CN107353837A - 非导电性粘结膜用组合物及包含其的非导电性粘结膜 - Google Patents

非导电性粘结膜用组合物及包含其的非导电性粘结膜 Download PDF

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Abstract

本发明涉及非导电性粘结膜用组合物及包含其的非导电性粘结膜，更详细地涉及如下的非导电性粘结膜用组合物及包含其的非导电性粘结膜，即，通过使固化速度得到进一步提高来使芯片之间的焊接、芯片与基板的焊接过程中的树脂流动最小化，提高生产率，同时使凸块填充性、与半导体晶片的紧贴力提高，具有优秀的常温稳定性，体现半导体产品所需的耐热性。

Description

非导电性粘结膜用组合物及包含其的非导电性粘结膜
技术领域
本发明涉及非导电性粘结膜用组合物及包含其的非导电性粘结膜，更详细地涉及如下的非导电性粘结膜用组合物及包含其的非导电性粘结膜，即，通过使固化速度得到提高来使芯片之间的焊接、芯片与基板的焊接过程中的树脂流动最小化，提高生产率，同时使凸块填充性、与半导体晶片的紧贴力提高，具有优秀的常温稳定性，体现半导体产品所需的耐热性。
背景技术
最近，包括移动设备在内的电子设备逐渐变得小型化及薄型化，为此，半导体产业同样变得高容量化、超高速化，同时呈极小型化、薄型化的趋势。为了满足如上所述的半导体产业的需求，对于新一代集成电路(IC)基板(substrate)、印刷电路板(PCB)、柔性显示基板(Flexible display substrate)等，正在研究开发用于半导体装置的高集成化、高微细化、高性能化的方法，随着这种倾向，韩国授权专利第1030497号也公开了柔性显示基板。在上述半导体装置的制备方法中，在由硅、镓、砷等形成的半导体用晶片上粘结粘结片(切割片)，通过切割切断分离(重组化)为个别的半导体元件后，进行展开(expanding)，拾取所重组的半导体元件，然后，将半导体元件向与金属引线框、带基板及有机硬质基板等进行芯片键合的半导体装置的组装工序移送。
另一方面，半导体装置的轻薄短小化的技术革新取得了令人瞩目的发展，因此，通过制作多种封装结构进行产品化。其中的一例为开发如下的多芯片封装产品，即，将多个半导体芯片(chip)以垂直结构进行层叠，对所层叠的多个半导体芯片打数十、数百个的微细孔，通过填充导电体来使从上端芯片至下端芯片电连接。具有如上所述结构的多芯片封装产品相比于以往的引线键合多芯片封装产品，芯片间的信号传递距离短，因此，使处理速度增加、减少电力消耗。由此，更加易于实现具有高密度、高容量、高性能的低电力产品，因此，最近作为半导体封装结构备受瞩目。
具体地，图1b显示如下的多芯片封装，准备多个半导体芯片300，通过进行层叠、热压接来使相邻的半导体芯片100/200、200/300的凸点之间相互导通，上述半导体芯片300形成有多个孔(图1a)，上述孔形成有凸点301及肩部302。图1b所示，如上所述的结构具有如下优点，即，半导体芯片之间的距离很短，可使芯片间的连接密度大大提高，因此，可以更加进一步地增加处理速度。
另一方面，如图1b所示，由于设置有凸点，在上、下部芯片之间形成闲置空间S，凸点向存在于闲置空间S的空气暴露可进行氧化，且由于仅通过芯片间凸点进行粘结，易于产生芯片间的分离，为了防止上述问题并加强凸点接合部分或提高可靠性，通常利用树脂组合物对在半导体芯片与芯片之间及/或在多芯片的下部与基板之间的缝隙进行密封。
具体地，上述密封工作通过如下方法来进行，即，使芯片与芯片相连接后，将底部填充(Underfill)液态树脂向芯片与芯片之间及/或向多个芯片的下部与基板的间隙注入，来固定芯片与芯片之间的连接部分。但是，当进行底部填充液态树脂的注入工序时，具有如下问题，即，由于毛细现象，即使液态底部填充树脂向半导体芯片与芯片的凸点之间流入，树脂无法充分地扩散，因此，可产生未填充部或液态底部填充树脂过度挤出，从而污染基板或多芯片等。并且，需要额外的清洗工序，因此，产生使工序变长、清洗废液的处理问题等环境问题，由于密封通过毛细现象进行，使密封时间变长，因此，生产率不佳。进而，在将半导体芯片沿着垂直方向立体地在基板上进行层叠的情况下，在每个元件的层叠工序中，需将液态树脂向元件的上部进行涂敷或向元件与元件之间的空间注入，但是，上述工序也存在既复杂又困难的问题。
为了改善如上所述的问题，最近正在开发通过利用非导电性粘结膜(NCF，NonConductive Film)的膜状树脂来使芯片与基板相连接的方法。
上述膜状树脂材料可通过适用分层涂敷法(Lamination)在半导体芯片或晶片的上部贴合后，通过切割(dicing)工序，能够以与重组的芯片的大小相同的大小简单地剪切。并且，在将元件沿着垂直方向立体地在基板上进行层叠的组件的情况下，相比于使用液态树脂材料的情况，具有工序简便并易于层叠的优点。
在利用上述非导电性粘结膜的情况下，虽然改善了在以往的通过液态底部填充树脂的密封的过程中产生的很多问题，目前所开发的非导电性粘结膜为膜形状，凸块填充性、粘附力等不足，因此，经常产生凸点接合不良的现象，为了解决上述问题，在通过施加过大的压力来使非导电性粘结膜与包括凸点的半导体晶片相连接的情况下，可诱发凸点损伤。并且，在热固化粘结膜的固化速度延迟的情况下，所熔融的粘结成分从芯片与芯片或芯片与基板之间泄出，从而污染多芯片封装。进而，慢的固化速度随着延长芯片间的焊接时间，生产率显著减少。同时，光固化或低温热固化形非导电性粘结膜随着在低温环境下进行凸点接合，产生凸点之间接合不良。并且，当在低温进行热固化时，粘结膜的稳定性显著减小。
因此，正急需开发如下的非导电性粘结膜，即，调节固化速度，以使树脂流动适当地产生，并防止多芯片及/或基板的污染，提高生产率，同时通过提高粘附力使空洞产生最小化，具有优秀的常温稳定性，并且可保证耐热性。
发明内容
本发明为了解决如上所述的问题而提出，本发明所要解决的目的在于提供如下的半导体层叠体，即，上述半导体层叠体包括非导电性粘结膜用组合物、利用其的非导电性粘结膜及非导电性粘结膜，上述非导电性粘结膜用组合物具有得到提高的固化速度，尤其，具有在高温中得到提高的固化速度，以使适当地调节芯片间的焊接或芯片与基板的焊接过程中的树脂流动，使生产性提高，同时使凸块填充性、与半导体晶片的紧贴力提高，具有优秀的常温稳定性，体现半导体产品所需的耐热性。
为了解决上述问题，本发明提供如下的非导电性粘结膜用组合物，即，上述非导电性粘结膜用组合物包括：热固性部，包括包含环氧成分的第一热固化部及包含丙烯酸成分的第二热固化部；以及热塑性部。
根据本发明的优选的一实施例，上述环氧成分可包含缩水甘油醚型环氧成分、缩水甘油胺型环氧成分、缩水甘油酯型环氧成分、萘类环氧成分及脂环族环氧成分中的1种以上。
根据本发明的优选的再一实施例，上述丙烯酸成分可包含多官能丙烯酸单体，上述多官能丙烯酸单体包含2种以上的乙烯基。
根据本发明的优选的另一实施例，上述热塑性部可包含丙烯酸共聚物，上述丙烯酸共聚物通过包含含有环氧基的丙烯酸单体来进行共聚反应。
根据本发明的优选的还一实施例，上述第二热固化部可包含10小时半衰温度为100℃以上的第二固化成分。优选地，上述第二固化成分的10小时半衰温度可以为100～160℃，更加优选地，可以为110～150℃。
根据本发明的优选的又一实施例，相对于100重量份的上述热固性部的环氧成分及丙烯酸成分的总重量，可包含30～100重量份的热塑性树脂。
根据本发明的优选的又一实施例，相对于100重量份的环氧成分，可包含70～120重量份的上述丙烯酸成分。
根据本发明的优选的又一实施例，上述环氧成分可包含在25℃温度下性状为固相的环氧成分。
根据本发明的优选的又一实施例，上述第一热固化部可还包含在25℃温度下性状为固相的第一固化成分。
根据本发明的优选的又一实施例，上述环氧成分不包含在25℃温度下性状为液相的环氧成分。
根据本发明的优选的又一实施例，上述组合物还包含无机填充剂、有机微粒及硅烷耦合剂。此时，相对于100重量份的第一热固化部的的环氧成分及第二固化部的丙烯酸成分的总重量，上述无机填充剂以50～150重量份包含于组合物内。
另一方面，为了解决上述问题，本发明提供包含本发明非导电性粘结膜用组合物的非导电性粘结膜。
并且，本发明提供如下的非导电性粘结膜，即，上述非导电性粘结膜包括：粘结层，有本发明非导电性粘结膜用组合物干燥而成；以及离型部件，形成于上述粘结层的至少一面。
根据本发明的一实施例，在上述粘结层中，根据下述数学式1的熔融区间可为90℃以下，更优选地，可为50～90℃。
数学式1
熔融区间(ΔT)＝TA(℃)－TB(℃)
上述TA为熔融粘度为80000Pa·S时的温度(℃)，上述TB为熔融粘度为20000Pa·S时的温度(℃)。
并且，本发明提供由包含本发明非导电性粘结膜来固化而成的半导体层叠体。
以下，对本发明中所使用的术语进行说明。
作为本发明中所使用的术语，(甲基)丙烯酸酯包含丙烯酸酯和丙烯酸甲酯。
本发明的非导电性粘结膜用组合物具有得到提高的固化速度，以使适当地调节芯片间的焊接、芯片与基板的焊接过程中的树脂流动，并使生产率提高。并且，使接合膜的凸块填充性、与半导体晶片的紧贴提高，通过具有高的玻璃转化温度来表达半导体产品所需的耐热性，因此，适合用于半导体产品，使通过常温粘性(tacky)所产生的凸点之间的空洞最小化，通过提高晶片上的膜附着力来防止晶片分层，从而广泛利用于各种半导体及包括其的电器电子产品。
附图说明
图1a,图1b为通过对多个半导体芯片以垂直的方式进行层叠及接合来制造的多芯片组件的部分剖面示意图。
图2为本发明的优选一实例的非导电性粘结膜的剖面示意图。
图3为本发明的优选一实例的非导电性粘结膜的剖面示意图。
图4为本发明额优选一实例的非导电性粘结膜的剖面示意图。
图5为本发明的优选一实例的非导电性粘结膜的照片。
图6为本发明的优选一实例的非导电性粘结膜的照片。
图7为本发明的优选一实例的半导体层叠体的剖面示意图。
具体实施方式
以下，更详细地对本发明进行说明。
本发明的非导电性粘结膜用组合物包括热固性部及热塑性部。
上述热固性部起到保证非导电性粘结膜的耐热性、芯片之间的接合可靠性、粘结性等的功能。并且，上述热塑性部使膜形成性提高，通过弹性使紧贴力增大，保证芯片之间的接合可靠性等。
上述热固性部包括包含环氧成分的第一热固化部及包含丙烯酸成分的第二热固化部。
首先，对第一热固化部进行说明。
上述第一热固化部包含环氧成分，可还包含对上述环氧成分进行固化的第一固化成分。
在上述环氧成分为制备非导电性粘结膜所需的已公知的环氧成分的情况下，可无限制地使用。作为对此的非限制性例，上述环氧成分包含缩水甘油醚型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂，线性脂肪族(linear Aliphatic)环氧树脂、脂环族(cyclo Aliphatic)环氧树脂、含杂环的环氧树脂、取代型环氧树脂、萘类环氧树脂及它们的衍生物，可以为二官能或多官能树脂，对其可单独使用或混合使用。
更具体地，上述缩水甘油醚型环氧树脂包含酚类的缩水甘油醚和醇类的缩水甘油醚，上述酚类的缩水甘油醚有如双酚A型、双酚B型、双酚AD型、双酚S型、双酚F型及间苯二酚等的双酚类环氧，如苯酚酚醛(Phenol novolac)环氧、芳烷基苯酚酚醛、萜烯苯酚酚醛的酚类酚醛及如邻甲酚酚醛(Cresol novolac)环氧的邻甲酚酚醛环氧树脂等，对其可单独使用或2种以上并用。优选地，第一环氧树脂可为双酚类环氧树脂，更优选地，可以为双酚F型的环氧树脂，在此情况下，相比于包含其他种类的环氧树脂的情况，可获取更加优秀的物性。
上述缩水甘油胺型环氧树脂有二缩水甘油基苯胺、四缩水甘油基二氨基二苯基甲烷、N，N，N'，N'-四缩水甘油基间苯二甲胺、1，3-双(二缩水甘油胺甲基)环己烷，兼具缩水甘油醚和缩水甘油胺的两种结构的三缩水甘油基间氨基苯酚、三缩水甘油基对氨基苯酚等，可单独使用或2种以上并用。
上述缩水甘油酯型环氧树脂可为借助如对羟基苯甲酸、β-羟基萘甲酸的羟基烃酸和如苯二甲酸、对苯二甲酸的聚碳酸酯等的环氧树脂，可单独使用或2种以上并用。上述线性脂肪族环氧树脂可为借助如1，4-丁二醇、1，6-己二醇、新戊二醇、环己烷二甲醇、甘油、三羟甲基乙烷、三羟甲基丙烷、季戊四醇、氢化双酚A、癸烷氢双酚F、乙二醇、丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等的缩水甘油醚，可单独使用或2种以上并用。
上述脂环族类环氧树脂可包含环氧环己烷或1，2-环氧环戊烷，但不限于此，上述氧化环己烯或1，2-环氧环戊烷由使具有至少一种脂环型环的多元醇的多缩水甘油醚类或包含环己烯环或环戊烯环的多个化合物借助氧化剂进行环氧化而成。作为一例，上述脂环族类环氧树脂可将3，4-环氧环己基甲基3，4-环氧环己基甲酸酯、3，4-环氧-1-甲基环己基-3，4-环氧-1-甲基己烷羧酸盐、6-甲基-3，4-环氧环己基甲基-6-甲基-3，4-环氧环己烷羧酸盐、3，4-环氧-3-甲基环己基甲基-3，4-环氧-3-甲基环己烷羧酸盐、3，4-环氧-5-甲基环己基甲基-3，4-环氧-5-甲基环己烷羧酸盐，双(3，4-环氧环己基甲基)己二酸、甲基-双(3，4-环氧环己烷)、2，2-双(3，4-环氧环己基)丙烷、二氧化二聚环戊二烯、乙烯-双(3，4-环氧环己烷羧酸盐)、二辛基环氧六氢邻苯二甲酸及二-2-乙基己基环氧六氢邻苯二甲酸等单独使用或2种以上并用。
萘类环氧树脂可为具有1，2-二缩水甘油萘、1，5-二缩水甘油萘、1，6-二缩水甘油萘、1，7-二缩水甘油萘、2，7-二缩水甘油萘、三缩水甘油萘、1，2，5，6-四缩水甘油萘等的萘骨骼的环氧树脂，可单独使用或2种以上并用。
除上述例举的之外，可为三缩水甘油异氰脲酸酯，并且，可为对分子内具有多个双重结合的化合物进行氧化而成的在分子内具有环氧环己烷环的环氧树脂等。
另一方面，上述环氧成分为了防止由后述的第二热固化部的丙烯酸成分引起的粘结膜的粘性增加，可使用在25℃温度中性状为固相的环氧成分，更优选地，上述环氧成分可不包含在25℃温度中性状为液相的环氧成分。在包含性状为液相的成分的情况下，随着粘结膜的粘性增加，晶片与粘结膜之间产生的空洞将增加，由此导致芯片间接合可靠性降低。并且，固化速度也不顾包括后述的第二热固化部，相比于使用固态的环氧成分的情况将降低。但是，优选地，在包含性状为液相的环氧成分的情况下，其含量在环氧成分整体重量中占5重量百分比以下。
并且，在上述第一热固化部中还包含的第一固化成分为使上述环氧成分进行固化的已公知的固化成分的情况下，可无限制地使用。具体地，可例举二乙烯三胺、三乙烯四胺等的脂肪族胺类，间苯二胺、二氨基二苯基甲烷、二氨基二苯砜、偶氮甲基苯酚等的芳香族胺类，苯酚酚醛树脂、邻甲酚酚醛树脂、萘酚酚醛树脂、芳烷基酚树脂等的多元羟基化合物，及它们的改性物，无水苯二甲酸、无水马来酸酐、无水六氢化邻苯二甲酸、无水均苯四甲酸等的酸无水物类固化剂，二氰二胺、咪唑、BF3-氨基着剂、胍衍生物等的潜在性固化剂，它们可单独使用或2种以上并用。
并且，优选地，在上述第一固化成分可包含在25℃温度中性状为固相的固化成分。在使用性状为液相的固化成分的情况下，在后述的第二热固化部中与丙烯酸成分一起使粘结膜的粘性增加，使得晶片与粘结膜之间产生的空洞增加，由此导致芯片之间接合可靠性降低。并且，液态的第一固化成分不能将固化速度提升至所目标的水平。因此，进而优选地，上述第一固化成分使用在25℃温度中性状为固相的成分，优选地，在包含性状为液相的成分的情况下，使其含量在第一固化成分整体重量中占5重量百分比以下。
相对于100重量份的上述环氧成分，包含10～100重量份的上述第一固化成分，但并不局限于此，可根据所选择的环氧成分及固化成分的种类进行变更。
然后，上述第一热固化部可还包含固化促进剂。上述固化促进剂起到调整固化速度或固化物的物性等的作用，上述固化促进剂可无限制地使用用于包含环氧成分的常规非导电性粘结膜的固化促进剂，但是，作为非限制性例，可例举咪唑类固化促进剂，3级胺类固化促进剂等，其中，优选地，使用容易调整固化速度或固化物的物性等的咪唑类固化促进剂。上述固化促进剂可单独使用或2种以上并用。
上述咪唑类固化促进剂虽无特殊限制，可例举借助氰乙基保护咪唑的1位置的1－氰乙基－2－苯基咪唑，或借助异氰尿酸保护碱性的商品名「2MA－0K」(四国化成工业公司(Shikoku)制备)等。上述咪唑类固化促进剂可单独使用或2种以上并用。
在酸无水物类固化剂与如咪唑类固化促进剂等的固化促进剂并用的情况下，优选地，相比于环氧基，酸无水物类固化剂的添加量为理论上需要的当量以下。若酸无水物类固化剂的添加量必要以上的过多，则容易从本发明组合物的固化物借助水分溶出氯离子。例如，当从本发明组合物的固化物借助加热水提取溶出成分时，提取水的pH值降低为4至5，并具有从环氧树脂放出的氯离子以多量溶出的情况。
并且，在胺类固化剂与如咪唑类固化促进剂等的固化促进剂并用的情况下，优选地，相比于环氧基，胺类固化剂的添加量为理论上需要的当量以下。若胺水类固化剂的添加量必要以上的过多，则容易从本发明组合物的固化物借助水分溶出氯离子。例如，当从本发明组合物的固化物借助加热水提取溶出成分时，提取水的pH值为碱性，并具有从环氧树脂放出的氯离子以多量溶出的情况。
相对于100重量份的上述环氧成分，可包含10～50重量份的上述固化促进剂，但并不限制于此，可根据所选择的环氧成分、固化成分及固化促进剂的种类进行变更。
以下，对第二热固化部进行说明。
上述第二热固化部包含丙烯酸成分，通过其以快于第一热固化部的方式在高温中进行固化，并通过一同增加第一热固化部的固化速度来使粘结膜在高温中具有更加提高的固化速度，显著防止根据短的熔融区间地树脂流动的过度产生。
在热固化部中仅包含环氧成分的非导电性粘结膜的情况下，在高温中的固化速度太低，具有使生产率降低的问题。并且，随着以高温长时间进行热处理，熔融状态的持续时间增加，同时通过进行固化时所施加的压力所熔融的粘结膜组合物从芯片之间脱离，从而污染半导体组件的侧面、基板。但是，在非导电性粘结膜组合物作为第二热固化部包含丙烯酸成分的情况下，使固化速度进一步提高，使熔融区间缩短的同时显著减少树脂流动，从而可体现具有优秀品质的半导体组件。
上述丙烯酸成分可使用公知的丙烯酸单体。优选地，上述丙烯酸单体为了表达在高温中更快的固化速度及增加上述第一固化部的固化速度，可使用包含2种以上上述乙烯基的多官能(甲基)丙烯酸酯。在此情况下，所使用的多官能丙烯酸酯的种类物特殊限制。本发明可使用如1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、己二酸新戊二醇(neopentylglycoladipate)二(甲基)丙烯酸酯、羟基新戊酸酯二甲基丙烯酸新戊二醇酯(hydroxyl puivalicacid)、二环戊烯基(dicyclopentanyl)二(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性二环戊烯基二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯、烯丙基(allyl)化环己基二(甲基)丙烯酸酯、三环癸二甲醇(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基二环戊烷二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性六氢化邻苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改性三甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、金刚烷(adamantane)二(甲基)丙烯酸酯或9，9-双[4-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基]氟(fluorine)等的二官能丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯或三(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯等的三官能丙烯酸酯，二甘油四(甲基)丙烯酸酯或季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等的四官能丙烯酸酯，丙酸改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等的五官能丙烯酸酯，及双季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯或氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(例如，异氰酸酯单体及三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯的反应物等的六官能丙烯酸酯等，但并不限制于此。
但是，优选地，可将三环癸二甲醇二丙烯酸酯、三丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯及己内酯改性二季戊四醇六丙烯酸酯以1种或2种以上并用来使用。
另一方面，当使上述丙烯酸成分以不是单体的低聚物状态投入时，熔融粘度变得很高，使凸块填充性降低，并在流动性产生问题，因此，优选地，上述丙烯酸成分应以单体状态包含。
相对于100重量份的第一热固化部的环氧树脂，可包含70～120重量份的上述第二热固化部的丙烯酸成分。在上述丙烯酸成分以小于70重量份的方式包含的情况下，难以提高至所目标的水平的固化速度，由此，固化时间延长，使得生产率降低。因此，在缩短固化时间的情况下，空洞产生将显著增加。并且，要求以280℃以上的高温进行固化，随着以高温长时间进行固化，具有树脂流动产生过多、组件及/或产生基板的污染的问题。并且，在上述丙烯酸成分以超过120重量份的方式包含的情况下，固化以较快的方式进行，在稳定性具有问题，常温粘性(tack)加重，因此，与晶片贴合后可能产生分层，此时，由于假粘结产生空洞，所产生的空洞由于常温粘性无法向外部排出。并且，随着粘结膜的固化速度过度变快，凸点接合进行之前要结束粘结膜的固化反应，因此，为了进行凸点接合需提高焊接压力，由此产生凸点的损伤增加的问题。
并且，上述第二热固化部可还包含用于固化上述丙烯酸成分的第二固化成分，上述第二固化成分可无限制的使用用于固化丙烯酸单体的已公知的成分。作为对此的非限制性例，可将过氧化类、偶氮类等以1种以上并用。
