CN109646030B - 感光单元和x射线探测器 - Google Patents

感光单元和x射线探测器 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种感光单元和X射线探测器。所述感光单元包括第一储能电路和感光元件，所述感光元件的第一端与所述第一储能电路的第一端连接，所述感光单元还包括第一开关电路和第二开关电路，所述第一开关电路的控制端和所述第二开关电路的控制端都与相应行栅线连接；所述第一开关电路和所述第二开关电路对称设置于相应列数据线两侧。本发明能够提升光信号感应的精确度，从而提升X射线探测精度。

Description

感光单元和X射线探测器
技术领域
本发明涉及X射线检测技术领域，尤其涉及一种感光单元和X射线探测器。
背景技术
随着数字医疗的普及，常用医疗设备中的X射线探测器逐步采用平板X射线探测器，它利用闪烁体层将X射线转化为可见光进行探测。平板X射线探测器中的感光单元由阵列化的感光像素构成。每个感光像素都包含一个独立的感光器件，通过光电效应原理以实现对光线强弱的测量。各感光像素积累的光电荷的多少代表着对应位置透射的X射线的强弱，将这些光电荷的多少输出并按一定关系赋予对应的灰度值即可形成医疗影像画面。
在平板X射线探测器中，由于具有2a个灰阶，a可以为16，信号的微弱差异即可引起图像灰阶的明显变化。当平板X射线探测器包括晶体管的套刻精度不佳(即存在套刻偏移时)时，晶体管的源极和晶体管的漏极相对晶体管的栅极会存在一定偏移，从而使得相应区域内的晶体管的栅源电容以及栅漏电容变化。由于传统的平板X射线探测器中的各感光像素是完全一致的，一旦发生由于套刻精度导致晶体管的位置偏移，偏移区域的晶体管特性都会向一个方向偏离设计值，导致像素成像的“发黑”或“发白”。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种感光单元和X射线探测器，解决现有技术中由于晶体管套刻偏移而引起的光信号感应精度低，从而影响X射线探测精度的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种感光单元，包括第一储能电路和感光元件，所述感光元件的第一端与所述第一储能电路的第一端连接，所述感光单元还包括第一开关电路和第二开关电路，其中，
所述第一开关电路的控制端和所述第二开关电路的控制端都与相应行栅线连接；
所述第一开关电路的第一端与相应列数据线连接，所述第一开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端连接，所述第一开关电路用于在所述相应行栅线的控制下，控制所述相应列数据线与所述第一储能电路的第一端之间连通；
所述第二开关电路的第一端与所述相应列数据线连接，所述第二开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端连接，所述第二开关电路用于在所述相应行栅线的控制下，控制所述相应列数据线与所述第一储能电路的第一端之间连通；
所述第一开关电路和所述第二开关电路对称设置于所述相应列数据线两侧。
实施时，本发明所述的感光单元还包括第三开关电路、第四开关电路、第二储能电路和第三储能电路，其中，
所述第二储能电路的第一端与所述第一开关电路的第二端连接，所述第三储能电路的第一端与所述第二开关电路的第二端连接，所述第二储能电路的第二端和所述第三储能电路的第二端都与第一电压端连接；
所述第一开关电路的第二端通过所述第三开关电路与所述第一储能电路的第一端连接，所述第二开关电路的第二端通过所述第四开关电路与所述第一储能电路的第一端连接，所述第三开关电路的控制端和所述第四开关电路的控制端都与所述相应行栅线连接；
所述第三开关电路用于在所述相应行栅线的控制下，控制所述第一开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端之间连通，所述第四开关电路用于在所述相应行栅线的控制下，控制所述第二开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端之间连通；
所述第三开关电路和所述第四开关电路对称设置于所述相应列数据线两侧。
实施时，所述第一开关电路包括第一开关晶体管，所述第二开关电路包括第二开关晶体管；
所述第一开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第一开关晶体管的第一极与所述相应列数据线连接，所述第一开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接；
所述第二开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第二开关晶体管的第一极与所述相应列数据线连接，所述第二开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接。
实施时，所述相应列数据线纵向设置，所述第一开关晶体管设置于所述相应列数据线左侧，所述第二开关晶体管设置于所述相应列数据线右侧；
所述第一开关晶体管的栅极和所述第二开关晶体管的栅极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第一开关晶体管的第一极与所述第二开关晶体管的第一极直接连接；
所述第一开关晶体管的第二极和所述第二开关晶体管的第二极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管都为n型晶体管，或者，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管都为p型晶体管。
实施时，所述第一储能电路包括第一存储电容，所述第一存储电容的第一端为所述第一储能电路的第一端，所述第一存储电容的第二端为所述第一储能电路的第二端，所述第一存储电容的第二端与第二电压端连接；
所述感光元件为光敏二极管，所述光敏二极管的阴极为所述感光元件的第一端，所述光敏二极管的阳极为所述感光元件的第二端，所述光敏二极管的阳极与反向偏置电压端连接。
