一种微波变频电路及微波变频器
技术领域
本发明实施例属于微波技术领域,尤其涉及一种微波变频电路及微波变频器。
背景技术
随着微波技术的迅速发展,通过微波变频器来实现微波信号处理的电子产品也越来越多。然而,目前常见的微波变频器通常只能用来接收一颗卫星所提供的微波信号,少部分可以实现接收两颗及以上卫星的微波信号的微波变频器结构复杂,外围布线较多,容易造成元器件间信号窜扰严重且稳定性差。
发明内容
本发明实施例提供一种微波变频电路及微波变频器,旨在解决目前常见的微波变频器通常只能用来接收一颗卫星所提供的微波信号,少部分可以实现接收两颗及以上卫星的微波信号的微波变频器结构复杂,外围布线较多,容易造成元器件间信号窜扰严重且稳定性差的问题。
本发明实施例一方面提供一种微波变频电路,其包括第一射频放大模块、第二射频放大模块、第一混频模块、第二混频模块、切换模块、第一中低频放大模块、第二中低频放大模块和供电模块;
所述第一射频放大模块接入第一卫星的第一水平极化信号和第一垂直极化信号并与所述第一混频模块连接,所述第二射频放大模块接入第二卫星的第二水平极化信号和第二垂直极化信号并与所述第二混频模块连接,所述第一混频模块分别与所述切换模块和所述第一中低频放大模块连接,所述第二混频模块分别与所述切换模块和所述第二中低频放大模块连接,所述供电模块分别与所述第一射频放大模块、所述第二射频放大模块、所述第一混频模块、所述第二混频模块、所述第一中低频放大模块和所述第二中低频放大模块连接,所述切换模块、所述第一中低频放大模块、所述第二中低频放大模块和所述供电模块均与接收机连接;
所述第一射频放大模块受所述第一混频模块控制,接入所述第一水平极化信号或所述第一垂直极化信号并进行放大后输出给所述第一混频模块;所述第一混频模块受所述接收机控制对放大后的所述第一水平极化信号或放大后的所述第一垂直极化信号进行处理得到第一中低频信号和第二中低频信号;所述第一中低频放大模块对所述第一中低频信号和所述第二中低频信号进行放大;
所述第二射频放大模块受所述第二混频模块控制,接入所述第二水平极化信号或所述第二垂直极化信号并进行放大后输出给所述第二混频模块;所述第二混频模块受所述接收机控制对放大后的所述第二水平极化信号或放大后的所述第二垂直极化信号进行处理得到第三中低频信号和第四中低频信号;所述第二中低频放大模块对所述第三中低频信号和所述第四中低频信号进行放大;
所述切换模块受所述接收机控制,将放大后的所述第一中低频信号和放大后的所述第二中低频信号输出至所述接收机,或者,将放大后的所述第三中低频信号和放大后的所述第四中低频信号输出至所述接收机;所述供电模块获取所述接收机提供的电能并进行稳压和降压处理后为与其连接的各模块供电。
在一个实施例中,所述第一射频放大模块包括第一射频放大单元和第二射频放大单元,所述第二射频放大模块包括第三射频放大单元和第四射频放大单元;
所述第一射频放大单元接入所述第一水平极化信号并分别与所述第一混频模块和所述供电模块连接,所述第二射频放大单元接入所述第一垂直极化信号并分别与所述第一混频模块和所述供电模块连接,所述第三射频放大单元接入所述第二水平极化信号并分别与所述第二混频模块和所述供电模块连接,所述第四射频放大单元接入所述第二垂直极化信号并分别与所述第二混频模块和所述供电模块连接;
所述第一射频放大单元对所述第一水平极化信号进行放大后输出至所述第一混频模块,所述第二射频放大单元对所述第一垂直极化信号进行放大后输出至所述第一混频模块,所述第三射频放大单元对所述第二水平极化信号进行放大后输出至所述第二混频模块,所述第四射频放大单元对所述第二垂直极化信号进行放大后输出至所述第二混频模块。
在一个实施例中,所述第一射频放大单元包括依次连接的第一放大子单元、第二放大子单元和第三放大子单元,所述第二射频放大单元包括依次连接的第四放大子单元、第五放大子单元和第六放大子单元,所述第三射频放大单元包括依次连接的第七放大子单元、第八放大子单元和第九放大子单元,所述第四射频放大单元包括依次连接的第十放大子单元、第十一放大子单元和第十二放大子单元;
所述第一放大子单元的输入端和输出端分别接所述第一水平极化信号和所述第二放大子单元的输入端,所述第一放大子单元的第一电源端和第二电源端均接所述供电模块,所述第二放大子单元的输出端接所述第三放大子单元的输入端,所述第二放大子单元的第一电源端和第二电源端均接所述供电模块,所述第三放大子单元的第一受控端、第二受控端和输出端均与所述第一混频模块连接;
所述第四放大子单元的输入端和输出端分别接所述第一垂直极化信号和所述第五放大子单元的输入端,所述第四放大子单元的第一电源端和第二电源端均接所述供电模块,所述第五放大子单元的输出端接所述第六放大子单元的输入端,所述第五放大子单元的第一电源端和第二电源端均接所述供电模块,所述第六放大子单元的第一受控端、第二受控端和输出端均与所述第一混频模块连接;
所述第七放大子单元的输入端和输出端分别接所述第二水平极化信号和所述第八放大子单元的输入端,所述第七放大子单元的第一电源端和第二电源端均接所述供电模块,所述第八放大子单元的输出端接所述第九放大子单元的输入端,所述第八放大子单元的第一电源端和第二电源端均接所述供电模块,所述第九放大子单元的第一受控端、第二受控端和输出端均与所述第二混频模块连接,所述第九放大子单元的电源端接所述供电模块;
所述第十放大子单元的输入端和输出端电源端分别接所述第二垂直极化信号和所述第十一放大子单元的输入端,所述第十放大子单元的第一电源端和第二电源端均接所述供电模块,所述第十一放大子单元的输出端接所述第十二放大子单元的输入端,所述第十一放大子单元的第一电源端和第二电源端均接所述供电模块,所述第十二放大子单元的第一受控端、第二受控端和输出端均与所述第二混频模块连接。
在一个实施例中,所述第一射频放大单元还包括第一滤波子单元和第二滤波子单元,所述第二射频放大单元还包括第三滤波子单元和第四滤波子单元,第三射频放大单元还包括第五滤波子单元和第六滤波子单元,第四射频放大单元还包括第七滤波子单元和第八滤波子单元;
所述第一滤波子单元连接在所述第一放大子单元的输出端和所述第二放大子单元的输入端之间,所述第二滤波子单元连接在所述第二放大子单元的输出端和所述第三放大子单元的输入端之间;
所述第三滤波子单元连接在所述第四放大子单元的输出端和所述第五放大子单元的输入端之间,所述第四滤波子单元连接在所述第五放大子单元的输出端和所述第六放大子单元的输入端之间;
所述第五滤波子单元连接在所述第七放大子单元的输出端和所述第八放大子单元的输入端之间,所述第六滤波子单元连接在所述第八放大子单元的输出端和所述第九放大子单元的输入端之间;
所述第七滤波子单元连接在所述第十放大子单元的输出端和所述第十一放大子单元的输入端之间,所述第八滤波子单元连接在所述第十一放大子单元的输出端和所述第十二放大子单元的输入端之间。
在一个实施例中,所述第一混频模块包括第一混频单元和第一起振单元,所述第二混频模块包括第二混频单元和第二起振单元;
所述第一混频单元的第一射频输入端、第二射频输入端、第一控制端、第二控制端、第三控制端、第四控制端均与所述第一射频放大模块连接,所述第一混频单元的第一受控端和第二受控端均与所述切换模块和所述接收机连接,所述第一混频单元的第一输出端、第二输出端和电源端分别与所述第一中低频放大模块、所述第二中低频放大模块和所述供电模块一一对应连接,所述第一混频单元的起振输入端和起振控制端分别与所述第一起振单元的起振输出端和起振受控端一一对应连接;
所述第二混频单元的第一射频输入端、第二射频输入端、第一控制端、第二控制端、第三控制端、第四控制端均与所述第二射频放大模块连接,所述第二混频单元的第一受控端和第二受控端均与所述切换模块和所述接收机连接,所述第二混频单元的第一输出端、第二输出端和电源端分别与所述第一中低频放大模块、所述第二中低频放大模块和所述供电模块一一对应连接,所述第二混频单元的起振输入端和起振控制端分别与所述第二起振单元的起振输出端和起振受控端一一对应连接。
在一个实施例中,所述第一混频单元包括第一混频芯片,所述第二混频单元包括第二混频芯片,所述第一起振单元包括第一晶振,所述第二起振单元包括第二晶振;
所述第一混频芯片的第一射频输入端、第二射频输入端、第一控制端、第二控制端、第三控制端、第四控制端、第一受控端、第二受控端、第一输出端、第二输出端、电源端、起振输入端和起振控制端分别为所述第一混频单元的第一射频输入端、第二射频输入端、第一控制端、第二控制端、第三控制端、第四控制端、第一受控端、第二受控端、第一输出端、第二输出端、电源端、起振输入端和起振控制端;
所述第二混频芯片的第一射频输入端、第二射频输入端、第一控制端、第二控制端、第三控制端、第四控制端、第一受控端、第二受控端、第一输出端、第二输出端、电源端、起振输入端和起振控制端分别为所述第二混频单元的第一射频输入端、第二射频输入端、第一控制端、第二控制端、第三控制端、第四控制端、第一受控端、第二受控端、第一输出端、第二输出端、电源端、起振输入端和起振控制端;
所述第一晶振的输入端和受控端分别为所述第一起振单元的起振输出端和起振受控端,所述第二晶振的输入端和受控端分别为所述第二起振单元的起振输出端和起振受控端。
在一个实施例中,所述切换模块包括第一切换单元、第二切换单元、第一放大单元、第二放大单元、第三放大单元和第四放大单元;
所述第一切换单元的控制端与所述第一混频模块的第一受控端和所述第二混频模块的第一受控端连接,所述第一切换单元的触发信号端和电源端分别与所述第一放大单元的输出端和所述第二放大单元的输出端一一对应连接,所述第一放大单元的输入端和所述第二放大单元的输入端均接所述接收机;
所述第二切换单元的控制端与所述第一混频模块的第二受控端和所述第二混频模块的第二受控端连接,所述第二切换单元的触发信号端和电源端分别与所述第三放大单元的输出端和所述第四放大单元的输出端一一对应连接,所述第三放大单元的输入端和所述第四放大单元的输入端均接所述接收机。
在一个实施例中,所述第一切换单元包括第一切换芯片、所述第二切换单元包括第二切换芯片、所述第一放大单元包括第一三极管、所述第二放大单元包括第二三极管、第三放大单元包括第三三极管、第四放大单元包括第四三极管;
