分别在图8C和图8D中说明。在图 8D的顶部栅极时序序列中，通过顶部栅极来控制电荷传递时间，所述顶部栅极在接通底部栅极之后被启用且在断开底部栅极之前被停用。在这些实例中，数据线和外部读出电子器件将在对最终信号值进行取样之前看到来自顶部栅极转变的“启用”和“停用”电荷注入。在取样之前将存在顶部栅极“启用”和“停用”转变的净电荷注入消除，就像在底部栅极“接通”和“断开”转变的情况下存在电荷注入消除一样。由外部读出电子器件取样的最终净电荷结果将仅为存储在光电二极管元件上的电荷。
在一个实施例中，高性能检测器也可以利用使用水平电荷共享或“装仓”的此新颖像素架构。在图9A中示出处于交错行对配置的水平共享的像素的2x2单元的布置，且在图9B中示出利用所述交错行对配置的检测器阵列的一部分。此配置能够在一个读出线时间内从每个列读出物理像素。虽然像素读出的布置将以交错次序，但此阵列布置克服了对于一个物理行需要两个线读出的缺点，如上文关于图7的阵列所描述。这导致具有与非多路复用的像素架构相同的读出帧速率。此交错的配置还允许在具有2x水平电荷装仓和2x2(4X)电荷装仓的模式中与非多路复用的像素架构相比之下的速度提高。在使用交错的行对配置的示例性操作中，在一个实施例中，可以通过激活对应的底部栅极控制线和一个顶部栅极控制线TG1来读出标记为“1”的像素，随后，使用相同程序，可以在下一个线时间内使用TG2沿着共同数据线个别地读出标记为“2”的成镜像的像素，如上文在图7的示例性阵列操作中所阐释。随后在下一个行中个别地针对像素“3”和“4”执行相同序列，且穿过整个阵列依此类推。应注意，四个线时间将读出处于在图9B中说明的交错行对配置的四行像素，这是因为与图7的阵列相比，数据线的数目加倍，即，列的数目等于数据线的数目。
在一个实施例中，可以针对图9B的阵列的每个行执行2x水平装仓，借此，激活对应的底部栅极控制线和顶部栅极控制线TG1和TG2，如本文中所描述，以便同时读出沿着共同的数据线的标记为“1”和“2”的水平行相邻像素的光电二极管中所存储的电荷，且在后续线时间内使用类似的程序，可以同时读出标记为“3”和“4”的水平行相邻像素的光电二极管中所存储的电荷，且穿过整个阵列依此类推。应注意，2x 水平装仓方案的两个线时间将读出处于在图9B中说明的交错行对配置的四行像素。
在一个实施例中，可以实施2x2(4x)装仓方案，借此，激活在图 9B中说明的四个相邻像素行的对应的底部栅极控制线，且激活顶部栅极控制线TG1和TG2，如本文中所描述，以便同时读出沿着共同的数据线的标记为“1”、“2”、“3”和“4”的垂直和水平相邻的像素的四个光电二极管中所存储的电荷。可以针对四个行的每个后续群组使用类似的程序来读出整个像素阵列。应注意，2x2(4x)水平装仓方案的一个线时间将读出处于在图9B中说明的交错行对配置的整个四行像素。
在本文所描述的设备和方法的优势包括一种新颖的水平相邻的像素内多路复用设备，所述设备通过使用双栅极TFT结构而具有共同输出数据线，以及具有SNR益处的2x的相邻水平电荷装仓。使用处于2x2交错行对配置的水平相邻的像素内多路复用方案的新颖的像素阵列布置导致全分辨率帧速率不减小，同时仍然具有多路复用的像素；与标准方法读出方案相比之下的水平2X电荷装仓中的帧速率的提高；以及与标准方法读出方案相比之下的4X电荷装仓(2x2)模态中的帧速率的提高。
本领域技术人员将了解，本发明的各方面可以体现为系统、方法或计算机程序产品。因此，本发明的各方面可以采用以下形式：完全硬件实施例、完全软件实施例(包括固件、驻留软件、微代码等)，或组合了软件和硬件方面的实施例，所述软件和硬件方面一般可以全部在本文被称作“服务”、“电路(circuit)”、“电路(circuitry)”、“模块”和/ 或“系统”。此外，本发明的各方面可以采用计算机程序产品的形式，所述计算机程序产品在一个或多个计算机可读介质中体现，所述一个或多个计算机可读介质具有在上面体现的计算机可读程序代码。
可以利用一个或多个计算机可读介质的任何组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或计算机可读存储介质。计算机可读存储介质可以是(例如)(但不限于)电子、磁性、光学、电磁、红外线或半导体系统、设备或装置，或前述各者的任何合适的组合。计算机可读存储介质的更具体实例(非详尽列表)将包括以下各者：具有一个或多个电线的电连接、便携式计算机软磁盘、硬盘、随机存取存储器 (RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或快闪存储器)、光纤、便携式压缩光盘只读存储器(CD-ROM)、光学存储装置、磁性存储装置或前述各者的任何合适的组合。在此文献的上下文中，计算机可读存储介质可以是可以含有或存储程序以供指令执行系统、设备或装置使用或与指令执行系统、设备或装置结合的任何有形介质。
可以使用任何适当的媒体来传输在计算机可读介质上体现的程序代码和/或可执行指令，所述媒体包括(但不限于)无线、有线、光纤电缆、RF等，或前述各者的任何合适的组合。
可以通过一种或多种编程语言的任何组合来编写用于执行本发明的各方面的操作的计算机程序代码，所述编程语言包括面向对象的编程语言(例如，Java、Smalltalk、C++等)和常规的程序性编程语言，例如，“C”编程语言，或类似的编程语言。程序代码可以完全在用户的计算机(装置)上执行、部分地在用户的计算机上执行、作为独立的软件包、部分地在用户的计算机上且部分地在远程计算机上或者完全在远程计算机或服务器上执行。在后一种情景下，远程计算机可以通过任何类型的网络(包括局域网(LAN)或广域网(WAN))连接到用户的计算机，或者可以连接到外部计算机(例如，使用因特网服务提供商通过因特网)。
