CN106487402A - 综合片上射频接口的低功耗射频接收前端 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种综合片上射频接口的低功耗射频接收前端，包括：射频接口、低噪声放大器、以及正交第一与第二下混频器；其中：射频接口综合了变压器、接收控制开关、发射控制开关、天线到低噪声放大器的阻抗匹配网络，以及功率放大器到天线的功率匹配网络；在接收模式下射频接口将天线接收到的单端信号转换成差分信号供给低噪声放大器；低噪声放大器含有多级可调增益模式，将接收到的信号无失真地放大后输出，其主放大管工作在亚阈值区；正交IQ第一与第二下混频器将接收到的射频信号混频到中频段以进行后续处理。本发明集成度高，不需要额外的片外接口模块，功耗低，易实现。
Description
技术领域
本发明涉及无线通讯电子系统，尤其涉及一种综合片上射频接口的低功耗射频接收前端。
背景技术
随着信息产业的进步，物联网、手持终端、可穿戴设备等迅速发展并走进人们生活的方方面面。为了满足电池长期使用的需求和低成本解决方案的需要，低功耗集成电路设计成为当下通信系统设计的一大热点与难点。可应用于蓝牙、WiFi、zigbee等的低功耗收发系统，有着广泛的市场与竞争力。
在射频收发系统中，射频接收前端负责放大接收到的小信号并将频率搬移到中频段以进行后续处理。射频前端电路性能对通信质量有着至关重要的影响，它要实现一定的增益以及严格的噪声性能，从而保证合理的信噪比。在保证高性能的前提下实现低功耗，延长电池的使用时间，同时避免芯片功耗增加引起的发热量和可靠性问题，是低功耗射频接收前端的设计目标。但功耗与性能是一对矛盾关系，以低功耗实现高性能，是低功耗射频接收前端设计的重点与难点。从应用的角度看，射频接收前端芯片需要高度集成，尽量减少片外元件，综合片上射频接口，能够直接与单端50Ω天线相接，对于即便没有足够射频设计经验的人员也能够方便使用。另外如果片外实现射频匹配网络、单端转差分巴伦、接收/发射模式控制开关等电路，会占用较大的PCB面积，提高使用成本。
目前国内外低功耗射频接收前端的技术主要有：大部分低功耗射频接收前端采用电流复用的技术，通过低噪声放大器、混频器或者压控振荡器堆叠的方式节省功耗，但这类结构存在电压裕度不足恶化线性度的问题；另外采用无源混频器的结构，无源混频器不存在直流功耗，同时避免了闪烁噪声的影响，但无源混频器需要25％占空比的轨到轨本振信号，这就要求本振信号产生电路相对复杂，同时本振信号缓冲电路消耗功耗大；还有一类将射频前端电路偏置在弱反型区工作，提高电流效率以降低功耗，弱反型区噪声性能较差需要在设计中折中优化。另外目前绝大多数射频接收前端并未综合片上射频接口，需要更多的片外元器件，集成度不高，使得其应用不够方便，成本高。
发明内容
本发明的目的是提供一种综合片上射频接口的低功耗射频接收前端，集成度高，功耗低，成本低，方便应用。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
一种综合片上射频接口的低功耗射频接收前端，包括：射频接口、低噪声放大器、以及正交第一与第二下混频器；其中：
射频接口综合了变压器、接收控制开关、发射控制开关、天线到低噪声放大器的阻抗匹配网络，以及功率放大器到天线的功率匹配网络；在接收模式下射频接口将天线接收到的单端信号转换成差分信号供给低噪声放大器；
低噪声放大器含有多级可调增益模式，将接收到的信号无失真地放大后输出，其主放大管工作在亚阈值区；
正交IQ第一与第二下混频器将接收到的射频信号混频到中频段以进行后续处理。
所述射频接口中的端口A连接片外天线，作为接收模式下的信号输入端口以及发射模式下的信号输出端口；
变压器有五个端口B～F；其中，非平衡端B与C之间并联电容C4，非平衡端B与端口A之间接谐振频率为工作频率的三倍频处的电感L2与电容C2的并联网络，作为天线到低噪声放大器的阻抗匹配网络，同时在发射模式下抑制功率放大器的三次谐波；平衡端E与F接低噪声放大器的差分输入端，通过变压器内部的中心抽头端D给低噪声放大器的输入端提供直流偏置；非平衡端C与功率放大器的输出端口H之间串联有电容C3以及电感L1与电容C1的并联网络，L1与C1并联谐振在工作频率的二倍频处，作为功率放大器到天线的功率匹配网络，同时抑制功率放大器的二次谐波；变压器在接收模式下作为单端转差分巴伦，将接收到的单端信号转为差分信号输入到差分低噪声放大器，在发射模式下表现为一个小电感，与其他电感电容一起作用实现功率放大器的功率匹配；
与非平衡端C相连的端口G接地，且非平衡端C与端口G之间并联发射控制开关，发射控制开关中NMOS管M3的漏端接端口J，源端接端口G，栅端接控制信号RX，发射控制开关中PMOS管M4的漏端同样接端口J，源端与栅端短接到电源VDD；平衡端E与F之间并联接收控制开关，接收控制开关中设有两个互相连接的NMOS管M1与M2，其中，M1漏端接端口平衡端E，源端接地，M2漏端接端口平衡端F，源端接地，M1与M2的栅端均连接工作模式控制信号TX。
