CN215856303U - 一种真空镀膜设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种真空镀膜设备,包括操作准备箱,所述操作准备箱的底端的两侧均安装有支撑腿,所述操作准备箱内部的中间位置处安装有支撑板,所述气相沉积箱的一端安装有拉门,所述操作准备箱的一端安装有仪表盘。本实用新型通过将极板先进行一定的安装处理,在其第一磁铁和第二磁铁的相互配合下使其产生了一个磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率,从而使其在溅射的过程中具有更好的镀膜效果,从而很好的提高了其整体的镀膜效率,并且很好的提高了气体的离化率,在靶原子产生动能进行高速溅射的过程中,使其基片达到一定的镀膜效果,从而提高了其整体稳定的镀膜的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空镀膜技术领域,具体为一种真空镀膜设备。
背景技术
随着社会的不断发展,经济水平的不断提高,人们的工业水平也得到了显著的发展,随着科技的发展人们的工业技术也得到了明显的提高,在工业生产的过程中常常需要进行一定的镀膜处理,为了降低镀膜过程中的含杂质量,人们研究出了真空镀膜的方法,真空镀膜设备主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜,其具体手法包括很多种,其中就包括真空离子蒸发、磁控溅射等多种方法,其主要思路即为蒸发和溅射的方法,在实际使用的过程中使用到了物理气相沉积的原理,由于其镀膜过程中不易附着较多的杂质,因此现今真空镀膜技术也被人们所广泛使用;
然而传统的此类真空镀膜设备在使用的过程中仍然存在着一些问题,例如在其使用的过程中其内部的附着能力较差,其磁控溅射在实际应用的过程中难以进行较好的附着,因此易影响镀膜的实际使用。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种真空镀膜设备,以解决上述背景技术中提出溅射能力差的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种真空镀膜设备,包括操作准备箱,所述操作准备箱的底端的两侧均安装有支撑腿,所述操作准备箱内部的中间位置处安装有支撑板,所述支撑板顶端的一侧安装有裂化罐,所述裂化罐的内部设置有汽化结构,所述裂化罐的一侧设置有低压处理箱,所述操作准备箱一侧的底端安装有动力箱,所述动力箱内部的一侧安装有真空泵,所述真空泵的一侧设置有驱动电机,所述动力箱的顶端安装有气相沉积箱,所述气相沉积箱内部的中间位置处安装有隔板,所述隔板的顶端设置有磁控溅射结构,所述磁控溅射结构包括极板,所述极板安装在隔板的顶端,所述极板顶端的两侧均安装有第一磁铁,所述极板顶端的中间位置处安装有第二磁铁,所述第二磁铁的顶端安装有背板,所述背板的顶端安装有靶材板,所述气相沉积箱内部的顶端安装有基片,所述驱动电机输出端皮带的一端安装有驱动轴,所述驱动轴的内部设置有冷却结构,所述气相沉积箱的一端安装有拉门,所述操作准备箱的一端安装有仪表盘。
优选的,所述汽化结构包括汽化腔,所述汽化腔安装在裂化罐的一端,所述汽化腔的内部安装有内置腔,所述内置腔内部的一端安装有升温组件,所述汽化腔与内置腔内部之间设置有保温棉。
优选的,所述升温组件在内置腔的内部呈等间距排列,所述保温棉关于汽化腔的中轴线呈对称分布。
优选的,所述冷却结构包括喷淋管,所述喷淋管安装在驱动轴的一端,所述喷淋管的顶端安装有通管,所述喷淋管的底端安装有转轴,所述喷淋管的外侧壁安装有喷淋孔,所述喷淋管的内部设置有冷凝腔,所述冷凝腔的内部填充有冷凝剂。
优选的,所述喷淋孔在喷淋管的外侧壁呈等间距排列,所述喷淋管在驱动轴的一端均匀分布有三组。
优选的,所述第一磁铁关于极板的垂直中轴线呈对称分布,所述第二磁铁与两侧第一磁铁之间的间距相同。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该种真空镀膜设备不仅提高了该真空镀膜设备的溅射能力,也同时提高了该真空镀膜设备的升温汽化的能力和冷却的效果;
(1)通过将极板先进行一定的安装处理,在其第一磁铁和第二磁铁的相互配合下使其产生了一个磁场,将其内部空间控制在低压状况下,以至于在靶材板的工作下使其靶原子产生高速溅射,经过在靶材板阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率,从而使其在溅射的过程中具有更好的镀膜效果,从而很好的提高了其整体的镀膜效率,并且很好的提高了气体的离化率,在靶原子产生动能进行高速溅射的过程中,使其基片达到一定的镀膜效果,从而提高了其整体稳定的镀膜的效果;
