CN109687831B - 一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器 - Google Patents

一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN109687831B
CN109687831B CN201811595204.9A CN201811595204A CN109687831B CN 109687831 B CN109687831 B CN 109687831B CN 201811595204 A CN201811595204 A CN 201811595204A CN 109687831 B CN109687831 B CN 109687831B
Authority
CN
China
Prior art keywords
darlington
network
order matrix
inductance
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811595204.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109687831A (zh
Inventor
林倩
邬海峰
张晓明
陈思维
胡单辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qinghai Nationalities University
Original Assignee
Qinghai Nationalities University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qinghai Nationalities University filed Critical Qinghai Nationalities University
Priority to CN201811595204.9A priority Critical patent/CN109687831B/zh
Publication of CN109687831A publication Critical patent/CN109687831A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109687831B publication Critical patent/CN109687831B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
    • H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
    • H03F1/483—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers with field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45302—Indexing scheme relating to differential amplifiers the common gate stage of a cascode dif amp being controlled
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一达林顿堆叠管、第二达林顿堆叠管、第三达林顿堆叠管、第四达林顿堆叠管以及与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的馈电网络，本发明核心架构采用第一至第四达林顿堆叠管组成的矩阵放大网络，考虑了达林顿堆叠管对于矩阵放大网络中人工传输线的影响，大大提高了电路设计的精确性，降低了电路后期调试的难度，使得整个功率放大器获得了良好的宽带高增益和高功率输出能力。

Description

一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器
技术领域
本发明涉及异质结双极性晶体管射频功率放大器和集成电路领域，特别是针对超宽带收发机末端的发射模块应用的一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器。
背景技术
随着扩频技术、软件无线电、超宽带通信、无线局域网(WLAN)等的快速发展，射频前端收发器也向高性能、高集成、低功耗的方向发展。因此市场迫切的需求发射机的射频与微波功率放大器具有超宽带、高输出功率、高效率、低成本等性能，而集成电路正是有望满足该市场需求的关键技术。
然而，当采用集成电路工艺设计实现射频与微波功率放大器芯片电路时，其性能和成本受到了一定制约，主要体现：