所述第一切换芯片的控制端、触发信号端和电源端分别为所述第一切换单元的控制端、触发信号端和电源端,所述第二切换芯片的控制端、触发信号端和电源端分别为所述第二切换单元的控制端、触发信号端和电源端,所述第一三极管的输入端和输出端分别为所述第一放大单元的输入端和输出端,所述第二三极管的输入端和输出端分别为所述第二放大单元的输入端和输出端,所述第三三极管的输入端和输出端分别为所述第三放大单元的输入端和输出端,所述第四三极管的输入端和输出端分别为所述第四放大单元的输入端和输出端。
在一个实施例中,所述供电模块包括第一稳压单元、第二稳压单元、第一降压单元和第二降压单元;
所述第一稳压单元的输入端和所述第二稳压单元的输入端均接所述接收机,所述第一稳压单元的第一输出端和所述第二稳压单元的第一输出端共接后接所述第一降压单元的电源端和所述第二混频模块,所述第一稳压单元的第二输出端和所述第二稳压单元的第二输出端共接后接所述第二降压单元的电源端和所述第一混频模块,所述第一降压单元的输出端与所述第一射频放大模块连接,所述第二降压单元的输出端与所述第二射频放大模块连接。
本发明实施例另一方面提供一种微波变频器,其包括上述的微波变频电路。
本发明实施例通过高度集成的第一混频模块和第二混频模块分别连接第一射频放大模块和第二射频放大模块、切换模块、第一中低频放大模块、第二中低频放大模块和供电模块,构成能够接收两颗卫星发射的微波信号的双输出电路,能够实现对两颗卫星发射的微波信号的接收和混频处理,并根据需要选择对两颗卫星中任一颗卫星发射的信号进行双端口输出,电路结构简单,外围电路少,可以有效减少电子元器件间的干扰。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的一个实施例提供的微波变频电路的结构框图;
图2是本发明的一个实施例提供的第一射频放大模块和第二射频放大模块的具体结构框图;
图3是本发明的一个实施例提供的第一射频放大模块和第二射频放大模块的电路结构示意图;
图4是本发明的一个实施例提供的第一混频模块和第二混频模块的具体结构框图;
图5是本发明的一个实施例提供的第一混频模块和第二混频模块的电路结构示意图;
图6是本发明的一个实施例提供的切换模块的具体结构框图;
图7是本发明的一个实施例提供的切换模块的电路结构示意图;
图8是本发明的一个实施例提供的供电模块的具体结构框图;
图9是本发明的一个实施例提供的第一中低频放大模块、第二中低频放大模块、第一稳压单元和第二稳压单元的电路结构示意图;
图10是本发明的一个实施例提供的第一降压单元和第二降压单元的电路结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含一系列步骤或单元的过程、方法或系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外,术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同对象,而非用于描述特定顺序。
如图1所示,本发明的一个实施例提供一种微波变频电路100,其包括第一射频放大模块10、第二射频放大模块20、第一混频模块30、第二混频模块40、切换模块50、第一中低频放大模块60、第二中低频放大模块70和供电模块80。
在具体应用中,第一射频放大模块和第二射频放大模块可以为相同或不同的器件,可以选用任意的具有射频放大功能的器件或电路来实现。
在具体应用中,第一混频模块和第二混频模块可以为相同或不同的器件,可以选用任意的具有射频放大功能的器件或电路来实现。
在具体应用中,切换模块具体可以包括切换芯片,用于对两个混频模块输出的信号进行切换选择,择一输出其中一个混频模块输出的信号至接收机。
在具体应用中,供电模块可以是任意能够将接收机提供的电源信号转换为适于其连接的各模块的工作电压大小的供电信号的器件或电路。
在具体应用中,第一中低频放大模块和第二中低频放大模块可以为相同或不同的器件,可以选用任意的具有中低频信号放大功能的器件或电路来实现。
本实施例所提供的微波变频电路100中各模块的连接关系为:
第一射频放大模块10接入第一卫星的第一水平极化信号和第一垂直极化信号并与第一混频模块30连接;
第二射频放大模块20接入第二卫星的第二水平极化信号和第二垂直极化信号并与第二混频模块40连接;
第一混频模块30分别与切换模块50和第一中低频放大模块60连接;
第二混频模块40分别与切换模块50和第二中低频放大模块70连接;
供电模块80分别与第一射频放大模块10、第二射频放大模块20、第一混频模块30、第二混频模块40、第一中低频放大模块60和第二中低频放大模块70连接,切换模块50、第一中低频放大模块60、第二中低频放大模块70和供电模块80均与接收机连接。
本实施例所提供的微波变频电路100中各模块的工作原理为:
第一射频放大模块10受第一混频模块30控制,接入第一水平极化信号或第一垂直极化信号并进行放大后输出给第一混频模块30。
在具体应用中,第一混频模块获取接收机输出的13V或18V电压信号,来对第一射频放大模块接入的第一卫星的水平极化信号或垂直极化信号进行切换控制,实现对第一卫星的Ku波段信号的全频带接收。
第一混频模块30受接收机控制对放大后的第一水平极化信号或放大后的第一垂直极化信号进行处理得到第一中低频信号和第二中低频信号。
在具体应用中,第一混频模块获取接收机输出的频率为0KHZ或22KHZ的脉冲信号,来分别选择低频本振信号或高频本振信号与放大后的第一水平极化信号或放大后的第一垂直极化信号进行混频,得到与放大后的第一水平极化信号或放大后的第一垂直极化信号对应的中低频信号,然后将中低频信号分为两路信号(即第一中低频信号和第二中低频信号),然后分别输出。
第一中低频放大模块60对第一中低频信号和第二中低频信号进行放大。
第二射频放大模块20受第二混频模块40控制,接入第二水平极化信号或第二垂直极化信号并进行放大后输出给第二混频模块40。
在具体应用中,第二混频模块获取接收机输出的13V或18V电压信号,来对第二射频放大模块接入的第二卫星的水平极化信号或垂直极化信号进行切换控制,实现对第二卫星的Ku波段信号的全频带接收。
第二混频模块40受接收机控制对放大后的第二水平极化信号或放大后的第二垂直极化信号进行处理得到第三中低频信号和第四中低频信号。
在具体应用中,第二混频模块获取接收机输出的频率为0KHZ或22KHZ的脉冲信号,来分别选择低频本振信号或高频本振信号与放大后的第二水平极化信号或放大后的第二垂直极化信号进行混频,得到与放大后的第二水平极化信号或放大后的第二垂直极化信号对应的中低频信号,然后将中低频信号分为两路信号(即第三中低频信号和第四中低频信号),然后分别输出。
第二中低频放大模块70对第三中低频信号和第四中低频信号进行放大。
切换模块50受接收机控制,将放大后的第一中低频信号和放大后的第二中低频信号输出至接收机,或者,将放大后的第三中低频信号和放大后的第四中低频信号输出至接收机。
在具体应用中,切换模块受接收机输出的13V/18V电压信号的控制,选择性的输出与第一卫星对应的放大后的第一中低频信号和放大后的第二中低频信号至接收机,或者,输出与第二卫星对应的放大后的第三中低频信号和放大后的第四中低频信号至接收机。
供电模块80获取接收机提供的电能并进行稳压和降压处理后为与其连接的各模块供电。
本实施例通过高度集成的第一混频模块和第二混频模块分别连接第一射频放大模块和第二射频放大模块、切换模块、第一中低频放大模块、第二中低频放大模块和供电模块,构成能够接收两颗卫星发射的微波信号的双输出电路,能够实现对两颗卫星发射的微波信号的接收和混频处理,并根据需要选择对两颗卫星中任一颗卫星发射的信号进行双端口输出,电路结构简单,外围电路少,可以有效减少电子元器件间的干扰。
如图2所示,第一射频放大模块10包括第一射频放大单元11和第二射频放大单元12,第二射频放大模块20包括第三射频放大单元21和第四射频放大单元22。
本实施例所提供的第一射频放大模块10和第二射频放大模块20中各单元与其他器件之间的连接关系为:
第一射频放大单元11接入第一水平极化信号并分别与第一混频模块30和供电模块80连接,第二射频放大单元12接入第一垂直极化信号并分别与第一混频模块30和供电模块80连接,第三射频放大单元21接入第二水平极化信号并分别与第二混频模块40和供电模块80连接,第四射频放大单元22接入第二垂直极化信号并分别与第二混频模块40和供电模块80连接。
本实施例所提供的第一射频放大模块10和第二射频放大模块20中各单元的工作原理为:
第一射频放大单元11对第一水平极化信号进行放大后输出至第一混频模块30,第二射频放大单元12对第一垂直极化信号进行放大后输出至第一混频模块30,第三射频放大单元21对第二水平极化信号进行放大后输出至第二混频模块40,第四射频放大单元22对第二垂直极化信号进行放大后输出至第二混频模块40。
如图2所示,在本实施例中,第一射频放大单元11包括依次连接的第一放大子单元111、第二放大子单元112和第三放大子单元113,第二射频放大单元12包括依次连接的第四放大子单元121、第五放大子单元122和第六放大子单元123,第三射频放大单元21包括依次连接的第七放大子单元211、第八放大子单元212和第九放大子单元213,第四射频放大单元22包括依次连接的第十放大子单元221、第十一放大子单元222和第十二放大子单元223。
在具体应用中,各放大子单元具体可以通过晶体管、三极管、放大器等放大器件来实现。
本实施例所提供的第一射频放大单元11、第二射频放大单元12、第三射频放大单元21和第四射频放大单元22中各子单元与其他器件之间的连接关系为:
第一放大子单元111的输入端A1和输出端分别接第一水平极化信号和第二放大子单元112的输入端,第一放大子单元111的第一电源端a和第二电源端b均接供电模块80,第二放大子单元112的输出端接第三放大子单元113的输入端,第二放大子单元112的第一电源端c和第二电源端d均接供电模块80,第三放大子单元113的第一受控端A2、第二受控端A3和输出端A4均与第一混频模块30连接。
第四放大子单元121的输入端B1和输出端分别接第一垂直极化信号、第五放大子单元122的输入端,第四放大子单元121的第一电源端e和第二电源端f均接供电模块80,第五放大子单元212的输出端接第六放大子单元123的输入端,第五放大子单元122的第一电源端g和第二电源端h均接供电模块80,第六放大子单元123的第一受控端B2、第二受控端B3和输出端B4均与第一混频模块30连接。
第七放大子单元211的输入端C1和输出端电源端分别接第二水平极化信号和第八放大子单元212的输入端,第七放大子单元211的第一电源端A和第二电源端B均接供电模块80,第八放大子单元212的输出端接第九放大子单元213的输入端,第八放大子单元213的第一电源端C和第二电源端D均供电模块80,第九放大子单元213的第一受控端C1、第二受控端C2和输出端C3均与第二混频模块40连接。
第十放大子单元221的输入端D1和输出端分别接第二垂直极化信号和第十一放大子单元222的输入端,第十放大子单元221的第一电源端E和第二电源端F均接供电模块80,第十一放大子单元222的输出端接第十二放大子单元223的输入端,第十一放大子单元222的第一电源端G和第二电源端H均接供电模块80,第十二放大子单元223的第一受控端D2、第二受控端D3和输出端D4均与第二混频模块40连接。
如图2所示,在本实施例中,第一射频放大单元11还包括第一滤波子单元114和第二滤波子单元115,第二射频放大单元12还包括第三滤波子单元124和第四滤波子单元125,第三射频放大单元13还包括第五滤波子单元214和第六滤波子单元215,第四射频放大单元14还包括第七滤波子单元224和第八滤波子单元225。
在具体应用中,各滤波子单元可以选用任意的具有滤波作用的器件,例如,电容、电感或电容、电感的组合。
第一滤波子单元114连接在第一放大子单元111的输出端和第二放大子单元112的输入端112之间,第二滤波子单元115连接在第二放大子单元112的输出端和第三放大子单元113的输入端之间;
第三滤波子单元124连接在第四放大子单元121的输出端和第五放大子单元122的输入端之间,第四滤波子单元125连接在第五放大子单元122的输出端和第六放大子单元123的输入端之间;
第五滤波子单元214连接在第七放大子单元211的输出端和第八放大子单元212的输入端之间,第六滤波子单元215连接在第八放大子单元212的输出端和第九放大子单元213的输入端之间;
第七滤波子单元224连接在第十放大子单元221的输出端和第十一放大子单元222的输入端之间,第八滤波子单元225连接在第十一放大子单元222的输出端和第十二放大子单元223的输入端之间。
如图3所示,在本发明的一个实施例中,第一放大子单元111包括第一电阻R1、第一电容C1、第一P型MOS管Q1、第二电阻R2、第二电容C2;
第二放大子单元112包括第三电阻R3、第三电容C3、第二P型MOS管Q2、第四电阻R4和第四电容C4;
第三放大子单元113包括第五电阻R5、第五电容C5、第三P型MOS管Q3、第六电阻R6和第六电容C6;
第四放大子单元121包括第七电阻R7、第七电容C7、第四P型MOS管Q4、第八电阻R8和第八电容C8;
第五放大子单元122包括第九电阻R9、第九电容C9、第五P型MOS管Q5、第十电阻R10和第十电容C10;
第六放大子单元123包括第十一电阻R11、第十一电容C11、第六P型MOS管Q6、第十二电阻R12和第十二电容C12;
第七放大子单元211包括第十三电阻R13、第十三电容C13、第七P型MOS管Q7、第十四电阻R14和第十四电容C14;
第八放大子单元212包括第十五电阻R15、第十五电容C15、第八P型MOS管Q8、第十六电阻R16和第十六电容C16;
第九放大子单元213包括第十七电阻R17、第十七电容C17、第九P型MOS管Q9、第十八电阻R18和第十八电容C18;
第十放大子单元221包括第十九电阻R19、第十九电容C19、第十P型MOS管Q10、第二十电阻R20和第二十电容C20;
第十一放大子单元222包括第二十一电阻R21、第二十一电容C21、第十一P型MOS管Q11、第二十二电阻R22和第二十二电容C22;
第十二放大子单元223包括第二十三电阻R23、第二十三电容C23、第十二P型MOS管Q12、第二十四电阻R24和第二十四电容C24。
第一射频放大单元11中各器件的连接关系为:
第一电阻R1的一端与第一P型MOS管的栅极共接构成第一放大子单元111的输入端A1,第一电阻R1的另一端和第一电容C1的一端共接构成第一放大子单元111的第一电源端a,第一电容C1的另一端接地,第一P型MOS管Q1的漏极接地,第一P型MOS管Q1的源极与第二电阻R2的一端共接构成第一放大子单元111的输出端,第二电阻R2的另一端与第二电容C2的一端共接构成第一放大子单元111的第二电源端b,第二电容C2的另一端接地;
第三电阻R3的一端与第二P型MOS管Q2的栅极共接构成第二放大子单元112的输入端,第三电阻R3的另一端与第三电容C3的一端共接构成第二放大子单元的第一电源端c,第三电容C3的另一端接地,第二P型MOS管的漏极接地,第二P型MOS管的源极与第四电阻R4的一端共接构成第二放大子单元112的输出端,第4电阻R4的另一端和第四电容C4的一端共接构成第二放大子单元112的第二电源端d,第四电容C4的另一端接地;
第五电阻R5的一端和第三P型MOS管Q3的栅极共接构成第三放大子单元113的输入端,第五电阻R5的另一端与第五电容C5的一端共接构成第三放大子单元113的第一受控端A2,第五电容C5的另一端接地,第三P型MOS管Q3的源极接地,第三P型MOS管Q3的漏极与第六电阻R6的一端共接构成第三放大子单元113的第二受控端A3,第六电阻R6的另一端与第六电容C6的一端共接构成第三放大子单元113的输出端,第六电容C6的另一端接地。
第二射频放大单元12、第三射频放大单元21和第四射频放大单元22中各器件的电路连接关系均与第一射频放大单元11中相同,本实施例中不再赘述。
如图3所示,在本实施例中,第一滤波子单元114包括并联后连接在第一放大子单元111和第二放大子单元112之间的第二十五电容C25和第二十六电容C26,第二滤波子单元115包括并联后连接在第二放大子单元112和第三放大子单元113之间的第二十七电容C27和第二十八电容C28;
第三滤波子单元124包括并联后连接在第四放大子单元121和第五放大子单元122之间的第二十九电容C29和第三十电容C30,第四滤波子单元125包括并联后连接在第五放大子单元122和第六放大子单元123之间的第三十一电容C31和第三十二电容C32;
第五滤波子单元214包括并联后连接在第七放大子单元211和第八放大子单元212之间的第三十三电容C33和第三十四电容C34,第六滤波子单元215包括并联后连接在第八放大子单元212和第九放大子单元213之间的第三十五电容C35和第三十六电容C36;
第七滤波子单元224包括并联后连接在第十放大子单元221和第十一放大子单元222之间的第三十七电容C37和第三十八电容C38,第八滤波子单元224包括并联后连接在第十一放大子单元222和第十二放大子单元223之间的第三十九电容C39和第四十电容C40。
如图4所示,在本发明的一个实施例中,第一混频模块30包括第一混频单元31和第一起振单元32,第二混频模块40包括第二混频单元41和第二起振单元42。
本实施例提供的第一混频模块30和第二混频模块40中各单元与其他器件之间的连接关系为:
第一混频单元31的第一射频输入端A4、第二射频输入端B4、第一控制端A2、第二控制端A3、第三控制端B2、第四控制端B3均与第一射频放大模块10连接,第一混频单元31的第一受控端E1和第二受控端E2均与切换模块50和接收机连接,第一混频单元31的第一输出端E3、第二输出端E4和电源端E5分别与第一中低频放大模块60、第二中低频放大模块70和供电模块80一一对应连接,第一混频单元31的起振输入端和起振控制端分别与第一起振单元32的起振输出端和起振受控端一一对应连接。
第二混频单元41的第一射频输入端C4、第二射频输入端D4、第一控制端C2、第二控制端C3、第三控制端D2、第四控制端D3均与第二射频放大模块20连接,第二混频单元41的第一受控端F1和第二受控端F2均与切换模块50和接收机连接,第二混频单元41的第一输出端F3、第二输出端F4和电源端F5分别与第一中低频放大模块60、第二中低频放大模块70和供电模块80一一对应连接,第二混频单元41的起振输入端和起振控制端分别与第二起振单元42的起振输出端和起振受控端一一对应连接。
在具体应用中,第一混频单元和第二混频单元均包括RT320M型混频芯片,第一起振单元和第二起振单元均包括晶振频率为0~25MHZ的晶体振荡器。
如图5所示,在一个实施例中,第一混频单元31包括第一混频芯片U1,第二混频单元41包括第二混频芯片U2,第一起振单元32包括第一晶振,第二起振单元33包括第二晶振。
在本实施例中,第一混频芯片U1和第二混频芯片U均为2RT320M型混频芯片,第一晶振和第二晶振的晶振频率范围均为0~25MHZ。
第一混频芯片U1的第一射频输入端(1号引脚)、第二射频输入端(7号引脚)、第一控制端(2号引脚)、第二控制端(32号引脚)、第三控制端(8号引脚)、第四控制端(9号引脚)、第一受控端(23号引脚)、第二受控端(19号引脚)、第一输出端(25号引脚)、第二输出端(17号引脚)、电源端(20和22号引脚)、起振输入端(13号引脚)和起振控制端(14号引脚)分别为第一混频单元31的第一射频输入端A4、第二射频输入端B4、第一控制端A2、第二控制端A3、第三控制端B2、第四控制端B3、第一受控端E1、第二受控端E2、第一输出端E3、第二输出端E4、电源端E5、起振输入端和起振控制端。
第二混频芯片U2的第一射频输入端(1号引脚)、第二射频输入端(7号引脚)、第一控制端(2号引脚)、第二控制端(32号引脚)、第三控制端(8号引脚)、第四控制端(9号引脚)、第一受控端(23号引脚)、第二受控端(19号引脚)、第一输出端(25号引脚)、第二输出端(17号引脚)、电源端(20和22号引脚)、起振输入端(13号引脚)和起振控制端(14号引脚)分别为第二混频单元41的第一射频输入端C4、第二射频输入端D4、第一控制端C2、第二控制端C3、第三控制端D2、第四控制端D3、第一受控端F1、第二受控端F2、第一输出端F3、第二输出端F4、电源端F5、起振输入端和起振控制端。
第一晶振的输入端和受控端分别为第一起振单元32的起振输出端和起振受控端,第二晶振的输入端和受控端分别为第二起振单元42的起振输出端和起振受控端。
如图5所示,在本实施例中,第一混频单元31还包括第二十五电阻R25~第三十二电阻R32、第四十一电容C41~第四十八电容C48、第一二极管D1和第二二极管D2,第一起振单元32还包括第四十九电容C49和第五十电容C50;第二混频单元41还包括第三十三电阻R33~第四十电阻R40、第五十一电容C51~第五十八电容C58、第三二极管D3和第四二极管D4,第二起振单元42还包括第五十九电容C59和第六十电容C60。
第一混频芯片U1的各引脚的外围电路如下:
3号引脚通过第二十五电阻R25接地;
4号引脚通过第四十一电容C41接地;
5、6、11、12、29和30号引脚置空;
10号引脚接地;
15号引脚通过第四十二电容C42接地;
16和18号引脚接地;
17号引脚依次接第四十三电容C43和第一二极管D1;
19号引脚依次接第二十六电阻R26和第二十七电阻R27,第四十四电容C44连接在第二十七电阻R27的两端,第二十八电阻R28的一端连接在第二十六电阻R26和第二十七电阻R27之间、另一端接地;
20号和22号引脚共接;
21号引脚通过第四十五电容C45接地;
23号引脚依次接第二十九电阻R29和第三十电阻R30,第四十六电容C46连接在第二十九电阻R29的两端,第三十一电阻R31的一端C48接在第二十九电阻R29和第三十电阻R30之间、另一端接地;
24号引脚接地;
25号引脚依次接地四十七电容C47、第三十二电阻R32和第二二极管D2;
26号引脚和28号引脚接地;
27号引脚通过第四十八电容C48接地;
31号引脚接地。
第一晶振的起振输出端经第四十九电容C49接地,起振受控端经第五十电容C50接地,第二晶振的起振输出端经第五十九电容C59接地,起振受控端经第六十电容C60接地。
第二混频芯片U2的各引脚的外围电路与第一混频芯片U1的各引脚的外围电路相同,本实施例中不再赘述。
如图6所示,在本发明的一个实施例中,切换模块50包括第一切换单元51、第二切换单元52、第一放大单元53、第二放大单元54、第三放大单元55和第四放大单元56。
在具体应用中,第一切换单元和第二切换单元具体为DS4T153型开关切换芯片,第一放大单元、第二放大单元、、第三放大单元、和第四放大单元具体为LMBT3904DW1T1G型贴片三极管。
本实施例所提供的切换模块50中各单元与其他器件之间的连接关系为:
第一切换单元51的控制端G1与第一混频模块30的第一受控端E1和第二混频模块40的第一受控端F1连接,第一切换单元51的触发信号端和电源端分别与第一放大单元53的输出端和第二放大单元54的输出端一一对应连接,第一放大单元53的输入端G2和第二放大单元54的输入端G3均接接收机;
第二切换单元52的控制端H1与第一混频模块30的第二受控端E2和第二混频模块40的第二受控端F2连接,第二切换单元52的触发信号端和电源端分别与第三放大单元55的输出端和第四放大单元56的输出端一一对应连接,第三放大单元55的输入端F2和第四放大单元56的输入端F3均接接收机。
如图7所示,在本发明的一个实施例中,第一切换单元51包括第一切换芯片U3、第二切换单元52包括第二切换芯片U4、第一放大单元53包括第一三极管Q13、第二放大单元54包括第二三极管Q14、第三放大单元55包括第三三极管Q15、第四放大单元56包括第四三极管Q16。
在本实施例中,第一切换芯片和第二切换芯片具体为DS4T153型开关切换芯片,第一三极管至第四三极管具体为LMBT3904DW1T1G型贴片三极管。
第一切换芯片U3的控制端(1、2和8号引脚)、触发信号端(7号引脚)和电源端(5号引脚)分别为第一切换单元51的控制端G1、触发信号端和电源端,第二切换芯片U4的(1、2和8号引脚)、触发信号端(7号引脚)和电源端(5号引脚)分别为第二切换单元52的控制端H1、触发信号端和电源端,第一三极管Q13的输入端和输出端分别为第一放大单元53的输入端G2和输出端,第二三极管Q14的输入端和输出端分别为第二放大单元54的输入端G3和输出端,第三三极管Q15的输入端和输出端分别为第三放大单元55的输入端F2和输出端,第四三极管Q16的输入端和输出端分别为第四放大单元F3的输入端和输出端。
如图7所示,在本实施例中,第一切换单元51还包括第四十一电阻R41~第四十五电阻R45、第六十一电容C61~第六十三电容C63、第十三P型MOS管Q17、第五二极管D5和第六二极管D6;第一放大单元53还包括第四十六电阻R46和第四十七电阻R47;第二放大单元54还包括第四十八电阻R48和第四十九电阻R49;第二切换单元52还包括第五十电阻R50~第五十四电阻R54、第六十四电容C64~第六十六电容C66、第十四P型MOS管Q18、第七二极管D7和第八二极管D8,第三放大单元55包括第五十五电阻R55和第五十六电阻R56,第四放大单元56包括第五十七电阻R57和第五十八电阻R58。
如图7所示,在本实施例中,第一切换芯片U3各引脚的外围电路如下:
1号引脚、2号引脚、第四十一电阻R41的一端、第四十二电阻R42的一端、第四十三电阻R43的一端、第五二极管D5的输出端和第六十一电容C61的一端共接,第六十一电容C61的另一端和第五二极管D5的输入端共接于地;
8号引脚、第四十一电阻R41的另一端和第十三P型MOS管Q17的栅极共接,第十三P型MOS管Q17的源极接地,第十三P型MOS管Q17的漏极接第四十四电阻R44的一端,第四十四电阻R44的另一端、第四十五电阻R45的一端和第六二极管D6的输出端共接,第六二极管D6的输入端接地,第四十五电阻R45的另一端接第六十二电容C62的一端,第四十二电阻R42的另一端和3号引脚共接后经第六十三电容C63接地,第六十二电容C62的另一端和第四十三电阻R43的另一端共接构成第一切换单元51的控制端G1;
4号引脚接第二三极管Q14的基极,第二三极管Q14的集电极构成第二放大单元54的输入端G3,第二三极管Q14的发射极经第四十六电阻R46接地,第二三级管Q14的接地端经第四十七电阻R47接地;
5号引脚接第一三极管Q13的基极,第一三极管Q13的集电极第一放大单元53的输入端G2,第一三极管Q13的发射极经第四十八电阻R48接地,第一三极管Q13的接地端经第四十九电阻R49接地;
6号引脚置空;
7号引脚接地。
第二切换芯片U4的外围电路与第一切换芯片U3的外围电路结构相同,本实施例中不再赘述。
如图8所示,供电模块80包括第一稳压单元81、第二稳压单元82、第一降压单元83和第二降压单元84。
在具体应用中,第一稳压单元和第二稳压单元均包括稳压芯片,第一降压单元和第二降压单元均包括D8600型降压芯片。
本实施例所提供的供电模块84中各单元与其他器件之间的连接关系为:
第一稳压单元81的输入端I1和第二稳压单元82的输入端J1均接接收机,第一稳压单元81的第一输出端和第二稳压单元82的第一输出端共接后接第一降压单元83的电源端K1和第二混频模块40,第一稳压单元81的第二输出端和第二稳压单元82的第二输出端共接后接第二降压单元84的电源端K2和第一混频模块30,第一降压单元83的输出端(a~h)与第一射频放大模块10连接,第二降压单元84的输出端(A~H)与第二射频放大模块20连接。
如图9所示,在本发明的一个实施例中,第一稳压单元81包括第一稳压芯片U5、第五十九电阻R59、第六十电阻R60、第十五P型MOS管Q19、第十六P型MOS管Q20、第六十七电容C67、第六十八电容C68、第九二极管D9和第十二极管D10,第二稳压单元82包括第二稳压芯片U6、第六十一电阻R61、第六十二电阻R62、第十七P型MOS管Q21、第十八P型MOS管Q22、第六十九电容C69和第七十电容C70,第一降压单元83包括第一降压芯片U7、第六十三电阻R63、第七十一电容C71~第七十四电容C74,第二降压单元84包括第二降压芯片U8、第六十四电阻R64、第七十五电容C75~第七十八电容C78;第一中低频放大模块60包括第一放大器OP1、第七十九电容C79和第八十电容C80,第二中低频放大模块70包括第二放大器OP2、第八十一电容C81和第八十二电容C82。
如图9所示,本实施例中,第一稳压芯片U5的输入端(1号引脚)构成第一稳压单元81的输入端I1用于接接收机,第一稳压芯片U5的输入端还通过第六十七电容C67接地,第一稳压芯片U5的接地端(2号引脚)接地,第一稳压芯片U6的输出端(3号引脚)通过第六十八电容C68接地并接第十五P型MOS管Q19的漏极,第十五P型MOS管Q19的栅极接第九二极管D9的输入端,第九二极管D9的输出端构成第一稳压单元81的第二输出端K2,第五十九电阻R59连接在第十五P型MOS管Q19的漏极和源极之间,第十五P型MOS管Q19的源极接切换模块50,第一稳压芯片U5的输出端还与第十六P型MOS管Q20的漏极连接,第十六P型MOS管Q20的栅极接第十二极管D10的输入端,第十二极管D10的输出端构成第一稳压单元81的第一输出端K1,第六十电阻R60连接在第十六P型MOS管Q20的漏极和源极之间,第十六P型MOS管Q20的源极接切换模块50;
第一放大器OP1的输入端接地七十九电容C79的一端和第一稳压芯片U5的输出端,第七十九电容C79的另一端构成第一中低频放大模块60的输入端L1(L1接E3和F3),第一放大器OP1的输出端接第八十电容C80的一端和第一稳压芯U5的输出端,第八十电容C80的另一端构成第一中低频放大模块60的输出端L2(接I1)。
如图10所示,第一降压芯片U7的19~16(倒序)和1~4号引脚分别构成第一降压单元的输出端a~h,5、6、8、14和15号引脚均置空,7号引脚接地,9号和10号引脚之间连接有第七十一电容C71电容,11号引脚经第七十二电容C72接地,12号引脚经第七十三电容C73接地并经第六十三电阻R63接地,13号引脚经第七十三电容C73接地并经第六十三电阻R63接地,20号引脚构成第一降低单元83的电源端K1并经第七十四电容C74接地。
在本实施例中,第二稳压芯片U6、第二降压芯片U8和第二放大器OP2的外围电路连接结构分别与第一稳压芯片U5、第一降压芯片U7和第一放大器OP1相同,本实施例中不再赘述。
本发明实施例通过提供一种微波变频电路,集成度高,线路结构简单,能够实现对两颗卫星发射的微波信号的选择性接收,同时还能选择性的接收每颗卫星的水平极化信号或垂直极化信号并分为两路信号输出,能实现对两颗卫星发射的微波信号的选择性全频带接收。
本发明实施例还提供一种微波变频器,包括上述的微波变频电路。
本发明所有实施例中标号相同的接线端均相互连接。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。