实施时，所述第三开关电路包括第三开关晶体管，所述第四开关电路包括第四开关晶体管；
所述第三开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第三开关晶体管的第一极与所述第一开关电路的第二端连接，所述第三开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接；
所述第四开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第四开关晶体管的第一极与所述第二开关电路的第二端连接，所述第四开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接。
实施时，所述相应列数据线纵向设置，所述第三开关晶体管设置于所述相应列数据线左侧，所述第四开关晶体管设置于所述相应列数据线右侧；
所述第三开关晶体管的栅极和所述第四开关晶体管的栅极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第三开关晶体管的第一极与所述第四开关晶体管的第一极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第三开关晶体管的第二极和所述第四开关晶体管的第二极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第三开关晶体管和所述第四开关晶体管都为n型晶体管，或者，所述第三开关晶体管和所述第四开关晶体管都为p型晶体管。
实施时，所述第二储能电路包括第二存储电容，所述第三储能电路包括第三存储电容；
所述第二存储电容的第一端为所述第二储能电路的第一端，所述第二存储电容的第二端为所述第二储能电路的第二端；
所述第三存储电容的第一端为所述第三储能电路的第一端，所述第三存储电容的第二端为所述第三储能电路的第二端。
实施时，所述第二存储电容和所述第三存储电容对称设置于所述相应列数据线两侧。
本发明还提供了一种X射线探测器，包括基板、转化层和设置于所述基板上的感光像素阵列，所述感光像素阵列包括多行多列上述的感光单元；
所述转化层设置于所述感光像素阵列上，用于将X射线转换为光信号。
实施时，所述转化层为闪烁体层，所述光信号为可见光信号。
与现有技术相比，本发明所述的感光单元和X射线探测器包括对称设置于相应列数据线两侧的第一开关电路和第二开关电路，所述第一开关电路包括的晶体管和所述第二开关电路包括的晶体管对称设置，以使得即使出现晶体管套刻偏移，两个开关电路中的晶体管的栅源电容对称变化，相互抵消，两个开关电路中的晶体管的栅漏电容对称变化，相互抵消，减小套刻偏移对像素电容的影响，因此能够提升光信号感应的精确度，从而提升X射线探测精度。
附图说明
图1是本发明实施例所述的感光单元的结构图；
图2是本发明另一实施例所述的感光单元的电路图；
图3是图2所示的感光单元的实施例的工作时序图；
图4是本发明又一实施例所述的感光单元的结构图；
图5是本发明所述的感光单元的一具体实施例的电路图；
图6是感光像素阵列包括的位于同一列的三个感光单元的结构示意图；
图7是图6所示的感光像素阵列包括的三个感光单元连接的三行栅线上的栅极驱动信号的波形图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为三极管、薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除控制极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。
在实际操作时，当所述晶体管为三极管时，所述控制极可以为基极，所述第一极可以为集电极，所述第二极可以发射极；或者，所述控制极可以为基极，所述第一极可以为发射极，所述第二极可以集电极。
在实际操作时，当所述晶体管为薄膜晶体管或场效应管时，所述控制极可以为栅极，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述控制极可以为栅极，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。
如图1所示，本发明实施例所述的感光单元，包括第一储能电路10和感光元件PE，所述感光元件PE的第一端与所述第一储能电路11的第一端连接，所述感光单元还包括第一开关电路11和第二开关电路12，其中，
所述第一开关电路11的控制端和所述第二开关电路12的控制端都与相应行栅线Gate连接；
所述第一开关电路11的第一端与相应列数据线Data连接，所述第一开关电路11的第二端与所述第一储能电路10的第一端连接，所述第一开关电路11用于在所述相应行栅线Gate的控制下，控制所述相应列数据线Data与所述第一储能电路10的第一端之间连通；
所述第二开关电路12的第一端与所述相应列数据线Data连接，所述第二开关电路12的第二端与所述第一储能电路10的第一端连接，所述第二开关电路12用于在所述相应行栅线Gate的控制下，控制所述相应列数据线Data与所述第一储能电路10的第一端之间连通；
所述第一开关电路11和所述第二开关电路12对称设置于所述相应列数据线Data两侧。
本发明实施例所述的感光单元为感光像素阵列中的一个感光像素，本发明实施例所述的感光单元包括对称设置于相应列数据线Data两侧的第一开关电路11和第二开关电路12，所述第一开关电路11包括的晶体管和所述第二开关电路12包括的晶体管对称设置，以使得即使出现晶体管套刻偏移，两个开关电路中的晶体管的栅源电容对称变化，相互抵消，两个开关电路中的晶体管的栅漏电容对称变化，相互抵消，减小套刻偏移对像素电容的影响，因此能够提升光信号感应的精确度。
在具体实施时，所述第一储能电路10的第二端可以接入公共电极电压，也可以接地端，或可以接入低电压，所述感光元件PE的第二端可以接入反向偏置电压，以使得所述感光元件PE能够感应光信号，将接收到的光信号转换为相应的电信号。