(1)宽带高增益放大能力受限：传统单晶体管收到增益带宽积的影响，需要牺牲增益才能获得超宽带放大能力，因此，宽带高增益放大能力受到严重的限制。
(2)宽带高功率放大能力受限：半导体工艺中晶体管的特征频率越来越高，由此带来了低击穿电压从而限制了单一晶体管的功率容量。为了获得高功率能力，往往需要多路晶体管功率合成，但是由于多路合成网络的能量损耗导致功率放大器的效率比较低，电路无法满足低功耗或者绿色通信需求。
常见的超宽带高功率放大器的电路结构有很多，最典型的是传统分布式放大器，但是，传统分布式放大器要同时满足各项参数的要求十分困难，主要是因为：
①在传统的分布式功率放大器中，核心放大电路是多个单晶体管采用分布式放大排列的方式实现，由于单晶体管受到寄生参数的影响，随着工作频率升高时，其功率增益会显著降低、同时功率特性等也会显著恶化，因此为了获得超宽带平坦的放大结构，必须要牺牲低频增益来均衡高频损耗，导致传统分布式放大器的超宽带增益很低；
②为了提高放大器增益提高隔离度的影响，也有采用Cascode双晶体管分布式放大结构，但是Cascode双晶体管虽然增加了电路隔离度，却无法增益随频率显著恶化的趋势，也无法实现Cascode双晶体管间的最佳阻抗匹配，从而降低了输出功率特性。
由此可以看出，基于集成电路工艺的超宽带射频功率放大器设计难点为：超宽带下高功率输出难度较大；传统单个晶体管结构或Cascode晶体管的分布式放大结构存在很多局限性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器，结合了达林顿堆叠管技术和矩阵放大器的优点，具有超宽带下高功率输出能力、高功率增益、良好的输入、输出匹配特性，且成本低等优点。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器，其特征在于，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一达林顿堆叠管、第二达林顿堆叠管、第三达林顿堆叠管、第四达林顿堆叠管以及与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的馈电网络。
二阶矩阵输入分配网络的输入端为整个超宽带放大器的输入端，其第一输出端与第一达林顿堆叠管的输入端连接，其第二输出端与第二达林顿堆叠管的输入端连接；
二阶矩阵级间平衡网络的第一端口与馈电网络的第一输出端连接，二阶矩阵级间平衡网络的第二端口与第一达林顿堆叠管的输出端、第三达林顿堆叠管的输入端同时连接，二阶矩阵级间平衡网络的第三端口与第二达林顿堆叠管的输出端、第四达林顿堆叠管的输入端同时连接；
二阶矩阵输出合成网络的输出端为整个超宽带放大器的输出端，其第一输入端与馈电网络的第二输出端连接，其第二输入端与第三达林顿堆叠管的输出端连接，其第三输入端与第四达林顿堆叠管的输出端连接；
馈电网络的输入端与供电电压Vdd连接；所述第一、第二、第三、第四达林顿堆叠管的第一、第二馈电端与供电电压Vg连接。
进一步的，二阶矩阵输入分配网络包括从超宽带放大器输入端到接地端依次串接的电感Lb1、Lb2、Lb3、隔直电容Cload1和负载电阻Rload1,电感Lb1与Lb2的连接节点为二阶矩阵输入分配网络的第一输出端，电感Lb2与Lb3的连接节点为二阶矩阵输入分配网络的第二输出端。
上述进一步方案的有益效果是：本发明采用的二阶矩阵输入分配网络除了能实现输入射频信号的分布式功率分配外，还能对射频输入信号进行阻抗匹配并提高电路的稳定性。
进一步的，第N达林顿堆叠管的输入端连接电容Cij，电容Cij的另一端连接场效应晶体管Mij的栅极，Mij的栅极还连接了电阻Rij,Rij的另一端连接第N达林顿堆叠管的第一馈电端，所述场效应晶体管Mij的源极连接电感Lsj，电感的另一端接地。场效应晶体管Mij的源极和Muj的栅极通过电容Cmj相连，Muj的栅极还连接了馈电电阻Rbj,Rbj的另一端连接第N达林顿堆叠管的第二馈电端，场效应晶体管Muj的源极接地。场效应晶体管Mij的漏极和Muj的漏极及Mtj的源极相连，Mtj的栅极连接电阻Rtj,Rtj的另一端连接电感Ctj和电阻Rrj,Ctj的另一端接地，Rrj的另一端连接电阻Rpj和Rqj，电阻Rpj的另一端接地，电阻Rqj的另一端连接场效应晶体管Mtj的漏极，Mtj的漏极与所述第N达林顿堆叠管的输出端连接，其中，N为一、二、三、四，j＝1,2，3,4。
上述进一步方案的有益效果是：本发明采用的达林顿堆叠管可以显著提升达林顿放大器的增益以及功率容量，同时降低等效输出电容拓展放大器带宽,同时达林顿堆叠管同传统双晶体管堆叠结构相比,具有更高频段的特征频率,因此也可以提高放大器的最高工作频率。