(2)通过将汽化腔先进行一定的安装处理,紧接着在内置腔的内部将升温组件进行一定的安装处理,由于升温组件的设备使其在调节裂化罐外部的就控制面板后开始进行升温处理,并且在保温棉的配合下阻隔了一定的热量流失的问题,从而使其裂化罐的内部可以很好的将高分子材料转换成气态高分子材料,从而提高了其整体的工作效率;
(3)通过将喷淋管先进行一定的安装处理,在冷凝腔的内部填充冷凝剂之后,使其具有一定的冷凝环境,紧接着在转轴的接触下使其在驱动轴转动的过程中进行了一定的同步转动,在其转动的过程中喷淋孔进行了一定的喷淋处理,由于在冷凝剂的配合下使其先经过了一定的冷凝处理,从而在转动的过程中进行了一定的冷却降温的工作,从而提高了其整体的工作性质。
附图说明
图1为本实用新型的正视剖面结构示意图;
图2为本实用新型的后视结构示意图;
图3为本实用新型的汽化结构侧视剖面结构示意图;
图4为本实用新型的冷却结构正视剖面结构示意图;
图5为本实用新型的冷却结构局部侧视剖面结构示意图。
图中:1、操作准备箱;2、裂化罐;3、汽化结构;301、汽化腔;302、内置腔;303、升温组件;304、保温棉;4、支撑板;5、支撑腿;6、动力箱;7、驱动电机;8、真空泵;9、驱动轴;10、冷却结构;1001、喷淋管;1002、通管;1003、喷淋孔;1004、转轴;1005、冷凝腔;1006、冷凝剂;11、气相沉积箱;12、隔板;13、磁控溅射结构;1301、极板;1302、第一磁铁;1303、背板;1304、第二磁铁;1305、基片;1306、靶材板;14、低压处理箱;15、拉门;16、仪表盘。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-5,本实用新型提供的一种实施例:一种真空镀膜设备,包括操作准备箱1,操作准备箱1的底端的两侧均安装有支撑腿5,操作准备箱1内部的中间位置处安装有支撑板4,支撑板4顶端的一侧安装有裂化罐2,裂化罐2的内部设置有汽化结构3,汽化结构3包括汽化腔301,汽化腔301安装在裂化罐2的一端,汽化腔301的内部安装有内置腔302,内置腔302内部的一端安装有升温组件303,汽化腔301与内置腔302内部之间设置有保温棉304;
升温组件303在内置腔302的内部呈等间距排列,保温棉304关于汽化腔301的中轴线呈对称分布,以至于在其工作的过程中具有均匀升温的能力,从而确保了其内部的汽化能力,从而使其裂化罐2的内部可以很好的将高分子材料转换成气态高分子材料,该高分子材料可以引用现有的裂解高分子材料;
裂化罐2的一侧设置有低压处理箱14,操作准备箱1一侧的底端安装有动力箱6,动力箱6内部的一侧安装有真空泵8,真空泵8的一侧设置有驱动电机7,动力箱6的顶端安装有气相沉积箱11,气相沉积箱11内部的中间位置处安装有隔板12,隔板12的顶端设置有磁控溅射结构13,磁控溅射结构13包括极板1301,极板1301安装在隔板12的顶端,极板1301顶端的两侧均安装有第一磁铁1302,极板1301顶端的中间位置处安装有第二磁铁1304,第二磁铁1304的顶端安装有背板1303,背板1303的顶端安装有靶材板1306,气相沉积箱11内部的顶端安装有基片1305;
第一磁铁1302关于极板1301的垂直中轴线呈对称分布,第二磁铁1304与两侧第一磁铁1302之间的间距相同,使其磁场在产生的过程中更加均匀,因此保证了其溅射面积,防止了溅射过程中位置偏差的问题,并且利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率,从而提高了其整体的工作效率;
驱动电机7输出端皮带的一端安装有驱动轴9,驱动轴9的内部设置有冷却结构10,冷却结构10包括喷淋管1001,喷淋管1001安装在驱动轴9的一端,喷淋管1001的顶端安装有通管1002,喷淋管1001的底端安装有转轴1004,喷淋管1001的外侧壁安装有喷淋孔1003,喷淋管1001的内部设置有冷凝腔1005,冷凝腔1005的内部填充有冷凝剂1006;
喷淋孔1003在喷淋管1001的外侧壁呈等间距排列,喷淋管1001在驱动轴9的一端均匀分布有三组,使其具有一定的均匀喷淋的效果,从而很好的提高了其整体的冷却能力,在其转动的过程中可以进行环境的充分的降温处理,从而使其具有更好的工作环境;
气相沉积箱11的一端安装有拉门15,操作准备箱1的一端安装有仪表盘16。