在实际操作时，本发明实施例所述的感光单元可以应用于X射线探测器中，X射线探测器先通过闪烁体层将X射线转化为可见光进行探测，X射线探测器的感光电路由阵列化的感光单元(也即感光阵列)构成，每个感光单元通过光电效应原理以实现光线强弱的测量，各感光单元积累的光电荷的多少代表着对应位置投射的X射线的强弱，将这些光电荷的多少输出并按一定关系赋予对应的灰度值即可形成医疗影像画面。本发明实施例所述的感光单元通过采用对称设置的第一开关电路11和第二开关电路12，能够避免由于晶体管套刻偏移而带来的感光像素灰度偏移，从而引起的像素成像的“发黑”或“发白”现象，提升医疗影像画面质量。
本发明如图1所示的感光单元的实施例在工作时，所述感光单元的驱动周期包括依次设置的N个驱动阶段，第n驱动阶段包括依次设置的第n充电时间段和第n光电转换时间段，N为正整数，n为小于或等于N的正整数；
本发明如图1所示的感光单元的实施例在工作时，
在第n充电时间段，在相应行栅线Gate的控制下，第一开关电路11控制相应列数据线Data与第一储能电路10的第一端之间连通，第二开关电路12控制所述相应列数据线Data与所述第一储能电路10的第一端之间连通，通过所述相应列数据线Data检测所述第一储能电路10的第一端的电位，确定该电位为第n-1检测电位；数据线Data输出充电电压，通过所述充电电压为所述第一储能电路10充电，直至所述第一储能电路10的第一端的电位达到预定电位；根据所述第n-1检测电位能够得到所述感光元件PE在第n-1光电转换时间段接收到的光信号的强度；
在第n光电转换时间段，在相应行栅线Gate的控制下，第一开关电路11控制相应列数据线Data与第一储能电路10的第一端之间不连通，第二开关电路12控制所述相应列数据线Data与所述第一储能电路10的第一端之间不连通，感光元件PE将其接收到的光信号转换为相应的电流信号，以使得所述第一储能电路10的第一端的电位降低。
在实际操作时，当n等于1时，在第n充电时间段仅进行充电，而不需对第一储能电路10的第一端的电位进行检测。
在具体实施时，所述预定电位可以根据实际情况选定，例如，所述预定电位可以为1V，但不以此为限。所述预定电位的设置需要能够使得所述感光元件PE处于能够感应光信号的工作状态。
具体的，所述第一开关电路可以包括第一开关晶体管，所述第二开关电路包括第二开关晶体管；
所述第一开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第一开关晶体管的第一极与所述相应列数据线连接，所述第一开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接；
所述第二开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第二开关晶体管的第一极与所述相应列数据线连接，所述第二开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接。
在本发明实施例中，第一开关晶体管和第二开关晶体管对称设置于所述相应列数据线两侧，当晶体管套刻偏移时，第一开关晶体管的栅源电容与第二开关晶体管的栅源电容反向变化，第一开关晶体管的栅漏电容与第二开关晶体管的栅漏电容反向变化，从而使得总的像素电容不变，提升像素均一性，减轻晶体管套刻偏移带来的像素成像的“发黑”或“发白”现象。
在具体实施时，所述相应列数据线纵向设置，所述第一开关晶体管设置于所述相应列数据线左侧，所述第二开关晶体管设置于所述相应列数据线右侧；
所述第一开关晶体管的栅极和所述第二开关晶体管的栅极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第一开关晶体管的第一极与所述第二开关晶体管的第一极直接连接；
所述第一开关晶体管的第二极和所述第二开关晶体管的第二极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管都为n型晶体管，或者，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管都为p型晶体管。
在本发明实施例中，所述第一开关晶体管的栅极与所述第二开关晶体管的栅极对称设置，所述第一开关晶体管的第二极与所述第二开关晶体管的第二极对称设置，在晶体管套刻偏移时，通过自补偿使得总像素电容保持不变。
具体的，所述第一储能电路可以包括第一存储电容，所述第一存储电容的第一端为所述第一储能电路的第一端，所述第一存储电容的第二端为所述第一储能电路的第二端，所述第一存储电容的第二端与第二电压端连接；
所述感光元件为光敏二极管，所述光敏二极管的阴极为所述感光元件的第一端，所述光敏二极管的阳极为所述感光元件的第二端，所述光敏二极管的阳极与反向偏置电压端连接。
在具体实施时，所述第二电压端输入的第二电压可以为公共电极电压，所述第二电压端也可以为低电压端或地端，但不以此为限。
在具体实施时，所述反向偏置电压端输入的反向偏置电压可以为负电压，例如-6V，但不以此为限；所述反向电压端输入的反向偏置电压能够使得所述光敏二极管处于反向偏置状态，从而能够进行光电转换即可。
如图2所示，在图1所示的感光单元的实施例的基础上，所述相应列数据线Data纵向设置；所述第一开关电路11包括第一开关晶体管M1，所述第二开关电路12包括第二开关晶体管；所述第一储能电路10包括第一存储电容Cst1，所述感光元件为光敏二极管PD；
所述第一开关晶体管M1的栅极与所述相应行栅线Gate连接，所述第一开关晶体管M1的漏极与所述相应列数据线Data连接，所述第一开关晶体管M1的源极与所述第一存储电容Cst1的第一端连接；
所述第二开关晶体管M2的栅极与所述相应行栅线Gate连接，所述第二开关晶体管M2的漏极与所述相应列数据线Data连接，所述第二开关晶体管M2的源极与所述第一存储电容Cst1的第一端连接。
所述第一开关晶体管M1设置于所述相应列数据线Data左侧，所述第二开关晶体管M2设置于所述相应列数据线Data右侧；