进一步的，二阶矩阵级间平衡网络包括依次串联的电阻Rload2、电容Cload2、电感Lm1、Lm2、Lm3、电容Cload3、电阻Rload3，并且Rload2和Rload3的另一端均同时接地，电容Cload2与电感Lm1相连的节点为二阶矩阵级间平衡网络的第一端口，电感Lm1与电感Lm2相连的节点为二阶矩阵级间平衡网络的第二端口，电感Lm2与电感Lm3相连的节点为二阶矩阵级间平衡网络的第三端口。
上述进一步方案的有益效果是：本发明采用的二阶矩阵级间平衡网络除了能实现级间射频信号的分布式功率分配外，还能对射频级间信号进行阻抗匹配并提高电路的稳定性。
进一步的，二阶矩阵输出合成网路包括依次串联的电阻Rload4、电容Cload4、电感Lc1、Lc2、Lc3、电容Cout,电阻Rload4的另一端接地，电容Cout的另一端为二阶矩阵输出合成网络的输出端，电容Cload4与电感Lc1相连的节点为二阶矩阵输出合成网路的第一输入端，电感Lc1与电感Lc2相连的节点为二阶矩阵输出合成网路的第二输入端，电感Lc2与电感Lc3相连的节点为二阶矩阵输出合成网路的第三输入端。
上述进一步方案的有益效果是：本发明采用的二阶矩阵输出合成网路除了能实现输出射频信号的分布式功率合成外，还能对射频输出信号进行阻抗匹配并提高电路的效率。
进一步的，馈电网络的输入端同时连接接地电容Cvdd、馈电电感Lvdd1和Lvdd2，馈电电感Lvdd1的另一端为所述馈电网络的第一输出端，馈电电感Lvdd2的另一端为所述馈电网络的第二输出端。
附图说明
图1为本发明功率放大器原理框图；
图2为本发明功率放大器电路图；
具体实施方式
现在将参考附图来详细描述本发明的示例性实施方式。应当理解，附图中示出和描述的实施方式仅仅是示例性的，意在阐释本发明的原理和精神，而并非限制本发明的范围。
本发明实施例提供了一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器，其特征在于，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一达林顿堆叠管、第二达林顿堆叠管、第三达林顿堆叠管、第四达林顿堆叠管以及与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的馈电网络。
如图1所示，二阶矩阵输入分配网络的输入端为整个超宽带放大器的输入端，其第一输出端与第一达林顿堆叠管的输入端连接，其第二输出端与第二达林顿堆叠管的输入端连接；
二阶矩阵级间平衡网络的第一端口与馈电网络的第一输出端连接，二阶矩阵级间平衡网络的第二端口与第一达林顿堆叠管的输出端、第三达林顿堆叠管的输入端同时连接，二阶矩阵级间平衡网络的第三端口与第二达林顿堆叠管的输出端、第四达林顿堆叠管的输入端同时连接；
二阶矩阵输出合成网络的输出端为整个超宽带放大器的输出端，其第一输入端与馈电网络的第二输出端连接，其第二输入端与第三达林顿堆叠管的输出端连接,其第三输入端与第四达林顿堆叠管的输出端连接；
馈电网络的输入端与供电电压Vdd连接；第一、第二、第三、第四达林顿堆叠管的第一、第二馈电端与供电电压Vg连接。
如图2所示，二阶矩阵输入分配网络包括从超宽带放大器输入端到接地端依次串接的电感Lb1、Lb2、Lb3、隔直电容Cload1和负载电阻Rload1,电感Lb1与Lb2的连接节点为二阶矩阵输入分配网络的第一输出端，电感Lb2与Lb3的连接节点为二阶矩阵输入分配网络的第二输出端。
第N达林顿堆叠管的输入端连接电容Cij，电容Cij的另一端连接场效应晶体管Mij的栅极，Mij的栅极还连接了电阻Rij,Rij的另一端连接第N达林顿堆叠管的第一馈电端，场效应晶体管Mij的源极连接电感Lsj，电感的另一端接地。场效应晶体管Mij的源极和Muj的栅极通过电容Cmj相连，Muj的栅极还连接了馈电电阻Rbj,Rbj的另一端连接第N达林顿堆叠管的第二馈电端，所诉场效应晶体管Muj的源极接地。场效应晶体管Mij的漏极和Muj的漏极及Mtj的源极相连，Mtj的栅极连接电阻Rtj,Rtj的另一端连接电容Ctj和电阻Rrj,Ctj的另一端接地，Rrj的另一端连接电阻Rpj和Rqj，电阻Rpj的另一端接地，电阻Rqj的另一端连接场效应晶体管Mtj的漏极，Mtj的漏极与第N达林顿堆叠管的输出端连接，其中，N为一、二、三、四，j＝1,2，3,4。
二阶矩阵级间平衡网络包括依次串联的电阻Rload2、电容Cload2、电感Lm1、Lm2、Lm3、电容Cload3、电阻Rload3，并且Rload2和Rload3的另一端均同时接地，电容Cload2与电感Lm1相连的节点为二阶矩阵级间平衡网络的第一端口，电感Lm1与电感Lm2相连的节点为二阶矩阵级间平衡网络的第二端口，电感Lm2与电感Lm3相连的节点为二阶矩阵级间平衡网络的第三端口。
二阶矩阵输出合成网路包括依次串联的电阻Rload4、电容Cload4、电感Lc1、Lc2、Lc3、电容Cout,电阻Rload4的另一端接地，电容Cout的另一端为二阶矩阵输出合成网络的输出端，电容Cload4与电感Lc1相连的节点为二阶矩阵输出合成网路的第一输入端，电感Lc1与电感Lc2相连的节点为二阶矩阵输出合成网路的第二输入端，电感Lc2与电感Lc3相连的节点为二阶矩阵输出合成网路的第三输入端。