具体地，上述过氧化类成分可将叔丁基过氧化月桂酸酯、1，1，3，3－t－甲基丁基过氧化－2－乙基己酸酯、2，5－二甲基－2，5－二(2－乙基己酰基过氧化)己烷、1－环己基－1－甲基乙基过氧化－2－乙基己酸酯、2，5－二甲基－2，5－二(m－甲苯酰过氧化)己烷、叔丁基过氧化异丙单碳酸酯、叔丁基过氧化－2－乙基己基单碳酸酯、叔己基过氧化苯甲酸、叔丁基过氧化醋酸酯、过氧化二异丙苯、2，5，－二甲基－2，5－二(叔丁基过氧化)己烷、叔丁基过氧化异丙苯、叔己基过氧化新癸酸、叔己基过氧化－2－乙基己酸酯、叔丁基过氧化－2－2－乙基己酸酯、叔丁基过氧化异丁酸、1，1－双(叔丁基过氧化)环己烷、叔己基过氧化异丙单碳酸酯、叔丁基过氧化－3，5，5－三甲基己酸锌、叔丁基过氧化新戊酸盐、异丙苯过氧化新癸酸、二异丙基苯过氧化氢、异丙苯过氧化氢、异丁基过氧化物、2，4－二氯过氧化苯甲酰、3，5，5－三甲基己酰过氧化物、辛酰过氧化物、月桂酰过氧化物、月桂基过氧化物、硬脂酰过氧化物、琥珀过氧化物、苯甲酰过氧化物、3，5，5－三甲基己酰过氧化物、苯甲酰过氧化苯甲酰甲苯、1，1，3，3－四甲基丁基过氧化新癸酸、1－环己基－1－甲基乙基过氧化新癸酸、二－正丙基过氧化二碳酸酯、二异丙基过氧化碳酸酯、双(4－叔丁基环己基)过氧化二碳酸酯、二－2－乙氧基甲氧基过氧化二碳酸酯、二(2－乙基己基过氧化)二碳酸酯、二甲氧基丁基过氧化二碳酸酯、二(3－甲基－3－甲氧基丁基过氧化)二碳酸酯、1，1－双(叔己基过氧化)－3，3，5－三甲基环己烷、1，1－双(叔己基过氧化)环己烷、1，1－双(叔丁基过氧化)－3，3，5－三甲基环己烷、1，1－(叔丁基过氧化)环十二烷、2，2－双(叔丁基过氧化)癸烷、叔丁基三甲基硅烷基过氧化物、双(叔丁基)二甲基硅烷基过氧化物、叔丁基三烯丙基硅烷基过氧化物、双(叔丁基)二烯丙基硅烷基过氧化物及三(叔丁基)芳基硅烷基过氧化物等单独使用2种以上并用。
并且，上述偶氮类成分可将2，2'－偶氮双(4－甲氧基－2，4－二甲基戊腈)、二甲基2，2'－偶氮双(2－甲基丙酸甲酯)、2，2'－偶氮双(正环己基－2－甲基丙酰胺)、2，2－偶氮双(2，4－二甲基戊腈)、2，2'－偶氮双(2－甲基丁腈)、2，2'－偶氮双[正(2－丙烯酯)－2－甲基丙酰胺]、2，2'－偶氮双(正丁基－2－甲基丙酰胺)、2，2'－偶氮双[正(2－丙烯酯)－2－甲基丙酰胺]、1，1'－偶氮双(环己烷－1－甲腈)、1－[(氰基－1－甲基乙基)偶氮]甲酰胺等单独使用或2种以上并用。
优选地，可使用10小时半衰温度为100℃以上的上述第二固化成分。在使用10小时半衰温度小于100℃的上述第二固化成分的情况下，制备粘结膜时仅通过干燥工序进行固化。但是，为了防止高的10小时半衰温度引起的固化引发温度提高及固化速度降低，上述第二固化成分的10小时半衰温度可为110～150℃。
优选地，相对于100重量份的上述丙烯酸成分，可包含1重量份至20重量份的上述第二固化成分。在第二固化成分小于1重量份的情况下，丙烯酸成分的固化程度不足，或丙烯酸成分仅由分子量很小的单分子进行固化，因此，在适用于晶片时，产生空洞，从而使半导体可靠性产生问题，在超过20重量份的情况下，进行过多的固化反应，使粘结层的收缩率显著增加，从而使晶片弯曲。
以下，对上述热塑性部进行说明。
上述热塑性部起到具有良好的膜形成性的作用，上述膜形成性为显示将粘结剂组合物通过膜状体现的情况不易撕裂、碎裂、粘附的机械特性。在常规状态(例如，常温)下，若容易处理为膜，则可视为具有良好的膜形成性。并且，上述热塑性部具有提高非导电性粘结膜的柔韧性、固化物的机械强度或耐热性、与半导体元件的可靠性等非导电性粘结膜的物性的功能。
为此，优选地，上述热塑性部可通过包含丙烯酸单体来包含所进行共聚反应的丙烯酸共聚物，上述丙烯酸单体包含环氧基。上述丙烯酸共聚物在末端及/或支链(挂件位置)具有环氧基，包含于上述丙烯酸共聚物的包含环氧基的丙烯酸单体可无限制地使用该领域所公知的惯用单体，优选地，可为2，3－环氧丙基丙烯酸酯(2，3－epoxypropyl acrylate)及2，3－环氧丙基丙烯酸甲酯(2，3－epoxypropyl methacrylate)中的一种以上的单体，更优选地，可为2，3－环氧丙基丙烯酸甲酯(2，3－epoxypropyl methacrylate)，由此可体现进一步得到提高的非导电性粘结膜的物性。
根据本发明的优选的一实施例，在共聚物内包含1～10重量百分比的包含上述环氧基的丙烯酸单体。在上述单体超过10重量百分比的情况下，通过环氧基自身的凝聚力仅可获得较低分子量(小于10000)的丙烯树脂，使得膜形成性降低，固化物的柔韧性无法充分提高，难以体现以使凸点接合可靠性降低等的非导电性粘结膜为目标的物性。并且，在上述单体小于1重量百分比的情况下，虽可获取高分子量的丙烯树脂，但是，具有极限黏度的提高及/或凝胶化的担忧，因此，使固化物的器械强度或耐热性不足、产生凸点空洞等凸点接合可靠性降低的问题，并难以体现所目标的非导电性粘结膜的物性。
上述丙烯酸共聚物除包含环氧基的丙烯酸单体以外还可包含如下成分的单体，即，上述成为为碳数30以下，尤其，碳数为4～18的直链或分支的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上。上述烷基可例举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2－乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、三癸基、四癸基、硬脂酰基、十八烷基或十二烷基等。并且，上述丙烯酸共聚物作为单体可包含如丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基丙烯酸酯、羧戊基丙烯酸酯、衣康酸、马来酸酐、富马酸或丁烯酸等的含有羧基单体，如无水马来酸酐或无水衣康酸等的酸无水物单体，如(甲基)丙烯酸2－羟乙基、(甲基)丙烯酸2－羟丙基、(甲基)丙烯酸4－羟丁基、(甲基)丙烯酸6－羟己基、(甲基)丙烯酸8－羟辛基、(甲基)丙烯酸10－羟癸基、(甲基)丙烯酸12－羟月桂基或(4－羟甲基环己基)－甲基丙烯酸酯等的含有羧基的单体，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2－(甲基)丙烯酰胺－2－甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等的含有磺酸基的单体，或如2－羟乙基丙烯酰氧基磷酸等的含有磷酸基的单体。并且，橡胶类单体可包含丁二烯、苯乙烯、丙烯腈等的单体。根据本发明的优选的一实施例，相对于100重量份的包含环氧基的丙烯酸单体，上述丙烯酸共聚物可为由1000～4000重量份的具有4～18的上述碳数的直链或分支的烷基的丙烯酸的酯单体及/或具有4～18的碳数的直链或分支的烷基的甲基丙烯酸的酯单体、100～1000重量份的上述橡胶类单体、0～200重量份的含有上述羟的丙烯酸或甲基丙烯酸单体进行共聚反应来制备的共聚物，可为除包含环氧基的丙烯酸单体以外还包含甲基丙烯酸甲酯、乙基丙烯酸酯、丁基丙烯酸酯、丙烯腈及(甲基)丙烯酸2－羟乙基中至少4种单体来进行共聚反应的共聚物。
包含上述环氧基的丙烯酸共聚物的重均分子量可为10万～120万，优选地，重均分子量可为30万～80万，更优选地，可为40万～75万。在满足上述范围的情况下，有望体现如下的所目标的非导电性粘结膜的物性，即，可提高柔韧性的同时均衡固化物的轻度、柔韧性，由于固化物的流动性变得良好，填充性变得好，使得提高凸点接合可靠性等。上述重均分子量为通过凝胶渗透色谱法进行检测并利用标准聚苯乙烯校准曲线显示所换算的值。在分子量小于10万的情况下，膜形成性降低，固化物柔韧性无法得到充分地提高，难以体现使凸点接合可靠性提高等所目标的非导电性粘结膜。并且，在分子量超过120万的情况下，具有树脂流动性降低的问题。
