CN107329337A - 阵列基板和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板和显示面板。阵列基板包括显示区,显示区包括多个像素,各个像素的开口率相同,多个像素沿第一方向排列形成像素行,沿第二方向排列形成像素列,第一方向和第二方向垂直;显示区,包括异形边界,像素行包括:第一像素行,第一像素行,至少包括穿透率不同的第一像素和第二像素,第二像素位于第一像素与异形边界之间,在施加相同的电压后,第一像素的电极与第二像素的电极产生的电场强度不同,以使第一像素和第二像素的穿透率不同,第一像素的穿透率大于第二像素的穿透率,电极为像素电极和/或公共电极。本发明提供的阵列基板和显示面板,能够有效改善异形显示边缘锯齿现象,提升显示面板显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
随着显示技术在智能穿戴以及其他便携式电子设备中的应用,对显示面板的外形有了多样化的要求,随之出现了异形显示面板。
相较于常规的显示面板,异形显示面板的主要区别在于其显示区域呈现非矩形的特殊形状,如圆形、环形、菱形等,而显示面板中的像素单元多为矩形结构或者其他较为规则的结构,因此,当其应用于异形显示面板时,在显示面板的边缘区域,像素单元与显示面板的边界线并不能完全配合,由此,会造成显示面板的边缘区域在显示时呈现锯齿状的纹路,边缘位置图案不圆滑,影响边缘区域的显示效果。
因此,提供一种阵列基板和显示面板,改善异形显示边缘锯齿现象,提升显示面板边缘区域显示效果是本领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种阵列基板和显示面板,解决了异形显示边缘锯齿现象的技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明提出一种阵列基板,
阵列基板包括显示区,
显示区,包括多个像素,各个像素的开口率相同,多个像素沿第一方向排列形成像素行,沿第二方向排列形成像素列,第一方向和第二方向垂直;
显示区,包括异形边界,
像素行包括:第一像素行,第一像素行至少包括穿透率不同的第一像素和第二像素,第二像素位于第一像素与异形边界之间,
像素包括电极,在施加相同的电压后,第一像素的电极与第二像素的电极产生的电场强度不同,以使第一像素和第二像素的穿透率不同,
其中,第一像素的穿透率大于第二像素的穿透率,
电极为像素电极和/或公共电极。
为了解决上述技术问题,本发明还提出一种显示面板,包括本发明提供的任意一种阵列基板。
与现有技术相比,本发明的阵列基板和显示面板,实现了如下的有益效果:
本发明实施例提供的阵列基板和显示面板,通过设置在施加相同的电压后,像素内电极产生的电场强度不同,实现像素的穿透率不同,本发明中像素中电极的不同设置,降低了靠近异形边界的像素的亮度,能够降低靠近异形边界的显示区的亮度与显示区的边缘位置的亮度差异,从而改善异形边缘显示锯齿现象,提升异形边界区域的显示效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1为相关技术中显示面板的异形边界示意图;
图2为本发明实施例提供的阵列基板的显示区局部示意图;
图3为本发明实施例提供的阵列基板的电极结构一种可选实施方式示意图;
图4为电极包括4个狭缝示意图;
图5为本发明实施例提供的阵列基板的电极结构另一种可选实施方式示意图;
图6本发明实施例提供的阵列基板的电极结构另一种可选实施方式示意图;
图7为采用图6提供的电极结构的第一像素的电极和第一像素的电极示意图;
图8本发明实施例提供的阵列基板的电极结构另一种可选实施方式示意图;
图9为本发明实施例提供的显示面板示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
本发明涉及一种显示面板,显示面板包括:阵列基板、彩膜基板和位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。阵列基板包括有像素电极、公共电极和阵列排布的薄膜晶体管,彩膜基板包括黑矩阵和色阻层。其中在像素电极和公共电极之间能够形成控制液晶分子偏转的电场,光线透过阵列基板后照射到液晶分子层,经过液晶分子的偏转作用后,出射到彩膜基板,然后经过彩膜基板上的红、绿、蓝三种颜色的色阻后,能够在显示面板表面以红、绿、蓝三种颜色的光出射,最终在显示面板表面形成图案显示。
随着对显示面板外形的不同需求,出现了异形显示面板也即非常规矩形显示面板。如在显示面板的显示区的部分区域被挖空设置摄像头或听筒,被挖空的部分为倒角矩形、圆形或椭圆形等形状,使显示区具有异形边界,又如,显示面板本身为倒角矩形显示面板、圆形显示面板或者为环形显示面板等非矩形的显示面板。
图1为相关技术中显示面板的异形边界示意图,如图1所示,显示面板显示区的像素P′规则排列,为了配合显示面板的异形边界101,在靠近异形边界101处的多个像素P′呈如图所示的台阶式排布,显示面板显示时,异形边缘位置102被黑矩阵遮住的部分不透光,而台阶处像素P′正常发光,则在异形边界101附近明暗差异明显,影响显示效果,相邻两个像素行的靠近异形边缘位置102的像素数目差距越大明暗差异越明显也即异形边界锯齿现象越明显。本发明通过调整显示区靠近异形边界处的像素的电极结构,以降低施加相同的电压后靠近异形边界处的像素的光透过率,进而降低该处像素的亮度,从而降低靠近异形边界的显示区与异形边界的亮度差异,改善异形边缘显示锯齿现象。
本发明提供一种阵列基板,包括显示区,图2为本发明实施例提供的阵列基板的显示区局部示意图,如图2所示,显示区包括多个像素P,各个像素P的开口率相同,多个像素P沿第一方向a排列形成像素行PA,沿第二方向b排列形成像素列PB,第一方向a和第二方向b垂直。
如图2所示,显示区还包括异形边界201,与异形边界201相邻的边缘位置202由于空间的限制不能设置完整的像素,则通过设置黑矩阵进行遮挡;像素行PA包括:第一像素行PA1,在第一像素行PA1至少包括穿透率不同的第一像素P1和第二像素P2,第二像素P2位于第一像素P1与异形边界201之间,其中,第一像素P1的穿透率大于第二像素P2的穿透率,也即本发明提供的阵列基板中,第一像素P1的亮度大于第二像素P2的亮度,而第二像素P2位于第一像素P1与异形边界201之间,也即在同一像素行PA内靠近异形边界201的像素P的亮度低于远离异形边界201的像素P的亮度,边缘位置202被黑矩阵遮挡区域不透光,亮度几乎为零,通过降低靠近异形边界201的像素P的亮度,能够降低靠近异形边界201的显示区的亮度与显示区的边缘位置202的亮度差异,从而改善异形边缘显示锯齿现象。
本发明中,像素P包括电极(图2未示出),其中,电极为像素电极和/或公共电极,向电极施加电压后能够产生电场,本发明提供的阵列基板与彩膜基板和液晶层组成显示面板时,电极产生的电场能够控制液晶分子偏转,从而实现光线的透过。在施加相同的电压后,第一像素P1的电极与第二像素P2的电极产生的电场强度不同,以使第一像素P1和第二像素P2的穿透率不同,通过设置在相同电压下,第一像素P1的电极产生的电场强度大于第二像素P2电极产生的电场强度,则第一像素P1内产生偏转的液晶分子的数量大于第二像素P2内产生偏转的液晶分子的数量,则第一像素P1内液晶层的光线穿透率大于第二像素P2内液晶层的光线穿透率,进而第一像素P1的穿透率大于第二像素P2的穿透率。
该实施方式中,第一像素P1和第二像素P2的命名仅是为了说明在靠近异形边界201的附近包括穿透率不同的像素P,而不对第一像素P1和第二像素P2具体位置做限定;第二像素P2位于第一像素P1与异形边界201之间,说明在第一像素P1与异形边界201之间可以仅有一个第二像素P2;或者,在第一像素P1与异形边界201之间有至少两个像素,而两个像素中包括第二像素P2;或者,在异形边界201的像素行中包括多个穿透率不同的像素,距离异形边界越近像素P的穿透率越低。
该实施例提供的阵列基板中,通过设置在施加相同的电压后,像素内电极产生的电场强度不同,实现第一像素P1的穿透率大于第二像素P2的穿透率,且第二像素P2位于第一像素P1与异形边界201之间,即降低了靠近异形边界201的像素P的亮度,能够降低靠近异形边界201的显示区的亮度与显示区的边缘位置202的亮度差异,从而改善异形边缘显示锯齿现象,提升异形边界区域的显示效果。
进一步的,在一些可选的实施方式中,如图2所示,像素行PA还包括:第二像素行PA2,第二像素行PA2与第一像素行PA1相邻,第二像素行PA与异形边界201相邻的像素为第三像素P3,其中,第一像素P1与第三像素P3位于同一像素列PB;在第一像素行PA1,第一像素P1与异形边界201之间具有至少一个像素P。
该实施方式中,第一像素P1与异形边界201之间的像素P为第一像素行PA1中与边缘位置202相接触的像素,也即在显示区的边缘位置202形成台阶的像素,该位置处的像素的穿透率小于第一像素的穿透率,即降低了该位置处的像素的亮度与边缘位置202的亮度差异,从而改善异形边缘显示锯齿现象。
可选的,在第一像素行PA1,第一像素P1与异形边界201之间具有至少两个像素P,第一像素P1与异形边界201之间的像素P的穿透率相同,且均小于第一像素P1的穿透率,该实施方式提供的阵列基板,能够改善异形边缘显示锯齿现象,同时制作时在同一像素行内只需要调整工艺制作两种穿透率不同的像素,工艺简单。
可选的,在第一像素行PA1,第一像素P1与异形边界201之间的像素P的穿透率与第一像素P1与异形边界201之间的像素P个数负相关,在第一像素P1与异形边界201之间的像素P个数越多,也即形成台阶的像素P个数越多,像素P的穿透率越低。形成台阶的像素P个数越多,则显示时,在异形边界201附近被黑矩阵遮住的部分与显示区的明暗差异更大,设置形成台阶的像素P个数越多时,像素的穿透率越低,根据形成台阶的像素P个数灵活的设置形成台阶的像素P的穿透率,能够有效降低黑矩阵与形成台阶的像素P的亮度差异,改善异形边缘显示锯齿现象。
本发明中通过调整像素内的电极结构实现施加相同的电压后像素内电极产生的电场强度不同进而实现像素内穿透率的不同,下面仅对本发明提供的阵列基板的电极结构一些可选实施方式进行示例性说明,需要说明的是对于其他本发明实施例没有列举到的电极结构,但同样采用与本发明相同的方式调整像素内的电极结构实现像素内穿透率的不同的技术方案均在本专利保护的范围之内。
进一步的,在一些可选的实施方式中,图3为本发明实施例提供的阵列基板的电极结构一种可选实施方式示意图,如图3所示,电极包括:第一电极,第一电极为梳齿状,包括至少两个梳齿204和位于两个梳齿204之间的狭缝205,梳齿204包括:沿第三方向c延伸的第一条状分部205,第三方向c与第二方向b形成第一夹角θ,第一像素P1的第一夹角θ1与第二像素P2的第一夹角θ2大小不同。图3中示出了电极包括两个梳齿204和一个狭缝205的情况,根据设计需求,狭缝的数量可以为1至4个,例如图4为电极包括4个狭缝示意图。
该实施方式提供的阵列基板中,第一像素P1的第一夹角θ1与第二像素P2的第一夹角θ2大小不同,则施加相同的电压后,第一像素P1的电极产生的电场与第二像素P2的电极产生的电场不同,进而第一像素P1内发生偏转的液晶分子数量与第二像素P2内发生偏转的液晶分子数量不同,通过调整电极中第一夹角θ的大小能够实现第一像素P1的穿透率大于第二像素P2的穿透率,能够降低靠近异形边界的显示区的亮度与显示区的边缘位置的亮度差异,从而改善异形边缘显示锯齿现象。
进一步的,在一些可选的实施方式中,第一夹角θ的大小为大于等于3°且小于等于17°。本发明对像素内电极的第一夹角θ的大小和像素的穿透率的关系做了仿真实验。实验结果参考表1。
[表1]
第一夹角θ | 3° | 6° | 10° | 17° |
仿真穿透率 | 3.71% | 3.86% | 4.03% | 4.01% |
参照表1中的数据可以看出,随着第一夹角θ变大,像素穿透率先增大后减小,在θ为10°时,像素穿透率最大。这是由于施加相同的电压,在θ为10°时像素内电极产生的电场强度最强,像素内发生偏转的液晶分子数量最多,进而光线穿透率最大。
可选的,第一像素P1的第一夹角θ1为10°,第二像素P2的第一夹角θ2为大于等于3°且小于10°,或者大于10°且小于等于17°,则第一像素P1的穿透率大于第二像素P2的穿透率,且第二像素P2位于第一像素P1与异形边界之间,降低了靠近异形边界的像素的亮度,能够降低靠近异形边界的显示区的亮度与显示区的边缘位置的亮度差异,从而改善异形边缘显示锯齿现象。
进一步的,在一些可选的实施方式中,如图3所示,梳齿还包括两个沿第四方向d延伸的第二条状分部206,两个第二条状分部206分别连接于第一条状分部205的两端,第四方向d与第二方向b形成第二夹角α,第一像素P1的第二夹角α1大于第二像素P2的第二夹角α2。可选的,第二夹角的大小为大于等于9°且小于等于30°。
该实施例提供的阵列基板中,第一像素P1的第二夹角α1大于第二像素P2的第二夹角α2,则施加相同的电压后,第一像素P1的电极产生的电场强度大于第二像素P2的电极产生的电场强度,第一像素P1内发生偏转的液晶分子数量大于第二像素P2内发生偏转的液晶分子数量,进而第一像素P1的穿透率大于第二像素P2的穿透率。
进一步的,在一些可选的实施方式中,图5为本发明实施例提供的阵列基板的电极结构另一种可选实施方式示意图,如图5所示,电极还包括第二电极D2,第二电极D2与第一电极D1关于第一轴Y1对称,第一轴Y1为位于第一电极D1与第二电极D2之间且在第一方向a上延伸的线。其中,图5以第一电极D1包括4个狭缝的电极结构为例。
该实施例提供的阵列基板,能够有效降低黑矩阵与形成台阶的像素的亮度差异,改善异形边缘显示锯齿现象,同时该实施例提供的阵列基板形成双畴的电极结构,能够改善液晶显示面板的视角。
进一步的,在一些可选的实施方式中,电极为梳齿状,包括至少两个梳齿和位于两个梳齿之间的狭缝,梳齿,包括沿第五方向延伸的第三条状分部,在沿第五方向上,第一像素的第三条状分部的长度大于第二像素的第三条状分部的长度。可选的,狭缝的数量为1~4。该实施方式中,第一像素的第三条状分部的长度大于第二像素的第三条状分部的长度,施加相同的电压后,第一像素的第三条状分部产生的电场的强度大于第二像素的第三条状分部产生的电场的强度,则第一像素内发生偏转的液晶分子数量大于第二像素内发生偏转的液晶分子数量,进而实现第一像素的穿透率大于第二像素的穿透率。
具体的,在一种可选的实施方式中,图6本发明实施例提供的阵列基板的电极结构另一种可选实施方式示意图,如图6所示,以电极结构为包括两个梳齿和位于两个梳齿之间的一个狭缝为例,梳齿包括第三条状分部207、第四条状分部208和“V”形连接部209,“V”形连接部209分别与第三条状分部207和第四条状分部208连接,第三条状分部207沿第五方向e延伸,“V”形连接部209具有顶点O和顶角A,电极关于第二轴Y2对称,第二轴Y2为沿第一方向a延伸与顶点O相交的线。
图7为采用图6提供的电极结构的第一像素的电极和第一像素的电极示意图,如图7所示,第一像素P1的顶角大小等于第二像素P2的顶角大小,第一像素P1中“V”形连接部在第二方向上的投影为第一投影T1,第二像素P2中“V”形连接部在第二方向上的投影为第二投影T2,第一投影T1的长度小于第二投影T2的长度,也即第一像素P1的第三条状分部207的长度大于第二像素P2的第三条状分部207的长度。
该实施例提供的阵列基板中,第一投影T1的长度小于第二投影T2的长度,则施加相同电压后,第一像素P1的电极产生的电场强度大于第二像素P2的电极产生的电场强度,制作成显示面板后,第一像素P1的穿透率大于第二像素P2的穿透率,则第一像素P1的亮度大于第二像素P2的亮度,有效降低黑矩阵与形成台阶的像素的亮度差异,改善异形边缘显示锯齿现象,同时该实施例中形成双畴的电极结构,能够改善液晶显示面板的视角。
进一步的,如图6所示,“V”形连接部具有第一边2091,第一边2091的延伸方向与第二方向b形成第三夹角β,第三夹角β的大小为大于等于20°且小于等于60°。采用该实施方式提供的电极结构制作的阵列基板,能够保证显示面板中液晶分子层的液晶分子充分偏转,降低光线透过液晶层的光损失。
具体的,在另一种可选的实施方式中,图8本发明实施例提供的阵列基板的电极结构另一种可选实施方式示意图,如图8所示,以电极结构为包括两个梳齿和位于两个梳齿之间的一个狭缝为例,梳齿还包括:第三条状分部207和第五条状分部210,第三条状分部207与第五条状分部210连接,第三条状分部207沿第五方向e延伸,第五条状分部210与第三条状分部207关于第三轴对称,其中,第三轴Y3为位于第三条状分部207与第五条状分部210之间且沿第二方向延伸的线,在沿第五方向e上,第一像素P1的第三条状分部207的长度大于第二像素P2的第三条状分部207的长度。
该实施例提供电极结构另一种可选实施方式,采用该种电极结构制作的阵列基板,第一像素P1的第三条状分部207的长度大于第二像素P2的第三条状分部207的长度,则施加相同电压后,第一像素P1的电极产生的电场强度大于第二像素P2的电极产生的电场强度,制作成显示面板后,第一像素P1的穿透率大于第二像素P2的穿透率,则第一像素P1的亮度大于第二像素P2的亮度,有效降低黑矩阵与形成台阶的像素的亮度差异,改善异形边缘显示锯齿现象,同时该实施例中形成双畴的电极结构,能够改善液晶显示面板的视角。
本发明还提供一种显示面板,包括本发明任一实施例提供的阵列基板。图9为本发明实施例提供的显示面板一种可选实施方式的示意图。本发明提供的显示面板,显示区包括异形边界201。图9仅示出了一种异形显示面板的情况,本发明还提供的显示面板适用于任意一种异形显示面板。本发明实施例提供的显示面板,通过设置在施加相同的电压后,像素内电极产生的电场强度不同,实现像素的穿透率不同,本发明中像素中电极的不同设置,降低了靠近异形边界的像素的亮度,能够降低靠近异形边界的显示区的亮度与显示区的边缘位置的亮度差异,从而改善异形边缘显示锯齿现象,提升异形边界区域的显示效果。
通过上述实施例可知,本发明的阵列基板和显示面板,达到了如下的有益效果:
本发明提供的阵列基板和显示面板,通过设置在施加相同的电压后,像素内电极产生的电场强度不同,实现像素的穿透率不同,本发明中像素中电极的不同设置,降低了靠近异形边界的像素的亮度,能够降低靠近异形边界的显示区的亮度与显示区的边缘位置的亮度差异,从而改善异形边缘显示锯齿现象,提升异形边界区域的显示效果。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本发明的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (18)
1.一种阵列基板,包括显示区,其特征在于,
所述显示区,包括多个像素,各个所述像素的开口率相同,多个所述像素沿第一方向排列形成像素行,沿第二方向排列形成像素列,所述第一方向和所述第二方向垂直;
所述显示区,包括异形边界,
所述像素行包括:第一像素行,所述第一像素行至少包括穿透率不同的第一像素和第二像素,所述第二像素位于所述第一像素与所述异形边界之间,
所述像素包括电极,在施加相同的电压后,所述第一像素的电极与所述第二像素的电极产生的电场强度不同,以使所述第一像素和所述第二像素的穿透率不同,
其中,所述第一像素的穿透率大于所述第二像素的穿透率,
所述电极为像素电极和/或公共电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述电极包括:第一电极,
所述第一电极为梳齿状,包括至少两个梳齿和位于两个梳齿之间的狭缝,
所述梳齿,包括:沿第三方向延伸的第一条状分部,所述第三方向与所述第二方向形成第一夹角,
所述第一像素的所述第一夹角与所述第二像素的所述第一夹角大小不同。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述狭缝的数量为1~4。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述梳齿还包括两个沿第四方向延伸的第二条状分部,两个所述第二条状分部分别连接于所述第一条状分部的两端,所述第四方向与所述第二方向形成第二夹角,
所述第一像素的所述第二夹角大于所述第二像素的所述第二夹角。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述电极还包括第二电极,
所述第二电极与所述第一电极关于第一轴对称,所述第一轴为位于所述第一电极与所述第二电极之间且在所述第一方向上延伸的线。
6.根据权利要求2至5中任一所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一夹角的大小为大于等于3°且小于等于17°。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一像素的所述第一夹角为10°,所述第二像素的所述第一夹角为大于等于3°且小于10°,或者大于10°且小于等于17°。
8.根据权利要求4至5中任一所述的阵列基板,其特征在于,
所述第二夹角的大小为大于等于9°且小于等于30°。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述电极为梳齿状,包括至少两个梳齿和位于两个梳齿之间的狭缝,
所述梳齿,包括沿第五方向延伸的第三条状分部,
在沿所述第五方向上,所述第一像素的所述第三条状分部的长度大于所述第二像素的所述第三条状分部的长度。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,
所述梳齿还包括:第四条状分部和“V”形连接部,所述“V”形连接部分别与所述第三条状分部和所述第四条状分部连接,
所述“V”形连接部具有顶点和顶角,
所述电极关于第二轴对称,所述第二轴为沿所述第一方向延伸与所述顶点相交的线;
所述第一像素的所述顶角大小等于所述第二像素的所述顶角大小,
所述第一像素中所述“V”形连接部在所述第二方向上的投影为第一投影,所述第二像素中所述“V”形连接部在所述第二方向上的投影为第二投影,所述第一投影的长度小于所述第二投影的长度。
11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,
所述“V”形连接部具有第一边,所述第一边的延伸方向与所述第二方向形成第三夹角,
所述第三夹角的大小为大于等于20°且小于等于60°。
12.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,
所述梳齿还包括:第五条状分部,与所述第三条状分部关于第三轴对称,其中,所述第三轴为位于所述第三条状分部与所述第五条状分部之间且沿所述第二方向延伸的线。
13.根据权利要求12所述的阵列基板,其特征在于,
所述第三条状分部与所述第五条状分部连接。
14.根据权利要求9至13中任一所述的阵列基板,其特征在于,
所述狭缝的数量为1~4。
15.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述像素行还包括:第二像素行,所述第二像素行与所述第一像素行相邻,
所述第二像素行与所述异形边界相邻的像素为第三像素,其中,所述第一像素与所述第三像素位于同一所述像素列;
在所述第一像素行,所述第一像素与所述异形边界之间具有至少一个所述像素。
16.根据权利要求15所述的阵列基板,其特征在于,
在所述第一像素行,所述第一像素与所述异形边界之间具有至少两个像素,所述第一像素与所述异形边界之间的像素的穿透率相同。
17.根据权利要求16所述的阵列基板,其特征在于,
在所述第一像素行,所述第一像素与所述异形边界之间的像素的穿透率与所述第一像素与所述异形边界之间的像素个数负相关。
18.一种显示面板,其特征在于,包括上述权利要求1至17中任一项所述的阵列基板。
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