馈电网络的输入端同时连接接地电容Cvdd、馈电电感Lvdd1和Lvdd2，馈电电感Lvdd1的另一端为馈电网络的第一输出端，馈电电感Lvdd2的另一端为馈电网络的第二输出端。
下面结合图2对本发明的具体工作原理及过程进行介绍：
射频输入信号通过输入端IN进入电路，以电流分布式的方式进入二阶矩阵输入分配网络的电感Lb1、Lb2、Lb3，有效信号通过输入隔直耦合电容Ci1和Ci2进入场效应晶体管Mi1和Mi2的栅极，其反射信号通过隔直电容Cload1进入输入吸收负载Rload1，有效信号再以电流分布式从场效应晶体管Mt1和Mt2的漏极输出，然后以电流分布式的方式进入二阶矩阵级间平衡网络Lm1、Lm2、Lm3，有效信号通过输入隔直耦合电容Ci3和Ci4进入场效应晶体管Mi3和Mi4的栅极，其反射信号通过隔直电容Cload2、Cload3进入级间吸收负载Rload2、Rload3，最后有效信号以电流分布式的方式进入二阶矩阵输出合成网络Lc1、Lc2、Lc3，通过集电极隔直耦合电容Cout从输出端OUT输出,其反射信号通过隔直电容Cload4进入输入吸收负载Rload4。
基于上述电路分析，本发明提出的一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器与以往的基于集成电路工艺的放大器结构的不同之处在于核心架构采用达林顿堆叠管放大网络：
达林顿堆叠管与传统单一晶体管在结构上有很大不同，此处不做赘述；
达林顿堆叠管与Cascode晶体管的不同之处在于：Cascode晶体管的共栅管的堆叠栅极补偿电容是容值较大的电容，用于实现栅极的交流接地，而达林顿堆叠管的共栅管的补偿电容是容值较小的电容，用于实现栅极电压的同步摆动。
达林顿堆叠管同传统双晶体管堆叠结构相比,由于在共源结构中采用了达林顿的连接结构,使得达林顿堆叠管具有更高频段的特征频率,因此可以提高放大器的最高工作频率,同时获得较大的功率容量及功率增益。
在整个基于达林顿堆叠管的超宽带放大器电路中，晶体管的尺寸和其他直流馈电电阻、补偿电容的大小是综合考虑整个电路的增益、带宽和输出功率等各项指标后决定的，通过后期的版图设计与合理布局，可以更好地实现所要求的各项指标，实现在超宽带条件下的高功率输出能力、高功率增益、良好的输入输出匹配特性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器，其特征在于，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一达林顿堆叠管、第二达林顿堆叠管、第三达林顿堆叠管、第四达林顿堆叠管以及与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的馈电网络；
所述二阶矩阵输入分配网络的输入端为整个所述超宽带放大器的输入端，其第一输出端与所述第一达林顿堆叠管的输入端连接，其第二输出端与所述第二达林顿堆叠管的输入端连接；
所述二阶矩阵级间平衡网络的第一端口与所述馈电网络的第一输出端连接，所述二阶矩阵级间平衡网络的第二端口与所述第一达林顿堆叠管的输出端、第三达林顿堆叠管的输入端同时连接，所述二阶矩阵级间平衡网络的第三端口与所述第二达林顿堆叠管的输出端、第四达林顿堆叠管的输入端同时连接；
所述二阶矩阵输出合成网络的输出端为整个所述超宽带放大器的输出端，其第一输入端与所述馈电网络的第二输出端连接，其第二输入端与所述第三达林顿堆叠管的输出端连接，其第三输入端与所述第四达林顿堆叠管的输出端连接；
所述馈电网络的输入端与供电电压Vdd连接；所述第一、第二、第三、第四达林顿堆叠管的第一、第二馈电端与供电电压Vg连接；
所述二阶矩阵输入分配网络包括从所述超宽带放大器输入端到接地端依次串接的电感Lb1、Lb2、Lb3、隔直电容Cload1和负载电阻Rload1,所述电感Lb1与Lb2的连接节点为所述二阶矩阵输入分配网络的第一输出端，所述电感Lb2与Lb3的连接节点为所述二阶矩阵输入分配网络的第二输出端；
第N达林顿堆叠管的输入端连接电容Cij，电容Cij的另一端连接场效应晶体管Mij的栅极，Mij的栅极还连接了电阻Rij,Rij的另一端连接第N达林顿堆叠管的第一馈电端，所述场效应晶体管Mij的源极连接电感Lsj，电感的另一端接地，场效应晶体管Mij的源极和Muj的栅极通过电容Cmj相连，Muj的栅极还连接了馈电电阻Rbj,Rbj的另一端连接第N达林顿堆叠管的第二馈电端，所述场效应晶体管Muj的源极接地，场效应晶体管Mij的漏极和Muj的漏极及Mtj的源极相连，Mtj的栅极连接电阻Rtj,Rtj的另一端连接电容Ctj和电阻Rrj,Ctj的另一端接地，Rrj的另一端连接电阻Rpj和Rqj，电阻Rpj的另一端接地，电阻Rqj的另一端连接场效应晶体管Mtj的漏极，Mtj的漏极与所述第N达林顿堆叠管的输出端连接，其中，N为一、二、三、四，j＝1,2，3,4。
