CN107338419B - 一种蒸镀速率监测装置及蒸镀设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置制作技术领域，公开了一种蒸镀速率监测装置及蒸镀设备，以降低蒸镀生产成本，提高蒸镀生产效率。蒸镀速率监测装置包括电子发生室、气体混合室、分离室、收集室和第一控制器，其中：所述电子发生室、所述气体混合室、所述分离室和所述收集室依次连通；所述电子发生室内部设置有用于产生电子的电子发生装置；所述气体混合室包括与蒸镀腔室内部连通的蒸镀气体进口；所述分离室内部设置有磁场发生装置；所述收集室内部设置有离子收集装置，所述离子收集装置根据接收的蒸镀气体离子的浓度向所述第一控制器输出对应所述蒸镀气体离子浓度的电信号；所述第一控制器根据所述电信号确定蒸镀速率。

Description

一种蒸镀速率监测装置及蒸镀设备
技术领域
本发明涉及显示装置制作技术领域，特别是涉及一种蒸镀速率监测装置及蒸镀设备。
背景技术
OLED显示装置，由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
在OLED显示装置的制作过程中，通常采用蒸镀工艺在基板上形成OLED器件。蒸镀工艺的过程主要包括：在一定的真空条件下加热蒸镀材料，使蒸镀材料熔化或升华成蒸气，然后使蒸气凝结在基板表面成膜，从而形成OLED器件的功能层。
现有技术中，通常将石英晶振器件置于蒸镀腔室内来检测对基板的蒸镀速率。石英晶振器件的电路结构主要包括石英晶振片、半导体器件和阻容元件。石英晶振片在接入电路后会发生伸展或收缩的现象，当电路不断地开启和关闭时，石英晶振片会因伸缩变形而产生振动。在蒸镀过程中，石英晶振器件的石英晶振片表面同时会被蒸镀上一层蒸镀材料，随着蒸镀材料厚度的增加，石英晶振片的振动会逐渐减弱。通过监测石英晶振片的振动频率，可以得到石英晶振片表面蒸镀材料的厚度，从而得到对基板的蒸镀速度。
现有技术存在的缺陷在于，石英晶振器件的石英晶振片的成本较高，并且，随着蒸镀材料厚度的增加，石英晶振片的振动逐渐减弱，最终会出现停振现象，因此需要定期更换石英晶振片，从而导致蒸镀生产成本较高，蒸镀生产效率较低。
发明内容
本发明实施例提供一种蒸镀速率监测装置及蒸镀设备，以降低蒸镀生产成本，提高蒸镀生产效率。
本发明实施例提供了一种蒸镀速率监测装置，包括电子发生室、气体混合室、分离室、收集室和第一控制器，其中：
所述电子发生室、所述气体混合室、所述分离室和所述收集室依次连通；
所述电子发生室内部设置有用于产生电子的电子发生装置；
所述气体混合室包括与蒸镀腔室内部连通的蒸镀气体进口；
所述分离室内部设置有磁场发生装置；
所述收集室内部设置有离子收集装置，所述离子收集装置根据接收的蒸镀气体离子的浓度向所述第一控制器输出对应所述蒸镀气体离子浓度的电信号；
所述第一控制器根据存储的蒸镀速率与电信号对应关系，确定蒸镀速率。
本发明实施例提供的蒸镀速率监测装置，电子发生室产生的电子在气体混合室内与蒸镀气体撞击并产生蒸镀气体离子；蒸镀气体离子经过分离室时在磁场的作用下发生偏转并射入收集室；收集室内的离子收集装置收集蒸镀气体离子，并根据接收的蒸镀气体离子的浓度向第一控制器输出对应蒸镀气体离子浓度的电信号；第一控制器根据存储的蒸镀速率与电信号对应关系，确定蒸镀速率，相比现有技术，该蒸镀速率监测装置可以长期地对蒸镀速率进行实时监测，从而降低了蒸镀生产成本，提高了蒸镀生产效率。
较佳的，所述蒸镀速率监测装置还包括设置于所述电子发生室和所述气体混合室之间且分别与所述电子发生室和所述气体混合室连通的第一加速室，所述第一加速室内部设置有第一电场发生装置。
较佳的，所述蒸镀速率监测装置还包括设置于所述气体混合室和所述分离室之间且分别与所述气体混合室和所述分离室连通的第二加速室，所述第二加速室内部设置有第二电场发生装置。
可选的，所述电子发生装置包括电子逸出灯丝以及与所述电子逸出灯丝连接的第一电路。
可选的，所述电子逸出灯丝的材质包括钨铼合金、钨钍合金或钨钼合金。
较佳的，所述分离室具有与所述收集室连通的离子出口，所述离子出口设置的位置与所述磁场发生装置产生的磁场方向满足左手定则。