所述差分低噪声放大器为增益可调的源简并电感型共源差分低噪声放大器；
由两个NMOS管M5与M6作为差分主放大管，M5与M6的栅端作为差分信号输入端，偏置在亚阈值区；
M5与M6的源端设有差分电感L3，其中心抽头接地；M5的栅源间并联电容C6，M6的栅源间并联电容C7；
M5漏端连接共源共栅管M7、M9与M11，M6漏端连接共源共栅管M8、M10与M12，从而实现三级增益可调；
其中的共源共栅管M7与M8的栅端均接VDD提供偏置，漏端分别对应的接低噪声放大器的输出端OUTP、OUTN；共源共栅管M9与M10的栅端均接增益控制信号MID，漏端均接到VDD；当控制信号MID为高电平，低噪声放大器工作在中增益模式，M9与M10导通，与M7及M8分流；当控制信号MID为低电平，M9与M10不起作用；
共源共栅管M11与M12的栅端均接增益控制信号LOW，漏端均接到VDD；当控制信号LOW为高电平，低噪声放大器工作在低增益模式，M11与M12导通，与M7及M8分流；当控制信号LOW为低电平，M11、M12不起作用；当控制信号MID与LOW均为低电平，低噪声放大器工作在高增益模式；
低噪声放大器的负载采用电感L4与电容C5并联的谐振网络。
所述正交IQ第一与第二下混频器采用吉尔伯特单元的差分双平衡结构，以抵消本振端口到中频输出端口的馈通。
由上述本发明提供的技术方案可以看出，本方案以高集成度低功耗为设计目标，片上射频接口综合变压器、接收/发射控制开关以及匹配网络，不需要额外的片外元器件，集成度高，使用简单方便，成本低；同时，从低功耗设计的角度看，本方案主放大MOS管偏置在亚阈值区，提供较高的电流效率，以较低的功耗实现预设的增益；而且，可以通过分析噪声与功耗，折中功耗与噪声的关系选择偏置点，此外，源简并电感型共源结构的低噪声放大器在噪声、功耗上更有优势，且可以避免阻抗匹配与功耗的制约关系，提高了设计的自由度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
图1为本发明实施例提供的一种综合片上射频接口的低功耗射频接收前端示意图；
图2为本发明实施例提供的射频接口的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的低噪声放大器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
图1为本发明实施例提供的一种综合片上射频接口的低功耗射频接收前端示意图。如图1所示，其主要包括：射频接口(RFIO)1、低噪声放大器(LNA)2、以及正交第一与第二下混频器(Mixer)3-4；其中：
射频接口1综合了变压器、接收控制开关以及发射控制开关，天线到低噪声放大器的阻抗匹配网络以及功率放大器到天线的功率匹配网络；在接收模式下射频接口将天线接收到的单端信号转换成差分信号供给低噪声放大器；
低噪声放大器2含有多级可调增益模式，将接收到的信号无失真地放大后输出，其主放大管工作在亚阈值区；
正交IQ第一与第二下混频器(3-4)将接收到的射频信号混频到中频段以进行后续处理。
本发明实施例上述方案，实现了低功耗、高集成度的性能，可通过标准CMOS工艺实现。半双工通信系统中，接收机与发射机分时工作，通过控制信号控制开关切换工作模式。接收模式下，射频接收前端负责放大天线接收到的小信号并将频率搬移到中频段以进行后续处理。天线接收到的单端信号经射频接口1转为差分信号输入到差分结构低噪声放大器2，同时射频接口实现了天线到低噪声放大器2的输入阻抗匹配，保证信号低损耗传输。低噪声放大器2可设置高中低三级增益模式，由控制信号控制，满足不同接收信号幅度对于噪声和线性度的要求，从而实现信号无失真放大。放大后的射频信号输入到正交第一与第二下混频器3、4，将射频信号下变频到中频段便于后续处理。正交IQ两路有源第一与第二下混频器3、4采用经典的吉尔伯特单元的差分双平衡结构，相比于单平衡混频器，双平衡结构可以抵消本振端口到中频输出端口的馈通，电阻电容并联网络作为负载，提供一定增益的同时实现一定的滤波功能。四路正交正弦信号经自偏置反相器放大输入到混频器的本振信号端。
为了便于理解，下面针对射频接口1与低噪声放大器2的结构做详细说明。
如图2所示为射频接口1的结构示意图，其综合了变压器5、接收控制开关6、发射控制开关7、天线到低噪声放大器的阻抗匹配网络，以及功率放大器到天线的功率匹配网络。
所述射频接口中的端口A连接片外天线，作为接收模式下的信号输入端口以及发射模式下的信号输出端口；
变压器有五个端口B～F；其中，非平衡端B与C之间并联电容C4，非平衡端B与端口A之间接谐振频率为工作频率的三倍频处的电感L2与电容C2的并联网络，作为阻抗匹配网络，同时在发射模式下抑制功率放大器的三次谐波。平衡端E与F接低噪声放大器的差分输入端，通过变压器内部的中心抽头端D给低噪声放大器的输入端提供直流偏置；非平衡端C与功率放大器的输出端口H之间串联有电容C3以及电感L1与电容C1的并联网络，L1与C1并联谐振在工作频率的二倍频处，作为功率放大器到天线的功率匹配网络，同时抑制功率放大器的二次谐波；变压器在接收模式下作为单端转差分巴伦，将接收到的单端信号转为差分信号输入到差分低噪声放大器，在发射模式下表现为一个小电感，与其他电感电容一起作用实现功率放大器的功率匹配；
与非平衡端C相连的端口G接地，且非平衡端C与端口G之间并联发射控制开关，发射控制开关中NMOS管M3的漏端接端口J，源端接端口G，栅端接控制信号RX，发射控制开关中PMOS管M4的漏端同样接端口J，源端与栅端短接到电源VDD，如果采用单独的NMOS管M3做为发射控制开关，M3的寄生电容会随端口J电压浮动而变化，引入失真损耗，因此增加M4管解决上述问题。平衡端E与F之间并联接收控制开关，接收控制开关中设有两个互相连接的NMOS管M1与M2，其中，M1漏端接端口平衡端E，源端接地，M2漏端接端口平衡端F，源端接地，M1与M2的栅端均连接工作模式控制信号TX。
本发明实施例中，接收控制开关6与发射控制开关7中的MOS管尺寸选择考虑其导通电阻尽量小且截止状态等效电容值适宜。当控制信号RX置为高电平，TX为低电平，开关6截止，表征为约100fF的电容，开关7导通，表征为8.7Ω导通电阻，功率放大器被短路，低噪声放大器2的输入阻抗通过基于变压器5的匹配网络匹配到50Ω天线阻抗，电路工作在接收模式；当RX置为低电平，TX为高电平，开关6导通，表征为约4.5Ω的导通电阻，开关7截止，表征为230fF电容，低噪声放大器被短路，功率放大器通过射频接口的电感-电容匹配网络实现功率匹配，电路工作在发射模式。
图3为低噪声放大器的结构示意图。所述差分低噪声放大器为增益可调的源简并电感型共源差分低噪声放大器；由两个NMOS管M5与M6作为差分主放大管，M5与M6的栅端作为差分信号输入端，偏置在亚阈值区；示例性的，可以提供约20的gm/Id，实现低功耗。
为实现输入阻抗匹配，M5与M6的源端设有差分电感L3，其中心抽头接地；M5的栅源间并联电容C6，M6的栅源间并联电容C7；保证以较小的电感实现在工作频段处的阻抗匹配。
M5漏端连接共源共栅管M7、M9与M11，M6漏端连接共源共栅管M8、M10与M12，从而实现三级增益可调，降低密勒效应影响的同时提高输出阻抗，增大低噪声放大器的反向隔离度。
其中的共源共栅管M7与M8的栅端均接VDD提供偏置，漏端分别对应的接低噪声放大器的输出端OUTP、OUTN；共源共栅管M9与M10的栅端均接增益控制信号MID，漏端均接到VDD；当控制信号MID为高电平，低噪声放大器工作在中增益模式，M9与M10导通，与M7及M8分流，通过减小流经负载的电流降低增益；当控制信号MID为低电平，M9与M10不起作用。
共源共栅管M11与M12的栅端均接增益控制信号LOW，漏端均接到VDD；当控制信号LOW为高电平，低噪声放大器工作在低增益模式，M11与M12导通，与M7及M8分流，通过减小流经负载的电流降低增益；当控制信号LOW为低电平，M11、M12不起作用；当控制信号MID与LOW均为低电平，低噪声放大器工作在高增益模式。
低噪声放大器的负载采用电感L4与电容C5并联的谐振网络，提供窄带高增益，不消耗电压裕度，一定程度上滤除干扰信号优化线性度。C5的设置综合考虑输出结点的寄生电容以及后级混频器的输入电容。
本发明实施例的上述方案，相对于传统方案主要具有如下优点：
1)以高集成度低功耗为设计目标，片上射频接口综合变压器、接收/发射控制开关以及匹配网络，不需要额外的片外元器件，集成度高，使用简单方便，成本低。
2)从低功耗设计的角度看，本方案主放大MOS管偏置在亚阈值区，提供较高的电流效率，以较低的功耗实现预设的增益；而且，可以通过分析噪声与功耗，折中功耗与噪声的关系选择偏置点，此外，源简并电感型共源结构的低噪声放大器在噪声、功耗上更有优势，且可以避免阻抗匹配与功耗的制约关系，提高了设计的自由度。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种综合片上射频接口的低功耗射频接收前端，其特征在于，包括：射频接口、低噪声放大器、以及正交第一与第二下混频器；其中：
射频接口综合了变压器、接收控制开关、发射控制开关、天线到低噪声放大器的阻抗匹配网络，以及功率放大器到天线的功率匹配网络；在接收模式下射频接口将天线接收到的单端信号转换成差分信号供给低噪声放大器；
低噪声放大器含有多级可调增益模式，将接收到的信号无失真地放大后输出，其主放大管工作在亚阈值区；
正交IQ第一与第二下混频器将接收到的射频信号混频到中频段以进行后续处理。
2.根据权利要求1所述的一种综合片上射频接口的低功耗射频接收前端，其特征在于，所述射频接口中的端口A连接片外天线，作为接收模式下的信号输入端口以及发射模式下的信号输出端口；
变压器有五个端口B～F；其中，非平衡端B与C之间并联电容C4，非平衡端B与端口A之间接谐振频率为工作频率的三倍频处的电感L2与电容C2的并联网络，作为天线到低噪声放大器的阻抗匹配网络，同时在发射模式下抑制功率放大器的三次谐波；平衡端E与F接低噪声放大器的差分输入端，通过变压器内部的中心抽头端D给低噪声放大器的输入端提供直流偏置；非平衡端C与功率放大器的输出端口H之间串联有电容C3以及电感L1与电容C1的并联网络，L1与C1并联谐振在工作频率的二倍频处，作为功率放大器到天线的功率匹配网络，同时抑制功率放大器的二次谐波；变压器在接收模式下作为单端转差分巴伦，将接收到的单端信号转为差分信号输入到差分低噪声放大器，在发射模式下表现为一个小电感，与其他电感电容一起作用实现功率放大器的功率匹配；
与非平衡端C相连的端口G接地，且非平衡端C与端口G之间并联发射控制开关，发射控制开关中NMOS管M3的漏端接端口J，源端接端口G，栅端接控制信号RX，发射控制开关中PMOS管M4的漏端同样接端口J，源端与栅端短接到电源VDD；平衡端E与F之间并联接收控制开关，接收控制开关中设有两个互相连接的NMOS管M1与M2，其中，M1漏端接端口平衡端E，源端接地，M2漏端接端口平衡端F，源端接地，M1与M2的栅端均连接工作模式控制信号TX。
3.根据权利要求1所述的一种综合片上射频接口的低功耗射频接收前端，其特征在于，所述差分低噪声放大器为增益可调的源简并电感型共源差分低噪声放大器；
由两个NMOS管M5与M6作为差分主放大管，M5与M6的栅端作为差分信号输入端，偏置在亚阈值区；
M5与M6的源端设有差分电感L3，其中心抽头接地；M5的栅源间并联电容C6，M6的栅源间并联电容C7；
M5漏端连接共源共栅管M7、M9与M11，M6漏端连接共源共栅管M8、M10与M12，从而实现三级增益可调；
其中的共源共栅管M7与M8的栅端均接VDD提供偏置，漏端分别对应的接低噪声放大器的输出端OUTP、OUTN；共源共栅管M9与M10的栅端均接增益控制信号MID，漏端均接到VDD；当控制信号MID为高电平，低噪声放大器工作在中增益模式，M9与M10导通，与M7及M8分流；当控制信号MID为低电平，M9与M10不起作用；
共源共栅管M11与M12的栅端均接增益控制信号LOW，漏端均接到VDD；当控制信号LOW为高电平，低噪声放大器工作在低增益模式，M11与M12导通，与M7及M8分流；当控制信号LOW为低电平，M11、M12不起作用；当控制信号MID与LOW均为低电平，低噪声放大器工作在高增益模式；
低噪声放大器的负载采用电感L4与电容C5并联的谐振网络。
4.根据权利要求1所述的一种综合片上射频接口的低功耗射频接收前端，其特征在于，所述正交IQ第一与第二下混频器采用吉尔伯特单元的差分双平衡结构，以抵消本振端口到中频输出端口的馈通。
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Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108540164A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-09-14 | 广州慧智微电子有限公司 | 一种射频前端系统 |
| CN108566188A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-21 | 成都通量科技有限公司 | 高频低插损开关 |
| CN108736837A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-02 | 上海磐启微电子有限公司 | 一种内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器 |
| CN109120236A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-01-01 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 增益电路 |
| CN109150227A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-01-04 | 安徽矽磊电子科技有限公司 | 一种多模式射频前端电路及其控制方法 |
| CN110474657A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-11-19 | 大唐半导体科技有限公司 | 一种高频收发开关集成电路及其方法 |
| CN110554389A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-10 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种改善宽温工作增益起伏的77GHz雷达接收机电路 |
| CN110661538A (zh) * | 2019-09-11 | 2020-01-07 | 芯原微电子(上海)股份有限公司 | 低功耗全自动调整宽带接收机射频前端 |
| CN111294000A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-06-16 | 浙江铖昌科技有限公司 | 一种匹配网络可重构的多功能功率放大器和雷达系统 |
| US10911040B2 (en) | 2019-04-25 | 2021-02-02 | Analog Devices International Unlimited Company | High power radio frequency switches with low leakage current and low insertion loss |
| CN112994628A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-06-18 | 北京百瑞互联技术有限公司 | 无线通信接收机前端及单天线 |
| CN113067593A (zh) * | 2019-12-27 | 2021-07-02 | 联发科技股份有限公司 | 收发器 |
| CN115001524A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-09-02 | 深圳市亿联无限科技有限公司 | 一种基于lc分立式元件的wifi射频系统 |
| CN115189706A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-10-14 | 武汉大学 | 基于loranC甚低频信号的有源小磁天线实现方法 |
| CN115412123A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-29 | 山东兆通微电子有限公司 | 一种射频前端电路及无线通信芯片 |
| CN115603771A (zh) * | 2021-07-09 | 2023-01-13 | 华为技术有限公司（Cn） | 匹配电路、射频前端电路、无线收发装置以及电子设备 |
| WO2023020096A1 (zh) * | 2021-08-19 | 2023-02-23 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 一种适用于巴伦的谐波抑制匹配电路结构及功率放大器 |
| CN115776309A (zh) * | 2023-02-15 | 2023-03-10 | 深圳市华普微电子股份有限公司 | 一种时分双工无线收发芯片的直连匹配方法 |
| CN116527073A (zh) * | 2023-03-17 | 2023-08-01 | 鹤壁市新元电子有限公司 | 一种超小型双频段手持电台 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101183878A (zh) * | 2007-12-20 | 2008-05-21 | 复旦大学 | 一种低功耗无线接收机射频前端电路 |
| CN102064773A (zh) * | 2009-11-16 | 2011-05-18 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 可调增益低噪声放大器 |
| CN103684518A (zh) * | 2012-09-18 | 2014-03-26 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 | 一种基于片上变压器的收发匹配网络共用的射频电路 |
| CN103957024A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-30 | 锐迪科科技有限公司 | 射频收发开关及其工作方法 |
-
2016
- 2016-11-24 CN CN201611044656.9A patent/CN106487402B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101183878A (zh) * | 2007-12-20 | 2008-05-21 | 复旦大学 | 一种低功耗无线接收机射频前端电路 |
| CN102064773A (zh) * | 2009-11-16 | 2011-05-18 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 可调增益低噪声放大器 |
| CN103684518A (zh) * | 2012-09-18 | 2014-03-26 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 | 一种基于片上变压器的收发匹配网络共用的射频电路 |
| CN103957024A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-30 | 锐迪科科技有限公司 | 射频收发开关及其工作方法 |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108540164B (zh) * | 2018-04-08 | 2020-09-11 | 广州慧智微电子有限公司 | 一种射频前端系统 |
| CN108540164A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-09-14 | 广州慧智微电子有限公司 | 一种射频前端系统 |
| CN108566188A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-21 | 成都通量科技有限公司 | 高频低插损开关 |
| CN108566188B (zh) * | 2018-04-28 | 2021-07-06 | 成都通量科技有限公司 | 高频低插损开关 |
| CN108736837A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-02 | 上海磐启微电子有限公司 | 一种内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器 |
| CN109150227A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-01-04 | 安徽矽磊电子科技有限公司 | 一种多模式射频前端电路及其控制方法 |
| CN109150227B (zh) * | 2018-08-06 | 2021-04-20 | 安徽矽磊电子科技有限公司 | 一种多模式射频前端电路及其控制方法 |
| CN109120236A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-01-01 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 增益电路 |
| US10911040B2 (en) | 2019-04-25 | 2021-02-02 | Analog Devices International Unlimited Company | High power radio frequency switches with low leakage current and low insertion loss |
| US11349469B2 (en) | 2019-04-25 | 2022-05-31 | Analog Devices International Unlimited Company | High power radio frequency switches with low leakage current and low insertion loss |
| CN110661538A (zh) * | 2019-09-11 | 2020-01-07 | 芯原微电子(上海)股份有限公司 | 低功耗全自动调整宽带接收机射频前端 |
| CN110661538B (zh) * | 2019-09-11 | 2021-05-14 | 芯原微电子(上海)股份有限公司 | 低功耗全自动调整宽带接收机射频前端 |
| CN110474657A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-11-19 | 大唐半导体科技有限公司 | 一种高频收发开关集成电路及其方法 |
| CN110554389B (zh) * | 2019-09-26 | 2024-03-15 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种改善宽温工作增益起伏的77GHz雷达接收机电路 |
| CN110554389A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-10 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种改善宽温工作增益起伏的77GHz雷达接收机电路 |
| CN113067593A (zh) * | 2019-12-27 | 2021-07-02 | 联发科技股份有限公司 | 收发器 |
| US11424783B2 (en) | 2019-12-27 | 2022-08-23 | Mediatek Inc. | Transceiver having radio-frequency front-end circuit, dedicated radio-frequency front-end circuit, and switchable matching circuit integrated in same chip |
| US11799511B2 (en) | 2019-12-27 | 2023-10-24 | Mediatek Inc. | Transceiver having radio-frequency front-end circuit, dedicated radio-frequency front-end circuit, and switchable matching circuit integrated in same chip |
| CN111294000A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-06-16 | 浙江铖昌科技有限公司 | 一种匹配网络可重构的多功能功率放大器和雷达系统 |
| CN112994628A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-06-18 | 北京百瑞互联技术有限公司 | 无线通信接收机前端及单天线 |
| CN115603771A (zh) * | 2021-07-09 | 2023-01-13 | 华为技术有限公司（Cn） | 匹配电路、射频前端电路、无线收发装置以及电子设备 |
| WO2023020096A1 (zh) * | 2021-08-19 | 2023-02-23 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 一种适用于巴伦的谐波抑制匹配电路结构及功率放大器 |
| CN115189706A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-10-14 | 武汉大学 | 基于loranC甚低频信号的有源小磁天线实现方法 |
| CN115001524A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-09-02 | 深圳市亿联无限科技有限公司 | 一种基于lc分立式元件的wifi射频系统 |
| CN115412123A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-29 | 山东兆通微电子有限公司 | 一种射频前端电路及无线通信芯片 |
| CN115412123B (zh) * | 2022-08-31 | 2024-05-28 | 杭州兆通微电子有限公司 | 一种射频前端电路及无线通信芯片 |
| CN115776309A (zh) * | 2023-02-15 | 2023-03-10 | 深圳市华普微电子股份有限公司 | 一种时分双工无线收发芯片的直连匹配方法 |
| CN116527073A (zh) * | 2023-03-17 | 2023-08-01 | 鹤壁市新元电子有限公司 | 一种超小型双频段手持电台 |
| CN116527073B (zh) * | 2023-03-17 | 2024-04-12 | 鹤壁市新元电子有限公司 | 一种超小型双频段手持电台 |
Also Published As
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|---|---|
| CN106487402B (zh) | 2019-04-26 |
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