可以将计算机程序指令提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理设备的处理器以生产机器，使得经由计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令会产生用于实施本文指定的功能/动作的构件。
这些计算机程序指令还可以存储在计算机可读介质中，所述计算机程序指令可以引导计算机、其他可编程数据处理设备或其他装置以特定方式起作用，使得存储在计算机可读介质中的指令产生制品，所述制品包括实施本文指定的功能/动作的指令。
还可以将计算机程序指令加载到计算机、其他可编程数据处理设备或其他装置上，以致使在计算机、其他可编程设备或其他装置上执行一连串操作步骤，从而产生计算机实施的过程，使得在计算机或其他可编程设备上执行的指令会提供用于实施本文指定的功能/动作的过程。
此书面描述使用实例来公开本发明，包括最佳模式，且还使得本领域技术人员能够实践本发明，包括制作和使用任何装置或系统且执行任何并入的方法。本发明的可取得专利权的范围是由权利要求书界定，并且可以包括本领域技术人员想到的其他实例。如果此类其他实例具有不与权利要求书的字面语言不同的结构要素，或者如果此类其他实例包括具有相对于权利要求书的字面语言的非实质性差异的等效结构要素，那么此类其他实例意在权利要求书的范围内。

Claims (10)

1.一种检测器，所述检测器包括：
像素阵列，所述像素阵列按列和行布置，所述像素中的每一者包括光电传感器和开关装置，所述开关装置各自包括第一端和第二端，
其中同一行内一对相邻像素中的每个像素中的所述开关装置都经第一端连接到共同数据线和都经第二端连接到共同底部栅极线，并且其中共同数据线适于从同一行内一对相邻像素中的每个像素读取图像数据。
2.如权利要求1所述的检测器，其中所述开关装置各自包括TFT。
3.如权利要求2所述的检测器，其中所述开关装置各自还包括第三端，并且其中所述一对相邻像素中的每一个像素中的所述开关装置各自经第三端连接到第一顶部栅极线和第二顶部栅极线中的一者。
4.如权利要求3所述的检测器，其中共同列的像素中的所述开关装置全部连接到所述第一顶部栅极线和所述第二顶部栅极线中的一者。
5.一种操作包括二维像素阵列的检测器的方法，所述像素中的每一者具有顶部栅极、光电传感器以及连接在数据线与所述光电传感器之间的TFT开关，所述方法包括：
在所述检测器中捕获第一射线照相图像；
激活同一行内两个相邻像素中的每一者中的所述TFT开关和所述顶部栅极；以及
仅经由一条数据线从所述两个相邻像素中的每一者同时读出电荷，其中来自所述两个相邻像素中的每一者的所述同时读出的电荷包含对应于所述第一射线照相图像的图像信息。
6.如权利要求5所述的方法，进一步包括：
在所述检测器中捕获第二射线照相图像；以及
从所述二维阵列中的所述像素中的每一者个别地读出所述电荷，其中来自所述像素中的每一者的所述个别地读出的电荷对应于所述第二射线照相图像。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述从所述两个相邻像素中的每一者同时读出所述电荷的步骤包括激活所述两个相邻像素中的每一者中的顶部栅极线的步骤，且其中从所述像素中的每一者个别地读出所述电荷的步骤包括以下步骤：
在第一线时间期间激活所述两个相邻像素中的第一像素中的第一顶部栅极线以从所述两个相邻像素中的所述第一像素读出所述电荷；以及
在第二线时间期间激活所述两个相邻像素中的第二像素中的第二顶部栅极线以从所述两个相邻像素中的所述第二像素读出所述电荷。
8.一种操作包括二维像素阵列的检测器的方法，所述像素中的每一者具有顶部栅极、光电传感器以及连接在数据线与所述光电传感器之间的TFT开关，所述方法包括：
在所述检测器中捕获第一射线照相图像；
激活第一行中的两个相邻像素中的每一者中的所述TFT开关和所述顶部栅极，以及激活第二行中的两个相邻像素中的每一者中的所述TFT开关和所述顶部栅极；以及
仅经由一条数据线从所述第一行和所述第二行中的所述相邻像素同时读出电荷，其中所述同时读出的电荷包含对应于所述第一射线照相图像的图像信息。
9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：
在所述检测器中捕获第二射线照相图像；以及
从所述二维阵列中的所述像素中的每一者个别地读出所述电荷，其中来自所述像素中的每一者的所述个别地读出的电荷对应于所述第二射线照相图像。
10.如权利要求9所述的方法，其中从所述像素中的每一者个别地读出所述电荷的步骤包括以下步骤：
在第一线时间期间激活所述第一行中的所述两个相邻像素中的第一像素中的第一顶部栅极线以从所述第一像素读出所述电荷；以及
在第二线时间期间激活所述第一行中的所述两个相邻像素中的第二像素中的第二顶部栅极线以从所述第二像素读出所述电荷。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10136075B2 (en) * 2014-12-17 2018-11-20 Carestream Health, Inc. Compensation circuit for an x-ray detector
DE102015215086B4 (de) * 2015-08-07 2019-11-07 Siemens Healthcare Gmbh Auswertelogik eines Röntgendetektors mit mehrstufigem Multiplexer
CN111357107A (zh) * 2017-11-27 2020-06-30 深圳市柔宇科技有限公司 Tft基板、esd保护电路及tft基板的制作方法
JP7088686B2 (ja) * 2018-02-15 2022-06-21 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 イメージセンサ及びイメージセンサの駆動方法