较佳的，所述离子收集装置包括离子放大器和与所述第一控制器连接的电极板，所述离子放大器靠近所述分离室设置，所述离子放大器用于将接收的蒸镀气体离子转换为设定倍数光电子，所述电极板用于将接收的所述设定倍数光电子转换为电信号并向所述第一控制器输出。
本发明实施例还提供了一种蒸镀设备，包括如前述任一技术方案所述的蒸镀速率监测装置和蒸镀腔室，所述蒸镀腔室与所述蒸镀速率监测装置的蒸镀气体进口连通。
较佳的，所述蒸镀设备还包括分别与所述蒸镀速率监测装置和蒸镀腔室电连接的第二控制器，其中：
所述第二控制器与所述蒸镀速率监测装置的第一控制器电连接，用于根据存储的蒸镀速率与实际蒸镀速率对应关系，确定实际蒸镀速率；及根据所述实际蒸镀速率，控制所述蒸镀腔室的蒸镀温度。
优选的，所述第二控制器具体用于当实际蒸镀速率大于设定蒸镀速率时，降低蒸镀腔室的蒸镀温度；及当实际蒸镀速率小于设定蒸镀速率时，升高蒸镀腔室的蒸镀温度。
本发明实施例提供的蒸镀设备，蒸镀速率监测装置可以长期地对蒸镀速率进行实时监测，第二控制器根据蒸镀速率监测装置确定的蒸镀速率来确定实际蒸镀速率，并根据实际蒸镀速率控制蒸镀腔室的蒸镀温度，相比现有技术，该蒸镀设备可以长期地实时监测蒸镀速率，控制蒸镀腔室的蒸镀温度等于设定蒸镀速率，从而降低了蒸镀生产成本，提高了蒸镀生产效率。
附图说明
图1为本发明一实施例蒸镀速率监测装置的结构示意图；
图2为本发明一实施例蒸镀速率监测装置的流程示意图；
图3为本发明另一实施例蒸镀速率监测装置的结构示意图；
图4为本发明另一实施例蒸镀速率监测装置的流程示意图；
图5为本发明实施例离子收集装置的结构示意图；
图6为本发明实施例蒸镀设备的结构示意图。
附图标记：
1-蒸镀速率监测装置；2-电子发生室；3-气体混合室；4-分离室；
5-收集室；6-电子发生装置；7-蒸镀气体进口；8-磁场发生装置；
9-电子逸出灯丝；10-第一电路；11-第一加速室；12第二加速室；
13-离子出口；14-离子收集装置；15-离子放大器；16-电极板；
17-蒸镀设备；18第二控制器；19-蒸镀腔室。
具体实施方式
为了降低蒸镀生产成本，提高蒸镀生产效率，本发明实施例提供了一种蒸镀速率监测装置及蒸镀设备。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本发明作进一步详细说明。
如图1和图2所示，本发明实施例提供了一种蒸镀速率监测装置1，包括电子发生室2、气体混合室3、分离室4、收集室5和第一控制器，其中：电子发生室2、气体混合室3、分离室4和收集室5依次连通；电子发生室2内部设置有用于产生电子的电子发生装置6；气体混合室3包括与蒸镀腔室内部连通的蒸镀气体进口7；分离室4内部设置有磁场发生装置8；收集室5内部设置有离子收集装置14，离子收集装置14根据接收的蒸镀气体离子的浓度向第一控制器输出对应蒸镀气体离子浓度的电信号；第一控制器根据存储的蒸镀速率与电信号对应关系，确定蒸镀速率。
本发明实施例提供的蒸镀速率监测装置1，电子发生室2产生的电子在气体混合室3内与蒸镀气体撞击并产生蒸镀气体离子；蒸镀气体离子经过分离室4时在磁场的作用下发生偏转并射入收集室5；收集室5内的离子收集装置14收集蒸镀气体离子，并根据接收的蒸镀气体离子的浓度向第一控制器输出对应蒸镀气体离子浓度的电信号；第一控制器根据存储的蒸镀速率与电信号对应关系，确定蒸镀速率，相比现有技术，该蒸镀速率监测装置1可以长期地对蒸镀速率进行实时监测，从而降低了蒸镀生产成本，提高了蒸镀生产效率。
如图2所示，在本发明的一可选实施例中，电子发生装置6包括电子逸出灯丝9以及与电子逸出灯丝9连接的第一电路10。第一电路10通电后，与第一电路10连接的电子逸出灯丝9被逐渐加热，电子逸出灯丝9表面的电子能量随着电子逸出灯丝9温度的升高而增大，当电子的能量能够克服电子逸出灯丝9的表面势垒时，电子就可以逸出电子逸出灯丝9。
在本发明的实施例中，电子逸出灯丝9的具体材质不限，例如可以为钨铼合金、钨钍合金或钨钼合金。
如图3所示，在本发明的一实施例中，较佳的，蒸镀速率监测装置1还包括设置于电子发生室2和气体混合室3之间且分别与电子发生室2和气体混合室3连通的第一加速室11，第一加速室11内部设置有第一电场发生装置。蒸镀腔室内的蒸镀气体从蒸镀气体进口7进入气体混合室3；电子发生室2产生的电子在第一电场的作用下加速射入气体混合室3，在气体混合室3内与蒸镀气体撞击并产生带有正电荷的蒸镀气体离子。通常，蒸镀气体与电子撞击后产生的蒸镀气体离子为单电荷离子。
