CN107317503B - 逆变器及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种逆变器及其控制方法。逆变器包括第一桥臂，包括第一、第二、第三和第四MOSFET开关；第二桥臂，并联第一桥臂，包括第五、第六、第七和第八MOSFET开关；第三桥臂，电性耦接第一节点和第二节点之间，包括第九、第十、第十一和第十二MOSFET开关；第一二极管，与反向串联的第一、第二MOSFET开关并联；第二二极管，与反向串联的第三、第四MOSFET开关并联；第三二极管，与反向串联的第五、第六MOSFET开关并联；第四二极管，与反向串联的第七、第八MOSFET开关并联；第五二极管，与反向串联的第九、第十MOSFET开关并联；第六二极管，与反向串联的第十一、第十二MOSFET开关并联。

Description

逆变器及其控制方法
技术领域
本发明涉及电力电子技术，尤其涉及一种逆变器及其控制方法。
背景技术
随着传统能源供应的日益紧张，以及全球气候问题的日益恶化，人类对可再生能源的需求变得日益迫切。作为清洁能源的太阳能发电，以其用之不竭、无污染等独特优点，得到了社会各界的广泛关注与应用。目前，人们对采用可再生能源的分布式发电技术日益关注，作为可再生能源的核心部件，DC/AC逆变器的效率、体积也一直是国内外电力电子界的研究重点。
逆变器是把直流电能(例如，电池、蓄电瓶的电能)转变成交流电，它由逆变桥、控制电路和滤波电路组成。在光伏产业中，太阳能逆变器主要功能是将太阳能电池板输出的直流电逆变成交流电。直流电通过全桥电路，一般采用SPWM处理器经过调制、滤波、升压等，得到与负载/电网频率、额定电压等相匹配的正弦交流电供系统终端用户使用。
目前各国法规均要求光伏逆变器有无功传递功能，因此解决无功传递时的效率，对降低光伏逆变器的体积变得异常重要。
因此，需要一种新的逆变器及其控制方法。
在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明提供一种逆变器及其控制方法，能够提供一种新的逆变器的逆变桥拓扑结构，以提升效率。
本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一方面，提供一种逆变器，包括：第一桥臂，电性耦接所述逆变器的第一输入端和第二输入端，所述第一桥臂包括第一MOSFET开关、第二MOSFET开关、第三MOSFET开关和第四MOSFET开关，所述第二、第三MOSFET开关之间的连接点作为第一节点；第二桥臂，并联所述第一桥臂，所述第二桥臂包括第五MOSFET开关、第六MOSFET开关、第七MOSFET开关和第八MOSFET开关，所述第六、第七MOSFET开关之间的连接点作为第二节点；以及第三桥臂，电性耦接于所述第一节点和所述第二节点之间，所述第三桥臂包括第九MOSFET开关、第十MOSFET开关、第十一MOSFET开关和第十二MOSFET开关；第一二极管，与反向串联的所述第一、第二MOSFET开关并联；第二二极管，与反向串联的所述第三、第四MOSFET开关并联；第三二极管，与反向串联的所述第五、第六MOSFET开关并联；第四二极管，与反向串联的所述第七、第八MOSFET开关并联；第五二极管，与反向串联的所述第九、第十MOSFET开关并联；第六二极管，与反向串联的所述第十一、第十二MOSFET开关并联，并与所述第五二极管反向串联；第一电感器，其中所述第一电感器电性耦接于所述第一节点和逆变器的第一输出端；以及第二电感器，其中所述第二电感器电性耦接于所述第二节点和逆变器的第二输出端。
于一实施例中，还包括：电磁干扰滤波器，其中所述电磁干扰滤波器耦接于所述第一电感器、第二电感器与所述第一输出端、第二输出端之间。
于一实施例中，其中所述第一、第三、第五、第七、第九和第十二MOSFET开关为高压MOSFET，以及所述第二、第四、第六、第八、第十和第十一MOSFET开关为低压MOSFET。
于一实施例中，还包括：控制器，用于生成控制信号控制所述第一至第十二MOSFET开关的开通和关断。
于一实施例中，所述逆变器的第一输入端和第二输入端电性耦接于光伏面板。
于一实施例中，于一工作模态下，所述第十一MOSFET开关、第十二MOSFET开关、第五二极管、第一电感器以及第二电感器形成第一续流路径。
于一实施例中，于一工作模态下，所述第一二极管、第四二极管、第一电感器以及第二电感器形成第二续流路径。
于一实施例中，于一工作模态下，所述第九MOSFET开关、第十MOSFET开关、第六二极管、第一电感器以及第二电感器形成第三续流路径。
于一实施例中，于一工作模态下，所述第二二极管、第三二极管、第一电感器以及第二电感器形成第四续流路径。
根据本公开的再一方面，提供一种逆变器的控制方法，该控制方法包括：同步启闭所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关，并控制所述第九、第十MOSFET开关的启闭与所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关的启闭互补；以及同步启闭所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关，并控制所述第十一、第十二MOSFET开关的启闭与所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关的启闭互补。
于一实施例中，该控制方法还包括：在所述逆变器的输出电压为正的半个周期内，持续开通所述第十一、第十二MOSFET开关；在所述逆变器的输出电压为负的半个周期内，持续开通所述第九、第十MOSFET开关。
于一实施例中，该控制方法还包括：同步开通所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关时，使所述第一、第七MOSFET开关早于所述第二、第八MOSFET开关开通，且同步关断所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关时，使所述第一、第七MOSFET开关晚于所述第二、第八MOSFET开关关断，使所述第二、第八MOSFET开关实现软开关；同步开通所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关时，使所述第三、第五MOSFET开关早于所述第四、第六MOSFET开关开通，且同步关断所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关时，使所述第三、第五MOSFET开关晚于所述第四、第六MOSFET开关关断，使所述第四、第六MOSFET开关实现软开关。
综上所述，本发明的技术方案与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。本发明针对光伏产业，提供了具备无功输出能力的逆变器，通过控制开关的错位开通与关断，可以始终实现大部分开关的软动作，为提高逆变器的效率打下了坚实的基础，使得逆变器可以广泛地运用在各种领域。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1示意性示出根据本公开示例实施方式的一种逆变器的电路图；
图2是基于图1的逆变器的电压、电流的波形图；
图3A-3C是绘示图1的逆变器于第一工作模态中的示意图；
图4A-4C是绘示图1的逆变器于第二工作模态中的示意图；
图5A-5C是绘示图1的逆变器于第三工作模态中的示意图；
图6A-6C是绘示图1的逆变器于第四工作模态中的示意图；
图7A-7C是绘示图1的逆变器于第五工作模态中的示意图；
图8A-8C是绘示图1的逆变器于第六工作模态中的示意图；
图9A-9C是绘示图1的逆变器于第七工作模态中的示意图；
图10A-10C是绘示图1的逆变器于第八工作模态中的示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。
以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
于实施方式与权利要求书中，涉及“耦接”的描述，其可泛指一组件透过其它组件而间接连接至另一组件，或是一组件无须透过其它组件而直接连接至另一组件。
于实施方式与申请专利范围中，除非文中对于冠词有所特别限定，否则“一”与“所述”可泛指一个或多个。
本文所述MOSFET是指金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。MOSFET自带体二极管。
图1示意性示出根据本公开示例实施方式的一种逆变器100的电路图。
如图1所示，逆变器100包括第一桥臂110、第二桥臂120、第三桥臂130。
第一桥臂110电性耦接逆变器的第一输入端和第二输入端，其中第一输入端和第二输入端可以耦接于直流源140。第一桥臂110包括依次串联的第一MOSFET开关S1、第二MOSFET开关S2、第三MOSFET开关S3和第四MOSFET开关S4，其中第二、第三MOFETS开关S2和S3之间的连接点作为第一节点a；第二桥臂120，并联第一桥臂110，包括依次串联的第五MOSFET开关S5、第六MOSFET开关S6、第七MOSFET开关S7和第八MOSFET开关S8，第六、第七MOFETS开关S6和S7之间的连接点作为第二节点b；第三桥臂130，电性耦接于第一节点a和第二节点b之间，包括依次串联的第九MOSFET开关S9、第十MOSFET开关S10、第十一MOSFET开关S11和第十二MOSFET开关S12。其中，第一、第二MOSFET开关S1和S2反向串联，第三、第四MOSFET开关S3和S4反向串联，第五、第六MOSFET开关S5和S6反向串联，第七、第八MOSFET开关S7和S8反向串联，第九、第十MOSFET开关S9和S10反向串联，第十一、第十二MOSFET开关S11和S12反向串联。以第一、第二MOSFET开关S1和S2反向串联为例说明，第一桥臂110的第一MOSFET开关S1的源极与第二MOSFET开关S2的源极连接，但本发明并不以此为限。
逆变器还包含第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第六二极管D6。第一二极管D1与反向串联的第一、第二MOSFET开关S1和S2并联；第二二极管D2与反向串联的第三、第四MOSFET开关S3和S4并联；第三二极管D3与反向串联的第五、第六MOSFET开关S5和S6并联；第四二极管D4与反向串联的第七、第八MOSFET开关S7和S8并联；第五二极管D5与反向串联的第九、第十MOSFET开关S9和S10并联；第六二极管D6与反向串联的第十一、第十二MOSFET开关S11和S12并联，并且第六二极管D6与第五二极管D5构成反向串联的连接关系。
在一示例性实施例中，第一MOSFET开关至第十二MOSFET开关S1-S12可以选择N信道增强型MOSFET；第一二极管至第六二极管D1-D6可选取为反向恢复特性良好的快恢复二极管或碳化硅二极管。但本发明并不以器件的选型为限。
逆变器100还包括第一电感器La，其电性耦接于第一节点a和逆变器100的第一输出端之间；第二电感器Lb，其电性耦接于第二节点b和逆变器100的第二输出端之间。第一电感器La和第二电感器Lb的电感值可以相同。
在一示例性实施例中，逆变器100还包括：控制器，用于生成控制信号控制第一MOSFET开关至第十二MOSFET开关S1-S12的开通和关断。例如，利用控制器的脉冲宽度调制单元生成第一控制信号G1、第二控制信号G2、第三控制信号G3、第四控制信号G4、第五控制信号G5、第六控制信号G6、第七控制信号G7、第八控制信号G8、第九控制信号G9、第十控制信号G10、第十一控制信号G11和第十二控制信号G12，其分别输入至第一MOSFET开关S1、第二MOSFET开关S2、第三MOSFET开关S3、第四MOSFET开关S4、第五MOSFET开关S5、第六MOSFET开关S6、第七MOSFET开关S7、第八MOSFET开关S8、第九MOSFET开关S9、第十MOSFET开关S10、第十一MOSFET开关S11与第十二MOSFET开关S12的控制端。其中控制端可以是相应MOSFET的栅极。
在一示例性实施例中，第一MOSFET开关S1、第三MOSFET开关S3、第五MOSFET开关S5、第七MOSFET开关S7、第九MOSFET开关S9和第十二MOSFET开关S12可为高压MOSFET，第二MOSFET开关S2、第四MOSFET开关S4、第六MOSFET开关S6、第八MOSFET开关S8、第十MOSFET开关S10和第十一MOSFET开关S11可为低压MOSFET。例如，高压MOSFET可以为耐压600V-650V的MOSFET，低压MOSFET可以为耐压30V-100V的MOSFET。
在一示例性实施例中，逆变器100还包括：电磁干扰滤波器150，其中电磁干扰滤波器150电性耦接于第一电感器La、第二电感器Lb与第一输出端、第二输出端之间。电磁干扰滤波器150可以有效地控制逆变器100本身产生的电磁干扰信号，防止此信号进入电网，污染电磁环境，危害其它设备。
在一示例性实施例中，逆变器100的第一输入端和第二输入端电性耦接于光伏面板。
在一示例性实施例中，逆变器100还可以包括直流源140，其两端分别电性耦接于逆变器100的第一输入端和第二输入端。
如图1所示为上述逆变器应用到光伏电网发电的示意图，上述逆变器的直流侧耦接光伏电池板，其交流侧经电感与电网耦接。但实际应用中，本发明的逆变器也可应用在交流侧接负载的场合，即逆变器的输出端与负载相连，此时电路中也可以省略电磁干扰滤波器150。但本发明并不限于此，本领域的技术人员可以根据实际的需求将所述逆变器应用到任何领域。
图2是基于图1的逆变器的电网电压vgrid(逆变器的输出端的电压)、电感电流iL与开关时序的关系图，所标出的四个分区I，II，III，IV分别用于指示逆变器发出或吸收有功/无功功率的区域。
工作时，直流源140提供直流电压Vdc。可以根据如图2的控制时序来操控逆变器。一实施例中，可以使第一控制信号G1和第二控制信号G2的脉冲一致，是同步信号，从而使得第一控制信号G1和第二控制信号G2对应的第一、第二MOSFET同步开通和关断。一实施例中，可以使第一控制信号G1与第二控制信号G2的脉冲基本一致，只是第一MOSFET比第二MOSFET先开通、后关断，从而使得第二MOSFET实现自然软开关。其他开关的控制信号均可类似给出，如：第三控制信号G3和第四控制信号G4的脉冲；第五控制信号G5和第六控制信号G6的脉冲；第七控制信号G7和第八控制信号G8的脉冲；第九控制信号G9和第十控制信号G10的脉冲；第十一控制信号G11和第十二控制信号G12的脉冲。
在一示例性实施例中，第一控制信号G1、第二控制信号G2、第七控制信号G7、第八控制信号G8可以是一组同步信号，第九控制信号G9、第十控制信号G10可以是一组同步信号，且该两组同步信号彼此互补，从而使对应的两组MOSFET的启闭互补；第三控制信号G3、第四控制信号G4、第五控制信号G5、第六控制信号G6可以是一组同步信号，第十一控制信号G11、第十二控制信号G12可以是一组同步信号，且该两组同步信号彼此互补，从而使对应的两组MOSFET的启闭互补。
根据图2，在逆变器的输出电压为正的半个周期内，可以持续开通第十一、第十二MOSFET开关。第一、第二、第七、第八MOSFET开关可以同步交替启闭，且与第九、第十MOSFET开关的启闭互补。
在逆变器的输出电压为负的半个周期内，可以持续开通第九、第十MOSFET开关。第三、第四、第五、第六MOSFET开关可以同步交替启闭，且与第十一、第十二MOSFET开关的启闭互补。由于逆变器的输出是交流电，以上所述逆变器输出电压为正或为负，谨为区别输出电压过零点前后的各半个周期，本发明并不以此为限。
在控制器发出不同的开关启闭组合时，逆变器工作于不同的工作模态，如图3A-10C所示。
参照图3A，于第一工作模态中，可以先导通第一MOSFET开关S1和第七MOSFET开关S7，此时，电流通过第一MOSFET开关S1和第七MOSFET开关S7以及第二MOSFET开关S2的体二极管和第八MOSFET开关S8的体二极管和第一电感器La、第二电感器Lb。
参照图3B，第一MOSFET开关S1、第二MOSFET开关S2、第七MOSFET开关S7、第八MOSFET开关S8均开通后，电流通过第一MOSFET开关S1、第二MOSFET开关S2、第七MOSFET开关S7和第八MOSFET开关S8、第一电感器La和第二电感器Lb。其中第二MOSFET开关S2和第八MOSFET开关S8晶体管形成自然换流，为自然软开通。
参照图3C，第二MOSFET开关S2和第八MOSFET开关S8晶体管早于第一MOSFET开关S1和第七MOSFET开关S7关断，为自然软关断。
参照图4A，于第二工作模态中，第一桥臂110和第二桥臂120的所有MOSFET开关均处于关断状态。由于此时第九MOSFET开关S9、第十MOSFET开关S10未开通，电流iL通过第一电感器La、第二电感器Lb、第十一MOSFET开关S11、第十二MOSFET开关S12与第五二极管D5续流形成第一续流路径。
参照图4B，先开通第九MOSFET开关S9、后开通第十MOSFET开关S10，此时电流iL通过第九MOSFET开关S9、第十MOSFET开关S10、第十一MOSFET开关S11、第十二MOSFET开关S12、第一电感器La、第二电感器Lb。其中第九MOSFET开关S9、第十MOSFET开关S10与第五二极管D5形成自然换流，为自然软开通。
参照图4C，先关断第十MOSFET开关S10，后关断第九MOSFET开关S9，电流iL通过第五二极管D5、第十一MOSFET开关S11、第十二MOSFET开关S12续流。其中第九MOSFET开关S9、第十MOSFET开关S10与第五二极管D5形成自然换流，为自然软关断。
参照图5A，于第三工作模态中，可以开通第九MOSFET开关S9，电流iL通过第九MOSFET开关S9、第十MOSFET开关S10的体二极管、第十一MOSFET开关S11以及第十二MOSFET开关S12。
参照图5B，此时开通第十MOSFET开关S10，其晶体管内部形成自然换流，因此这次开关过程为自然软开通。电流iL通过第九MOSFET开关S9、第十MOSFET开关S10、第十一MOSFET开关S11以及第十二MOSFET开关S12。
参照图5C，关断第十MOSFET开关S10时，其开关管内部形成自然换流，因此这次开关过程为自然软关断。
参照图6A，于第四工作模态中，此时关断第九MOSFET开关S9，第一电感器La、第二电感器Lb的电流iL通过第一二极管D1和第四二极管D4续流，第一电感器La、第二电感器Lb、第一二极管D1和第四二极管D4形成第二续流路径。
参照图6B，先开通第一MOSFET开关S1和第七MOSFET开关S7、后开通第二MOSFET开关S2和第八MOSFET开关S8，电流iL通过第一MOSFET开关S1、第二MOSFET开关S2、第七MOSFET开关S7和第八MOSFET开关S8、第一电感器La和第二电感器Lb。其中第一MOSFET开关S1、第二MOSFET开关S2与第一二极管D1为形成自然换流，第七MOSFET开关S7、第八MOSFET开关S8与第四二极管D4形成自然换流，均为自然软开通。
在图6C中，可以先关断第二MOSFET开关S2和第八MOSFET开关S8，再关断第一MOSFET开关S1和第七MOSFET开关S7，其分别与对应的第一二极管D1以及第四二极管D4自然换流，因此是一个软关断过程。
如图7A-7C所示，于第五工作模态中，各开关动作可以对比参考图3A-3B中的开关动作，不再赘述。
如图8A-8C所示，于第六工作模态中，在第三MOSFET开关S3、第四MOSFET开关S4、第五MOSFET开关S5、第六MOSFET开关S6关断后，于第十一MOSFET开关S11、第十二MOSFET开关S12未开通时，第一电感器La、第二电感器Lb、第九MOSFET开关S9、第十MOSFET开关S10与第六二极管D6形成第三续流路径。各开关动作可以对比参考图4A-4C中的各开关动作，不再赘述。
如图9A-9C所示，于第七工作模态中，各开关动作可以对比参考图5A-5B中的各开关动作，不再赘述。
如图10A-10C所示，于第八工作模态中，在第十一MOSFET开关S11、第十二MOSFET开关S12关断后，于第三MOSFET开关S3、第四MOSFET开关S4、第五MOSFET开关S5、第六MOSFET开关S6未开通时，第一电感器La、第二电感器Lb的电感电流iL通过第二二极管D2与第三二极管D3续流，第一电感器La、第二电感器Lb、第二二极管D2与第三二极管D3形成第四续流路径。各开关动作可以对比参考图6A-6C中的各开关动作，不再赘述。
综上所述，本发明的逆变器通过电路设计，实现了全MOSFET的逆变桥的搭建，通过增加第三桥臂，完善电感电流的续流路径，使逆变桥同时具有无功和有功传输能力，并通过外加二极管，可以实现大部分开关管的软开关动作，有效减少应用MOSFET时的开关损耗。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由权利要求指出。

Claims (10)

1.一种逆变器，其特征在于，包括：
第一桥臂，电性耦接所述逆变器的第一输入端和第二输入端，所述第一桥臂包括第一MOSFET开关、第二MOSFET开关、第三MOSFET开关和第四MOSFET开关，所述第二、第三MOSFET开关之间的连接点作为第一节点；
第二桥臂，并联所述第一桥臂，所述第二桥臂包括第五MOSFET开关、第六MOSFET开关、第七MOSFET开关和第八MOSFET开关，所述第六、第七MOSFET开关之间的连接点作为第二节点；以及
第三桥臂，电性耦接于所述第一节点和所述第二节点之间，所述第三桥臂包括第九MOSFET开关、第十MOSFET开关、第十一MOSFET开关和第十二MOSFET开关；
第一二极管，与反向串联的所述第一、第二MOSFET开关并联；
第二二极管，与反向串联的所述第三、第四MOSFET开关并联；
第三二极管，与反向串联的所述第五、第六MOSFET开关并联；
第四二极管，与反向串联的所述第七、第八MOSFET开关并联；
第五二极管，与反向串联的所述第九、第十MOSFET开关并联；
第六二极管，与反向串联的所述第十一、第十二MOSFET开关并联，并与所述第五二极管反向串联；
第一电感器，其中所述第一电感器电性耦接于所述第一节点和逆变器的第一输出端；以及
第二电感器，其中所述第二电感器电性耦接于所述第二节点和逆变器的第二输出端；
其中所述第一、第三、第五、第七、第九和第十二MOSFET开关为高压MOSFET，以及所述第二、第四、第六、第八、第十和第十一MOSFET开关为低压MOSFET；以及
所述逆变器配置为执行以下操作：
同步启闭所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关，并控制所述第九、第十MOSFET开关的启闭与所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关的启闭互补；以及
同步启闭所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关，并控制所述第十一、第十二MOSFET开关的启闭与所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关的启闭互补；
当同步开通所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关时，使所述第一、第七MOSFET开关早于所述第二、第八MOSFET开关开通，且同步关断所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关时，使所述第一、第七MOSFET开关晚于所述第二、第八MOSFET开关关断，使所述第二、第八MOSFET开关实现软开关；以及
当同步开通所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关时，使所述第三、第五MOSFET开关早于所述第四、第六MOSFET开关开通，且同步关断所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关时，使所述第三、第五MOSFET开关晚于所述第四、第六MOSFET开关关断，使所述第四、第六MOSFET开关实现软开关。
2.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，还包括：电磁干扰滤波器，其中所述电磁干扰滤波器耦接于所述第一电感器、第二电感器与所述第一输出端、第二输出端之间。
3.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，还包括：控制器，用于生成控制信号控制所述第一至第十二MOSFET开关的开通和关断。
4.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，所述逆变器的第一输入端和第二输入端电性耦接于光伏面板。
5.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，于一工作模态下，所述第十一MOSFET开关、第十二MOSFET开关、第五二极管、第一电感器以及第二电感器形成第一续流路径。
6.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，于一工作模态下，所述第一二极管、第四二极管、第一电感器以及第二电感器形成第二续流路径。
7.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，于一工作模态下，所述第九MOSFET开关、第十MOSFET开关、第六二极管、第一电感器以及第二电感器形成第三续流路径。
8.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，于一工作模态下，所述第二二极管、第三二极管、第一电感器以及第二电感器形成第四续流路径。
9.一种控制方法，用于控制如权利要求1所述的逆变器，该控制方法包括：
同步启闭所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关，并控制所述第九、第十MOSFET开关的启闭与所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关的启闭互补；以及
同步启闭所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关，并控制所述第十一、第十二MOSFET开关的启闭与所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关的启闭互补；
在同步开通所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关时，使所述第一、第七MOSFET开关早于所述第二、第八MOSFET开关开通，且同步关断所述第一、第二、第七、第八MOSFET开关时，使所述第一、第七MOSFET开关晚于所述第二、第八MOSFET开关关断，使所述第二、第八MOSFET开关实现软开关；
在同步开通所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关时，使所述第三、第五MOSFET开关早于所述第四、第六MOSFET开关开通，且同步关断所述第三、第四、第五、第六MOSFET开关时，使所述第三、第五MOSFET开关晚于所述第四、第六MOSFET开关关断，使所述第四、第六MOSFET开关实现软开关。
10.根据权利要求9所述的控制方法，其特征在于，该控制方法还包括：
在所述逆变器的输出电压为正的半个周期内，持续开通所述第十一、第十二MOSFET开关；
在所述逆变器的输出电压为负的半个周期内，持续开通所述第九、第十MOSFET开关。
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