并且，上述丙烯酸共聚物的玻璃转化温度可为－30～80℃。更优选地，玻璃转化温度可为－10～50℃，更加优选地，可为0～30℃。在玻璃转化温度低于－30℃的情况下，室温中的膜形成性降低，由于粘性(Tacky)强，显示粘着性，当晶片贴合时，由于假粘结产生空洞，若玻璃转化温度超过80℃，则在室温中发硬，使柔韧性显著降低，因此，容易产生将非导电性膜粘贴于半导体晶片时的凸点损伤，并使凸点填充性显著降低。
并且，上述丙烯酸共聚物在150℃温度中的粘度可为1000～50000Pa.s。但是，为了体现更加提高的物性，优选地，150℃温度中的粘度可为3000～30000Pa.s，更优选地，可为5000～15000Pa.s。在150℃温度中的粘度低于1000Pa.s的情况下，在低温中的膜形成性降低，粘性(Tacky)强，在晶片贴合时由于家粘结产生空洞。并且，在150℃温度中的粘度大于50000Pa.s的情况下，具有如下的凸点接合可靠性显著降低的问题，即，随着流动性显著降低，凸块填充性显著降低，并产生凸点损伤等。
在热塑性树脂中可包含30～100重量百分比的上述包含环氧基的丙烯酸共聚物。在包含环氧基的丙烯酸共聚物低于30重量百分比的情况下，当与上述热固化部一同并用时，非导电性粘结膜的柔韧性、固化物的机械强度或耐热性、与半导体元件的可靠性等非导电性粘结膜的物性提高效果微乎其微。
并且，上述热塑性部可将聚酯树脂、聚醚树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、苯氧基树脂、聚羟聚醚树脂、聚苯乙烯树脂、丁二烯树脂、丙烯腈丁二烯共聚物、丙烯腈丁二烯苯乙烯树脂、苯乙烯丁二烯共聚物的单独使用或2种以上并用来包含。但是，优选地，可还包含苯氧基，更优选地，上述苯氧基的重均分子量可为1万～10万，更加优选地，可为2万～6万，在满足上述分子量范围的情况下，可更有利地体现所目标的非导电性粘结膜的物性。
相对于100重量份的上述热固化部的环氧成分及丙烯酸成分的总重量，可包含30～100重量份的上述包含丙烯酸共聚物的热塑性树脂，上述丙烯酸共聚物包含含有环氧基的丙烯酸单体。优选地，相对于100重量份的后书的热固化树脂，可包含40～80重量份，更优选地，可包含50～70重量份。相比于热固化树脂，在包含低于30重量份的热塑性树脂的情况下，随着如下的凸点接合可靠性显著降低无法体现所目标的非导电性粘结膜，即，膜形成性降低或膜组合物向支撑基材旁边漏出，若超过100重量份，则热压接时的流动性降低，使凸点与电机之间的填充性降低等。
另一方面，根据本发明的优选的一实施例，本发明地非导电性粘结膜组合物除上述热固化部及热塑性部以外，可还包含无机填充剂、有机微粒及硅烷耦合剂。
上述无机填充剂可以热传导性提高、使储存弹性率调节等，上述无机填充剂通常可使用包含于非导电性粘结膜组合物的无机填充剂，作为对此的非限制性例，可例举包含二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化钡、碳化硅、氮化硅等的陶瓷类等的多种无机粉末。对其可单独使用或2种以上并用。其中，优选地，使用二氧化硅。上述无机填充剂的形状虽无特殊限制，优选地，可使用球状粒子。优选地，上述无机填充剂的平均粒径在0.01μm～0.5μm范围内，更优选地，在0.01μm～0.3μm范围内。在上述平均粒径低于0.01μm的情况下，容易凝聚无机填充剂的结果强度降低，在上述平均粒径超过0.5μm的情况下，固化物的透明度降低，难以进行半导体元件表面的位置匹配标记识别，使可操作性显著降低。并且，在本发明中可将平均粒径相互不同的无机填充剂相互组合来使用。
另一方面，为了减少随着在上述热固化部包含丙烯酸成分而产生的粘结膜的粘性产生，优选地，相对于100重量份的热固化部的环氧成分及丙烯酸成分的总重量，可包含50～150重量份的上述无机填充剂，更优选地，可包含90～130重量份。在上述无机填充剂的含量低于10重量份的情况下，粘结膜的粘性增加，使芯片间的接合可靠性降低。并且，在上述无机填充剂的含量超过150重量份的情况下，热固化部的含量相对地减少，从而抑制热固化性能。
上述有机微粒对根据本发明的组合物的固化物起到施加既柔韧且优秀的应力缓和性的作用。上述有机微粒的种类物特殊限制，可无限制地使用通常用于非导电性粘结膜的有机微粒。对上述有机微粒的非限制性例，可使用芯外壳结构的有机微粒，更具体地，可使用芯(芯材)与外壳(外皮)的玻璃转化温度具有差异的芯外壳结构的橡胶粒子。通过含有上述橡胶粒子，固化物相比基体树脂的环氧树脂形成橡胶成分稳定的相分离结构。上述橡胶粒子可为包含2层以上的复层结构的芯外壳结构的粒子，可包含3层以上的复层结构，在包含上述3层以上的复层结构的芯外壳结构的粒子的情况下，外壳指最外皮。并且，优选地，上述橡胶粒子的外壳通过环氧树脂和备用或一些交联进行凝胶化，且不会溶解于环氧树脂。作为构成上述橡胶粒子的树脂成分，优选地，芯通常使用烯丙基类树脂。上述树脂成分可单独使用或2种以上并用。并且，橡胶粒子的外壳可具有与环氧树脂中的环氧基进行反应的官能基。作为与环氧基进行反应的官能基，虽无特殊限制，可例举如氨基、氨基甲酸酯基、亚胺基、醇式羟基、羧基、环氧基等。与上述环氧基进行反应的官能基可单独使用或2种以上并用。上述橡胶粒子虽无特殊限制，优选地，平均粒径可为30μm以下。若橡胶粒子的平均粒径超过30μm，则具有无法充分提高本发明的组合物固化物的应力缓和性的情况。
优选地，相对于100重量份的热固化部的环氧成分及丙烯酸成分的总重量，包含1～50重量份的上述有机微粒，但并不限制于此。
上述硅烷耦合剂起到更加提高对于被粘结物的紧贴性的作用，可无限制地使用通常用于非导电性粘结膜用组合物的硅烷耦合剂。作为对此的非限制性例，可例举氨基硅烷耦合剂、环氧硅烷耦合剂、脲基硅烷耦合剂、异氰酸酯硅烷耦合剂、乙烯基硅烷耦合剂、丙烯硅烷耦合剂、酮亚胺硅烷耦合剂等，优选地，可为环氧硅烷耦合剂。上述硅烷耦合剂可单独使用或2种以上并用。作为提高对上述被粘结物的紧贴性的耦合剂，除上述硅烷耦合剂以外可还包含钛耦合剂、铝耦合剂等。并且，相对于100重量份的热固化部的环氧成分及丙烯酸成分的总重量，可包含1～30重量份的上述硅烷耦合剂，但并不限制于此。
除上述多个物质以外，在本发明的非导电性粘结膜用组合物中根据需要可添加pH调整剂、离子捕捉剂、粘度调整剂、触变性赋予剂、氧化防止剂、热稳定剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、着色剂、脱水剂、阻燃剂、防静电剂、防霉剂、防腐剂、溶剂等的各种添加剂的1种或2种以上。
上述pH调整剂虽无特殊限制，可例举如二氧化硅等的酸性填充剂或碳酸钙等的碱性填充剂等。上述pH调整剂可单独使用或2种以上并用。
优选地，上述离子捕捉剂可为可以降低离子性杂质的量的捕捉剂，虽无特殊限制，可例举如铝硅酸盐、含氢氧化钛、含氢氧化铋、磷酸锆、磷酸钛、水滑石、钼磷酸铵、六氰基锌、有机类离子交换树脂等，上述离子捕捉剂可单独使用或2种以上并用。
另一方面，根据本发明的优选的一实例，上述非导电性粘结膜用组合物可还包含溶剂。上述溶剂可无限制地使用通常用于非导电性粘结膜用组合物的溶剂，作为对此的非限制性例，可为丙酮、甲基乙基酮(MEK)、甲基异丁基酮(MIBK)、环己酮等的酮类，甲基纤维素、乙二醇二丁基醚、醋酸丁基纤维素等的醚类。上述溶剂的使用量虽无特殊限制，优选地，相对于100重量份的杉树热固化树脂，包含10～500重量份。
