CN107425093A - 双面电池的掺杂方法 - Google Patents
双面电池的掺杂方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107425093A CN107425093A CN201610352910.5A CN201610352910A CN107425093A CN 107425093 A CN107425093 A CN 107425093A CN 201610352910 A CN201610352910 A CN 201610352910A CN 107425093 A CN107425093 A CN 107425093A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon substrate
- diffusion
- acid
- boron
- doping method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 61
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000012445 acidic reagent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims abstract description 9
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 14
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 10
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 claims description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical group [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 claims 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0684—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells double emitter cells, e.g. bifacial solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种双面电池的掺杂方法，包括：对硅衬底双面制绒；通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第一表面进行磷扩散以在第一表面侧的硅衬底中形成磷掺杂层，其中磷扩散温度在750℃‑900℃，磷扩散后第一表面的表面浓度为2E20‑1E21/cm3；采用酸性试剂去除第二表面侧的50‑500nm的硅层，并且保持第二表面的绒面；通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第二表面进行硼扩散以在第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层，其中硼扩散温度在850℃‑1000℃；对硅衬底进行等离子体边缘刻蚀。通过本发明所限定的特定条件的工艺，可以保留硅衬底两个表面的绒面，由此制得的双面电池的背面效率可以达到正面效率的95％。
Description
技术领域
本发明涉及一种掺杂方法，特别是涉及一种双面电池的掺杂方法。
背景技术
双面电池是指可双面接收太阳光的太阳能电池，因其结构简单且具有相对较高的光电转换效率而广受关注。目前比较常用的双面电池的掺杂结构的工艺如下：先对硅片进行第一导电类型掺杂元素的掺杂扩散(例如正面需要第一导电类型掺杂)，但是在扩散过程中硅片的所有表面都暴露于第一导电类型掺杂源的作用下，这样需要在该次扩散之后抛光硅片的背面以去除背面的第一导电类型掺杂层，还需刻蚀硅片的边缘以除去进入硅片侧壁的第一导电类型掺杂元素。之后，保护好硅片的正面，再进行第二次的第二导电类型掺杂元素的扩散以在硅片的背面中形成第二导电类型掺杂层。
这种工艺存在以下缺陷：为了增加太阳光的利用率，较为理想的双面电池的正面和背面都能保留绒面，但是在双面扩散的工艺中由于背面抛光使得背面的绒面不复存在，从而从一定程度上降低了对太阳光的利用率。再者，因为扩散并无方向性，在第二次扩散之前，必须在正面设置保护层来保护已经形成的第一导电类型掺杂层，在完成第二次扩散之后再去除该保护层。由此这样的工艺比较复杂，增加了生产成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术的双面电池掺杂工艺中难以保持硅衬底的两个表面的绒面的缺陷，提供一种可以保持两面绒面的双面电池的掺杂方法。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：
一种双面电池的掺杂方法，其特点在于，包括以下步骤：
S1：对硅衬底双面制绒，该硅衬底具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；
S2：通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第一表面进行磷扩散以在第一表面侧的硅衬底中形成磷掺杂层，其中磷扩散温度在750℃-900℃，磷扩散后第一表面的表面浓度为2E20-1E21/cm3；