请继续参照图3所示，在本发明的实施例中，较佳的，蒸镀速率监测装置1还包括设置于气体混合室3和分离室4之间且分别与气体混合室3和分离室4连通的第二加速室12，第二加速室12内部设置有第二电场发生装置。蒸镀气体离子从气体混合室3射出，并在第二电场的作用下加速射入分离室4；分离室4内的磁场发生装置8产生固定磁场，蒸镀气体离子在该固定磁场的作用下发生偏转，并射入收集室5。
如图3和图4所示，在本发明的实施例中，分离室4具有与收集室5连通的离子出口13，离子出口13设置的位置与磁场发生装置8产生的磁场方向满足左手定则。由于从气体混合室3射入分离室4的蒸镀气体离子带有正电荷，因此，当分离室4内的磁场发生装置8产生固定磁场时，蒸镀气体离子在固定磁场的作用下沿相同方向偏转。如图4所示，在本发明的一实施例中，固定磁场的磁场方向为垂直于纸面向内，根据左手定则，带正电荷的蒸镀气体离子沿竖直向上的方向偏转，离子出口13设置于分离室的上方，这样蒸镀气体离子通过离子出口13射入收集室5。
在本实施例中，蒸镀气体离子的偏转半径如以下公式1所述：
其中：
m为蒸镀气体离子的分子量；
v为蒸镀气体离子射入分离室4的速度；
q为蒸镀气体离子的电荷量；
B为磁场的磁感应强度。
在本发明的实施例中，分离室4还包括与第二加速室12连通的离子入口。蒸镀气体离子为带正电荷的单电荷离子，如图4所示，当蒸镀气体离子从离子入口射入分离室4后发生偏转，由于蒸镀气体离子从离子入口射入的位置以及蒸镀气体离子的分子量不同，导致蒸镀气体离子运动轨迹也不同，因此，离子出口13的宽度a应根据距离离子出口13最近的蒸镀气体离子运动轨迹，以及距离离子出口13最远的蒸镀气体离子运动轨迹共同设定。
如图5所示，在本发明的一实施例中，收集室5内的离子收集装置14包括离子放大器15和与第一控制器连接的电极板16，离子放大器15靠近分离室设置，离子放大器15用于将接收的蒸镀气体离子转换为设定倍数光电子，电极板16用于将接收的设定倍数光电子转换为电信号并向第一控制器输出。在监测过程中，气体混合室3内产生的蒸镀气离子较少，离子放大器15可以将接收到的蒸镀气体离子转换为设定倍数的光电子并向电极板16发射；电极板16可以将接收的设定倍数光电子转换为电流信号或电压信号，并将该电信号向第一控制器输出；第一控制器接收到该电信号后，根据存储的蒸镀速率与电信号对应关系，确定蒸镀速率，其中，存储的蒸镀速率与电信号对应关系可以通过现有技术多次实验测得。此外，由于，气体混合室3内产生的蒸镀气离子较少，附着在离子放大器15上的蒸镀气离子也较少，因此，该蒸镀速率监测装置1可以长期地对蒸镀速率进行实时监测。
如图6所示，本发明实施例还提供了一种蒸镀设备17，包括如前述任一实施例所述的蒸镀速率监测装置1和蒸镀腔室19，蒸镀腔室19与蒸镀速率监测装置1的蒸镀气体进口连通。
在本实施例中，蒸镀设备17还包括分别与蒸镀速率监测装置1和蒸镀腔室19电连接的第二控制器18，其中：第二控制器18与蒸镀速率监测装置1的第一控制器电连接，用于根据存储的蒸镀速率与实际蒸镀速率对应关系，确定实际蒸镀速率；及根据实际蒸镀速率，控制蒸镀腔室19的蒸镀温度。
在本发明的实施例中，第二控制器18具体用于当实际蒸镀速率大于设定蒸镀速率时，降低蒸镀腔室19的蒸镀温度；及当实际蒸镀速率小于设定蒸镀速率时，升高蒸镀腔室19的蒸镀温度。
本发明实施例提供的蒸镀设备17，蒸镀速率监测装置1可以长期地对蒸镀速率进行实时监测，第二控制器18根据蒸镀速率监测装置1确定的蒸镀速率来确定实际蒸镀速率，并根据实际蒸镀速率控制蒸镀腔室19的蒸镀温度，相比现有技术，该蒸镀设备17可以长期地实时监测蒸镀速率，控制蒸镀腔室19的蒸镀温度等于设定蒸镀速率，从而降低了蒸镀生产成本，提高了蒸镀生产效率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种蒸镀速率监测装置，其特征在于，包括电子发生室、气体混合室、分离室、收集室和第一控制器，其中：
所述电子发生室、所述气体混合室、所述分离室和所述收集室依次连通；