本申请包括包含上述非导电性粘结膜用组合物的半导体用非导电性粘结膜。
图2为本发明优选的一实例地非导电性粘结膜的剖面示意图，可包括薄片基材1和包含本发明的非导电性粘结膜用组合物的粘结剂层2。
上述薄片基材1可包括支撑基材和粘结剂层，作为对上述支撑基材的非限制性例，可利用具有出色的耐热性或耐药性的树脂膜及对构成树脂膜的树脂进行交联处理的交联膜或在上述树脂膜的表面通过涂敷硅树脂等来进行剥离处理的膜等。
并且，构成树脂膜的树脂虽无特殊限制，可使用如聚酯、聚乙烯、聚丙基、聚丁烯、聚丁二烯的聚烯烃、氯化乙烯基、乙烯－甲基丙烯酸共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚酯、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰胺、聚氨酯等。
并且，薄片基材1的厚度虽无特殊限制，优选地，为3μm以上，500μm以下，更优选地，为3μm以上，100μm以下，更加优选地，为10μm以上，75μm以下。
另一方面，粘结剂层2的厚度虽无特殊限制，优选地，为3μm以上，100μm以下，更优选地，为10μm以上，75μm以下。
若上述薄片基材1及粘结剂层2的厚度分别小于上述下限值，则具有半导体用膜10的效果降低的情况，若超过上述上限值，则具有难以制备产品且厚度精准度降低的情况。
以下，对半导体用非导电性粘结膜10的制备方法简单地进行说明。下述所要进行说明的非导电性粘结膜的制备方法仅为一实施例，本发明的半导体用非导电性粘结膜并不限制于此。
图3为本发明的优选的一实例的非导电性粘结膜的剖面示意图，首选，对如图3的粘结膜的制备方法进行说明。
在图3中，粘结剂层2通过将本发明的非导电性粘结膜用组合物在聚酯薄片等的剥离基材21的上部进行涂敷并在规定温度中进行干燥来获取。仅将形成于剥离基材21上部的粘结剂层2的粘结剂层2侧裁剪一半，使粘结剂层2以与半导体用晶片几乎相同的形状，例如圆形形状体现。在此情况下，获取由粘结剂层2及剥离基材21形成的粘结膜。在上述粘结剂层2的上部以使薄片基材1的粘结剂层接触的方式层叠薄片基材1，使得可制备如图3的半导体用非导电性粘结膜。
如上述图3的粘结膜的制备方法以如下顺序制备粘结膜，即，通过在剥离基材的上部涂敷非导电性粘结膜用组合物来进行干燥，并层叠薄片基材，但是，还可以通过在不是剥离基材的薄片基材的上部涂敷非导电性粘结膜用组合物来进行干燥，并层叠剥离基材，在不层叠剥离基材的情况下，可制备如图2的粘结膜。
此时，在粘结膜中干燥有粘结膜用组合物的粘结层的根据下述数学式1的熔融区间可为90℃以下，更优选地，可为50～90℃。
数学式1
熔融区间(ΔT)＝TA(℃)－TB(℃)
上述TA为熔融粘度为80000Pa·S时的温度(℃)，上述TB为熔融粘度为20000Pa·S时的温度(℃)。
熔融区间长说明在利用粘结膜制备后述的半导体层叠体的工序中为了固化所施加热量的时间延长，在延长的时间过长的情况下，具有产生树脂流动的担忧，因此，优选地，熔融区间为90℃以下。但是，在熔融区间低于50℃的情况下，难以调节固化速度，产生凸点损伤等难以实现所目标的物性。
并且，根据本发明的优选的一实例，可制备如图4的半导体用非导电性粘结膜，图4包括：剥离基材21；结剂层2,形成于剥离基材21的上部；离型膜,或紫外线(UV)或无紫外线(Non UV)离型层11，形成于粘结剂层2的上部；以及薄片基材1。上述离型膜因容易进行薄片基材1与粘结剂层2之间的剥离，使得提高半导体晶片的处理性。
上述非导电性粘结膜的制备方法首先通过粘结剂层2将本发明的非导电性粘结膜用组合物涂敷于聚对苯二甲酸乙二酯膜等的离型膜的上部，以在规定温度中进行干燥后，将聚酯薄片等的剥离基材21层压于上述所干燥的粘结剂层2的上部，通过仅将离型膜及粘结剂层2侧裁剪一半来使离型膜及粘结剂层2以与半导体用晶片几乎相同的形状，例如圆形形状体现。在此情况下，可获取由离型膜、粘结剂层2及剥离基材21构成的粘结膜，通过在离型膜的上部层叠薄片基材1来制备如图3的非导电性粘结膜。
另一方面，本发明包括通过包括本发明的半导体用非导电性粘结膜来进行固化的半导体层叠体。
上述半导体层叠体包括半导体用非导电性粘结膜和半导体用晶片，不管切割与否。
具体地，图6为本发明的优选的一实例地半导体层叠体的剖面示意图，在半导体用晶片30的功能面30a以使非导电性粘结膜10的粘结剂层2接触的方式层叠有非导电性粘结膜10。上述半导体用晶片30的功能面30a可能形成有焊接凸点(未图示)。
如上所述的半导体层叠体通过进行切割工序以各个的半导体元件切断分离(重组化)后，进行展开，通过拾取所重组的半导体元件装载于基板的上部，然后，通过对粘结剂层2进行加热并固化，从而制备半导体元件层叠于基板的上部的半导体装置。
并且，作为另一实例，可在层叠于上述基板上部的半导体元件(第一元件)的上部以立体地方式层叠另一本发明的半导体层叠体(半导体元件，第二元件)来体现半导体装置。上述第一元件与第二元件各自的功能面与其背面可通过焊线相连接，使电信号的传递距离变短，因此，为了提高响应速度，可形成沿着各元件的厚度方向贯通的导体部，通过其可以交换元件的功能面与背面之间的电信号。并且，上述第一元件与第二元件可通过焊接凸点电连接，在第一元件与第二元件之间可位置有包括于第一元件或第二元件中的一种元件的非导电性粘结膜额粘接剂层。
通过下述实施例对本发明进行更加详细地说明，但应理解的是下述实施例并不限制本发明的范围，而用于容易地理解本发明。
实施例1
首先，相对于100重量份的第一热固化部的环氧成分(固态，脂环族类，EHPE3150，大赛璐(DAICEL)社)，向热固化部的第二热固化部投入100重量份的将乙烯基作为官能基来包含的二官能丙烯酸成分(M200，Miwon Specialty Chemical Co.，Ltd.)。以100重量份的上述环氧成分及丙烯酸成分的总重量为基准，向热塑性部投入30重量份的约70万重均分子量的丙烯酸共聚物(KW197CHM，根上工业(negamikogyo)公司)及10重量份的作为溶剂的甲基乙基酮，上述丙烯酸共聚物将作为包含环氧基的丙烯酸单体的2，3-环氧丙基丙烯酸甲酯(2，3-epoxypropyl methacrylate)以25重量百分比包含于共聚物内，上述作为溶剂的甲基乙基酮以100重量份的上述环氧成分及丙烯酸成分的总重量为基准，之后通过使用搅拌机进行混合。以100重量份的上述环氧成分为基准，向上述混合物投入60重量份的作为固化剂的酸无水物固化剂(B4500，大日本油墨化学公司(DIC))、5.7重量份的作为固化促进剂的咪唑类(2PZ-CN，四国化成工业公司(Shikoku))。并且，以100重量份的上述丙烯酸成分为基准，投入2重量份的丙烯固化剂(Perbutyl-Z，制备公司)。并且，以100重量份的上述环氧成分及丙烯酸成分的总重量为基准，投入123重量份的作为无机填充剂的粒径为100nm的球状二氧化硅(SGSO100，Sukgyung AT Co.，Ltd)、4.0重量份的作为硅烷耦合剂的(KBM403，信越(shinetsu)社)，并在常温中搅拌2小时来获取非导电性粘结膜用组合物。利用孔隙直径为10μm的胶囊过滤器对上述组合物进行过滤后，在厚度为38μm的基材膜(SG31，SKC)利用逗号涂敷剂进行涂敷，在100℃温度下以5分钟的时间进行干燥，从而获取去除甲基乙基酮的厚度为20μm的如下表1的非导电性粘结膜。
实施例2至实施例12
以与实施例1相同的方式实施来制备，通过将非导电性粘结膜用组合物的组成比例等变更为如下表1至表3所示来获取如下表1至表3的非导电性粘结膜。
比较例1至比较例2
以与实施例1相同的方式实施来制备，通过将非导电性粘结膜用组合物的组成比例等变更为如下表3所示来获取如下表3的非导电性粘结膜。
实验例1
对通过实施例及比较例制备的非导电性粘结膜进行物性检测，并显示于表1至表4。
1.玻璃转化温度及ΔT检测
利用差热分析仪(DSC)来检测玻璃转化温度及ΔT。
此时，通过利用差热分析仪检测(条件：0～300(10℃/min))ΔT，将从峰值温度(Peak Temperature)减去起始温度(Onset Temperature)的值判断为ΔT值。
2.熔融粘度检测
将非导电性粘结膜以厚度600μm、2.0㎝×2.0㎝进行采样，并利用流变仪(Rheometer)以50～200(10℃/min)进行检测。另一方面，将检测值的最低数值的粘度值判断为最低熔融粘度。
3。常温粘性(tack)评价
将非导电性粘结膜以3㎝×3㎝大小采集试样，利用探针初粘力(Probe Tack)检测装备检测粘性，此时，探针(probe)的直径为5㎜，检测条件为以载荷(load)200g·f的力维持10秒钟后，以10㎜/sec拉扯，来检测粘性。
此时，若粘性结果为10g·f以上，则判断为因粘性过多工序上存在问题并以×标记，若为10g·f以下，则判断为工序上没有问题并以○标记。
实验例2
将通过实施例及比较例制备的非导电性粘结膜在硅晶片的第一面(基板及半导体元件连接的面)与非导电性粘结膜中的粘接剂层(图1的2)相接触以后，利用真空层压机以0.1mm/min的压薄速度、0.3Mpa的压力、70℃的温度条件进行贴合，从而制备了年解忧非导电性粘结膜的半导体晶片，上述硅晶片的直径为8英寸、厚度为500μm且在两面具有锡(Sn)/银(Ag)材质的凸点(高低60μm，螺距150μm)。然后，对所制备的非导电性粘结膜对于所粘结的半导体晶片的空洞产生与否进行检测后显示于表1至表4。
空洞(void)产生与否具体借助光学显微镜观察，在没有产生空洞的情况下，标记×，在产生空洞的情况下，标记○。
实验例3
利用通过实施例及比较例制备的非导电性粘结膜对根据实验例1的顺序制备的附着有非导电性的半导体晶片按照下述顺序进行切割工序后，确认产生分层(delamination)与否，并显示于下表1至表3。
上述分层评价方法为为了评价非导电性粘结膜的附着力，利用光学显微镜对结束切割工序并拾取之前的半导体晶片进行观察，在没有产生分层的情况下，标记×，在产生分层的情况下，标记○。
实验例4
利用通过实施例及比较例制备的非导电性粘结膜对根据实验例2的顺序制备的附着有非导电性半导体晶片按照实验例3的顺序进行切割工序后拾取粘结有所切割的非导电性粘结膜的半导体晶片，并在形成有由锡/银材质形成的焊料的环氧材质的厚度为0.195mm的电路板上利用倒桩芯片焊接进行定位后，在250℃接合温度下施加40N的接合压力，分别以3秒、8秒或13秒的不同的焊接时间进行热压接来制备半导体装置。对所制备的半导体装置的下述物性进行评价后显示于表1至表3。
1.凸点接合性
对所制备的半导体装置通过进行横切(cross-section)来确认了凸点接合性，在每10个凸点没有节点不良的情况下，标记×，在节点不良小于2的情况下，标记△，在节点不良多于2个的情况下，标记○。
2.芯片焊接后空洞产生与否
通过超声波探伤装置对半导体装置进行观察，在没有产生空洞的情况下，标记×，在产生空洞的情况下标记○。
3.凸点损伤产生与否
在3秒的焊接时间中，通过光学显微镜对表面进行观察，在没有产生凸点损伤的情况下，标记×，在产生凸点损伤的情况下标记○。
表1
表2
表3
如根据上述表1至3所确认，在第二热固化部的丙烯酸成分以小于本发明的优选的范围的方式包含的实施例2的情况下，虽不尊在常温中的粘性问题，但是，固化速度小于实施例1，并在8秒的焊接时间中也产生了凸点接合不良，需消耗8～13秒之间的焊接时间才不产生凸点接合性及空洞产生的问题，因此，可确认，焊接时间因超过8秒，显著延长。并且，经确认熔融区间多少存在延长，可以预测具有产生树脂流动的担忧。
并且，在以超过本发明的优选的范围的方式包含第二热固化部的丙烯酸成分的实施例5的情况下，可以确认常温粘性显著增加并焊接后产生凸点损伤。有此可以预测，随着过快的固化速度进行固化反应被凸点接合时所施加的压力在凸点产生损伤。
与此相反地，在满足本发明的优选的丙烯酸成分地含量的实施例1、3、4的情况下，可以确认，相比于实施例2、4，所有物性均优秀。
另一方面，在实施例6的情况下，随着将性状为液相的成分用作环氧成分，可以确认，常温粘性不好。并且，还可以确认，焊接后产生凸点损伤。并且，在环氧呈半固态的实施例7的情况下，可以确认，产生常温粘性，并固化速度降低。
并且，在环氧及第一固化成分均性状为液相的实施例8的情况下，因产生常温粘性，在工序上存在问题，可以确认，在半导体晶片贴合后产生了凸点空洞，固化速度也显著降低了。
并且，在环氧性状为固相的情况下，可以确认，相比于实施例8，在第一固化成分中混合液态的实施例9的固化速度虽提高了，但是常温粘性的问题及固化速度降低的问题比实施例1显著。
并且，在丙烯酸成分的官能基数量为1个的实施例10的情况下，可以确认，固化速度比实施例1降低了。
并且，在第二固化成分的半衰温度小于100℃的实施例11的情况下，可以确认，切割工序后产生了分层，还产生了凸点损伤。
另一方面，可以确认，相比于实施例1，不包含第二固化部的比较例的固化速度显著降低，银熔融区间长，具有产生树脂流动的担忧。
并且，在比较例2的情况下，因不包含第一热固化部，虽固化速度快，但其程度过快，因此，可以确认，随着固化调节具有困难，产生了凸点损伤，并还产生了常温粘性。

Claims (16)

1.一种非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，包括：
热固性部，包括包含环氧成分的第一热固化部及包含丙烯酸成分的第二热固化部；以及
热塑性部。
2.根据权利要求1所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，上述环氧成分包含缩水甘油醚型环氧成分、缩水甘油胺型环氧成分、缩水甘油酯型环氧成分、萘类环氧成分及脂环族环氧成分中的1种以上。
3.根据权利要求1所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，上述丙烯酸成分包含多官能丙烯酸单体，上述多官能丙烯酸单体包含2种以上的乙烯基。
4.根据权利要求1所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，上述热塑性部包含丙烯酸共聚物，上述丙烯酸共聚物通过包含含有环氧基的丙烯酸单体来进行共聚反应。
5.根据权利要求1所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，上述第二热固化部包含10小时半衰温度为100℃以上的第二固化成分。
6.根据权利要求1所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，相对于100重量份的上述热固性部的环氧成分及丙烯酸成分的总重量，包含30～100重量份的热塑性树脂。
7.根据权利要求1所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，相对于100重量份的环氧成分，包含70～120重量份的上述丙烯酸成分。