2.根据权利要求1所述的基于达林顿堆叠管的超宽带放大器，其特征在于，所述二阶矩阵级间平衡网络包括依次串联的电阻Rload2、电容Cload2、电感Lm1、Lm2、Lm3、电容Cload3、电阻Rload3，并且Rload2和Rload3的另一端均同时接地，电容Cload2与电感Lm1相连的节点为所述二阶矩阵级间平衡网络的第一端口，电感Lm1与电感Lm2相连的节点为所述二阶矩阵级间平衡网络的第二端口，电感Lm2与电感Lm3相连的节点为所述二阶矩阵级间平衡网络的第三端口。
3.根据权利要求1所述的基于达林顿堆叠管的超宽带放大器，其特征在于，所述二阶矩阵输出合成网路包括依次串联的电阻Rload4、电容Cload4、电感Lc1、Lc2、Lc3、电容Cout,电阻Rload4的另一端接地，电容Cout的另一端为所述二阶矩阵输出合成网络的输出端，电容Cload4与电感Lc1相连的节点为所述二阶矩阵输出合成网路的第一输入端，电感Lc1与电感Lc2相连的节点为所述二阶矩阵输出合成网路的第二输入端，电感Lc2与电感Lc3相连的节点为所述二阶矩阵输出合成网路的第三输入端。
4.根据权利要求1所述的基于达林顿堆叠管的超宽带放大器，其特征在于，所述馈电网络的输入端同时连接接地电容Cvdd、馈电电感Lvdd1和Lvdd2，馈电电感Lvdd1的另一端为所述馈电网络的第一输出端，馈电电感Lvdd2的另一端为所述馈电网络的第二输出端。
CN201811595204.9A 2018-12-25 2018-12-25 一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器 Active CN109687831B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811595204.9A CN109687831B (zh) 2018-12-25 2018-12-25 一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811595204.9A CN109687831B (zh) 2018-12-25 2018-12-25 一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109687831A CN109687831A (zh) 2019-04-26
CN109687831B true CN109687831B (zh) 2024-02-06

Family

ID=66189574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811595204.9A Active CN109687831B (zh) 2018-12-25 2018-12-25 一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109687831B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110324011A (zh) * 2019-08-07 2019-10-11 青海民族大学 一种大功率增强型场效应晶体管功率放大器
CN112953411A (zh) * 2021-03-10 2021-06-11 西安博瑞集信电子科技有限公司 一种超宽带功率放大器
CN114172476B (zh) * 2022-02-09 2022-05-13 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种宽带负反馈放大器
CN115296627B (zh) * 2022-09-28 2023-02-17 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种基于GaAs Bi-Hemt工艺的宽带放大器芯片

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5867061A (en) * 1996-12-04 1999-02-02 Northern Telecom Limited Transformer coupled stacked power amplifier
CN101834572A (zh) * 2010-05-14 2010-09-15 北京瑞夫艾电子有限公司 宽带射频合成式功率放大器
CN103595359A (zh) * 2013-10-17 2014-02-19 天津大学 一种0.1～5GHz超宽带CMOS功率放大器
CN106487342A (zh) * 2016-10-24 2017-03-08 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器
CN107332518A (zh) * 2017-06-28 2017-11-07 苏州远创达科技有限公司 一种宽带多赫蒂功率放大器
CN108664757A (zh) * 2018-08-14 2018-10-16 成都嘉纳海威科技有限责任公司 精确谐波控制高增益高效率e3f2类堆叠功率放大器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100717993B1 (ko) * 2005-09-27 2007-05-14 한국전자통신연구원 능동 바룬기

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5867061A (en) * 1996-12-04 1999-02-02 Northern Telecom Limited Transformer coupled stacked power amplifier
CN101834572A (zh) * 2010-05-14 2010-09-15 北京瑞夫艾电子有限公司 宽带射频合成式功率放大器
CN103595359A (zh) * 2013-10-17 2014-02-19 天津大学 一种0.1～5GHz超宽带CMOS功率放大器
CN106487342A (zh) * 2016-10-24 2017-03-08 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器
CN107332518A (zh) * 2017-06-28 2017-11-07 苏州远创达科技有限公司 一种宽带多赫蒂功率放大器
CN108664757A (zh) * 2018-08-14 2018-10-16 成都嘉纳海威科技有限责任公司 精确谐波控制高增益高效率e3f2类堆叠功率放大器

Also Published As

Publication number Publication date
CN109687831A (zh) 2019-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109687831B (zh) 一种基于达林顿堆叠管的超宽带放大器
CN106411268B (zh) 一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器
CN103595359A (zh) 一种0.1～5GHz超宽带CMOS功率放大器
CN103746665A (zh) 一种0.1～3GHz CMOS增益可调驱动功率放大器
CN112910417B (zh) 一种宽带高效率微波功率放大器
CN211046870U (zh) 一种大功率二维行波cmos功率放大器
CN110932687A (zh) 一种交流堆叠功率放大器
CN110601668A (zh) 一种面向车联网通信的高效功率放大器
CN108649913A (zh) 一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器
CN109450389B (zh) 一种基于堆叠型三阶达林顿管的超宽带放大器
CN109687830B (zh) 一种基于hbt-hemt堆叠技术的超宽带放大器
CN111030607B (zh) 一种二维行波高增益宽带cmos功率放大器
CN210246697U (zh) 一种基于共源共基复合管的宽带放大器
CN111934632B (zh) 一种超宽带高功率放大器
CN211046876U (zh) 一种大功率线性宽带二维行波放大器
CN210693872U (zh) 一种毫米波变压耦合合成高功率放大器
CN210693863U (zh) 一种基于增强型晶体管的高效率功率放大器
CN112865717A (zh) 一种基于自适应线性化技术的高增益功率放大器
CN208754252U (zh) 一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器
CN110311634A (zh) 一种基于cscb晶体管的超宽带放大器
CN110932689B (zh) 一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器
CN111030622B (zh) 一种二维分布式高增益行波功率放大器
CN211046881U (zh) 一种二路分布式高增益宽带功率放大器
CN210431351U (zh) 一种基于异质结三极管的大功率高频放大器
CN210431352U (zh) 一种高功率高效率的毫米波功率放大器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant