CN107332518A - 一种宽带多赫蒂功率放大器 - Google Patents

一种宽带多赫蒂功率放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN107332518A
CN107332518A CN201710505475.XA CN201710505475A CN107332518A CN 107332518 A CN107332518 A CN 107332518A CN 201710505475 A CN201710505475 A CN 201710505475A CN 107332518 A CN107332518 A CN 107332518A
Authority
CN
China
Prior art keywords
amplifier
capacitive element
network
series connection
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710505475.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107332518B (zh
Inventor
张勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innogration Suzhou Co Ltd
Original Assignee
Innogration Suzhou Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innogration Suzhou Co Ltd filed Critical Innogration Suzhou Co Ltd
Priority to CN201710505475.XA priority Critical patent/CN107332518B/zh
Publication of CN107332518A publication Critical patent/CN107332518A/zh
Priority to PCT/CN2018/091168 priority patent/WO2019001281A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107332518B publication Critical patent/CN107332518B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种宽带多赫蒂功率放大器，包括：主放大器，至少一个辅助放大器，所述主放大器的输出端连接第一平衡网络，所述辅助放大器的输出端连接第二平衡网络；所述第一平衡网络和第二平衡网络，包括第一串联容性元件和与第一串联容性元件连接的第二串联容性元件，所述第一串联容性元件和第二串联容性元件间并联接地的感性元件。能够平衡有源器件的源漏电容，减小输出匹配网络的传输相位，使得输出单元相位小于90度，同时不引入接地电容。