所述第一开关晶体管M1的栅极和所述第二开关晶体管M2的栅极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第一开关晶体管M1的漏极与所述第二开关晶体管M2的漏极直接连接；
所述第一开关晶体管M1的源极和所述第二开关晶体管M2的源极对称设置于所述相应列数据线Data两侧；
所述第一存储电容Cst1的第二端接入公共电极电压Vcom；
PD的阳极接入反向偏置电压Vbias，在本实施例中，Vbias为-6V，但不以此为限；
PD的阴极与Cst1的第一端连接；
所述第一开关晶体管M1和所述第二开关晶体管M2都为n型晶体管，但不以此为限。
在图2所示的实施例中，第二电压端输入的第二电压为公共电极电压Vcom，但不以此为限。
当存在晶体管套刻偏移的现象时，M1的栅源电容Cgs1与M2的栅源电容Cgs2反向变化，M1的栅漏电容Cgd1与M2的栅漏电容Cgd2反向变化，通过自补偿使得总像素电容保持不变，提升了像素均一性，减轻套刻偏移带来的像素成像时的“发黑”或“发白”偏移。
本发明如图2所示的感光单元的实施例在工作时，所述感光单元的驱动周期包括依次设置的N个驱动阶段，如图3所示，第n驱动阶段包括依次设置的第n充电时间段Sn1和第n光电转换时间段Sn2，N为正整数，n为小于或等于N的正整数。
如图3所示，本发明如图2所示的感光单元的实施例在工作时，
在第n充电时间段Sn1，Gate输出高电平，M1和M2都打开，以使得相应列数据线Data与第一存储电容Cst1的第一端之间连通，通过所述相应列数据线Data检测所述第一存储电容Cst1的第一端的电位，确定该电位为第n-1检测电位；数据线Data输出充电电压，通过所述充电电压为所述第一存储电容Cst1充电，直至所述第一存储电容Cst1的第一端的电位达到预定电位；根据所述第n-1检测电位能够得到所述光敏二极管PD在第n-1光电转换时间段接收到的光信号的强度；
在第n光电转换时间段Sn2，Gate输出低电平，M1和M2都关断，以使得Data与Cst1的第一端之间不连通，光敏二极管PD将其接收到的光信号转换为相应的电流信号(此时电流流向为由PD的阴极流向PD的阳极)，以使得所述第一存储电容Cst1的第一端的电位相应降低。
在优选情况下，本发明实施例所述的感光单元还可以包括第三开关电路、第四开关电路、第二储能电路和第三储能电路，其中，
所述第二储能电路的第一端与所述第一开关电路的第二端连接，所述第三储能电路的第一端与所述第二开关电路的第二端连接，所述第二储能电路的第二端和所述第三储能电路的第二端都与第一电压端连接；
所述第一开关电路的第二端通过所述第三开关电路与所述第一储能电路的第一端连接，所述第二开关电路的第二端通过所述第四开关电路与所述第一储能电路的第一端连接，所述第三开关电路的控制端和所述第四开关电路的控制端都与所述相应行栅线连接；
所述第三开关电路用于在所述相应行栅线的控制下，控制所述第一开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端之间连通，所述第四开关电路用于在所述相应行栅线的控制下，控制所述第二开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端之间连通；
所述第三开关电路和所述第四开关电路对称设置于所述相应列数据线两侧。
在实际操作时，平板X射线探测器的性能与感光像素漏流息息相关，当感光像素漏流较大时，感光像素无法长时间保持光电转化后的电位，无法应用于需求测量时间较大的场景，如低剂量环境下的检测，基于此，本发明优选实施例通过增设第二储能电路和第三储能电路，以此减少第三开关电路包括的晶体管在第n光电转换时间段的栅漏电压，并减少第四开关电路包括的晶体管在第n光电转换时间段的栅漏电压，降低感光像素漏流，提升感光准确性，并增加可感光时间范围。
并在本发明优选实施例中，第三开关电路和第四开关电路对称设置于相应列数据线两侧，能够避免由于晶体管套刻偏移而带来的感光像素灰度偏移，从而引起的像素成像的“发黑”或“发白”现象，提升医疗影像画面质量。
在具体实施时，所述第一电压端输入的第一电压可以为公共电极电压，所述第一电压端也可以为低电压端或地端，但不以此为限。
如图4所示，在图1所示的感光单元的实施例的基础上，本发明实施例所述的感光单元还包括第三开关电路13、第四开关电路14、第二储能电路42和第三储能电路43，其中，
所述第二储能电路42的第一端与所述第一开关电路11的第二端连接，所述第三储能电路43的第一端与所述第二开关电路12的第二端连接，所述第二储能电路42的第二端和所述第三储能电路43的第二端接入公共电极电压Vcom；
所述第一开关电路11的第二端通过所述第三开关电路13与所述第一储能电路10的第一端连接，所述第二开关电路12的第二端通过所述第四开关电路14与所述第一储能电路10的第一端连接，所述第三开关电路13的控制端和所述第四开关电路14的控制端都与所述相应行栅线Gate连接；
所述第三开关电路13用于在所述相应行栅线Gate的控制下，控制所述第一开关电路11的第二端与所述第一储能电路10的第一端之间连通，所述第四开关电路14用于在所述相应行栅线Gate的控制下，控制所述第二开关电路12的第二端与所述第一储能电路10的第一端之间连通；
所述第三开关电路13和所述第四开关电路14对称设置于所述相应列数据线Data两侧。
在图4所示的实施例中，第一电压端输入的第一电压为公共电极电压Vcom，但不以此为限。
本发明如图4所示的感光单元的实施例在工作时，
在所述第n充电时间段，在所述相应行栅线Gate的控制下，所述第三开关电路13控制所述第一开关电路11的第二端与所述第一储能电路10的第一端之间连通，以对所述第二储能电路42充电，所述第四开关电路14控制所述第二开关电路12的第二端与所述第一储能电路10的第一端之间连通，以对所述第三储能电路43充电；
在第n光电转换时间段，在相应行栅线Gate的控制下，所述第三开关电路13控制所述第一开关电路11的第二端与所述第一储能电路10的第一端之间不连通，所述第四开关电路14控制所述第二开关电路12的第二端与所述第一储能电路10的第一端之间不连通。