工作原理:首先,将装置整体外接电源后使其开始进行正常工作,然后将裂化罐2内部的物质先进行汽化处理,在内置腔302的内部将升温组件303进行一定的安装处理,由于升温组件303的设备使其在调节裂化罐2外部的就控制面板后开始进行升温处理,并且在保温棉304的配合下阻隔了一定的热量流失的问题,从而使其裂化罐2的内部可以很好的将高分子材料转换成气态高分子材料,然后将其经过导管至低压处理箱14的内部后进行处理,并且观察仪表盘16的数值使其到达指定数值后停止处理工作;
之后,将处理后的材料经过导管导入气相沉积箱11的内部,并且使其气相沉积箱11的内部保持一个较为真空的状态,然后在其第一磁铁1302和第二磁铁1304的相互配合下使其产生了一个磁场,将其内部空间控制在低压状况下,以至于在靶材板1306的工作下使其靶原子产生高速溅射,经过在靶材板1306阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率,在靶原子产生动能进行高速溅射的过程中,使其基片1305达到一定的镀膜效果;
最后,在其工作的过程中将喷淋管1001先进行一定的安装处理,在冷凝腔1005的内部填充冷凝剂1006之后,使其具有一定的冷凝环境,紧接着在转轴1004的接触下使其在驱动轴9转动的过程中进行了一定的同步转动,在其转动的过程中喷淋孔1003进行了一定的喷淋处理,由于在冷凝剂1006的配合下使其先经过了一定的冷凝处理,使其工作环境趋于一定的稳定,在镀膜结束后经过拉门15进行取出。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (6)
1.一种真空镀膜设备,包括操作准备箱(1),其特征在于:所述操作准备箱(1)的底端的两侧均安装有支撑腿(5),所述操作准备箱(1)内部的中间位置处安装有支撑板(4),所述支撑板(4)顶端的一侧安装有裂化罐(2),所述裂化罐(2)的内部设置有汽化结构(3),所述裂化罐(2)的一侧设置有低压处理箱(14),所述操作准备箱(1)一侧的底端安装有动力箱(6),所述动力箱(6)内部的一侧安装有真空泵(8),所述真空泵(8)的一侧设置有驱动电机(7),所述动力箱(6)的顶端安装有气相沉积箱(11),所述气相沉积箱(11)内部的中间位置处安装有隔板(12),所述隔板(12)的顶端设置有磁控溅射结构(13),所述磁控溅射结构(13)包括极板(1301),所述极板(1301)安装在隔板(12)的顶端,所述极板(1301)顶端的两侧均安装有第一磁铁(1302),所述极板(1301)顶端的中间位置处安装有第二磁铁(1304),所述第二磁铁(1304)的顶端安装有背板(1303),所述背板(1303)的顶端安装有靶材板(1306),所述气相沉积箱(11)内部的顶端安装有基片(1305),所述驱动电机(7)输出端皮带的一端安装有驱动轴(9),所述驱动轴(9)的内部设置有冷却结构(10),所述气相沉积箱(11)的一端安装有拉门(15),所述操作准备箱(1)的一端安装有仪表盘(16)。
2.根据权利要求1所述的一种真空镀膜设备,其特征在于:所述汽化结构(3)包括汽化腔(301),所述汽化腔(301)安装在裂化罐(2)的一端,所述汽化腔(301)的内部安装有内置腔(302),所述内置腔(302)内部的一端安装有升温组件(303),所述汽化腔(301)与内置腔(302)内部之间设置有保温棉(304)。
3.根据权利要求2所述的一种真空镀膜设备,其特征在于:所述升温组件(303)在内置腔(302)的内部呈等间距排列,所述保温棉(304)关于汽化腔(301)的中轴线呈对称分布。
4.根据权利要求1所述的一种真空镀膜设备,其特征在于:所述冷却结构(10)包括喷淋管(1001),所述喷淋管(1001)安装在驱动轴(9)的一端,所述喷淋管(1001)的顶端安装有通管(1002),所述喷淋管(1001)的底端安装有转轴(1004),所述喷淋管(1001)的外侧壁安装有喷淋孔(1003),所述喷淋管(1001)的内部设置有冷凝腔(1005),所述冷凝腔(1005)的内部填充有冷凝剂(1006)。
5.根据权利要求4所述的一种真空镀膜设备,其特征在于:所述喷淋孔(1003)在喷淋管(1001)的外侧壁呈等间距排列,所述喷淋管(1001)在驱动轴(9)的一端均匀分布有三组。
6.根据权利要求1所述的一种真空镀膜设备,其特征在于:所述第一磁铁(1302)关于极板(1301)的垂直中轴线呈对称分布,所述第二磁铁(1304)与两侧第一磁铁(1302)之间的间距相同。
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