所述电子发生室内部设置有用于产生电子的电子发生装置；
所述气体混合室包括与蒸镀腔室内部连通的蒸镀气体进口；
所述分离室内部设置有磁场发生装置；
所述电子发生室产生的电子在所述气体混合室内与蒸镀气体撞击并产生蒸镀气体离子，蒸镀气体离子经过所述分离室时在磁场的作用下发生偏转并射入所述收集室；
所述收集室内部设置有离子收集装置，所述离子收集装置根据接收的蒸镀气体离子的浓度向所述第一控制器输出对应所述蒸镀气体离子浓度的电信号；
所述第一控制器根据存储的蒸镀速率与电信号对应关系，确定蒸镀速率。
2.如权利要求1所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，还包括设置于所述电子发生室和所述气体混合室之间且分别与所述电子发生室和所述气体混合室连通的第一加速室，所述第一加速室内部设置有第一电场发生装置。
3.如权利要求1所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，还包括设置于所述气体混合室和所述分离室之间且分别与所述气体混合室和所述分离室连通的第二加速室，所述第二加速室内部设置有第二电场发生装置。
4.如权利要求1所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，所述电子发生装置包括电子逸出灯丝以及与所述电子逸出灯丝连接的第一电路。
5.如权利要求4所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，所述电子逸出灯丝的材质包括钨铼合金、钨钍合金或钨钼合金。
6.如权利要求1所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，所述分离室具有与所述收集室连通的离子出口，所述离子出口设置的位置与所述磁场发生装置产生的磁场方向满足左手定则。
7.如权利要求1所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，所述离子收集装置包括离子放大器和与所述第一控制器连接的电极板，所述离子放大器靠近所述分离室设置，所述离子放大器用于将接收的蒸镀气体离子转换为设定倍数光电子，所述电极板用于将接收的所述设定倍数光电子转换为电信号并向所述第一控制器输出。
8.一种蒸镀设备，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的蒸镀速率监测装置和蒸镀腔室，所述蒸镀腔室与所述蒸镀速率监测装置的蒸镀气体进口连通。
9.如权利要求8所述的蒸镀设备，其特征在于，还包括分别与所述蒸镀速率监测装置和蒸镀腔室电连接的第二控制器，其中：
所述第二控制器与所述蒸镀速率监测装置的第一控制器电连接，用于根据存储的蒸镀速率与实际蒸镀速率对应关系，确定实际蒸镀速率；及根据所述实际蒸镀速率，控制所述蒸镀腔室的蒸镀温度。
10.如权利要求9所述的蒸镀设备，其特征在于，所述第二控制器具体用于当实际蒸镀速率大于设定蒸镀速率时，降低蒸镀腔室的蒸镀温度；及当实际蒸镀速率小于设定蒸镀速率时，升高蒸镀腔室的蒸镀温度。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114797360A (zh) * 2021-01-18 2022-07-29 赞解株式会社 钴-碳气体捕集装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1605652A (zh) * 2004-09-09 2005-04-13 复旦大学 一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法
JP2012246529A (ja) * 2011-05-26 2012-12-13 Mitsubishi Materials Corp アークイオンプレーティング装置および成膜方法
CN103114312A (zh) * 2013-02-26 2013-05-22 青岛理工大学 电铸层厚度可智能化控制的电铸机
CN103954789A (zh) * 2014-05-14 2014-07-30 哈尔滨工业大学 离子速度分布函数瞬时测量装置及方法
