CN107393811B - 一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法 - Google Patents

一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107393811B
CN107393811B CN201710606944.7A CN201710606944A CN107393811B CN 107393811 B CN107393811 B CN 107393811B CN 201710606944 A CN201710606944 A CN 201710606944A CN 107393811 B CN107393811 B CN 107393811B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver paste
ceramic package
package device
bonding die
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710606944.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107393811A (zh
Inventor
李兴鸿
赵俊萍
黄鑫
孙健
方测宝
王勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Microelectronic Technology Institute
Mxtronics Corp
Original Assignee
Beijing Microelectronic Technology Institute
Mxtronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Microelectronic Technology Institute, Mxtronics Corp filed Critical Beijing Microelectronic Technology Institute
Priority to CN201710606944.7A priority Critical patent/CN107393811B/zh
Publication of CN107393811A publication Critical patent/CN107393811A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107393811B publication Critical patent/CN107393811B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02079—Cleaning for reclaiming

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本发明提供了一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，具体为：(1)、将银浆粘片陶瓷封装器件开封后装入玻璃烧杯中；(2)、往玻璃烧杯中加入可溶解银浆的有机溶剂，使银浆粘片陶瓷封装器件完全没入有机溶剂中；(3)、用玻璃盖盖住烧杯，保持有机溶剂处于低于其沸点的一定温度并持续一段时间，直至银浆粘片陶瓷封装器件上的银浆充分溶解；(4)、对其进行清洗，去除附着在其上的银浆；(5)、将陶瓷封装器件干燥处理。该方法有效降低以至消除了芯片表面沾污、芯片腐蚀及机械损伤的诱因，完整保留了芯片的物理结构和电性能，完整保留了封装；溶剂可重复使用，环境污染小，操作简单，降低了成本。

Description

一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法
技术领域
本发明涉及一种半导体器件取芯片方法,特别是银浆粘片的陶瓷基座封装的集成电路的取芯片方法。
背景技术
从封装体上无损地取下芯片的技术称为取芯片技术，用于芯片的失效分析及器件的修复。半导体芯片粘接用银浆，主要由树脂添加银粉和固化剂组成。文献《混合微电路技术手册》所述，取芯片技术为加热软化树脂法取芯片，即粘片胶在高温下软化后将芯片提起。期刊《粘接》第5期文献“半导体芯片粘接用导电胶”中表明，一种银浆固化后加热至350℃时，抗剪强度尚有20公斤/厘米2。可见要银浆软化拉起芯片的温度会应高于350℃，已到浅结芯片的退火合金的温度了，对芯片性能将有影响。加热软化法是一种广泛用于混合集成电路的返修的方法，此方法好处是完全不用化学试剂，对周围元器件及封装体影响小，但其不足之处是：难于避免芯片碎片、崩边、表面划伤、表面沾污以及芯片高温热损伤。
发明内容
本发明的技术解决问题是：克服现有技术的不足之处，提供一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，该方法使用有机溶剂溶解粘片胶的方法，从而克服了芯片碎片、崩边、表面划伤、沾污、金属腐蚀以及芯片高温热损伤的缺点。
本发明的技术解决方案是：一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，该方法包括下列步骤：
(1)、将银浆粘片陶瓷封装器件开封后装入玻璃烧杯中；
(2)、往玻璃烧杯中加入可溶解银浆的有机溶剂，使银浆粘片陶瓷封装器件完全没入有机溶剂中；
(3)、用玻璃盖盖住烧杯，保持有机溶剂处于低于其沸点的一定温度并持续一段时间，直至银浆粘片陶瓷封装器件上的银浆充分溶解；
(4)、采用工具夹住陶瓷封装将陶瓷封装器件从玻璃烧杯中提取出来，并对其进行清洗，去除附着在其上的银浆；
(5)、对陶瓷封装器件进行干燥处理。
2、根据权利要求1所述的一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，其特征在于所述步骤(4)清洗过程采用下列顺序进行：
(4.1)、采用丙酮超声清洗，所述丙酮超声功率50W～80W；
(4.2)、采用无水乙醇超声清洗，所述无水乙醇超声功率50W～80W；
(4.3)、采用纯水水枪倾斜喷洗芯片表面，直至附着在其上的银浆全部去除，所述纯水水枪压力为1.1atm～1.5atm。
所述步骤(4.1)的清洗时间为3min～5min。
所述步骤(4.2)的清洗时间为3min～5min。
所述步骤(5)具体为：
(5.1)、采用氮枪倾斜喷吹芯片表面，去除附着在芯片表面的水纹，所述氮枪的压力为1.1atm～1.5atm；
(5.2)、对清洗后的银浆粘片陶瓷封装器件放于干净干燥环境中自然干燥。
所述有机溶剂由乙二醇丁醚和乙醇胺组成，乙二醇丁醚和乙醇胺体积比的范围为：1.8：0.2～0.8：1.2。
本发明与现有技术相比的有益效果是：
(1)、本发明采用有机溶剂溶解粘片胶的方法去除银浆，有效降低以至消除了芯片碎片、崩边、表面划伤、沾污、金属腐蚀以及芯片高温热损伤的可能性，完整保留了芯片的物理结构和电性能，完整保留了封装，溶剂可重复使用，减轻了环境污染，操作简单，降低了成本；
(2)本发明清洗过程中对芯片无硬接触，所以有效防止了硬接触导致的碎片、崩边、表面划伤；
(3)、本发明所用的有机溶剂和清洗剂对芯片无腐蚀性，有效避免了金属布线尤其是键合点的腐蚀；
(4)、本发明使用温度远低于有机溶剂的挥发温度(溶剂沸程：169℃～172℃)，溶剂挥发少，溶质少，所以溶剂成份变化小，可重复使用，有效减轻溶剂对环境的污染；
(5)、本发明由于有机溶剂温度低，远低于芯片工艺温度(≥300℃)，不会造成芯片结构的重构，完全避免了温度对芯片造成热损伤的可能；
(6)、由于溶剂温度稳定后本发明方法基本不用看护，所以降低了成本。
附图说明
图1是本发明一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法工艺流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
如图1所示，本发明的一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，主要包括:工艺准备、样品装入、溶剂注入、温控计时加热、清洗干燥步骤。本发明工艺准备包括：陶瓷封装样品开封、试剂、温控加热台、超声波清洗机、带盖有刻度的玻璃烧杯、纯水或去离子水、干燥干净的压缩空气或氮气、水枪、气枪的齐备和完好。本发明的重点在于全过程无芯片腐蚀、无工具接触芯片表面。
具体步骤为：
(1)、将银浆粘片陶瓷封装器件开封后装入玻璃烧杯中；
(2)、往玻璃烧杯中加入可溶解银浆的有机溶剂，使银浆粘片陶瓷封装器件完全没入有机溶剂中；银浆粘片陶瓷封装器件可以是芯片表面朝上装、芯片表面垂直装，或芯片表面仰斜装，玻璃烧杯大小以能完整的放置一组(个)器件为宜，为了充分溶解银浆，最好是有机溶剂浸过器件最高处为10mm～30mm。
(3)、用玻璃盖盖住烧杯，保持有机溶剂处于低于其沸点的一定温度并持续一段时间，直至银浆粘片陶瓷封装器件上的银浆充分溶解；控温方法可采用温控加热台或控温水浴槽。
(4)、采用工具夹住陶瓷封装将陶瓷封装器件从玻璃烧杯中提取出来，并对其进行清洗，去除附着在其上的银浆；
(4.1)、采用丙酮超声清洗，清洗时间为3min～5min，所述丙酮超声功率50W～80W；
(4.2)、采用无水乙醇超声清洗，清洗时间为3min～5min，所述无水乙醇超声功率50W～80W；
(4.3)、采用纯水水枪倾斜喷洗芯片表面，直至附着在其上的银浆全部去除，芯片在水枪的冲力下轻微晃动，所述纯水水枪压力为1.1atm～1.5atm；
(5)、对陶瓷封装器件进行干燥处理。
(5.1)、采用氮枪倾斜喷吹芯片表面，去除附着在芯片表面的水纹，所述氮枪的压力为1.1atm～1.5atm；
(5.2)、对清洗后的银浆粘片陶瓷封装器件放于干净干燥环境中自然干燥。
有机溶剂可以是酮类、脂类、醚醇类和氯代烃类有机溶剂。考虑到乙二醇丁醚和乙醇胺组成的挥发性比较小，对实验室操作人员的损害比较低，因此，所述有机溶剂选取由乙二醇丁醚和乙醇胺组成的化学溶剂，乙二醇丁醚和乙醇胺体积比的范围为：1.8：0.2～0.8：1.2。
实施例1
一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，包括下列步骤：
(1)、将2只开封(开盖)后的芯片面积为5mm×5mm的半导体器件装入带玻璃盖的外径为70mm玻璃烧杯1中，一只芯片正面朝上平放，另一只芯片正面朝外依靠外壁立放；
(2)、玻璃烧杯中加入乙二醇丁醚：乙醇胺体积比＝1.8：0.2的有机溶剂，溶剂浸过立放器件最高处10mm；
(3)、控制溶剂的温度为40℃，定时12h；
(4)、清洗干燥步骤按下列顺序进行，①丙酮超声清洗：时间3min、功率80W，②无水乙醇超声清洗：时间3min、功率50W，③1.5atm纯水水枪倾斜喷洗芯片表面5下，④1.5atm的氮枪倾斜喷吹芯片表面5下。
(5)、放于干净干燥环境中自然干燥1h。
实施例2
(1)将2只开封(开盖)后的芯片面积为5mm×5mm的半导体器件装入带玻璃盖的外径为70mm玻璃烧杯1中，一只芯片正面朝上平放，另一只芯片正面朝外依靠外壁立放；
(2)玻璃烧杯中加入乙二醇丁醚：乙醇胺＝0.8：1.2(体积比)的有机溶剂，溶剂浸过立放器件最高处10mm；
(3)控制溶剂的温度为50℃，定时12h；
(4)清洗干燥步骤按下列顺序进行，①丙酮超声清洗：时间5min、功率50W；②无水乙醇超声清洗：时间4min、功率75W，③1.1atm纯水水枪倾斜喷洗芯片表面10下；④1.2atm的氮枪倾斜喷吹芯片表面8下；⑤放于干净干燥环境中自然干燥1h。
实施例3
(1)、将1只开封(开盖)后的芯片面积为15mm×15mm的半导体器件装入带玻璃盖的外径为70mm玻璃烧杯1中，芯片正面朝上平放；
(2)、玻璃烧杯中加入乙二醇丁醚：乙醇胺＝1：1(体积比)的有机溶剂，溶剂浸过立放器件最高处20mm；
(3)、控制溶剂的温度为70℃，定时24h；
(4)、清洗干燥步骤按下列顺序进行，①丙酮超声清洗：时间4min、功率70W，②无水乙醇超声清洗：时间5min、功率60W，③1.4atm纯水水枪倾斜喷洗芯片表面9下，④1.1atm的氮枪倾斜喷吹芯片表面10下，⑤放于干净干燥环境中自然干燥1h。
采用上述方法共提取了500支银浆粘片陶瓷封装器件的芯片，无损率达到了99.9％。
本发明未进行详细描述部分属于本领域技术人员的公知常识。

Claims (5)

1.一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，其特征在于包括下列步骤：
(1)、将银浆粘片陶瓷封装器件开封后装入玻璃烧杯中；
(2)、往玻璃烧杯中加入可溶解银浆的有机溶剂，使银浆粘片陶瓷封装器件完全没入有机溶剂中；
(3)、用玻璃盖盖住烧杯，保持有机溶剂处于低于其沸点的一定温度并持续一段时间，直至银浆粘片陶瓷封装器件上的银浆充分溶解；
(4)、采用工具夹住陶瓷封装将陶瓷封装器件从玻璃烧杯中提取出来，并对其进行清洗，去除附着在其上的银浆；
清洗过程采用下列顺序进行：
(4.1)、采用丙酮超声清洗，所述丙酮超声功率50W～80W；
(4.2)、采用无水乙醇超声清洗，所述无水乙醇超声功率50W～80W；
(4.3)、采用纯水水枪倾斜喷洗芯片表面，直至附着在其上的银浆全部去除，所述纯水水枪压力为1.1atm～1.5atm；
(5)、对陶瓷封装器件进行干燥处理。
2.根据权利要求1所述的一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，其特征在于所述步骤(4.1)的清洗时间为3min～5min。
3.根据权利要求1所述的一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，其特征在于所述步骤(4.2)的清洗时间为3min～5min。
4.根据权利要求1所述的一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，其特征在于步骤(5)具体为：
(5.1)、采用氮枪倾斜喷吹芯片表面，去除附着在芯片表面的水纹，所述氮枪的压力为1.1atm～1.5atm；
(5.2)、对清洗后的银浆粘片陶瓷封装器件放于干净干燥环境中自然干燥。
5.根据权利要求1所述的一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，其特征在于：所述有机溶剂由乙二醇丁醚和乙醇胺组成，乙二醇丁醚和乙醇胺体积比的范围为：1.8：0.2～0.8：1.2。
CN201710606944.7A 2017-07-24 2017-07-24 一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法 Active CN107393811B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710606944.7A CN107393811B (zh) 2017-07-24 2017-07-24 一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710606944.7A CN107393811B (zh) 2017-07-24 2017-07-24 一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107393811A CN107393811A (zh) 2017-11-24
CN107393811B true CN107393811B (zh) 2019-07-23

Family

ID=60336592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710606944.7A Active CN107393811B (zh) 2017-07-24 2017-07-24 一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107393811B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7586415B2 (en) * 2006-02-28 2009-09-08 Sontec Co., Ltd. RFID tag and ceramic patch antenna
CN102079847A (zh) * 2009-11-27 2011-06-01 东莞市立高电子制品有限公司 一种光敏银浆导电胶及其制备方法
CN103151096A (zh) * 2013-02-06 2013-06-12 苏州达方电子有限公司 银浆及其用于制造光伏组件的用途
CN103236492A (zh) * 2013-05-07 2013-08-07 江苏梁丰照明有限公司 专用于液体照明/装饰的led封装结构及封装方法
CN104810243A (zh) * 2014-01-24 2015-07-29 北大方正集团有限公司 一种封装器件解封方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050000437A1 (en) * 2003-07-03 2005-01-06 Tombler Thomas W. Apparatus and method for fabrication of nanostructures using decoupled heating of constituents

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7586415B2 (en) * 2006-02-28 2009-09-08 Sontec Co., Ltd. RFID tag and ceramic patch antenna
CN102079847A (zh) * 2009-11-27 2011-06-01 东莞市立高电子制品有限公司 一种光敏银浆导电胶及其制备方法
CN103151096A (zh) * 2013-02-06 2013-06-12 苏州达方电子有限公司 银浆及其用于制造光伏组件的用途
CN103236492A (zh) * 2013-05-07 2013-08-07 江苏梁丰照明有限公司 专用于液体照明/装饰的led封装结构及封装方法
CN104810243A (zh) * 2014-01-24 2015-07-29 北大方正集团有限公司 一种封装器件解封方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107393811A (zh) 2017-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103752810A (zh) 一种脱除氧化铝基陶瓷型芯的方法及其专用设备
JP2016502663A5 (ja) パラフィン包埋サンプルを処理する方法
CN102386055A (zh) 一种采用铜线作为连接线的塑封电子元器件的化学开封方法及所用腐蚀液的配制方法
CN103834960B (zh) 金属表面橡胶体的脱除方法
CN104324922A (zh) 一种清除触摸屏残胶的方法
CN107393811B (zh) 一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法
CN103011181A (zh) 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法
CN106098940B (zh) 无损剥离柔性基板的方法
KR20170003934A (ko) 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법
CN102543774A (zh) 一种基于环氧树脂类粘合剂的芯片封装方法
CN103738909A (zh) 有机朗肯循环余热发电机组工质灌装与回收装置及灌装与回收方法
CN109130183A (zh) 一种利用溶胀技术制备纳米尺度电射流3d打印喷针的方法
CN108362540A (zh) 一种在金属表面制备点腐蚀的方法
CN102832320A (zh) 一种led芯片共晶黏结工艺
CN103078601B (zh) 一种用于石英晶片的金属粘接方法
TWI335054B (en) Method for decapsulating package
CN102938386A (zh) Dip封装元件的开盖方法
CN205164188U (zh) 一种中药材用连续萃取装置
CN101428753A (zh) 在碱性腐蚀液中保护易腐蚀mems器件的方法
CN100369647C (zh) 氧化铝与羟基硅油复合涂层固相微萃取萃取头及其制备方法
CN106098537A (zh) 高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法
CN105838709A (zh) 一种同时提取dna和rna的方法
CN102981379A (zh) 一种光刻胶清洗剂组合物
CN103295881A (zh) 去除硅片表面低介电材料的方法
CN203818357U (zh) 一种连接板提取工装

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant