CN107342220B - 金属材料图形化方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种金属材料图形化方法。该方法包括：在所提供的基板上依次生成金属纳米材料层和保护层，其中所述保护层的热膨胀系数与所述基板的热膨胀系数之差大于预设阈值；对所述保护层进行图形化处理，用于在所述保护层形成沟道；对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理，用于通过保护层以及基板热膨胀程度的不同，剥离所述沟道中的金属纳米材料。由于保护层的热膨胀系数与基板的热膨胀系数之差大于预设阈值，在如处理过程中，能够通过保护层和基板的热膨胀程度的不同，剥离沟道中的金属纳米材料，从而解决现有技术中的问题。
Description
技术领域
本申请涉及材料技术领域，尤其涉及金属材料图形化方法。
背景技术
在半导体组件制作、触摸屏制作等过程中，通常会用到图形化技术，用于在基板上制作一层带图案的金属导电层。
目前的图形化技术在基板上制作导电层时，首先在基板上生成金属材料层和保护层，然后使用带图案窗口的掩模板进行遮挡，在遮挡之后对保护层进行曝光和显影，从而在保护层形成图案窗口，最后通过刻蚀工艺清除图案窗口中的金属材料，制作出带有图案的金属导电层。然而这种图形化技术需要通过刻蚀工艺清除图案窗口中的金属材料，使得金属材料的图形化过程中操作较为复杂。
发明内容
本申请实施例提供金属材料图形化方法，能够用于解决现有技术中的问题。
本申请实施例提供了一种金属材料图形化方法，该方法包括：
在所提供的基板上依次生成金属纳米材料层和保护层，其中所述保护层的热膨胀系数与所述基板的热膨胀系数之差大于预设阈值；
对所述保护层进行图形化处理，用于在所述保护层形成沟道；
对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理，用于通过保护层以及基板热膨胀程度的不同，剥离所述沟道中的金属纳米材料。
优选地，在所提供的基板上依次生成金属纳米材料层和保护层，具体包括：
将金属纳米材料的溶液均匀分布在所提供的基板上；
将金属纳米材料的溶液中的溶剂蒸发，用于形成金属纳米材料层；
将包含有保护层材料的溶液均匀分布在所形成的金属纳米材料层上，用于形成保护层。
优选地用于生成金属纳米材料层的金属纳米材料，具体为：金属纳米线；
所述保护层的粘度大于预设粘度。
优选地根据所述金属纳米材料层中金属纳米材料的比表面积确定所述预设阈值。
优选地，在对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理之后，所述方法还包括：
通过去离子水和/或有机溶剂对沟道进行清洗。
优选地，在通过去离子水和/或有机溶剂对沟道进行清洗之后，所述方法还包括：清除保护层。
优选地，所述基板具体为玻璃硬质基板或柔性基板。
优选地，对所述保护层进行图形化处理，具体包括：
通过带沟道的掩模板对所述保护层进行遮挡；
将通过所述掩模板进行遮挡之后的保护层曝光；
对曝光后的保护层进行显影，用于对保护层图形化。
优选地，用于生成金属纳米材料层的金属具体为：电导率大于预设电导率的金属合金。
优选地，所述方法用于制作触摸屏或薄膜晶体管电极。
本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
采用本申请实施例所提供的金属材料图形化方法，将金属纳米材料在所提供的基板上进行图形化时，先在该基板上依次生成金属纳米材料层和保护层，其中保护层和基板的热膨胀系数之差大于预设阈值，然后对保护层进行图形化形成沟道，之后对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理，通过保护层和基板的热膨胀程度的不同，能够较为容易的剥离沟道中的金属纳米材料，从而不需要通过刻蚀工艺清除图案窗口中的金属材料，解决现有技术中的问题。另外，由于所生成的保护层包裹金属纳米材料层中的金属纳米材料，也使得沟道中的金属纳米材料剥离过程中，保护层所包裹金属纳米材料不会从基板中剥离，从而不会影响导电层的导电性能。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1现有技术中金属材料图形化的场景示意图；
图2为本申请实施例提供的金属材料图形化方法的具体流程示意图；
图3为本申请实施例提供的触摸屏的横截面结构图；
图4为本申请实施例提供的触摸屏的导电层和基板俯视图；
图5为本申请实施例提供的金属材料图形化方法，在实际应用中的流程示意图；
图6为本申请实施例提供的金属材料图形化方法的场景示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。
如上所述，目前的图形化技术在基板上制作导电层时，参考附图1，首先可以在基板11上生成金属材料层12和保护层13，然后使用带图案窗口的掩模板14进行遮挡，在遮挡之后对保护层进行曝光和显影，从而在保护层形成图案窗口，最后通过刻蚀工艺清除图案窗口中的金属材料，制作出带有图案的金属导电层。然而这种图形化技术需要通过刻蚀工艺清除图案窗口中的金属材料，使得金属材料的图形化过程中操作较为复杂。
基于此，本申请实施例提供了一种金属材料图形化方法，用于解决现有技术中的问题。该方法的具体流程示意图如图2所示，包括下述步骤：
步骤S21：提供一基板。
这里所提供的基板可以是玻璃等硬质材料制作的硬质基板，其中玻璃的材质可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅等，比如为单晶硅玻璃制作的硬质基板；当然，所提供的基板也可以是有机柔性材料制作的柔性基板，其中有机柔性材料可以是聚酰亚胺(Polyimide，PI)、PET塑料(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸类塑料)等。在此并不对所提供的基板的硬质或柔性进行限定，也不对制备该硬质或柔性基板的材料进行限定。
在实际应用中，触摸屏的制作过程通常需要对金属材料进行图形化，从而形成金属导电层。如图3所示为常见的触摸屏的横截面结构，该触摸屏包括屏蔽层31、基板32、导电层33和保护层34，其中基板32可以是玻璃制作的硬质基板，保护层34也可以是玻璃保护层。图4所示为该触摸屏的基板32和导电层33的俯视图。由图4可知，触摸屏的基板32上有多个金属区块，这些金属区块共同组成了导电层33，并且金属区块之间形成沟道。另外，在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)电极的制作过程中，也通常会用到将金属材料在电极基板上进行图形化，从而在TFT电极基板上形成导电层。
因此，步骤S21所提供的基板可以是触摸屏中的基板，也可以是TFT电极的基板。通常TFT电极的基板可以采用玻璃等硬质材料制作，而触摸屏中的基板根据需求的不同，既可以采用玻璃等硬质材料制作，也可以采用透明的有机柔性材料制作。比如，对于柔性触摸屏中的基板，通常可以采用PI进行制作，此时步骤S21所提供的基板为该PI制作的柔性基板。
步骤S22：在所提供的基板上依次生成金属纳米材料层和保护层，保护层的热膨胀系数与基板的热膨胀系数之差大于预设阈值。
在所提供的基板上先生成金属纳米材料层，然后在所生成的金属纳米材料层之上再生成保护层，所生成的保护层能够将金属纳米材料层中的金属纳米材料包裹。
需要说明的是，所生成的保护层的热膨胀系数，与基板的热膨胀系数之差大于预设阈值。物质在加热之后会出现热膨胀的现象，其变化能力为等压(压强一定)下，单位温度变化所导致的长度量值的变化，即不同物质的热膨胀系数通常不同。
在实际应用中，可以将光刻胶材料所生成的光刻胶层作为该保护层，其中该光刻胶材料可以是正性光刻胶，也可以是负性光刻胶；当然，也可以通过其他刻蚀保护材料生成该保护层，这里就不再一一说明。
这里的预设阈值的大小可以根据实际情况来确定，比如当金属纳米材料的颗粒越小时，通常比表面积越大，需要设定较大的预设阈值；金属纳米材料为金属纳米管或其它具有三维结构的纳米材料时，比表面积也越大，此时也需要设定更大的预设阈值，这样可以防止由于金属纳米材料的比表面积较大时，吸附性较强，导致难以清除。
当保护层的热膨胀系数与基板的热膨胀系数之差大于预设阈值时，在热处理的情况下，保护层的热膨胀程度与基板的热膨胀程度会有较大区别。
可以将保护层的热膨胀系数设为α1，基板的热膨胀系数设为α2，预设阈值设为β。α1与α2之差大于β表示为|α1-α2|>β，即α1减去α2之后的绝对值大于β。此时，可以是α1-α2>β，也可以是α2-α1>β。
当然，实际应用中，可以根据具体需要先选择基板(比如，需要制作柔性触摸屏，可以选择PI作为基板)，并通过测试或者查询所选择的基板的热膨胀系数，然后根据基板的热膨胀系数以及预设阈值，确定保护层的热膨胀系数的取值范围，从而选择热膨胀系数在该取值范围内的保护层材料，用于生成保护层。
可以采用步骤S221～步骤S224的方式，在基板上依次生成金属纳米材料层和保护层。
步骤S221：将金属纳米材料的溶液均匀分布在基板上。
步骤S222：将金属纳米材料的溶液中的溶剂蒸发，用于形成金属纳米材料层。
这里所说的金属纳米材料可以是金属纳米线、金属纳米管等，对于金属纳米材料的形态可以不做限定。另外，由于在基板上制作导电层，这里的金属需要有良好的导电性能，通常可以选择电导率较高的金属如镍、铜、银、金或具有较大电导率(该合金的电导率大于预设电导率)的金属合金。比如，这里的金属纳米材料可以是银纳米线、铜纳米线等，也可以是其他具有良好导电性能的金属的纳米线或纳米管等。
通常可以将预设电导率的大小设置为25西门子/米(也可以为其他值)，将大于该电导率的金属或金属合金所制作的纳米材料，生成金属纳米材料层。当然，预设电导率的大小也可以根据需要进行设定，比如当柔性显示屏中需要制作高导电性能的导电层时，可以设置较大的预设电导率，当柔性显示屏的导电层的导电性能要求较低时，可以设置较小的预设电导率。
为了使得金属纳米材料在基板上均匀分布，可以将金属纳米材料制备成溶液或者溶胶等液体，然后将溶液或者溶胶等液体均匀分布在基板上，之后将其中的溶剂蒸发掉，从而使得在基板上生成均匀分布的金属纳米材料层。
步骤S223：将包含有保护层材料的溶液均匀分布在所形成的金属纳米材料层上，用于形成保护层。
在制作保护层时，为了使得保护层更加均匀，也可以将保护层材料制备成溶液或者溶胶等液体，然后将其均匀分布在金属纳米材料层之上，用于生成保护层。在通过保护层材料的溶液形成保护层时，可以部分蒸发其中的溶剂，也可以根据溶液的浓度(浓度较高时)，直接将高浓度的该溶液作为保护层。
在实际应用中，该保护层材料可以是光刻胶材料，通过光刻胶材料生成光刻胶层作为保护层。可以将光刻胶的溶液均匀分布在所形成的金属纳米材料层上，用于形成光刻胶层，并将该光刻胶层作为保护层。当然，该保护层材料也可以是其它的材料。
根据制备的需要，将金属纳米材料和光刻胶制备成液体的溶剂，通常可以为二甲基甲酰胺等有机溶剂或者去离子水。
步骤S23：对保护层进行图形化处理。
通过对保护层进行图形化处理，能够在该保护层形成沟道。
对该保护层进行图形化处理的方式可以是，先通过带窗口的掩模板对该保护层进行遮挡，在遮挡之后通过平行光线对保护层进行曝光，然后对曝光后的保护层进行显影，从而对保护层进行图形化，比如根据光刻胶的正负性(正性光刻胶和负性光刻胶)可以去除保护层中已被曝光的光刻胶，也可以是去除非曝光部分的光刻胶，并最终在保护层中形成沟道。
当然根据所使用的光刻胶的不同，对保护层进行图像化还可以采用诸如加热等其他方式，这里就不再一一说明。
步骤S24：对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理。
对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理的方式可以是，将它们放置在加热装置中，通过加热装置对其进行加热。这里的加热装置可以是常用的干燥箱等，当然也可以是其它的加热设备。另外，根据需要该加热装置还可以是密闭加热装置，在使用时可以抽出密闭加热装置中的空气，使得对保护层、金属纳米材料层以及基板的热处理在低空气浓度下进行，这样能够防止空气中的氧气等在高温下对金属纳米材料的氧化，影响导电层的导电性能。
通常在加热装置对保护层、金属纳米材料层以及基板进行加热时，也可以预先设置加热程序，将它们放入加热装置之后，依照该加热程序进行热处理。比如，在加热装置中预先设置加热程序，控制加热装置的热处理为，t1时间段内以每分钟T1度(比如，5度或其它)进行升温，t2时间段内以每分钟T2度(比如20度或其它)进行升温，直至温度升至目标温度，并在目标温度下保持T3时间段。这种通过程序加热对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理的方式，能够有效避免由于人工操作带来的偏差，更加有利于批量加热。
其中，通常可以将保护层与基板之间，由于热膨胀程度差别较大，能够将沟道中的金属纳米材料剥离的温度确定为目标温度。比如，在某个温度下，保护层与基板之间的热膨胀程度差别较大，能够达到将沟道中的金属纳米材料剥离，可以将该温度作为目标温度。在实际应用中，目标温度的大小可以通过测试或者估算的方式来具体确定。
当然，也可以预先将加热装置升温至目标温度，在恒温下对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理。
对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理，可以是将保护层、金属纳米材料层以及基板加热至目标温度，通过保护层以及基板在目标温度下热膨胀程度出现较大的差别，剥离所述沟道中的金属纳米材料。
由于步骤S22中提到，保护层的热膨胀系数与基板的热膨胀系数之差大于预设阈值，因此对保护层以及基板进行热处理时，它们之间的热膨胀程度差别较大。由于这种较大区别的热膨胀程度，必然导致由于保护层和基板形变程度的不同使得沟道中的金属纳米材料断裂和脱落，并且由于保护层将金属纳米材料包裹，也使得其中的金属纳米材料与基板紧密结合，最终利用保护层以及基板热膨胀程度的这种不同，剥离沟道中的金属纳米材料，而保护层所包裹的金属纳米材料与基板紧密结合。
比如，当保护层的热膨胀系数较大，基板的热膨胀系数较小，并且它们之差大于预设阈值时，在热处理过程中，保护层会发生较大的热膨胀，而基板的热膨胀程度较小，这样保护层和基板之间由于形变而拉扯，会导致沟道中的金属纳米材料出现断裂和脱落的现象，能够方便的剥离沟道中的金属纳米材料。
采用本申请实施例所提供的金属材料图形化方法，将金属纳米材料在所提供的基板上进行图形化时，先在该基板上依次生成金属纳米材料层和保护层，其中保护层和基板的热膨胀系数之差大与预设阈值，然后对保护层进行图形化形成沟道，之后对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理，通过保护层和基板的热膨胀程度的不同，能够剥离沟道中的金属纳米材料，这样即使不经过刻蚀工艺也能够对沟道中的金属纳米材料进行剥离，使得金属材料的图形化过程中得到简化，解决了现有技术中的问题。另外，由于保护层将金属纳米材料层中的金属纳米材料包裹，使得在清除沟道中的纳米材料的过程中，保护层中的金属纳米材料依然与基板紧密结合，而不会导致清除了沟道之外的金属纳米材料，影响所制作的导电层的导电性能。
此外，在步骤S24之后，为了进一步的清理沟道中的金属纳米材料，该方法还可以包括如下的步骤S25。
步骤S25：通过去离子水和/或有机溶剂对沟道进行清洗。
通过去离子水和/或有机溶剂(比如，乙醇、丙醇等醇类有机溶剂)对沟道进行清洗，能够进一步的清除其中的金属纳米材料。
在基板上生成金属纳米材料层时，为了使得金属纳米材料在基板上均匀分布，通常可以通过溶剂将金属纳米材料制备成溶液或者溶胶等液体，当溶剂为去离子水时，在步骤S25中也可以采用去离子水进行清洗，当溶剂为有机溶剂时，在步骤S25中可以采用相同的有机溶剂(当然也可以直接用乙醇)对沟道进行清洗。当然在对沟道进行清洗的过程中，也可以先后使用有机溶剂和去离子水对其进行清洗。具体的清洗方式可以是冲洗(将去离子水和/或有机溶剂冲洗沟道)或者浸泡等，这里对此并不限定。
另外，在实际应用中，由于保护层材料通常为有机物(比如，光刻胶)，导电性能较差甚至不导电，一些情况下需要对保护层进行清除，从而避免影响导电层的导电性能，因此该方法还可以包括步骤S26。
步骤S26：清除保护层。
对于保护层的清除，可以有多种不同的清除方式。比如对于将光刻胶层作为保护层时，可以采用光刻胶清洗剂对保护层剩余的光刻胶进行清洗，从而对其进行清除。当然，根据光刻胶的不同，也可以采用诸如加热或者其它方式来清除光刻胶。对于其他材料制作的保护层，也可以采用相应的处理方式进行清除，这里就不再赘述。
在实际应用中，当需要通过金属纳米材料的图形化，在基板上生成多个导电层时，为了防止导电层之间相互隔离，需要对保护层进行清除。如果只需要生成一层导电层，比如在触摸屏上只需要生成一层导电层，可以不清除保护层。
另外，需要说明的是，对于步骤S25和步骤S26的执行顺序，可以先执行步骤S25，然后再执行步骤S26，也可以先执行步骤S26，然后再执行步骤S25。
在实际应用中，由于热处理过程中，保护层和基板的热膨胀程度差别较大，为了防止保护层在极板上脱落，可以采用粘度较大的光刻胶生成保护层。也就是说，在生成保护层时，所使用的光刻胶的粘度需要大于预设粘度，其中该预设粘度的大小，可以根据保护层在热处理过程中，相对于基板的热膨胀程度来确定，如果保护层相对于基板的热膨胀程度越大(它们之间的热膨胀系数相差越大)，为了防止保护层的脱落，该可以设置越大的预设粘度，相反可以设置较小的预设粘度。
比如，当预设阈值越大时，由于保护层的热膨胀系数与基板的热膨胀系数之差大于预设阈值，因此在热处理下，保护层和基板之间的热膨胀差别越大，为了防止保护层的脱落，保护层材料的粘度也相应的越大。以玻璃基板为例，玻璃基板的热膨胀系数通常在3.25-4.5(10-6/K)左右，预设阈值可以为玻璃基板热膨胀系数的0.5-2倍(也可以为其他)，也就是说预设阈值的取值范围可以为1.6-9(10-6/K)左右，相应的预设粘度(25摄氏度下)的取值可以在21.3-26厘泊的范围内，当然预设粘度根据实际需要也可以为其它值。
上述是本申请实施例所提供的方法的具体说明，为了便于理解，下面可以结合具体的示例，对该方法进一步说明。在该示例中，金属纳米材料为银纳米线，基板为玻璃材料制作的硬质基板(称之为玻璃基板)，保护层具体为通过光刻胶材料生成的光刻胶层，其中光刻胶材料的热膨胀系数>玻璃基板的热膨胀系数，并且它们之间的差值大于预设阈值，此外，光刻胶的粘度也大于预设粘度。可以结合图5和图6来具体说明该示例，该示例的具体步骤如下：
步骤S41：将银纳米线溶液均匀分布在玻璃基板，并将其中的溶剂蒸发，生成银纳米线层。
步骤S42：将光刻胶溶液均匀分布在银纳米线层上，用于生成光刻胶层。
步骤S43：使用带图案窗口的掩模板对光刻胶层进行遮挡，在遮挡之后对光刻胶层进行曝光和显影，用于在光刻胶层形成沟道。
步骤S44：将包含光刻胶层和银纳米线层的玻璃基板，在加热装置中加热至目标温度。
如图6所示，光刻胶层由于热膨胀发生较大的形变，而玻璃基板热膨胀的形变相对较小，在没有光刻胶覆盖部分(沟道中)，银纳米线由于形变被拉断或者脱落，在有光刻胶覆盖部分，光刻胶的粘度较大，银纳米线不会从极板上脱落。
步骤S45：通过去离子水或者乙醇清洗，将沟道部分残留的银纳米线清除。
步骤S46：将光刻胶层清除。