CN104498884A (zh) * 2014-12-04 2015-04-08 南京工业大学 一种镀料粒子离化率的检测方法及装置
CN105349960A (zh) * 2015-10-27 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 一种遮挡装置及其遮挡方法和蒸镀系统
CN104294220B (zh) * 2014-09-16 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置以及蒸镀方法
CN105960072A (zh) * 2015-12-09 2016-09-21 友达光电股份有限公司 蒸镀装置及蒸镀方法
CN106148893A (zh) * 2016-08-11 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置及蒸镀方法、基板
CN106756803A (zh) * 2016-11-28 2017-05-31 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种蒸镀用材料、制备方法和蒸镀方法
CN106978598A (zh) * 2017-04-11 2017-07-25 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀监测装置和方法以及薄膜蒸镀装置和方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1605652A (zh) * 2004-09-09 2005-04-13 复旦大学 一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法
JP2012246529A (ja) * 2011-05-26 2012-12-13 Mitsubishi Materials Corp アークイオンプレーティング装置および成膜方法
JP5644676B2 (ja) * 2011-05-26 2014-12-24 三菱マテリアル株式会社 アークイオンプレーティング装置および成膜方法
CN103114312A (zh) * 2013-02-26 2013-05-22 青岛理工大学 电铸层厚度可智能化控制的电铸机
CN103954789A (zh) * 2014-05-14 2014-07-30 哈尔滨工业大学 离子速度分布函数瞬时测量装置及方法
CN104294220B (zh) * 2014-09-16 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置以及蒸镀方法
CN104498884A (zh) * 2014-12-04 2015-04-08 南京工业大学 一种镀料粒子离化率的检测方法及装置
CN105349960A (zh) * 2015-10-27 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 一种遮挡装置及其遮挡方法和蒸镀系统
CN105960072A (zh) * 2015-12-09 2016-09-21 友达光电股份有限公司 蒸镀装置及蒸镀方法
CN106148893A (zh) * 2016-08-11 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置及蒸镀方法、基板
CN106756803A (zh) * 2016-11-28 2017-05-31 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种蒸镀用材料、制备方法和蒸镀方法
CN106978598A (zh) * 2017-04-11 2017-07-25 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀监测装置和方法以及薄膜蒸镀装置和方法

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