CN107425086A - 一种离子注入法制作n型pert双面太阳电池的制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种离子注入法制作N型PERT(passivated emitter,rear totally‑diffused)双面太阳电池的制备工艺，所述工艺流程包括如下步骤：首先硅片双面制绒；再对制绒后的硅片正面离子注入硼形成P+N结，背面离子注入磷形成N+N高低结；然后硅片双面共同激活回火并同时生成SiO2钝化膜；再在生成SiO2钝化膜后的硅片双面用PECVD法生长SiNx减反膜；接着在生长SiNx减反膜后的硅片双面印刷Ag；再进行共烧结处理；最后进行电性测试。本发明用离子注入硼形成PERT正面P+N结，离子注入磷形成PERT背面N+N高低结，形成双面受光太阳电池，结深和表面掺杂浓度容易靠注入能量和掺杂剂量调控，拉升电池的光电转换效率，省去扩散工艺之后的硼玻璃去除和磷玻璃去除两个步骤，精简生产工艺，降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体为一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺。
背景技术
近两年来，N型硅太阳电池由于它优越的性能，包括少子寿命大于1000μs，对金属杂质不敏感，也没有P型硅材料中大量的B-O键而造成光*衰减的问题，且弱光效应好。所以已受到一线电池厂竞相投入开发。预测到2020年之前可实现大量生产低成本且平均效率大于23％的N型太阳电池；根据国际光伏技术路线图(ITRPV)2015年做的预测，到双面电池为由P型进入N型太阳电池生产线较容易转换的电池线。
光伏行业要实现大规模平价上网，必须不断提高效率降低成本，N型单晶电池，必然是市场未来的方向。N型单晶高效电池主要有PERT电池、PERL电池、HIT电池和IBC电池。依据受光面不同可分为单面受光型和双面受光型，双面受光型的N型单晶高效组件因正反面都可吸光发电，有助于组件安装数量的减少，因此也减少了占地面积，降低终端每度电的成本，特别适合垂直安装，建筑整合，停车棚，隔音墙等的应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种生产工艺流程精简、生产成本低的离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，所述工艺流程包括如下步骤：
硅片双面制绒；
对制绒后的硅片正面离子注入硼形成P+N结，背面离子注入磷形成N+N高低结；
硅片双面共同激活回火并同时生成SiO2钝化膜；
在生成SiO2钝化膜后的硅片双面用PECVD法生长SiNx减反膜；
在生长SiNx减反膜后的硅片双面印刷Ag；
对双面印刷Ag后的硅片进行共烧结处理；
对共烧结处理后的硅片进行电性测试。
优选的，所述硅片正面离子注入硼形成P+N结，背面离子注入磷形成N+N结中P+和N+层的方阻都为80Ω/sq，方阻均匀。
优选的，所述生成SiO2钝化膜的共同回火温度1000℃～1050℃，时间持续半小时，在回火工艺快结束时的15分钟通纯氧80ml/min，生成相当用干氧法成长的SiO2钝化膜，SiO2钝化膜厚度为15nm。
优选的，所述用PECVD法生长SiNx减反膜的厚度为70nm，SiO2钝化膜与SiNx减反膜形成SiO2/SiNX的双层钝化减反膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明基本上可以与P型电池的生产线大部分设备相容，原来的扩散炉可改成离子注入后激活回火工艺之用，唯一多出离子注入机注入B和P形成双结，减少设备成本。
2、本发明用离子注入硼和磷形成PERT正面和背面两个P/N结形成双面受光太阳电池，结深和表面掺杂浓度容易靠注入能量和掺杂剂量调控，拉升电池的光电转换效率，平均光电转换效率正面大于21％以上，背面效率19％左右，封装成双面受光组件，功率可达360W，而且离子注入硼和磷的工艺，不像扩散工艺形成硼玻璃和磷玻璃，需要另外去除的工艺步骤。
3、本发明离子注入B和P之后的共同激活回火过程可通纯氧生成品质最佳的干氧法SiO215nm，配合之后用PECVD生成的SiNX70nm形成双膜钝化的最佳组合，精简生产工艺流程，降低生产成本。
附图说明
图1为本发明一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺的流程图；
图2为本发明一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，所述工艺流程包括如下步骤：
S1、硅片双面制绒；
S2、对制绒后的硅片正面离子注入硼形成P+N结，背面离子注入磷形成N+N高低结，P+和N+层的方阻都为80Ω/sq，方阻均匀；
S3、硅片双面共同激活回火并同时生成SiO2钝化膜，生成SiO2钝化膜的共同回火温度1000℃～1050℃，时间持续半小时，在回火工艺快结束时的15分钟通纯氧80ml/min，生成相当用干氧法成长的SiO2钝化膜，SiO2钝化膜厚度为15nm。；
S4、在生成SiO2钝化膜后的硅片双面用PECVD法生长SiNx减反膜，SiNx减反膜的厚度为70nm，SiO2钝化膜与SiNx减反膜形成SiO2/SiNX的双层钝化减反膜；
S5、在生长SiNx减反膜后的硅片双面印刷Ag，相比传统丝网印刷，主栅与副栅采用相同浆料，造成烧结时都穿透减反膜，在主栅位置处产生多余的复合，降低的短路电流的表现，并且成本考量上与跟一次印刷银浆用量为限，副栅高度增加可降低传输电阻，但主栅高度增加并没有这效果，因此第一次印刷只印副栅，第二次印刷再主栅副栅同时印，副栅印了两次，高宽比提高，主栅印一次省了银浆，第一次印刷浆料可用传统银浆可穿透减反膜，第二次印刷可选用导电性更好的浆料；
S6、对双面印刷Ag后的硅片进行共烧结处理；
S7、对共烧结处理后的硅片进行电性测试。
参阅图2，本发明离子注入法制作N型PERT双面太阳电池N型PERT双面太阳电池的结构包括N型硅片1，依次设在在N型硅片正面的P+发射极2、SiO2钝化膜4、SiNx减反膜5和印刷在SiNx减反膜表面Ag栅线电极6，依次在N型硅片背面的N+背场3、SiO2钝化膜4、SiNx减反膜5和印刷在SiNx减反膜表面Ag栅线电极6。
本发明基本上可以与P型电池的生产线大部分设备相容，原来的扩散炉可改成离子注入后激活回火工艺之用，唯一多出离子注入机注入B和P形成双结，减少设备成本；离子注入B和P之后的共同激活回火过程可通纯氧生成品质最佳的干习法SiO215nm，配合之后用PECVD生成的SiNX70nm形成双膜钝化的最佳组合，精简生产工艺流程，降低生产成本；用离子注入硼和磷形成PERT正面和背面两个P/N结形成双面受光太阳电池，结深和表面掺杂浓度容易靠注入能量和掺杂剂量调控，拉升电池的光电转换效率，平均光电转换效率正面大于21％以上，背面效率19％左右，封装成双面受光组件，功率可达360W，而且离子注入硼和磷的工艺，不像扩散工艺形成硼玻璃和磷玻璃，需要另外去除的工艺步骤。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“同轴”、“底部”、“一端”、“顶部”、“中部”、“另一端”、“上”、“一侧”、“顶部”、“内”、“前部”、“中央”、“两端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于：所述工艺流程包括如下步骤：