8.根据权利要求1所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，上述环氧成分包含性状为固相的环氧成分。
9.根据权利要求1所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，上述第一热固化部包含在25℃温度下性状为固相的第一固化成分。
10.根据权利要求8所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，上述环氧成分不包含在25℃温度下性状为液相的环氧成分。
11.根据权利要求5所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，相对于100重量份的丙烯酸成分，上述第二热固化部包含1～20重量份的第二固化成分。
12.根据权利要求1所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，相对于100重量份的第一热固化部的环氧成分及第二热固化部的丙烯酸成分的总重量，上述组合物还包含50～150重量份的无机填充剂。
13.一种非导电性粘结膜，其特征在于，包含根据权利要求1至12中任一项所述的非导电性粘结膜用组合物。
14.一种非导电性粘结膜，其特征在于，包括：
粘结层，由根据权利要求1至12中任一项所述的非导电性粘结膜用组合物干燥而成；以及
离型部件，形成于上述粘结层的至少一面。
15.根据权利要求14所述的非导电性粘结膜用组合物，其特征在于，在上述粘结层中，根据下述数学式1的熔融区间为90℃以下：
数学式1
熔融区间(ΔT)＝TA(℃)－TB(℃)
上述TA为熔融粘度为80000Pa·S时的温度(℃)，上述TB为熔融粘度为20000Pa·S时的温度(℃)。
16.一种半导体层叠体，其特征在于，由包含根据权利要求14所述的非导电性粘结膜热固化而成。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112391125A (zh) * 2020-11-19 2021-02-23 铠博新材料(天津)有限公司 一种导电胶膜
CN112673071A (zh) * 2019-06-13 2021-04-16 株式会社Lg化学 非导电膜和半导体层合体的制造方法
US12024654B2 (en) 2019-06-13 2024-07-02 Lg Chem, Ltd. Non-conductive film and manufacturing method of semiconductor laminate

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102555721B1 (ko) 2018-08-20 2023-07-17 삼성전자주식회사 플립 칩 본딩 방법
TW202317705A (zh) * 2021-07-21 2023-05-01 德商漢高智慧財產控股公司 用於具有優異高溫性質之供3d矽穿孔(tsv)封裝用之非傳導性薄膜的樹脂組合物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1188501A (zh) * 1995-06-21 1998-07-22 美国3M公司 粘合剂组合物、用其制得的粘合膜和制备粘合膜的方法
CN101326051A (zh) * 2005-12-15 2008-12-17 国家淀粉及化学投资控股公司 用于芯片堆叠的多层粘合膜
CN102153956A (zh) * 2009-11-26 2011-08-17 日东电工株式会社 热固型胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、以及使用它们制造半导体装置的方法
KR20130074804A (ko) * 2011-12-15 2013-07-05 한국과학기술원 라디칼 트랩 성분을 함유하는 전자부품 접속용 접착조성물
KR101435758B1 (ko) * 2013-12-30 2014-08-29 주식회사 이녹스 비전도성 접착필름용 조성물 및 이를 포함하는 비전도성 접착필름

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3911690B2 (ja) * 2001-07-19 2007-05-09 山栄化学株式会社 熱硬化性樹脂組成物、並びに平滑板の製造方法及びその平滑板
US7176044B2 (en) 2002-11-25 2007-02-13 Henkel Corporation B-stageable die attach adhesives
JP2007317657A (ja) * 2007-05-08 2007-12-06 Hitachi Chem Co Ltd 熱架橋型回路接続材料及びそれを用いた回路板の製造方法
CN103305131B (zh) * 2012-03-06 2015-01-07 上海佑威新材料科技有限公司 一种高耐候性结构胶粘剂及其制备方法
KR101462845B1 (ko) 2014-08-21 2014-11-19 주식회사 이녹스 유연성이 향상된 비전도성 접착필름용 조성물 및 이를 포함하는 비전도성 접착필름

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1188501A (zh) * 1995-06-21 1998-07-22 美国3M公司 粘合剂组合物、用其制得的粘合膜和制备粘合膜的方法
CN101326051A (zh) * 2005-12-15 2008-12-17 国家淀粉及化学投资控股公司 用于芯片堆叠的多层粘合膜
CN102153956A (zh) * 2009-11-26 2011-08-17 日东电工株式会社 热固型胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、以及使用它们制造半导体装置的方法
KR20130074804A (ko) * 2011-12-15 2013-07-05 한국과학기술원 라디칼 트랩 성분을 함유하는 전자부품 접속용 접착조성물
KR101435758B1 (ko) * 2013-12-30 2014-08-29 주식회사 이녹스 비전도성 접착필름용 조성물 및 이를 포함하는 비전도성 접착필름

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112673071A (zh) * 2019-06-13 2021-04-16 株式会社Lg化学 非导电膜和半导体层合体的制造方法
CN112673071B (zh) * 2019-06-13 2023-01-06 株式会社Lg化学 非导电膜和半导体层合体的制造方法
US12024654B2 (en) 2019-06-13 2024-07-02 Lg Chem, Ltd. Non-conductive film and manufacturing method of semiconductor laminate
CN112391125A (zh) * 2020-11-19 2021-02-23 铠博新材料(天津)有限公司 一种导电胶膜

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