CN108962120B (zh) * 2018-08-01 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板、显示装置和显示驱动方法
CN109646030B (zh) * 2019-01-15 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 感光单元和x射线探测器
CN113692613B (zh) * 2019-04-18 2023-03-21 华为技术有限公司 像素电路和像素控制方法
US11105755B2 (en) * 2019-06-26 2021-08-31 Biosenstech Inc X-ray detecting panel for multi signal detection and X-ray detector thereof
EP3764637B1 (en) 2019-07-11 2023-08-02 Teledyne Dalsa B.V. Image sensor and imaging system comprising the same
JP7396560B2 (ja) * 2021-06-07 2023-12-12 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 Ｘ線撮像装置及びｘ線撮像装置の制御方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6566685B2 (en) * 2000-04-12 2003-05-20 Casio Computer Co., Ltd. Double gate photo sensor array
CN103169490A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 富士胶片株式会社 射线照相图像检测器、射线照相成像装置及系统
WO2014153871A1 (zh) * 2013-03-28 2014-10-02 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管、非晶硅平板探测基板及制备方法
CN104155821A (zh) * 2014-08-20 2014-11-19 上海中航光电子有限公司 Tft阵列基板及其驱动方法、显示面板及显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7564022B1 (en) * 2008-02-29 2009-07-21 Caeleste Cvba Method and device for time-gating the sensitivity of an imager structure
TWI375061B (en) 2008-05-30 2012-10-21 Chimei Innolux Corp Liquid crystal display panel
JP5511220B2 (ja) * 2009-05-19 2014-06-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置
EP3447802B1 (en) * 2009-06-17 2021-04-21 The Regents Of The University Of Michigan Photodiode and other sensor structures in flat-panel x-ray imagers and method for improving topological uniformity of the photodiode and other sensor structures in flat-panel x-ray imagers based on thin-film electronics
WO2011135920A1 (ja) 2010-04-30 2011-11-03 シャープ株式会社 回路基板、表示装置および回路基板の製造方法
TWI439984B (zh) * 2010-08-24 2014-06-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 光感測元件陣列基板及其製造方法
CN104350737B (zh) 2012-05-30 2017-09-19 富士胶片株式会社 放射线图像摄影装置和放射线检测器
US10290156B2 (en) * 2015-03-11 2019-05-14 Facebook Technologies, Llc Display device with dual data drivers

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6566685B2 (en) * 2000-04-12 2003-05-20 Casio Computer Co., Ltd. Double gate photo sensor array
CN103169490A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 富士胶片株式会社 射线照相图像检测器、射线照相成像装置及系统
WO2014153871A1 (zh) * 2013-03-28 2014-10-02 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管、非晶硅平板探测基板及制备方法
CN104155821A (zh) * 2014-08-20 2014-11-19 上海中航光电子有限公司 Tft阵列基板及其驱动方法、显示面板及显示装置

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