硅片双面制绒；
对制绒后的硅片正面离子注入硼形成P+N结，背面离子注入磷形成N+N高低结；
硅片双面共同激活回火并同时生成SiO2钝化膜；
在生成SiO2钝化膜后的硅片双面用PECVD法生长SiNx减反膜；
在生长SiNx减反膜后的硅片双面印刷Ag；
对双面印刷Ag后的硅片进行共烧结处理；
对共烧结处理后的硅片进行电性测试。
2.根据权利要求1所述的一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于：所述硅片正面离子注入硼形成P+N结，背面离子注入磷形成N+N结中P+和N+层的方阻都为80Ω/sq，方阻均匀。
3.根据权利要求1所述的一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于：所述生成SiO2钝化膜的共同回火温度1000℃～1050℃，时间持续半小时，在回火工艺快结束时的15分钟通纯氧80ml/min，生成相当用干氧法成长的SiO2钝化膜，SiO2钝化膜厚度为15nm。
4.根据权利要求1所述的一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于：所述用PECVD法生长SiNx减反膜的厚度为70nm，SiO2钝化膜与SiNx减反膜形成SiO2/SiNX的双层钝化减反膜。
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| CN (1) | CN107425086A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111129214A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-05-08 | 阳光中科（福建）能源股份有限公司 | 一种制作n型pert双面太阳电池及其制备工艺 |
| CN111490128A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-08-04 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种n-pert双面电池氧化硅/氮化硅叠层膜的制备方法 |
| CN111640804A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-08 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种氧化硅/氮化硅叠层膜的n-pert双面电池结构 |
| CN111640805A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-08 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种基于氮化硅叠层膜的n-pert双面电池结构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104269457A (zh) * | 2014-09-05 | 2015-01-07 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 基于离子注入工艺的n型IBC硅太阳能电池制作方法 |
| CN105489671A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-04-13 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 一种n型双面太阳能电池及其制备方法 |
| CN106104755A (zh) * | 2013-09-13 | 2016-11-09 | 离子射线服务公司 | 包括通过离子注入掺杂和沉积向外扩散阻挡物的用于制备太阳能电池的方法 |
-
2017
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106104755A (zh) * | 2013-09-13 | 2016-11-09 | 离子射线服务公司 | 包括通过离子注入掺杂和沉积向外扩散阻挡物的用于制备太阳能电池的方法 |
| CN104269457A (zh) * | 2014-09-05 | 2015-01-07 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 基于离子注入工艺的n型IBC硅太阳能电池制作方法 |
| CN105489671A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-04-13 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 一种n型双面太阳能电池及其制备方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111490128A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-08-04 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种n-pert双面电池氧化硅/氮化硅叠层膜的制备方法 |
| CN111129214A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-05-08 | 阳光中科（福建）能源股份有限公司 | 一种制作n型pert双面太阳电池及其制备工艺 |
| CN111640804A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-08 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种氧化硅/氮化硅叠层膜的n-pert双面电池结构 |
| CN111640805A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-08 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种基于氮化硅叠层膜的n-pert双面电池结构 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20171201 |