上述中提到，在触摸屏的制作过程通常需要对金属材料进行图形化，从而形成导金属导电层。可以在触摸屏中的基板(比如玻璃硬质基板)上，通过本申请实施例提供的金属材料图形化方法，对金属纳米材料进行图形化，最终生成金属导电层。结合图3和图4，在触摸屏的基板上先通过金属纳米材料，生成金属纳米材料层，然后通过光刻胶生成光刻胶层，其中，光刻胶层的热膨胀系数与基板的热膨胀系数之差大于预设阈值，之后对光刻胶层进行图形化处理从而会生成沟道，再对它们进行热处理从而清除沟道中的金属纳米材料，并且可以通过水洗等方式进一步清除沟道中的金属纳米材料，最后清除多余的光刻胶，从而能够制作出如图3和图4所示的触摸屏中的基板32和导电层33，并能够在此基础之上制作出触摸屏。
当然，对于薄膜晶体管电极的制作过程(比如，薄膜晶体管的阳极制作过程)，也需要提供电极基板，并在电极基板上依次生成金属纳米材料层和光刻胶层，其中，光刻胶层的热膨胀系数与基板的热膨胀系数之差大于预设阈值，然后对光刻胶层进行图形化，从而形成沟道，之后通过热处理，利用光刻胶层和基板之间热膨胀程度的差别，清除沟道中的金属纳米材料，之后也可以通过水洗的方式进一步对沟道进行清洗等。
通过触摸屏或者薄膜晶体管电极的制作过程，采用本申请实施例所提供的金属材料进行图形化，能够更好地清除沟道中的金属纳米材料，从而能够提高所制作的触摸屏和薄膜晶体管的性能。
需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。
Claims (9)
1.一种金属材料图形化方法，其特征在于，包括：
在所提供的基板上依次生成金属纳米材料层和保护层，其中所述保护层的热膨胀系数与所述基板的热膨胀系数之差大于预设阈值，根据所述金属纳米材料层中金属纳米材料的比表面积确定所述预设阈值；
对所述保护层进行图形化处理，用于在所述保护层形成沟道；
对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理，用于通过保护层以及基板热膨胀程度的不同，剥离所述沟道中的金属纳米材料。
2.如权利要求1所述方法，其特征在于，在所提供的基板上依次生成金属纳米材料层和保护层，具体包括：
将金属纳米材料的溶液均匀分布在所提供的基板上；
将金属纳米材料的溶液中的溶剂蒸发，用于形成金属纳米材料层；
将包含有保护层材料的溶液均匀分布在所形成的金属纳米材料层上，用于形成保护层。
3.如权利要求1或2所述方法，其特征在于，
用于生成金属纳米材料层的金属纳米材料，具体为：金属纳米线；
所述保护层的粘度大于预设粘度，所述预设粘度的大小与所述保护层相对所述基板的热膨胀系数差值的大小呈正相关。
4.如权利要求1所述方法，其特征在于，在对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理之后，所述方法还包括：
通过去离子水和/或有机溶剂对沟道进行清洗。
5.如权利要求4所述方法，其特征在于，在通过去离子水和/或有机溶剂对沟道进行清洗之后，所述方法还包括：清除保护层。
6.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述基板具体为玻璃硬质基板或柔性基板。
7.如权利要求1所述方法，其特征在于，对所述保护层进行图形化处理，具体包括：
通过带沟道的掩模板对所述保护层进行遮挡；
将通过所述掩模板进行遮挡之后的保护层曝光；
对曝光后的保护层进行显影，用于对保护层图形化。
8.如权利要求1所述方法，其特征在于，用于生成金属纳米材料层的金属具体为：电导率大于预设电导率的金属合金，所述预设电导率的大小为25西门子/米。
9.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述方法用于制作触摸屏或薄膜晶体管电极。
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