Description

一种宽带多赫蒂功率放大器
技术领域
本发明涉及一种宽带多赫蒂功率放大器，具体地涉及一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器。
背景技术
现有的宽带多赫蒂功率放大器大都采用Doherty电路结构来实现。如图1所示，传统Doherty电路包括两个支路：包括主功率放大器支路和辅功率放大器支路。
现有的Doherty电路受制于漏-源电容Cds以及长相位匹配，导致工作带宽受到限制。
为了增加工作带宽，通常会增加Cds补偿电路，如图2所示，然而现有的Cds补偿电路由于对地隔直电容的存在与位置限制，导致：
1．Ld与Li存在互感而影响射频性能（效率，带宽）。
2. 视频带宽受到严重限制。
3. 无法在集成电路中使用。
此外，上述两种Doherty电路输入端功分器占据面积都比较大。
发明内容
针对上述技术问题，本发明目的在于提供一种宽带多赫蒂功率放大器，体积小巧，具有很好的射频带宽和视频带宽。
为了解决现有技术中的这些问题，本发明提供的技术方案是：
一种宽带多赫蒂功率放大器，包括：
主放大器，至少一个辅助放大器，所述主放大器的输出端连接第一平衡网络，所述辅助放大器的输出端连接第二平衡网络；
所述第一平衡网络和第二平衡网络，包括第一串联容性元件和与第一串联容性元件连接的第二串联容性元件，所述第一串联容性元件和第二串联容性元件间并联接地的感性元件。
优选的，所述第二平衡网络通过高阻延迟线连接第一平衡网络。
优选的，所述主放大器和辅助放大器的输入端连接功率分配单元，所述功率分配单元包括与主放大器的输入端连接的第一调谐电阻、与辅助放大器的输入端连接的第二调谐电阻，以及连接第一调谐电阻和第二调谐电阻的移相元件。
优选的，所述移相元件包括与第一调谐电阻连接的第一调相电感、与第二调谐电阻连接的第二调相电感，以及连接第一调相电感和第二调相电感的电容。
相对于现有技术中的方案，本发明的优点是：
本发明能够平衡有源器件的源漏电容，减小输出匹配网络的传输相位，使得输出单元相位小于90度，同时不引入接地电容。通过补偿Cds和降低通过相位可以获取较好的射频带宽，可以获得较好的视频带宽，体积小巧，易于集成，不受封装限制，成本低，设计灵活。
附图说明
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
图1为传统Doherty电路图；
图2为现有具有Cds补偿电路的Doherty电路；
图3为本发明实施例的电路图；
图4为本发明的MCM封装示意图；
图5为本发明的MMIC封装示意图。
具体实施方式
以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解，这些实施例是用于说明本发明而不限于限制本发明的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。
实施例：
如图3所示，一种宽带多赫蒂功率放大器，包括：输入匹配网络IM作为第一级与功率分配单元PD的输入端相连，功率分配单元PD的第一调谐电阻Ri1与主放大单元T1的输入端相连，输入功率分配单元PD的第二调谐电阻Ri2与辅助放大单元T2的输入端相连。Ri1和Ri2之间通过电感（Li1，Li2）和电容（Ci1）相连以实现移相的目的。主放大单元T1的输出端与平衡网络B1的输入端相连，辅助放大单元T2的输出端与平衡网络B2的输入端相连。平衡网络B2的输出端经过高阻延迟线DL与平衡网络B1的输出端连接于合路点4，最后再连接输出匹配网络OM。
平衡网络能够平衡有源器件的源漏电容，减小输出匹配网络的传输相位，使得输出单元相位小于90度，同时不引入接地电容。
平衡网络包括一个（或多个）前置串联电容，一个（或多个）后置接地并联电感，一个（或多个）后置串联电容。前置串联电容起到隔离直流以及减小输出单元相位的作用，后置接地并联电感起到平衡有源器件的源漏电容以及减小输出单元相位的作用，后置串联电容起到隔离直流和减小输出单元相位的作用。
功率分配单元包含两个调谐电阻，一个隔离电容，以及两个调相电感。第一调谐电阻Ri1与主放大器的输入端连接，第二调谐电阻Ri2与辅助放大器的输入端连接，第一调谐电阻Ri1与第二调谐电阻Ri2分别通过调相电感连接，两个调相电感之间连接隔直电容。两个调谐电阻，用于控制主放大单元和辅助放大单元的功率分配比例和隔离度。
本发明的封装形式，可以采用MCM (多芯片模组)混合集成的实现方式也可以采用MMIC (微波单片电路)单片集成的方式。
采用MCM (多芯片模组)混合集成的实现方式如图4所示，将所有有源器件和外围匹配电路置于同一底座上面，通过键合线连接，外围匹配电路可以是PCB(印刷电路)，陶瓷基板等平面电路，也可以是IPD（集成无源器件）。设计灵活，尺寸小，成本低。
采用MMIC (微波单片电路)单片集成的方式如图5所示，所有元件（包括有源和无源器件）制作在单片电路的衬底上。尺寸小，生产一致性好。
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

Claims (4)

1.一种宽带多赫蒂功率放大器，包括：
主放大器，至少一个辅助放大器，其特征在于，所述主放大器的输出端连接第一平衡网络，所述辅助放大器的输出端连接第二平衡网络；
所述第一平衡网络和第二平衡网络，包括第一串联容性元件和与第一串联容性元件连接的第二串联容性元件，所述第一串联容性元件和第二串联容性元件间并联接地的感性元件。
2.根据权利要求1所述的宽带多赫蒂功率放大器，其特征在于，所述第二平衡网络通过高阻延迟线连接第一平衡网络。
3.根据权利要求1或2所述的宽带多赫蒂功率放大器，其特征在于，所述主放大器和辅助放大器的输入端连接功率分配单元，所述功率分配单元包括与主放大器的输入端连接的第一调谐电阻、与辅助放大器的输入端连接的第二调谐电阻，以及连接第一调谐电阻和第二调谐电阻的移相元件。
4.根据权利要求3所述的宽带多赫蒂功率放大器，其特征在于，所述移相元件包括与第一调谐电阻连接的第一调相电感、与第二调谐电阻连接的第二调相电感，以及连接第一调相电感和第二调相电感的电容。
CN201710505475.XA 2017-06-28 2017-06-28 一种宽带多赫蒂功率放大器 Active CN107332518B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710505475.XA CN107332518B (zh) 2017-06-28 2017-06-28 一种宽带多赫蒂功率放大器
PCT/CN2018/091168 WO2019001281A1 (zh) 2017-06-28 2018-06-13 一种宽带多赫蒂功率放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710505475.XA CN107332518B (zh) 2017-06-28 2017-06-28 一种宽带多赫蒂功率放大器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107332518A true CN107332518A (zh) 2017-11-07
CN107332518B CN107332518B (zh) 2020-09-08

Family

ID=60197612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710505475.XA Active CN107332518B (zh) 2017-06-28 2017-06-28 一种宽带多赫蒂功率放大器

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN107332518B (zh)
WO (1) WO2019001281A1 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019001281A1 (zh) * 2017-06-28 2019-01-03 苏州远创达科技有限公司 一种宽带多赫蒂功率放大器
CN109450389A (zh) * 2018-12-25 2019-03-08 青海民族大学 一种基于堆叠型三阶达林顿管的超宽带放大器
CN109687830A (zh) * 2018-12-25 2019-04-26 青海民族大学 一种基于hbt-hemt堆叠技术的超宽带放大器
CN109687831A (zh) * 2018-12-25 2019-04-26 青海民族大学 一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器
CN110417355A (zh) * 2018-04-26 2019-11-05 苏州远创达科技有限公司 一种集成高阻线多赫蒂放大器
CN110417357A (zh) * 2018-04-26 2019-11-05 苏州远创达科技有限公司 一种紧凑型集成多赫蒂放大器
CN111510077A (zh) * 2020-04-24 2020-08-07 苏州远创达科技有限公司 一种宽带多赫蒂放大器
CN114696747A (zh) * 2020-12-29 2022-07-01 苏州远创达科技有限公司 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器
WO2024092492A1 (zh) * 2022-11-01 2024-05-10 苏州华太电子技术股份有限公司 多赫蒂放大器及其输出网络、多赫蒂放大器的设计方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101093978A (zh) * 2006-06-23 2007-12-26 株式会社Ntt都科摩 多频带多赫蒂放大器
US20090212870A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 National Taiwan University Cascode-cascade power amplifier assembly
CN102480272A (zh) * 2010-11-29 2012-05-30 Nxp股份有限公司 射频放大器
CN103296980A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 富士通株式会社 放大器
CN103477554A (zh) * 2011-04-20 2013-12-25 飞思卡尔半导体公司 放大器和相关集成电路
CN105048970A (zh) * 2014-04-15 2015-11-11 恩智浦有限公司 超宽带多赫蒂放大器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI346449B (en) * 2007-08-16 2011-08-01 Ind Tech Res Inst Power amplifier circuit for multi-frequencies and multi-modes and method for operating the same
CN203801014U (zh) * 2014-04-28 2014-08-27 上海东洲罗顿通信股份有限公司 高效率数字电视发射机的多合体系统
CN205792463U (zh) * 2016-05-10 2016-12-07 杭州电子科技大学 一种紧凑型宽带Doherty功率放大器
CN106533374A (zh) * 2016-09-20 2017-03-22 锐迪科微电子（上海）有限公司 一种多频gsm射频功率放大器
CN107332518B (zh) * 2017-06-28 2020-09-08 苏州远创达科技有限公司 一种宽带多赫蒂功率放大器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101093978A (zh) * 2006-06-23 2007-12-26 株式会社Ntt都科摩 多频带多赫蒂放大器
US20090212870A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 National Taiwan University Cascode-cascade power amplifier assembly
CN102480272A (zh) * 2010-11-29 2012-05-30 Nxp股份有限公司 射频放大器
CN103477554A (zh) * 2011-04-20 2013-12-25 飞思卡尔半导体公司 放大器和相关集成电路
CN103296980A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 富士通株式会社 放大器
CN105048970A (zh) * 2014-04-15 2015-11-11 恩智浦有限公司 超宽带多赫蒂放大器

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019001281A1 (zh) * 2017-06-28 2019-01-03 苏州远创达科技有限公司 一种宽带多赫蒂功率放大器
CN110417355B (zh) * 2018-04-26 2023-11-07 苏州远创达科技有限公司 一种集成高阻线多赫蒂放大器
CN110417355A (zh) * 2018-04-26 2019-11-05 苏州远创达科技有限公司 一种集成高阻线多赫蒂放大器
CN110417357A (zh) * 2018-04-26 2019-11-05 苏州远创达科技有限公司 一种紧凑型集成多赫蒂放大器
CN110417357B (zh) * 2018-04-26 2023-06-27 苏州远创达科技有限公司 一种紧凑型集成多赫蒂放大器
CN109687830B (zh) * 2018-12-25 2024-02-06 青海民族大学 一种基于hbt-hemt堆叠技术的超宽带放大器
CN109687831A (zh) * 2018-12-25 2019-04-26 青海民族大学 一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器
CN109450389B (zh) * 2018-12-25 2024-02-06 青海民族大学 一种基于堆叠型三阶达林顿管的超宽带放大器
CN109687830A (zh) * 2018-12-25 2019-04-26 青海民族大学 一种基于hbt-hemt堆叠技术的超宽带放大器
CN109687831B (zh) * 2018-12-25 2024-02-06 青海民族大学 一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器
CN109450389A (zh) * 2018-12-25 2019-03-08 青海民族大学 一种基于堆叠型三阶达林顿管的超宽带放大器
CN111510077A (zh) * 2020-04-24 2020-08-07 苏州远创达科技有限公司 一种宽带多赫蒂放大器
WO2021212818A1 (zh) * 2020-04-24 2021-10-28 苏州远创达科技有限公司 一种宽带多赫蒂放大器
WO2022142605A1 (zh) * 2020-12-29 2022-07-07 苏州远创达科技有限公司 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器
CN114696747B (zh) * 2020-12-29 2023-08-18 苏州远创达科技有限公司 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器
CN114696747A (zh) * 2020-12-29 2022-07-01 苏州远创达科技有限公司 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器
WO2024092492A1 (zh) * 2022-11-01 2024-05-10 苏州华太电子技术股份有限公司 多赫蒂放大器及其输出网络、多赫蒂放大器的设计方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107332518B (zh) 2020-09-08
WO2019001281A1 (zh) 2019-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107332518A (zh) 一种宽带多赫蒂功率放大器
EP3179628B1 (en) Amplifier devices with in-package transmission line combiner
US10284147B2 (en) Doherty amplifiers and amplifier modules with shunt inductance circuits that affect transmission line length between carrier and peaking amplifier outputs
US10381984B2 (en) Amplifiers and amplifier modules with shunt inductance circuits that include high-Q capacitors
US7164316B2 (en) Series-Type Doherty Amplifier Without Hybrid Coupler
CN108336971B (zh) 功率放大模块
US9077285B2 (en) Electronic devices with multiple amplifier stages and methods of their manufacture
US20060084392A1 (en) Transceiver system and method of using same
CN106505962A (zh) 具有经耦合谐振器结构的阻抗匹配装置
KR20180044330A (ko) 분파 장치 및 그 설계 방법
JP2004281625A (ja) 半導体装置
CN107026625B (zh) 具有集成混合耦合器的rf器件封装
CN115549596A (zh) 具有集成的变压器线巴伦的宽带Doherty放大器电路
CN104378074A (zh) 用于e类异相功率放大器的组合电路
CN108023558B (zh) 放大器架构的重新配置
KR101351693B1 (ko) 모놀리식 집적회로를 채용하는 고주파 전력 분배기
US10199709B2 (en) Microwave power combiner
US5942957A (en) Flip-mounted impedance
CN110417357B (zh) 一种紧凑型集成多赫蒂放大器
US10326409B2 (en) Inter-stage network for radio frequency amplifier
CN114696747B (zh) 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器
CN110417356A (zh) 一种宽带高效率多赫蒂放大器
CN110417355B (zh) 一种集成高阻线多赫蒂放大器
US20200373265A1 (en) Reduced-Length Bond Pads for Broadband Power Amplifiers
JP4380553B2 (ja) 高出力増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant