CN107329312A - 一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板的制备方法，阵列基板和显示器件，所述阵列基板用于显示面板，包括：基板以及形成在所述基板上的半透半反层，所述半透半反层靠近所述显示面板的液晶层设置；通过设置半透半反层使显示面板既可以显示指定内容，又可以根据需要作为反光镜使用；由于半透半反层内置在阵列基板上，可以利用显示面板中的液晶偏转来调制反射光线的强度，实现自动防眩，不再需要在显示器件上贴合自动防眩器件，从而极大的减小了镜式显示设备的厚度和重量，并且降低了成本。

Description

一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示器件
技术领域
本发明涉及TFT-LCD技术领域，特别是涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示器件。
背景技术
近年来，随着人们对显示功能的要求越来越高，市场上出现了具有各种功能的显示设备。目前已经开发出既能够显示图像，又能在不显示图像时用作反光镜的显示设备，被称为镜式显示设备。
目前很多汽车配置的一种镜式显示设备，不但具备普通后视镜的功能，还兼具倒车影像、行车记录仪等功能。如图1所示，现有的镜式显示设备都是将用来显示影像的显示器件03、镜面部分02以及自动防眩器件01贴合在一起作为镜式显示设备，显示器件03是液晶显示器或有机发光显示器等，自动防眩器件01是电致变色器件等能实现自动调整光亮度的器件。通过贴合组装的方式得到的镜式显示设备的机械厚度和重量都比较大，给使用带来不便。
发明内容
本发明提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示器件，以使镜式显示设备更加轻薄。
为了解决上述问题，本发明公开了一种阵列基板，用于显示面板，包括：基板以及形成在所述基板上的半透半反层，所述半透半反层靠近所述显示面板的液晶层设置；
在显示状态下，所述半透半反层将来自所述基板方向的入射光透射至所述液晶层；
在反光状态下，所述半透半反层将来自所述液晶层方向的入射光反射至所述液晶层；经所述显示面板出射的反射光强度随所述液晶层的液晶偏转变化。
优选地，所述基板包括衬底以及形成在所述衬底上的像素电极层，所述半透半反层与所述像素电极层在所述衬底上的投影重叠。
优选地，所述衬底包括：
形成在基底上的薄膜晶体管阵列；
形成在所述薄膜晶体管阵列上的RGB色阻层和黑色矩阵；
覆盖在所述RGB色阻层和黑色矩阵上的平坦层；
所述像素电极层形成在所述平坦层上，所述像素电极层通过设置在所述RGB色阻层和平坦层上的过孔与所述薄膜晶体管阵列的漏极连接。
优选地，所述基板还包括依次形成在所述像素电极层上的绝缘层和公共电极层。
优选地，所述半透半反层为导电材料，所述半透半反膜的透射率为5％～70％，反射率为15％～75％。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示器件，包括背光源、驱动电路、光敏元件、对盒基板、液晶层以及上述的任一项阵列基板；
所述光敏元件与所述驱动电路连接；
在反光状态下，所述驱动电路根据所述光敏元件反馈的信号调整驱动电压，以控制所述液晶层的液晶偏转。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板用于显示面板，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成半透半反层，所述半透半反层靠近所述显示面板的液晶层设置；
在显示状态下，所述半透半反层将来自所述基板方向的入射光透射至所述液晶层；
在反光状态下，所述半透半反层将来自所述液晶层方向的入射光反射至所述液晶层；经所述显示面板出射的反射光强度随所述液晶层的液晶偏转变化。
优选地，所述基板包括衬底以及形成在所述衬底上的像素电极层，所述半透半反层与所述像素电极层在所述衬底上的投影重叠。
优选地，所述提供基板的步骤，包括：
在基底上形成薄膜晶体管阵列；
在所述薄膜晶体管阵列上形成RGB色阻层和黑色矩阵；
在所述RGB色阻层和黑色矩阵上覆盖平坦层，形成所述衬底；
在所述平坦层上形成所述像素电极层；所述像素电极层通过设置在所述RGB色阻层和平坦层上的过孔与所述薄膜晶体管阵列的漏极连接。
优选地，在所述平坦层上形成像素电极层之后，还包括：
在所述像素电极层上依次形成绝缘层和公共电极层。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
本申请提供了一种用于显示面板的阵列基板，包括基板以及形成在基板上的半透半反层，半透半反层靠近显示面板的液晶层设置；通过设置半透半反层使显示面板既可以显示指定内容，又可以根据需要作为反光镜使用；由于半透半反层内置在阵列基板上，可以利用显示面板中的液晶偏转来调制反射光线的强度，实现自动防眩，不再需要在显示器件上贴合自动防眩器件，从而极大的减小了镜式显示设备的厚度和重量，并且降低了成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有的镜式显示设备的结构示意图；
图2是本发明实施例一提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例一提供的一种阵列基板用于显示面板时在显示状态下的工作原理示意图；
图4是本发明实施例一提供的一种阵列基板用于显示面板时在反光状态下的工作原理示意图；
图5是本发明实施例二提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图6是本发明实施例三提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图7是本发明实施例三提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图8是本发明实施例四提供的一种阵列基板的制备方法的步骤流程图；
图9是本发明实施例五提供的一种阵列基板的制备方法的步骤流程图；
图10是本发明实施例五中完成薄膜晶体管阵列制作的阵列基板的剖面结构示意图；
图11是本发明实施例五中完成RGB色阻层和黑色矩阵制作的阵列基板的剖面结构示意图；
图12是本发明实施例五中完成平坦层制作的阵列基板的剖面结构示意图；
图13是本发明实施例五中完成像素电极层制作的阵列基板的剖面结构示意图；
图14是本发明实施例五中完成绝缘层和公共电极层制作的阵列基板的剖面结构示意图；
图15是本发明实施例七中位于像素单元中的光电二极管与驱动电路的连接示意图；
图16是本发明实施例七中光电二极管位于像素单元中的阵列基板的剖面结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
本发明实施例一提供了一种阵列基板，用于显示面板，参照图2，所述阵列基板可以包括：基板10和形成在基板10上的半透半反层11，半透半反层11靠近显示面板的液晶层设置。
具体的，基板10可以包括衬底以及形成在衬底上的像素电极层，衬底可以包括基底以及形成在基底上的薄膜晶体管阵列。
根据阵列基板的功能设置，RGB色阻层、黑色矩阵和平坦层可以设置在对盒基板上，也可以设置在阵列基板上，例如，在一实现方式中，衬底还可以包括形成在薄膜晶体管阵列上的RGB色阻层和黑色矩阵，以及覆盖在RGB色阻层和黑色矩阵上的平坦层。像素电极层形成在平坦层上，像素电极层通过设置在RGB色阻层和平坦层上的过孔与薄膜晶体管阵列的漏极连接。
在另一实现方式中，衬底可以是上述各实现方式中提及的衬底，像素电极层可以直接做成具有半透半反层功能的层结构，也即本方式中，半透半反层同时作为基板10的像素电极层。
在另一实现方式中，基板10还可以进一步包括依次形成在像素电极层上的绝缘层和公共电极层；在本方式中，公共电极层也可以直接做成具有半透半反层功能的层结构。
在另一实现方式中，基板10中的像素电极层和公共电极层的位置可以调换，即公共电极层形成在平坦层上，在公共电极层上依次形成绝缘层107和像素电极层，像素电极层通过设置在绝缘层和公共电极层以及RGB色阻层和平坦层上的过孔与薄膜晶体管阵列的漏极连接；在本方式中，像素电极层也可以直接做成具有半透半反层功能的层结构。
以上阵列基板的具体结构可以参见后续实施例的描述。
在本实施例中，半透半反层11可以为绝缘材料，也可以为导电材料。为了确保施加在液晶层上的电场不会受到极化电场的影响，在本实施例中优选的是半透半反层11为导电材料。当半透半反层11为导电材料时，由于半透半反层11直接和像素电极层连接，所以需要形成一定图案保证相邻像素单元之间电场不会相互干扰或者发生短路等不良。在本实施例中优选的是半透半反层11与像素电极层在衬底上的投影重叠，即半透半反层11与像素电极层的图案一致。需要注意的是，在确保像素单元之间电场不会相互干扰的前提下，半透半反层11还可以设置成其它图案，本申请对此不作限定。当半透半反层11为绝缘材料时，半透半反层11的形状可以是整体也可以根据具体情况形成一定图案，本申请对此不作限定。
理论上，半透半反层11的透射率和反射率可以为大于零的任何数值，通过调整透射光源或反射光源的强度，都可以实现显示功能和反光镜功能。在本实施例中优选的半透半反层11的透射率为5％～70％，反射率为15％～75％。具体的半透半反膜材料可以是银或者其他，以银为例，当使用半镀银工艺且银的膜厚在50nm以下时，反射率可以控制在15％～75％之间，透过率可以在5％～70％之间，具体的反射率和透过率的数值可以通过镀银层的厚度和工艺来调整。
半透半反层11要求设置在基板10靠近液晶层的一侧，可以形成在像素电极层上，也可以直接形成在衬底或基底上，具体的半透半反层11的位置可以根据实际结构以及反射光强度等因素确定，本申请对此不做限定。
下面结合本实施例阵列基板结构介绍用于显示面板时的工作过程：
在显示状态下，如图3所示，背光源12发出的光线经过基板10入射至半透半反层11，半透半反层11将来自基板10方向的入射光透射至液晶层。
在反光状态下，如图4所示，显示面板的显示功能和背光源12关闭，环境光经液晶层入射至半透半反层11，半透半反层11将来自液晶层方向的入射光反射至液晶层，最终经显示面板出射的反射光强度随液晶层的液晶偏转变化。
本实施例提供了一种用于显示面板的阵列基板，包括基板以及形成在基板上的半透半反层，半透半反层靠近显示面板的液晶层设置；通过设置半透半反层使显示面板既可以显示指定内容，又可以根据需要作为反光镜使用；由于半透半反层内置在阵列基板上，可以利用显示面板中的液晶偏转来调制反射光线的强度，实现自动防眩，不再需要在显示器件上贴合自动防眩器件，从而极大的减小了镜式显示设备的厚度和重量，并且降低了成本。
实施例二
本发明实施例二提供了一种阵列基板，用于显示面板，参照图5，所述阵列基板可以包括：基板10和形成在基板10上的半透半反层11，半透半反层11靠近显示面板的液晶层设置。
基板10可以进一步包括衬底以及形成在衬底上的像素电极层106。
衬底可以进一步包括基底101以及形成在基底101上的薄膜晶体管阵列102。衬底还可以包括形成在薄膜晶体管阵列102上的RGB色阻层103和黑色矩阵104，以及覆盖在RGB色阻层103和黑色矩阵104上的平坦层105。
像素电极层106形成在平坦层105上，像素电极层106通过设置在RGB色阻层103和平坦层105上的过孔与薄膜晶体管阵列102的漏极连接。
具体的，薄膜晶体管阵列102形成在基底101上，同时形成在基底101上的还有交叉设置栅极线，数据线等，栅极线用于与薄膜晶体管阵列102的栅极连接，数据线用于与薄膜晶体管阵列102的源极连接。薄膜晶体管阵列102、栅极线，数据线等遮挡光的区域构成基板10的非显示区域，非显示区域之外的区域为显示区域。另外，交叉设置的栅极线，数据线划分形成多个像素单元。
RGB色阻层103形成在薄膜晶体管阵列102上，对应基板10的显示区域设置，用于实现彩色显示。RGB色阻层103既可以设置在阵列基板上，也可以设置在对盒基板上。如果将RGB色阻层103设置在对盒基板上，当显示面板作为反光镜使用时，反射光线需要两次通过RGB色阻层103，将极大的削弱反射光强度，无法保证良好的反光镜效果。在本实施例中优选的是将RGB色阻层103设置在基板10上，既可以保证实现彩色显示，又不会影响反射光强度。
黑色矩阵104形成在薄膜晶体管阵列102上，对应基板10的非显示区域设置，用于遮挡基板10上的薄膜晶体管阵列102以及栅极线、数据线等非显示区域，防止漏光的产生。黑色矩阵104既可以形成在阵列基板上，也可以形成在对盒基板上，在本实施例中优选的是将黑色矩阵104设置在基板10上，可以避免当黑色矩阵104位于对盒基板上时，因对盒偏差引起的漏光问题。
平坦层105覆盖在RGB色阻层103和黑色矩阵104上，用于使表面平坦化。
像素电极层106形成在平坦层105上，材料可以是ITO等透明导电材料，像素电极层106通过RGB色阻层103和平坦层105上设置的过孔与薄膜晶体管阵列102的漏极连接。对于TN或者VA显示模式，像素电极层106用于与对盒基板上的公共电极层形成电场，从而控制液晶层中液晶分子的偏转方向。
半透半反层11形成在基板10上，在本实施例中，半透半反层11覆盖在像素电极层106上。
下面结合本实施例二阵列基板的结构介绍用于显示面板的工作过程：
在显示状态下，背光源发出的光线经过基板10入射至半透半反层11，半透半反层11将来自基板10方向的入射光透射至液晶层，并通过像素电极层106与对盒基板上的公共电极层形成电场，控制液晶层中液晶分子的偏转方向，从而实现正常显示。
在反光状态下，显示面板的显示功能和背光源关闭，环境光经液晶层入射至半透半反层11，半透半反层11将来自液晶层方向的入射光反射至液晶层；最终经显示面板出射的反射光强度随液晶层的液晶偏转变化。实现经面板出射的反射光强度自动调节的方式有多种，例如，可以通过在显示面板上设置光敏元件，如感光传感器或光电二极管等，显示面板的驱动电路可以根据光敏元件反馈的信号，调整像素电极层106与对盒基板上的公共电极层之间形成的电场大小，从而控制液晶层中液晶分子的偏转方向，相应的经过液晶层的光线的偏振状态也会发生变化，再经过显示面板的对盒基板上的偏光片之后，反射光强度会发生变化，从而实现对反射光强度的调制，也就是可以实现自动防眩功能。
实施例三
本发明实施例三提供了一种阵列基板，用于显示面板，如图6所示，该阵列基板和图5所示的基板10的结构基本相同，两者的区别之处在于：
图6中所示的基板10还包括依次形成在像素电极层106上的绝缘层107和公共电极层108。
具体的，绝缘层107覆盖在像素电极层106上，材料可以是氮化硅、氧化硅等透明绝缘材料，用于使像素电极层106和公共电极层108绝缘。
公共电极层108形成在绝缘层107上，材料可以是ITO等透明导电材料。对于FFS或者IPS显示模式，公共电极层108上设置有狭缝，用于与像素电极层106形成横向电场，从而控制液晶层中液晶分子的偏转方向。
半透半反层11形成在基板10上，在本实施例中，半透半反层11形成在公共电极层108上。
在本实施例中，半透半反层11与像素电极层106在衬底上的投影重叠，即半透半反层11与像素电极层106的图案一致。需要注意的是，本实施例中半透半反层11和公共电极层108连接，当公共电极层108连接同一电位时，无论半透半反层11是绝缘材料还是导电材料，半透半反层11既可以整体形成在基板10上，也可以根据需要形成一定图案，具体可以根据实际情况设定，本申请对此不作限定。
下面结合本实施例三阵列基板的结构介绍用于显示面板的工作过程：
在显示状态下，背光源发出的光线经过基板10入射至半透半反层11，半透半反层11将来自基板10方向的入射光透射至液晶层，并通过像素电极层106与公共电极层108形成横向电场，控制液晶层中液晶分子的偏转方向，从而实现正常显示。
在反光状态下，显示面板的显示功能关闭，环境光经液晶层入射至半透半反层11，半透半反层11将来自液晶层方向的入射光反射至液晶层，最终经显示面板出射的反射光强度随液晶层的液晶偏转变化。
在本实施例中，平坦层105上依次设置像素电极层106、绝缘层107和公共电极层108。在另一实现方式中，如图7所示，在平坦层105上依次设置公共电极层108、绝缘层107和像素电极层106；其中，像素电极层106通过设置在绝缘层107、公共电极层108以及平坦层105、RGB色阻层103上的过孔与薄膜晶体管阵列102的漏极连接，像素电极层106上设有狭缝，用于与公共电极层108形成横向电场。另外，为了防止像素电极层106与公共电极层108在过孔处短路，公共电极层108的过孔尺寸要大于平坦层105、RGB色阻层103以及绝缘层107上的过孔尺寸，并且在过孔处像素电极层106与公共电极层108之间同样设有绝缘层。
在如图7所示的实现方式中，半透半反层11覆盖在像素电极层106上。当半透半反层11为导电材料时，由于半透半反层11直接和像素电极层106连接，所以需要形成一定图案保证相邻像素单元之间电场不会相互干扰或者发生短路等不良。优选的是半透半反层11与基板10的显示区域在衬底101上的投影重叠。需要注意的是，在确保像素单元之间电场不会相互干扰的前提下，半透半反层11还可以设置成其它图案，本申请对此不作限定。
实施例四
本发明实施例四提供了一种阵列基板的制备方法，所述方法基于实施例一，如图8所示，所述方法可以包括：
步骤401：提供基板10。
具体的，本实施例中基板10可以包括衬底以及形成在衬底上的像素电极层106。
步骤402：在基板10上形成半透半反层11，半透半反层11靠近显示面板的液晶层设置；如图2所示。
在显示状态下，半透半反层将来自基板10方向的入射光透射至液晶层；在反光状态下，半透半反层11将来自液晶层方向的入射光反射至液晶层；经显示面板出射的反射光强度随液晶层的液晶偏转变化。
具体的，在基板10上可以通过沉积，曝光，显影，刻蚀等工艺形成半透半反层11。半透半反层11的材料可以是银或者其他，以银为例，可以使用半镀银工艺且银的膜厚控制在50nm以下，得到的半透半反层11反射率在15％～75％之间，透过率在5％～70％之间，通过调整镀银层的厚度和工艺可以改变反射率和透过率的数值。
实施例五
本发明实施例五提供了一种阵列基板的制备方法，在实施例四基础上，如图9所示，上述提供基板10的步骤401可以进一步包括：
子步骤501：在基底101上形成薄膜晶体管阵列102，如图10所示。
具体的，在基底101上通过沉积，曝光，显影，刻蚀等工艺形成薄膜晶体管阵列102。
子步骤502：在薄膜晶体管阵列102上形成RGB色阻层103和黑色矩阵104，如图11所示。
具体的，先在薄膜晶体管阵列102上制作黑色矩阵104。然后在黑色矩阵104的间隙处，按顺序涂布R、G、B三色光阻，经过曝光、显影、烘烤得到RGB色阻层103。
在实际应用中，还可以根据实际设计将RGB色阻层103和/或黑色矩阵104采用相同的工艺制作到对盒基板上。
子步骤503：在RGB色阻层103和黑色矩阵104上覆盖平坦层105，形成衬底，如图12所示。
具体的，可通过涂布的方式将平坦层105制作在RGB色阻层103和黑色矩阵104上。
子步骤504：在平坦层105上形成像素电极层106；像素电极层106通过设置在RGB色阻层103和平坦层105上的过孔与薄膜晶体管阵列102的漏极连接，如图13所示。
具体的，可以在平坦层105采用磁控溅射法等沉积透明导电材料，如ITO等，再通过曝光，显影，刻蚀等工艺形成像素电极层106。
在另一实现方式中，在上述子步骤504之后，还可以包括：
在像素电极层106上依次形成绝缘层107和公共电极层108，如图14所示。
具体的，可以在像素电极层106上沉积氮化硅或氧化硅层等，形成绝缘层107；再在像素电极层106上采用磁控溅射法等沉积透明导电材料，如ITO等，再通过曝光，显影，刻蚀等构图工艺形成公共电极层108。
对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
实施例六
实施例六提供了一种显示面板，该显示面板可以包括阵列基板、液晶层以及对盒基板。
其中，阵列基板可以采用上述实施例中任一阵列基板。
实施例七
实施例七提供了一种显示器件，该显示器件可以包括阵列基板、液晶层、对盒基板、背光源以及驱动电路。
其中，阵列基板可以采用上述实施例中任一阵列基板。
显示器件还可以进一步包括光敏元件，光敏元件与驱动电路连接；在反光状态下，驱动电路根据光敏元件反馈的信号调整驱动电压，以控制液晶层的液晶偏转。
具体的，光敏元件可以是感光传感器，还可以是光电二极管。
光敏元件用于在反光状态下检测环境光强，显示器件的驱动电路根据光敏元件反馈的信号，调节驱动电压控制液晶盒中的液晶偏转角度，当液晶偏转发生变化时，相应的经过液晶层的光线的偏振状态也会发生变化，所以经过对盒基板上的偏光片，光强度会随之变化，从而实现对反射光强度的调制，也就是可以实现自动防眩功能。
光敏元件可以根据设置在整个显示器件的周边，还可以设置在阵列基板上的多个像素单元内。
当光敏元件设置在整个显示器件的周边时，当有强光入射时，根据光敏元件反馈的信号，驱动电路将整个显示器件的反光强度降低，从而避免强光射入人眼。这种方式会起到一定的防眩作用但有时会影响观察效果，例如在夜间行驶中，反光镜会接收到后方车辆的车灯强光照射，实际上反光镜只有部分区域被后方灯光照射到，剩下的区域反射光线并不强烈，而如果整体调暗反射光强度，会存在部分区域画面太暗的情况。
当光敏元件设置在阵列基板的多个像素单元上时，参照图15，示出了光电二极管13与显示面板的驱动电路连接的示意图，光电二极管13分别与驱动电路的反馈数据线14和栅极线连接，光电二极管13根据照射在其上的光强转换为电流信号并反馈至反馈数据线14，驱动电路根据光电二极管13反馈的电流信号输出驱动信号进而控制液晶旋转。光电二极管13可以与薄膜晶体管阵列102同时形成，可以每个像素单元内设置一个光电二极管13，也可以数个像素单元设置一个光电二极管13。考虑到像素开口率和感应灵敏度的需求，优选采用每三个像素单元设置一个光电二极管13的方案，如图16所示；考虑到颜色匹配性，优选在R，G，B不同像素单元上分别设置光电二极管13的方案。光电二极管13可以设置在黑色矩阵的上方或下方，如果设置在黑色矩阵的下方，则需要在对应光电二极管13的位置做镂空处理。
当采用在多个像素单元内设置有光敏元件的阵列基板时，根据多个光敏元件反馈的信号，可以对反射光强度进行局部精确调整，当有强光入射时，光敏元件会根据入射光强度转换成相应的电信号，反馈至驱动电路，然后驱动电路调整输出对应的像素电压，此时液晶盒中的液晶偏转角度将发生变化，所以经过对盒基板上的偏光片，光强度会随之变化，从而实现对反射光强度的调制，也就是可以实现自动防眩功能，并且由于在多个像素单元内设置了光传感器，所以可以实现局部调整反射光强度，避免因整体调暗反射光强度带来的部分区域画面太暗的不利影响。
综上，本申请实施例提供了一种用于显示面板的阵列基板，包括基板以及形成在基板上的半透半反层，半透半反层靠近显示面板的液晶层设置；通过设置半透半反层使显示面板既可以显示指定内容，又可以根据需要作为反光镜使用；由于半透半反层内置在阵列基板上，可以利用显示面板中的液晶偏转来调制反射光线的强度，实现自动防眩，不再需要在显示器件上贴合自动防眩器件，从而极大的减小了镜式显示设备的厚度和重量，并且降低了成本。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示器件，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，用于显示面板，其特征在于，包括：基板以及形成在所述基板上的半透半反层，所述半透半反层靠近所述显示面板的液晶层设置；
在显示状态下，所述半透半反层将来自所述基板方向的入射光透射至所述液晶层；
在反光状态下，所述半透半反层将来自所述液晶层方向的入射光反射至所述液晶层；经所述显示面板出射的反射光强度随所述液晶层的液晶偏转变化。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板包括衬底以及形成在所述衬底上的像素电极层，所述半透半反层与所述像素电极层在所述衬底上的投影重叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底包括：
形成在基底上的薄膜晶体管阵列；
形成在所述薄膜晶体管阵列上的RGB色阻层和黑色矩阵；
覆盖在所述RGB色阻层和黑色矩阵上的平坦层；
所述像素电极层形成在所述平坦层上，所述像素电极层通过设置在所述RGB色阻层和平坦层上的过孔与所述薄膜晶体管阵列的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述基板还包括依次形成在所述像素电极层上的绝缘层和公共电极层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述半透半反层为导电材料，所述半透半反膜的透射率为5％～70％，反射率为15％～75％。
6.一种显示器件，其特征在于，包括背光源、驱动电路、光敏元件、对盒基板、液晶层以及权利要求1至5任一项所述的阵列基板；
所述光敏元件与所述驱动电路连接；
在反光状态下，所述驱动电路根据所述光敏元件反馈的信号调整驱动电压，以控制所述液晶层的液晶偏转。
7.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板用于显示面板，其特征在于，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成半透半反层，所述半透半反层靠近所述显示面板的液晶层设置；
在显示状态下，所述半透半反层将来自所述基板方向的入射光透射至所述液晶层；
在反光状态下，所述半透半反层将来自所述液晶层方向的入射光反射至所述液晶层；经所述显示面板出射的反射光强度随所述液晶层的液晶偏转变化。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基板包括衬底以及形成在所述衬底上的像素电极层，所述半透半反层与所述像素电极层在所述衬底上的投影重叠。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述提供基板的步骤，包括：
在基底上形成薄膜晶体管阵列；
在所述薄膜晶体管阵列上形成RGB色阻层和黑色矩阵；
在所述RGB色阻层和黑色矩阵上覆盖平坦层，形成所述衬底；
在所述平坦层上形成所述像素电极层；所述像素电极层通过设置在所述RGB色阻层和平坦层上的过孔与所述薄膜晶体管阵列的漏极连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述平坦层上形成像素电极层之后，还包括：
在所述像素电极层上依次形成绝缘层和公共电极层。
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