CN107425514A - 一种用于天线开关控制器的增强型esd电源钳位电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于天线开关控制器的增强型ESD电源钳位电路,属于ESD保护电路领域。采用2.5V器件的RC触发电源钳位电路位的三级堆叠配置,包括VDD和VSS电源轨,VDD和VSS电源轨之间依次并联有偏置电路、RC网络、驱动器、NMOS晶体管和二极管,所述偏置电路、RC网络和驱动器组成静电放电检测电路,所述RC网络中的底级RC网络串联电容C2,中级RC网络串联电容C1,高级RC网络由电阻R0和电容C0串联;本发明在不增大电路拓扑结构尺寸的同时,具有更大的放电能力和更短的导通时间。
Description
技术领域
本发明涉及ESD保护电路领域,尤其涉及一种用于天线开关控制器的增强型ESD电源钳位电路。
背景技术
多端口天线开关是射频(RF)前端的关键构件之一,用于在一个移动手机中集成多个标准。基于电荷泵的天线开关控制器已经越来越多地被使用,其可以通过硅芯片天线开关绝缘体(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,使得偏置栅极和开关体产生负电压以改善天线开关的性能。然而,在先进的SOI CMOS技术中,静电放电(ESD)保护已成为对集成的可靠性的主要关注点电路。较薄的栅极氧化层和较浅的扩散结深度极大的降低了集成电路的ESD稳定性,提高了ESD保护设计的难度。为了实现全芯片ESD保护,需要高效的电源钳位电路,以便在各种ESD压力事件下在VDD至VSS电源轨上提供放电路径。此外,为了避免使用附加的掩模和特殊器件,具有低电压器件的RC触发电源钳位电路的堆叠设计已被广泛使用。
具有低电压装置的RC触发功率钳的传统堆叠结构不仅具有小的放电能力,而且具有长的导通时间。因此,为了达到基本的性能,布局面积总是很大。
发明内容
针对现有技术中缺陷与不足的问题,本发明提出了一种用于天线开关控制器的增强型ESD电源钳位电路,在不增大电路拓扑结构尺寸的同时,具有更大的放电能力和更短的导通时间。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种用于天线开关控制器的增强型ESD电源钳位电路,采用2.5V器件的RC触发电源钳位电路位的三级堆叠配置,包括VDD和VSS电源轨,VDD和VSS电源轨之间依次并联有偏置电路、RC网络、驱动器、NMOS晶体管和二极管,所述偏置电路、RC网络和驱动器组成静电放电检测电路,所述RC网络中的底级RC网络串联电容C2,中级RC网络串联电容C1,高级RC网络由电阻R0和电容C0串联。
进一步的,所述驱动器中的底级驱动器Y2由中级和高级驱动器的输出Y1和Y0共同提供。
进一步的,所述NMOS晶体管的所有栅极驱动电压由VDD电源轨控制。
进一步的,所述增强型电源钳位电路采用芯片集成0.18μm SOI CMOS DP5T天线开关控制器与ESD电源钳位电路。
进一步的,所述芯片的总面积为0.66×0.66mm。
本发明具有如下有益效果:本发明为基于0.18μm SOI CMOS技术的DP5T天线开关控制器设计了增强型ESD电源钳位电路,具有较大的放电能力,并且比相同级别的传统结构拥有更快的响应速度;仅使用了2.5V器件,降低了晶片成本,同时能够与WCDMA标准高度兼容。
附图说明
图1为本发明电路拓扑结构示意图;
图2为传统ESD电源钳位电路拓扑结构示意图;
图3为本发明与传统ESD电源钳位电路模拟放电电流图;
图4为本发明与传统ESD电源钳位电路模拟上电电流图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。
如图所示:一种用于天线开关控制器的增强型ESD电源钳位电路,采用2.5V器件的RC触发电源钳位电路位的三级堆叠配置,包括VDD电源线和VSS接地线,VDD电源线和VSS接地线之间依次并联有偏置电路、RC网络、驱动器、NMOS晶体管和二极管,所述偏置电路、RC网络和驱动器组成静电放电检测电路,所述RC网络中的底级RC网络串联电容C2,中级RC网络串联电容C1,高级RC网络由电阻R0和电容C0串联。
具体的,本发明采用具有2.5V器件的RC出发电源钳位电路位的三级堆叠配置,其中大尺寸NMOS晶体管M用来旁路导通ESD放电电流,偏置电路、电阻R、电容C、驱动器组成静电放电检测电路。在正常工作条件下,VDD电源轨上的电压上升得更慢,因此RC网络能够响应。偏置电路确定节点X0,X1和X2的电压,而节点Y0,Y1和Y2的电压分别保持在2VDD / 3,VDD / 3和0。因此,所有大尺寸NMOS晶体管都被关闭。当VSS接地的VDD电源线施加正的ESD压力时,RC网络无法检测到快速上电情况。电容器C0,C1和C2两端的电压不能随之立即增加,因此节点X0,X1和X2的电压仍然保持较低。无论驱动器中的Mp02,Mp12和Mp22的源极到漏极电压是否下降,节点Y0,Y1和Y2的电压都接近VDD,并且大尺寸NMOS晶体管被打开以从VDD至VSS放电,直到节点X0,X1和X2的电压达到偏置电压的电平。
增强型的拓扑结构中,底级驱动器由中级和高级驱动器的输出Y1和Y0共同提供,因此静电放电时,大尺寸NMOS晶体管的所有栅极驱动电压全由VDD控制,使其导通速度更快。
增强型的拓扑结构中,假设驱动器中的PMOS晶体管Mp02,Mp12和Mp22的源极到漏极电压等于VSDp。在增强的拓扑结构中,大尺寸NMOS晶体管M2和M1的栅极 - 源极电压分别提高到3(VDD / 3-VSDp)和2(VDD / 3-VSDp),而传统拓扑结构中的只有(VDD / 3-VSDp),也就是说同样NMOS尺寸时,增强型的导通电阻更小,放电能力更好或是同样的放电能力时,增强型拥有更小的尺寸。
增强型拓扑结构中,放电电流的平均值约为2.2A,而常规拓扑中的放电电流的平均值仅为0.83A,响应更快。
模拟上电图中(上升时间为1ms),漏电电流为34nA。
本发明集成0.18μm SOI CMOS DP5T天线开关控制器与ESD电源钳位电路后,总芯片面积为0.66×0.66mm,ES功率钳位区域仅为90×250μm。
本发明天线开关的RF性能不受ESD电源钳位电路的影响。在1.0 GH时,表现了0.52dB的插入损耗和35 dB的隔离。在2.0GHz,测量插入损耗0.61dB,隔离为31dB。这些性能与WCDMA标准高度兼容。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (5)
1.一种用于天线开关控制器的增强型ESD电源钳位电路,其特征在于:采用2.5V器件的RC触发电源钳位电路位的三级堆叠配置,包括VDD和VSS电源轨,VDD和VSS电源轨之间依次并联有偏置电路、RC网络、驱动器、NMOS晶体管和二极管,所述偏置电路、RC网络和驱动器组成静电放电检测电路,所述RC网络中的底级RC网络串联电容C2,中级RC网络串联电容C1,高级RC网络由电阻R0和电容C0串联。
2.根据权利要求1所述的一种用于天线开关控制器的增强型ESD电源钳位电路,其特征在于:所述驱动器中的底级驱动器Y2由中级和高级驱动器的输出Y1和Y0共同提供。
3.根据权利要求1所述的一种用于天线开关控制器的增强型ESD电源钳位电路,其特征在于:所述NMOS晶体管的所有栅极驱动电压由VDD电源轨控制。
4.根据权利要求1所述的一种用于天线开关控制器的增强型ESD电源钳位电路,其特征在于:所述增强型电源钳位电路采用芯片集成0.18μm SOI CMOS DP5T天线开关控制器与ESD电源钳位电路。
5.根据权利要求4所述的一种用于天线开关控制器的增强型ESD电源钳位电路,其特征在于:所述芯片的总面积为0.66×0.66mm。
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CN108987387A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 立积电子股份有限公司 | 静电放电保护装置 |
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