具体的，所述第三开关电路可以包括第三开关晶体管，所述第四开关电路包括第四开关晶体管；
所述第三开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第三开关晶体管的第一极与所述第一开关电路的第二端连接，所述第三开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接；
所述第四开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第四开关晶体管的第一极与所述第二开关电路的第二端连接，所述第四开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接。
在具体实施时，所述相应列数据线纵向设置，所述第三开关晶体管设置于所述相应列数据线左侧，所述第四开关晶体管设置于所述相应列数据线右侧；
所述第三开关晶体管的栅极和所述第四开关晶体管的栅极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第三开关晶体管的第一极与所述第四开关晶体管的第一极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第三开关晶体管的第二极和所述第四开关晶体管的第二极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第三开关晶体管和所述第四开关晶体管都为n型晶体管，或者，所述第三开关晶体管和所述第四开关晶体管都为p型晶体管。
在本发明实施例中，所述第三开关晶体管的栅极与所述第四开关晶体管的栅极对称设置，所述第三开关晶体管的第一极与所述第四开关晶体管的第一极对称设置，所述第三开关晶体管的第二极与所述第四开关晶体管的第二极对称设置，在晶体管套刻偏移时，通过自补偿使得总像素电容保持不变。
具体的，所述第二储能电路可以包括第二存储电容，所述第三储能电路可以包括第三存储电容；
所述第二存储电容的第一端为所述第二储能电路的第一端，所述第二存储电容的第二端为所述第二储能电路的第二端；
所述第三存储电容的第一端为所述第三储能电路的第一端，所述第三存储电容的第二端为所述第三储能电路的第二端。
在具体实施时，所述第二存储电容和所述第三存储电容可以为相同的存储电容，也即第二存储电容的大小和第三存储电容的大小相同，第二存储电容的电容值与第三存储电容的电容值相同。
在优选情况下，所述第二存储电容和第三存储电容对称设置于所述数据线两侧，以使得数据线两侧的电路相互对称，以使数据线两侧的电路尽可能工作在相同环境，避免不同设计对数据线两侧的电路自补偿工作的影响，提升数据线两侧的电路的均一性。
在实际操作时，所述相应列数据线可以纵向设置，所述第二存储电容设置于所述相应列数据线左侧，所述第三存储电容设置于相应列数据线右侧，所述第二存储电容和所述第三存储电容对称设置于所述数据线两侧。
下面通过一具体实施例来说明本发明所述的感光单元。
如图5所示，本发明所述的感光单元的一具体实施例包括第一储能电路、光敏二极管PD、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、第二储能电路和第三储能电路，其中，
所述第一开关电路包括第一开关晶体管M1，所述第二开关电路包括第二开关晶体管M2；所述第三开关电路包括第三开关晶体管M3，所述第四开关电路包括第四开关晶体管M4；所述第一储能电路包括第一存储电容Cst1，所述第二储能电路包括第二存储电容Cst2，所述第三储能电路包括第三存储电容Cst3；
所述第一开关晶体管M1的栅极与所述相应行栅线Gate连接，所述第一开关晶体管M1的漏极与所述相应列数据线Data连接，所述第一开关晶体管M1的源极与所述第一存储电容Cst1的第一端连接；
所述第二开关晶体管M2的栅极与所述相应行栅线Gate连接，所述第二开关晶体管M2的漏极与所述相应列数据线Data连接，所述第二开关晶体管M2的源极与所述第一存储电容Cst1的第一端连接。
所述第一开关晶体管M1设置于所述相应列数据线Data左侧，所述第二开关晶体管M2设置于所述相应列数据线Data右侧；
所述相应列数据线Data纵向设置，所述第一开关晶体管M1的栅极和所述第二开关晶体管M2的栅极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第一开关晶体管M1的漏极与所述第二开关晶体管M2的漏极直接连接；
所述第一开关晶体管M1的源极和所述第二开关晶体管M2的源极对称设置于所述相应列数据线Data两侧；
所述第一存储电容Cst1的第二端接入公共电极电压Vcom；
PD的阳极接入反向偏置电压Vbias，在本具体实施例中，Vbias为-6V，但不以此为限；
PD的阴极与Cst1的第一端连接；
所述第三开关电路13包括第三开关晶体管M3，所述第四开关电路14包括第四开关晶体管M4；
所述第三开关晶体管M3的栅极与所述相应行栅线Gate连接，所述第三开关晶体管M3的漏极与所述第一开关晶体管M1的源极连接，所述第三开关晶体管M3的源极与所述第一存储电容Cst1的第一端连接；
所述第四开关晶体管M4的栅极与所述相应行栅线Gate连接，所述第四开关晶体管M4的漏极与所述第二开关晶体管M2的源极连接，所述第四开关晶体管M4的源极与所述第一存储电容Cst1的第一端连接；
所述第二存储电容Cst2的第一端与所述第三开关晶体管M3的漏极连接，所述第二存储电容Cst2的第二端接入公共电极电压Vcom；
所述第三存储电容Cst3的第一端与所述第四开关晶体管M4的漏极连接，所述第三存储电容Cst3的第二端接入公共电极电压Vcom；
所述第三开关晶体管M3设置于所述相应列数据线Data左侧，所述第四开关晶体管M4设置于所述相应列数据线Data右侧；
所述第三开关晶体管M3的栅极和所述第四开关晶体管M4的栅极对称设置于所述相应列数据线Data两侧；
所述第三开关晶体管M3的漏极与所述第四开关晶体管M4的漏极对称设置于所述相应列数据线Data两侧；
所述第三开关晶体管M3的源极和所述第四开关晶体管M4的源极对称设置于所述相应列数据线Data两侧；
所述第一开关晶体管M1、所述第二开关晶体管M2、所述第三开关晶体管M3和所述第四开关晶体管都为n型晶体管。
在本发明如图5所示的具体实施例中，第一开关晶体管M1的栅极和第二开关晶体管M2的栅极对称设置于所述相应列数据线Data两侧，第一开关晶体管M1的源极和第二开关晶体管M2的源极对称设置于所述相应列数据线Data两侧；当晶体管套刻偏移时，第一开关晶体管M1的栅源电容与第二开关晶体管M2的栅源电容反向变化，第一开关晶体管M1的栅漏电容与第二开关晶体管M2的栅漏电容反向变化；所述第三开关晶体管M3的栅极与所述第四开关晶体管M4的栅极对称设置于所述相应列数据线Data两侧，所述第三开关晶体管M3的漏极与所述第四开关晶体管M4的漏极对称设置于所述相应列数据线Data两侧，所述第三开关晶体管M3的源极与所述第四开关晶体管M4的源极对称设置于所述相应列数据线Data两侧，当晶体管套刻偏移时，第三开关晶体管M3的栅源电容与第四开关晶体管M4的栅源电容反向变化，第三开关晶体管M3的栅漏电容与第四开关晶体管M4的栅漏电容反向变化；在晶体管套刻偏移时，通过自补偿使得总像素电容保持不变。
在本发明图5所示的具体实施例中，Cst2和Cst3对称设置于所述相应列数据线Data两侧，并Cst2和Cst3为相同的存储电容，以使得Data左侧的电路与Data右侧的电路为镜像电路，以使Data左侧的电路和Data右侧的电路工作在相同环境，避免不同设计对左右电路自补偿工作的影响，提升左右电路的均一性。
如图3所示，本发明如图5所示的感光单元的具体实施例在工作时，
在第n充电时间段Sn1，Gate输出高电平，M1、M2、M3和M4都打开，以使得相应列数据线Data与第一存储电容Cst1的第一端之间连通，通过所述相应列数据线Data检测所述第一存储电容Cst1的第一端的电位，确定该电位为第n-1检测电位；数据线Data输出充电电压，通过所述充电电压为所述第一存储电容Cst1充电，M1的源极与Cst1的第一端之间连通，以对Cst2充电，M2的源极与Cst1的第一端之间连通，以对Cst3充电，直至所述第一存储电容Cst1的第一端的电位达到预定电位；根据所述第n-1检测电位能够得到所述光敏二极管PD在第n-1光电转换时间段接收到的光信号的强度；在图5所示的感光单元的具体实施例中，所述预定电位为1V，但不以此为限；
在第n光电转换时间段Sn2，Gate输出低电平，M1、M2、M3和M4都关断，以使得Data与Cst1的第一端之间不连通，M1的源极与Cst1的第一端之间不连通，M2的源极与Cst1的第一端之间不连通，光敏二极管PD将其接收到的光信号转换为相应的电流信号(此时电流流向为由PD的阳极流向PD的阴极)，以使得所述第一存储电容Cst1的第一端的电位相应降低。
图6示出了感光像素阵列包括的位于同一列的三个感光单元的结构示意图。
如图6所示，所述感光阵列包括第m行第一列感光单元、第m+1行第一列感光单元和第m+2行第一列感光单元；m为正整数；
第m行第一列感光单元包括第m行第一列第一开关晶体管M11、第m行第一列第二开关晶体管M12、第m行第一列第三开关晶体管M13、第m行第一列第四开关晶体管M14、第m行第一列第一存储电容Cst11、第m行第一列第二存储电容Cst12、第m行第一列第三存储电容Cst13和第m行第一列光敏二极管PD1；
第m+1行第一列感光单元包括第m+1行第一列第一开关晶体管M21、第m+1行第一列第二开关晶体管M22、第m+1行第一列第三开关晶体管M23、第m+1行第一列第四开关晶体管M24、第m+1行第一列第一存储电容Cst21、第m+1行第一列第二存储电容Cst22、第m+1行第一列第三存储电容Cst23和第m+1行第一列光敏二极管PD2；
第m+2行第一列感光单元包括第m+2行第一列第一开关晶体管M31、第m+2行第一列第二开关晶体管M32、第m+2行第一列第三开关晶体管M33、第m+2行第一列第四开关晶体管M34、第m+2行第一列第一存储电容Cst31、第m+2行第一列第二存储电容Cst32、第m+2行第一列第三存储电容Cst33和第m+2行第一列光敏二极管PD3；
M11的栅极、M12的栅极、M13的栅极和M14的栅极都与第m行栅线Gm连接；
M21的栅极、M22的栅极、M23的栅极和M24的栅极都与第m+1行栅线Gm连接；
M31的栅极、M32的栅极、M33的栅极和M34的栅极都与第m+2行栅线Gm连接；
M11的漏极和M12的漏极都与第一列数据线D1连接；
M21的漏极和M22的漏极都与第一列数据线D1连接；
M31的漏极和M32的漏极都与第一列数据线D1连接；所述第一列数据线D1纵向设置；
Cst11的第一端与M13的源极连接，M13的源极与M14的源极连接；Cst11的第二端接入公共电极电压Vcom；PD1的阴极与Cst11的第一端连接，PD1的阳极接入反向偏置电压Vbias，Cst12的第一端与M13的漏极连接，Cst12的第二端接入公共电极电压Vcom；Cst13的第一端与M14的漏极连接，Cst13的第二端接入公共电极电压Vcom；
Cst21的第一端与M23的源极连接，M23的源极与M24的源极连接；Cst21的第二端接入公共电极电压Vcom；PD2的阴极与Cst21的第一端连接，PD2的阳极接入反向偏置电压Vbias，Cst22的第一端与M23的漏极连接，Cst22的第二端接入公共电极电压Vcom；Cst23的第一端与M24的漏极连接，Cst23的第二端接入公共电极电压Vcom；
Cst31的第一端与M33的源极连接，M33的源极与M34的源极连接；Cst31的第二端接入公共电极电压Vcom；PD3的阴极与Cst31的第一端连接，PD3的阳极接入反向偏置电压Vbias，Cst32的第一端与M33的漏极连接，Cst32的第二端接入公共电极电压Vcom；Cst33的第一端与M34的漏极连接，Cst33的第二端接入公共电极电压Vcom。
在图6所示的实施例中，所有的晶体管都为n型晶体管，但不以此为限。
在图6所示的实施例中，M11设置于D1左侧，M12设置于D1右侧，M11和M12对称设置于D1两侧；M13设置于D1左侧，M14设置于D1右侧，M11和M14对称设置于D1两侧；M21设置于D1左侧，M22设置于D1右侧，M21和M22对称设置于D1两侧；M23设置于D1左侧，M24设置于D1右侧，M21和M24对称设置于D1两侧；M31设置于D1左侧，M32设置于D1右侧，M31和M32对称设置于D1两侧；M33设置于D1左侧，M34设置于D1右侧，M31和M34对称设置于D1两侧。
如图7所示，如图6所示的感光像素阵列在工作时，Gm、Gm+1、Gm+2依次输出高电平，以使得Pm包括的开关晶体管、Pm+1包括的开关晶体管、Pm+2包括的开关晶体管依次打开。
本发明实施例所述的感光单元在工作时，所述感光单元的驱动周期包括依次设置的N个驱动阶段，第n驱动阶段包括依次设置的第n充电时间段和第n光电转换时间段，N为正整数，n为小于或等于N的正整数；
在第n充电时间段，在相应行栅线的控制下，第一开关电路控制相应列数据线与第一储能电路的第一端之间连通，第二开关电路控制所述相应列数据线与所述第一储能电路的第一端之间连通，通过所述相应列数据线检测所述第一储能电路的第一端的电位，确定该电位为第n-1检测电位；数据线输出充电电压，通过所述充电电压为所述第一储能电路充电，直至所述第一储能电路的第一端的电位达到预定电位；根据所述第n-1检测电位能够得到所述感光元件在第n-1光电转换时间段接收到的光信号的强度；
在第n光电转换时间段，在相应行栅线的控制下，第一开关电路控制相应列数据线与第一储能电路的第一端之间不连通，第二开关电路控制所述相应列数据线与所述第一储能电路的第一端之间不连通，感光元件将其接收到的光信号转换为相应的电流信号，以使得所述第一储能电路的第一端的电位降低。
在具体实施时，所述感光单元还可以包括第三开关电路、第四开关电路、第二储能电路和第三储能电路；
在所述第n充电时间段，在所述相应行栅线的控制下，所述第三开关电路控制所述第一开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端之间连通，以对所述第二储能电路充电，所述第四开关电路控制所述第二开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端之间连通，以对所述第三储能电路充电；
在第n光电转换时间段，在相应行栅线的控制下，所述第三开关电路控制所述第一开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端之间不连通，所述第四开关电路控制所述第二开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端之间不连通。
本发明实施例所述的X射线探测器包括基板、转化层和设置于所述基板上的感光像素阵列，所述感光像素阵列包括多行多列上述的感光单元；
所述转化层设置于所述感光像素阵列上，用于将X射线转换为光信号。
具体的，所述转化层可以为闪烁体层，所述光信号为可见光信号。
本发明实施例所述的X射线探测器可以为平板X射线探测仪，先利用闪烁体层将X射线转化为可见光，之后通过感光像素阵列通过光电效应原理实现对光线强弱的测量，各感光像素积累的光电荷的多少代表着对应位置投射的X射线的强弱，将这些光电荷根据多少输出并按一定关系赋予对应的灰度值即可形成医疗影像画面。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种感光单元，包括第一储能电路和感光元件，所述感光元件的第一端与所述第一储能电路的第一端连接，其特征在于，所述感光单元还包括第一开关电路和第二开关电路，其中，
所述第一开关电路的控制端和所述第二开关电路的控制端都与相应行栅线连接；
所述第一开关电路的第一端与相应列数据线连接，所述第一开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端连接，所述第一开关电路用于在所述相应行栅线的控制下，控制所述相应列数据线与所述第一储能电路的第一端之间连通；
所述第二开关电路的第一端与所述相应列数据线连接，所述第二开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端连接，所述第二开关电路用于在所述相应行栅线的控制下，控制所述相应列数据线与所述第一储能电路的第一端之间连通；
所述第一开关电路和所述第二开关电路对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述的感光单元还包括第三开关电路、第四开关电路、第二储能电路和第三储能电路，其中，
所述第二储能电路的第一端与所述第一开关电路的第二端连接，所述第三储能电路的第一端与所述第二开关电路的第二端连接，所述第二储能电路的第二端和所述第三储能电路的第二端都与第一电压端连接；
所述第一开关电路的第二端通过所述第三开关电路与所述第一储能电路的第一端连接，所述第二开关电路的第二端通过所述第四开关电路与所述第一储能电路的第一端连接，所述第三开关电路的控制端和所述第四开关电路的控制端都与所述相应行栅线连接；
所述第三开关电路用于在所述相应行栅线的控制下，控制所述第一开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端之间连通，所述第四开关电路用于在所述相应行栅线的控制下，控制所述第二开关电路的第二端与所述第一储能电路的第一端之间连通；
所述第三开关电路和所述第四开关电路对称设置于所述相应列数据线两侧。
2.如权利要求1所述的感光单元，其特征在于，所述第一开关电路包括第一开关晶体管，所述第二开关电路包括第二开关晶体管；
所述第一开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第一开关晶体管的第一极与所述相应列数据线连接，所述第一开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接；
所述第二开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第二开关晶体管的第一极与所述相应列数据线连接，所述第二开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接。
3.如权利要求2所述的感光单元，其特征在于，所述相应列数据线纵向设置，所述第一开关晶体管设置于所述相应列数据线左侧，所述第二开关晶体管设置于所述相应列数据线右侧；
所述第一开关晶体管的栅极和所述第二开关晶体管的栅极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第一开关晶体管的第一极与所述第二开关晶体管的第一极直接连接；
所述第一开关晶体管的第二极和所述第二开关晶体管的第二极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管都为n型晶体管，或者，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管都为p型晶体管。
4.如权利要求1所述的感光单元，其特征在于，所述第一储能电路包括第一存储电容，所述第一存储电容的第一端为所述第一储能电路的第一端，所述第一存储电容的第二端为所述第一储能电路的第二端，所述第一存储电容的第二端与第二电压端连接；
所述感光元件为光敏二极管，所述光敏二极管的阴极为所述感光元件的第一端，所述光敏二极管的阳极为所述感光元件的第二端，所述光敏二极管的阳极与反向偏置电压端连接。
5.如权利要求1所述的感光单元，其特征在于，所述第三开关电路包括第三开关晶体管，所述第四开关电路包括第四开关晶体管；
所述第三开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第三开关晶体管的第一极与所述第一开关电路的第二端连接，所述第三开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接；
所述第四开关晶体管的栅极与所述相应行栅线连接，所述第四开关晶体管的第一极与所述第二开关电路的第二端连接，所述第四开关晶体管的第二极与所述第一储能电路的第一端连接。
6.如权利要求5所述的感光单元，其特征在于，所述相应列数据线纵向设置，所述第三开关晶体管设置于所述相应列数据线左侧，所述第四开关晶体管设置于所述相应列数据线右侧；
所述第三开关晶体管的栅极和所述第四开关晶体管的栅极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第三开关晶体管的第一极与所述第四开关晶体管的第一极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第三开关晶体管的第二极和所述第四开关晶体管的第二极对称设置于所述相应列数据线两侧；
所述第三开关晶体管和所述第四开关晶体管都为n型晶体管，或者，所述第三开关晶体管和所述第四开关晶体管都为p型晶体管。
7.如权利要求1要求所述的感光单元，其特征在于，所述第二储能电路包括第二存储电容，所述第三储能电路包括第三存储电容；
所述第二存储电容的第一端为所述第二储能电路的第一端，所述第二存储电容的第二端为所述第二储能电路的第二端；
所述第三存储电容的第一端为所述第三储能电路的第一端，所述第三存储电容的第二端为所述第三储能电路的第二端。
8.如权利要求7所述的感光单元，其特征在于，所述第二存储电容和所述第三存储电容对称设置于所述相应列数据线两侧。
9.一种X射线探测器，其特征在于，包括基板、转化层和设置于所述基板上的感光像素阵列，所述感光像素阵列包括多行多列如权利要求1至8中任一权利要求所述的感光单元；
所述转化层设置于所述感光像素阵列上，用于将X射线转换为光信号。
10.如权利要求9所述的X射线探测器，其特征在于，所述转化层为闪烁体层，所述光信号为可见光信号。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101584203A (zh) * 2006-12-20 2009-11-18 卡尔斯特里姆保健公司 用于多帧获取的成像阵列
CN107431766A (zh) * 2015-03-26 2017-12-01 卡尔斯特里姆保健公司 使用双栅极tft结构的设备和方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6486470B2 (en) * 1998-11-02 2002-11-26 1294339 Ontario, Inc. Compensation circuit for use in a high resolution amplified flat panel for radiation imaging
US7170041B2 (en) * 2002-07-17 2007-01-30 Xerox Corporation Pixel circuitry for imaging system
US9029794B2 (en) * 2012-03-15 2015-05-12 Varian Medical Systems, Inc. X-ray matrix imager based on a multiple-gate-line driving scheme and a shared-gate-line driving scheme
CN108447941B (zh) * 2017-02-16 2019-10-18 群创光电股份有限公司 X光侦测器的像素电路及x光侦测器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101584203A (zh) * 2006-12-20 2009-11-18 卡尔斯特里姆保健公司 用于多帧获取的成像阵列
CN107431766A (zh) * 2015-03-26 2017-12-01 卡尔斯特里姆保健公司 使用双栅极tft结构的设备和方法

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