CN107385395A - 一种复合镀膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明属于镀膜技术领域，提供了一种复合镀膜装置，包括：镀膜装置台，镀膜装置台的侧端设有固定板，镀膜装置台上设有蒸发镀膜机构、溅射镀膜机构以及化学镀膜机构，蒸发镀膜机构位于镀膜装置台中间，溅射镀膜机构位于蒸发镀膜机构左上方，化学镀膜机构位于蒸发镀膜机构左下方。与现有技术相比，本发明的优点在于镀膜装置台上设有蒸发镀膜机构、溅射镀膜机构以及化学镀膜机构这三种镀膜机构，在对工件镀膜时可以根据工件的材质进行不同方式的镀膜，复合镀膜装置简化了镀膜工艺，提供了多种镀膜方式，提高了镀膜的稳定性。

Description

一种复合镀膜装置
技术领域
本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种复合镀膜装置。
背景技术
汽车零配件ACC功能主要是实现雷达穿透及保护功能，制造加工工艺比较复杂，镀膜是其中一项很关键的环节，镀膜工艺的偏差或不稳定性都可能影响雷达穿透功能。对应以上问题，现在传统镀膜工艺特别复杂，且镀膜的稳定性差，这就很可能会影响到雷达穿透以及保护的效果，所以需要开发一种工艺简单，稳定性高的镀膜装置。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的现状，而提供一种复合镀膜装置。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：提出一种复合镀膜装置，包括镀膜装置台，所述镀膜装置台的侧端设有固定板，镀膜装置台上设有蒸发镀膜机构、溅射镀膜机构以及化学镀膜机构，所述蒸发镀膜机构位于镀膜装置台中间，所述溅射镀膜机构位于蒸发镀膜机构左上方，所述化学镀膜机构位于蒸发镀膜机构左下方。
在上述的一种复合镀膜机构中，所述蒸发镀膜机构具有第一真空罩体，所述真空第一罩体下端开设有第一真空系统，所述第一真空罩体内下端固设有支撑架，所述支撑架上架设有坩埚，所述第一真空罩体内上端设有第一连接杆，所述第一连接杆下端设有连接板，所述连接板下侧固定有第一基片，且所述第一基片位于坩埚上方。
在上述的一种复合镀膜机构中，所述溅射镀膜具有第二真空罩体，所述第二真空罩体下端开设有第二真空系统以及氩气入口，所述第二真空罩体的内下端设有接地阳极块，所述接地阳极的上侧设有第二基片，所述第二真空罩体内上端设有阴极块，所述阴极块的下侧设有靶块。
在上述的一种复合镀膜机构中，所述化学镀膜机构具有真空泵，所述真空泵的上端设有第三真空罩，所述第三真空罩的内下端设有阴极处理台，所述第三真空罩外侧设有电炉，所述第三真空罩的上端设有混合气管道，所述混合气管道的一端设有氩气输送单元、氮气输送单元以及气化单元，所述气化单元包括氢气输送单元以及气化器，所述氢气输送单元的输出端与气化器连接，所述气化器的输出端与混合气管道相连。
与现有技术相比，本发明的优点在于该复合镀膜装置简化了镀膜工艺，提供了多种镀膜方式，提高了镀膜的稳定性。
附图说明
图1是本复合镀膜装置的简化结构示意图；
图2是蒸发镀膜机构的结构示意图；
图3是溅射镀膜机构的解构示意图；
图4是化学镀膜机构的结构示意图。
图中，镀膜装置台1、蒸发镀膜机构2、溅射镀膜机构3、化学镀膜机构4、第一真空罩体5、第一真空系统6、支撑架7、坩埚8、第一连接杆9、连接板10、第一基片11、第二真空罩体12、第二真空系统13、氩气入口14、接地阳极块15、第二基片16、阴极块17、靶块18、真空泵19、第三真空罩20、阴极处理台21、电炉22、混合气管道23、氩气输送单元24、氮气输送单元25、气化单元26、氢气输送单元27、气化器28、固定板29。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
如图1所示，本复合镀膜装置，包括镀膜装置台1，所述镀膜装置台1的侧端设有固定板29，镀膜装置台1上设有蒸发镀膜机构2、溅射镀膜机构3以及化学镀膜机构4，所述蒸发镀膜机构2位于镀膜装置台1中间，所述溅射镀膜机构3位于蒸发镀膜机构1左上方，所述化学镀膜机构4位于蒸发镀膜机构1左下方。
固定板29用于固定镀膜装置台1，镀膜装置台上设有蒸发镀膜机构2、溅射镀膜机构3以及化学镀膜机构4这三种镀膜机构，在对工件镀膜时可以根据工件的材质进行不同方式的镀膜。
如图2所示，蒸发镀膜机构2具有真空罩体，真空第一罩体下端开设有第一真空系统6，第一真空罩体5内下端固设有支撑架7，支撑架7上架设有坩埚8，第一真空罩体5内上端设有第一连接杆9，第一连接杆9下端设有连接板10，连接板10下侧固定有第一基片11，且基片位于坩埚8上方。
蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚8内作为蒸发源，待镀膜工件基片置于坩埚8上方。当第一真空系统6抽将第一真空罩至高真空后，加热坩埚8使其中的蒸发物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在第一基片11表面，实现蒸发镀膜。
如图3所示，溅射镀膜具有第二真空罩体，第二真空罩体下端开设有第二真空系统13以及氩气入口14，第二真空罩体的内下端设有接地阳极块15，接地阳极的上侧设有第二基片16，第二真空罩体内上端设有阴极块17，阴极块17的下侧设有靶块18。
靶块18用沉积的材料制成并且固定在阴极块17上，第二基片16置于正对靶块18的接地阳极块15上方,距离靶块18五厘米，第二真空系统13将第二真空罩体抽至高真空后充入10～1帕的氩气，在阴极块17和接地阳极块15间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电，放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极块17，与靶块18表面原子碰撞，受碰撞从靶块18侧面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围，溅射原子在第二基片16表面沉积成膜。
如图4所示，化学镀膜机构4具有真空泵19，所述真空泵19的上端设有第三真空罩20，所述第三真空罩20的内下端设有阴极处理台21，所述第三真空罩20外侧设有电炉22，所述第三真空罩20的上端设有混合气管道23，所述混合气管道23的一端设有氩气输送单元24、氮气输送单元25以及气化单元26，所述气化单元26包括氢气输送单元27以及气化器28，所述氢气输送单元27的输出端与气化器28连接，所述气化器28的输出端与混合气管道23相连。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神所定义的范围。

Claims (4)

1.一种复合镀膜装置，其特征在于，包括：镀膜装置台，所述镀膜装置台的侧端设有固定板，镀膜装置台上设有蒸发镀膜机构、溅射镀膜机构以及化学镀膜机构，所述蒸发镀膜机构位于镀膜装置台中间，所述溅射镀膜机构位于蒸发镀膜机构左上方，所述化学镀膜机构位于蒸发镀膜机构左下方。
2.根据权利要求1所述的一种复合镀膜装置，其特征在于，所述蒸发镀膜机构具有第一真空罩体，所述真空第一罩体下端开设有第一真空系统，所述第一真空罩体内下端固设有支撑架，所述支撑架上架设有坩埚，所述第一真空罩体内上端设有第一连接杆，所述第一连接杆下端设有连接板，所述连接板下侧固定有第一基片，且所述第一基片位于坩埚上方。
3.根据权利要求1所述的一种复合镀膜装置，其特征在于，所述溅射镀膜具有第二真空罩体，所述第二真空罩体下端开设有第二真空系统以及氩气入口，所述第二真空罩体的内下端设有接地阳极块，所述接地阳极的上侧设有第二基片，所述第二真空罩体内上端设有阴极块，所述阴极块的下侧设有靶块。
4.根据权利要求1所述的一种，其特征在于复合镀膜装置，所述化学镀膜机构具有真空泵，所述真空泵的上端设有第三真空罩，所述第三真空罩的内下端设有阴极处理台，所述第三真空罩外侧设有电炉，所述第三真空罩的上端设有混合气管道，所述混合气管道的一端设有氩气输送单元、氮气输送单元以及气化单元，所述气化单元包括氢气输送单元以及气化器，所述氢气输送单元的输出端与气化器连接，所述气化器的输出端与混合气管道相连。
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