S3：采用酸性试剂去除第二表面侧的50-500nm的硅层以去除磷扩散过程中进入第二表面中的磷，并且保持第二表面的绒面；
S4：通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第二表面进行硼扩散以在第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层，其中硼扩散温度在850℃-1000℃；
S5：对硅衬底进行等离子体边缘刻蚀，以去除扩散过程中进入硅衬底侧壁中的磷和硼。
经过试验发现，采用本发明工艺制得的掺杂结构的两个表面的绒面都能较好地被保留，且通过背靠背扩散和酸性试剂的结合，第一表面和第二表面的掺杂浓度都较为理想，第一表面几乎没有硼进入或者仅有少量硼进入(并不会对双面电池的性能产生负面影响)，由该掺杂结构制得的双面电池的背面效率和正面效率相当接近，背面效率为正面效率的95％以上。
优选地，步骤S5中还包括：采用回蚀试剂去除硼扩散过程中进入第一表面的硼，并且保持第一表面的绒面。通过回蚀，即使第一表面有少量硼进入也会在回蚀试剂的作用下被去除。再者，由于回蚀的硅层在纳米数量级，而绒面一般在微米数量级，因此回蚀几乎不会对绒面的构造造成影响，即能够在去除含硼硅层的情况下保证第一表面的绒面，从而使得双面电池的两个绒面都能得到保留。
优选地，该回蚀试剂用于去除1nm-50nm的第一表面侧的硅层。无论是否有硼进入第一表面中，通过回蚀试剂去除第一表面侧的纳米数量级的硅层，既不会影响绒面，也不会对磷掺杂层造成大的影响，同时还能够去除硼扩散过程中可能进入第一表面侧的硼。
优选地，该回蚀试剂选自：氢氟酸和双氧水的混合物、氢氟酸和硝酸的混合物、氢氧化钾、TMAH(四甲基氢氧化铵)以及氢氧化铵和双氧水的混合物中的一种或多种。
优选地，该回蚀试剂为NH4OH和H2O2的混合物，其中NH4OH：H2O2＝1：1-5：1(体积比)，该回蚀试剂的作用温度为70-80摄氏度，反应时间5-30分钟。
优选地，步骤S4中硼扩散之前或者硼扩散的同时包括以下步骤：在扩散炉中通氧气，流量为0.1-15SLM(SLM，(标准升每分钟，标准状态是0℃，一个标准大气压下))。
优选地，步骤S5之后包括以下步骤：去除扩散过程中形成的硼硅玻璃和氧化层。
优选地，步骤S3中还包括：去除磷扩散过程中形成于第一表面侧的磷硅玻璃。
优选地，步骤S5中还包括：去除磷扩散过程中形成于第一表面侧的磷硅玻璃和硼扩散过程中形成于第二表面侧的硼硅玻璃。
也就是说，磷硅玻璃既可以在完成磷扩散之后洗去，亦可以在硼扩散后与硼硅玻璃一并洗去。
优选地，步骤S3中所述的酸性试剂为氢氟酸和双氧水的混合物、氢氟酸和硝酸的混合物、氢氟酸和硫酸的混合物中的一种或多种。
优选地，该酸性试剂为氢氟酸、硝酸和水的混合物，其中氢氟酸：硝酸：水＝1:1:10，酸性试剂的作用时间为5-30分钟。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：
通过本发明所限定的特定条件的工艺，可以保留硅衬底两个表面的绒面，由此制得的双面电池的背面效率可以达到正面效率的95％，甚至98％。在背靠背扩散工艺和特定的顺序以及扩散参数条件下，硅衬底的第一表面几乎没有硼进入，或者仅有少量的硼进入。即使有少量硼进入，也可以通过回蚀简单去除，由此在保证理想掺杂的情况下还能保留两面绒面。
附图说明
图1为本发明实施例1中双面制绒后的硅衬底示意图。
图2为本发明实施例1中磷扩散后的硅衬底的示意图。
图3为本发明实施例1中去除第二表面侧含磷硅层之后的硅衬底示意图。
图4为本发明实施例1中硼扩散后的掺杂结构的示意图。
图5为本发明实施例2中硼扩散后的掺杂结构的示意图。
图6为本发明实施例3中硼扩散前形成氧化层的示意图。
图7为图6基础上进行硼扩散后掺杂结构的示意图。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
实施例1
参考图1-图4，本实施例所述的掺杂方法包括以下步骤：
首先对硅衬底10双面制绒，该硅衬底具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；
接着对该硅衬底的第一表面进行磷扩散以在第一表面侧的硅衬底中形成磷掺杂层20，其中磷扩散温度在750℃-900℃，在扩散过程中第二表面侧也会受到磷扩散的影响，形成含磷的硅层21；
参考图3，采用酸性试剂去除第二表面侧的100nm的含磷的硅层21以去除磷扩散过程中进入第二表面中的磷，并且保持第二表面的绒面。由于去除的硅层在纳米数量级，而绒面一般在微米数量级，因此几乎不会对绒面的构造造成影响。本实施例中酸性试剂该酸性试剂为氢氟酸、硝酸和水的混合物，其中氢氟酸：硝酸：水＝1:1:10(体积比)，酸性试剂的作用时间为5-30分钟，具体来说可以将硅衬底的第二表面泡在该酸性试剂里，该酸性试剂可以去除含磷的硅层21但不会对绒面造成大的影响；
通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第二表面进行硼扩散以在第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层30，其中硼扩散温度在850℃-1000℃，并且经过实验发现，第一表面几乎没有硼进入；
之后对硅衬底进行等离子体边缘刻蚀，以去除两次高温过程中进入硅衬底侧壁中的磷和硼(图中未示出)，并且采用氢氟酸去除磷扩散过程中形成的磷硅玻璃和硼扩散过程中形成的硼硅玻璃(图中亦未示出)，由此得到如图4所示的结构。
实施例2
实施例2的基本原理与实施例1相同，不同之处在于：
在硼扩散过程中，虽然采用了背靠背扩散的方式，但是第一表面还是有可能会有少量硼进入，在图5中以31表示含硼的硅层，为了保证第一表面的理想掺杂，采用回蚀试剂去除这一含硼的硅层，并且保持第一表面的绒面。本实施例中采用的回蚀试剂为：氨水：双氧水＝2：1(体积比)，回蚀时温度70℃-80℃，反应时间5-30分钟，由此去除含硼的硅层。
其余未提及之处参照实施例1。
实施例3
实施例3的基本原理与实施例1相同，不同之处在于：
参考图6-图7，在硼扩散之前执行以下步骤：在扩散炉中通氧气，流量为10SLM，这样硅衬底的两个表面上会形成氧化层40，之后执行硼扩散。第二表面的氧化层不会影响硼在第二表面侧的掺杂，而第一表面侧的氧化层则能够起到保护磷掺杂层20的作用，由此保证第一表面没有硼的进入。
其余未提及之处参照实施例1。
通过本发明所限定的特定条件的工艺，可以保留硅衬底两个表面的绒面，由此制得的双面电池的背面效率可以达到正面效率的95％，甚至98％。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种双面电池的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：对硅衬底双面制绒，该硅衬底具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；
S2：通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第一表面进行磷扩散以在第一表面侧的硅衬底中形成磷掺杂层，其中磷扩散温度在750℃-900℃，磷扩散后第一表面的表面浓度为2E20-1E21/cm3；
S3：采用酸性试剂去除第二表面侧的50-500nm的硅层以去除磷扩散过程中进入第二表面中的磷，并且保持第二表面的绒面；
S4：通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第二表面进行硼扩散以在第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层，其中硼扩散温度在850℃-1000℃；
S5：对硅衬底进行等离子体边缘刻蚀。
2.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S5中还包括：采用回蚀试剂去除硼扩散过程中进入第一表面的硼，并且保持第一表面的绒面。
3.如权利要求2所述的掺杂方法，其特征在于，该回蚀试剂用于去除1nm-50nm的第一表面侧的硅层。
4.如权利要求2所述的掺杂方法，其特征在于，该回蚀试剂选自：氢氟酸和双氧水的混合物、氢氟酸和硝酸的混合物、氢氧化钾、TMAH或氢氧化铵和双氧水的混合物中的一种或多种。
5.如权利要求4所述的掺杂方法，其特征在于，该回蚀试剂为NH4OH和H2O2的混合物，其中NH4OH：H2O2＝1：1-5：1，该回蚀试剂的作用温度为70-80摄氏度，反应时间5-30分钟。
6.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S4中硼扩散之前或者硼扩散的同时包括以下步骤：在扩散炉中通氧气，流量为0.1-15SLM。
7.如权利要求6所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S5之后包括以下步骤：去除扩散过程中形成的硼硅玻璃和氧化层。
8.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S3中还包括：去除磷扩散过程中形成于第一表面侧的磷硅玻璃。
9.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S5中还包括：去除磷扩散过程中形成于第一表面侧的磷硅玻璃和硼扩散过程中形成于第二表面侧的硼硅玻璃。
10.如权利要求1-9中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S3中所述的酸性试剂为氢氟酸和双氧水的混合物、氢氟酸和硝酸的混合物、氢氟酸和硫酸的混合物中的一种或多种。
11.如权利要求10所述的掺杂方法，其特征在于，该酸性试剂为氢氟酸、硝酸和水的混合物，其中氢氟酸：硝酸：水＝1:1:10，酸性试剂的作用时间为5-30分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610352910.5A CN107425093A (zh) | 2016-05-24 | 2016-05-24 | 双面电池的掺杂方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610352910.5A CN107425093A (zh) | 2016-05-24 | 2016-05-24 | 双面电池的掺杂方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107425093A true CN107425093A (zh) | 2017-12-01 |
Family
ID=60423020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610352910.5A Pending CN107425093A (zh) | 2016-05-24 | 2016-05-24 | 双面电池的掺杂方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107425093A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201699033U (zh) * | 2010-03-30 | 2011-01-05 | 杨乐 | 双面受光型晶体硅太阳能电池 |
| CN102263159A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-11-30 | 江阴鑫辉太阳能有限公司 | 一种利用硼磷共扩散制备n型太阳电池的工艺 |
| CN104143589A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-12 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种太阳能电池的双面扩散方法 |
| CN104157740A (zh) * | 2014-09-03 | 2014-11-19 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型双面太阳能电池的制备方法 |
-
2016
- 2016-05-24 CN CN201610352910.5A patent/CN107425093A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201699033U (zh) * | 2010-03-30 | 2011-01-05 | 杨乐 | 双面受光型晶体硅太阳能电池 |
| CN102263159A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-11-30 | 江阴鑫辉太阳能有限公司 | 一种利用硼磷共扩散制备n型太阳电池的工艺 |
| CN104143589A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-12 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种太阳能电池的双面扩散方法 |
| CN104157740A (zh) * | 2014-09-03 | 2014-11-19 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型双面太阳能电池的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103403875A (zh) | 用于太阳能电池发射体的湿化学反向蚀刻的方法 | |
| CN108193281B (zh) | 多晶黑硅制绒工艺 | |
| CN105810779B (zh) | 一种perc太阳能电池的制备方法 | |
| CN104362221B (zh) | 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法 | |
| TW201027778A (en) | A solar cell and production method for a solar cell with a two step doping process | |
| CN102222719B (zh) | 太阳能电池用结晶系硅基板的表面处理方法及太阳能电池的制造方法 | |
| CN103632934B (zh) | N 型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
| CN105576083A (zh) | 一种基于apcvd技术的n型双面太阳能电池及其制备方法 | |
| CN110416363B (zh) | 一种匹配碱抛选择性发射极的正面钝化工艺 | |
| CN109616528A (zh) | 一种太阳能电池选择性发射极的制备方法 | |
| CN101872806A (zh) | 太阳电池硅片的制绒方法及制造太阳电池的方法 | |
| CN109449251A (zh) | 一种太阳能电池选择性发射极的制备方法 | |
| CN103337561A (zh) | 全背接触太阳电池表面场制备方法 | |
| CN104701407A (zh) | 太阳能电池和长城型太阳能电池基板的表面制绒处理方法 | |
| CN109554762A (zh) | 一种多晶硅蚀刻液添加剂及其应用 | |
| CN113948611A (zh) | 一种p型ibc电池及其制备方法、组件、光伏系统 | |
| CN111341880A (zh) | 太阳能电池的制造方法 | |
| CN104143589B (zh) | 一种太阳能电池的双面扩散方法 | |
| CN208336240U (zh) | 太阳能电池及太阳能电池组件 | |
| CN101901832B (zh) | 一种镓扩散形成可控硅穿通结构的生产方法 | |
| CN103541017B (zh) | 一种多晶硅太阳电池湿法制绒方法 | |
| WO2012012979A1 (zh) | 一种激光与酸刻蚀结合的制绒方法 | |
| CN108074999A (zh) | 一种选择性发射极黑硅电池及其制作方法 | |
| CN109980043A (zh) | 一种湿法黑硅片的高效量产制备方法 | |
| CN101976700A (zh) | 硅片的后清洗工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20171201 |