CN107251648B - 显示装置、用于制造显示装置的方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置，该显示装置设置有：第一基板，具有形成在其上的像素，所述像素分别包括发光部；第二基板，面对第一基板布置；滤色器，设置在第一基板与第二基板之间；以及基板间隔设定部，至少设置在通过在其上形成像素而配置的显示区域的外围部上，所述外围部是第一基板的一部分，并且基板间隔设定部设定第一基板与第二基板之间的基板间隔。基板间隔设定部由至少两层配置，至少两层为：第一调整层，通过预定图案形成在第一基板上；以及第二调整层，使用与滤色器的材料相同的材料在滤色器形成步骤中层压在第一调整层上。

Description

显示装置、用于制造显示装置的方法和电子设备
技术领域
本公开涉及一种显示装置、显示装置的制造方法、以及电子装置，并且具体地，涉及平板型显示装置、其制造方法以及包括显示装置的电子装置。
背景技术
从保护发光部(发光元件)的观点来看，平板式(平板型)显示装置具有通过将诸如玻璃基板的第二基板粘贴至其上形成有发光部的第一基板而获得的密封结构。在这样的粘贴时，通过在经由布置包括发光部的像素而形成的显示区的外围部中设置间隙材料来确保适当的基板间隔，以防止第一基板和第二基板彼此接触(例如，参考专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1：JP2009-163975A
发明内容
本发明要解决的问题
在专利文献1中公开的上述现有技术中，提供了一种结构，其中，通过利用密封材料涂覆显示区的外围部而使包括间隙材料的密封材料具有作为间隔件的功能，在密封材料中，间隙材料分散在由光固化环氧树脂材料制成的树脂内部。然而，在现有技术中，因为产生设置间隔件的步骤增加了步骤数量并且还有基板间隔通过间隔件本身的尺寸来确定，所以可能难以调整基板间隔。
考虑到上述内容，本公开指向提供一种包括间隔件的显示装置以及包括该显示装置的电子装置，在该显示装置中，可以容易地调整基板间隔而无需产生设置间隔件的任何步骤。
问题的解决方案
本公开的实现上述目的的显示装置包括：
第一基板，其上形成有包括发光部的像素；
第二基板，以面对第一基板的方式布置；
滤色器，设置在第一基板与第二基板之间；以及
基板间隔设定单元，设置在第一基板的通过形成像素而制成的显示区的至少外围部中，并且适于设定第一基板与第二基板之间的基板间隔，
其中，基板间隔设定单元由包括下列层的至少两层形成：
第一调整层，在第一基板上以预定图案形成；以及
第二调整层，通过使用与滤色器的材料相同的材料，在形成滤色器的步骤中被堆叠在第一调整层上。另外，本公开的实现上述目的的电子装置包括含有以上配置的显示装置。
另外，根据本公开的实现上述目的的显示装置的制造方法，显示装置包括：
第一基板，其上形成有包括发光部的像素；
第二基板，以面对第一基板的方式布置；
滤色器，设置在第一基板与第二基板之间；以及
基板间隔设定单元，设置在第一基板的通过形成像素而制成的显示区的至少外围部中，并且适于设定第一基板与第二基板之间的基板间隔，并且
制造方法包括：
在第一基板上以预定图案形成第一调整层；以及
随后通过使用与滤色器的材料相同的材料，在形成滤色器的步骤中在第一调整层上堆叠第二调整层，以形成包括至少两层的基板间隔设定单元。
根据具有上述配置的显示装置、其制造方法或包括显示装置的电子装置，不需要设置具有作为间隔件的功能的基板间隔设定单元的步骤，这是因为可以通过使用与滤色器的材料相同的材料在形成滤色器的步骤中形成基板间隔设定单元。另外，由于第二调整层堆叠在以图案形成的第一调整层上，所以由于第二调整层的材料本身的流动性，在第一调整层的凹部和凸部之间产生膜厚度差。因此，通过调整第一调整层的图案密度，可以调整第二层的厚度，进一步，可以调整基板间隔设定单元的总高度。因此，可以容易地调整第一基板与第二基板之间的由基板间隔设定单元的高度确定的基板间隔。
本发明的效果
根据本公开，不需要设置基板间隔设定单元的步骤，这是因为可以通过使用与滤色器的材料相同的材料，在形成滤色器的步骤中形成基板间隔设定单元。此外，由于可以通过调整第一调整层的图案密度来调整基板间隔设定单元的高度，因此可以容易地调整第一基板与第二基板之间的基板间隔。
注意，效果不限于本文列举的这些效果，而可以是本说明书中列举的效果中的任一个。另外，注意，本说明书中描述的效果仅是示例且不限于此，并且还可以提供进一步的附加效果。
附图说明
图1是示意性地示出了作为本公开的前提的有源矩阵有机EL显示装置的基本配置的系统配置图。
图2是示出了2Tr2C的单位像素(像素电路)的电路配置的电路图。
图3是示出了根据现有技术中的示例的显示面板的密封结构的截面视图。
图4是示出了根据本公开的第一实施方式的显示面板的密封结构的截面视图。
图5是示出了堆叠间隔件时第一层(包括底层且刚形成的彩色抗蚀剂(colorresist))的图案密度与总膜厚度之间的关系的图。
图6A、图6B、图6C、以及图6D是示出了第一层和第二层由彩色抗蚀剂材料制成的情况下的间隔件的堆叠结构的具体示例的截面视图。
图7A、图7B、以及图7C是示出了在使用除第一层的彩色抗蚀剂材料之外的材料的情况下的间隔件的堆叠结构的具体示例的截面视图。
图8A是示出了在第一层以岛状图案形成的情况下的堆叠结构的立体图，图8B是示出了彩色抗蚀剂具有一个相对高度的情况的截面视图，以及图8C是示出了彩色抗蚀剂具有两个相对高度的情况的截面视图。
图9A至图9C是示出了间隔件的堆叠结构中的第一层的图案布局的具体示例的平面图案图(第1)。
图10A至图10C是示出了间隔件的堆叠结构中的第一层的图案布局的具体示例的平面图案图(第2)。
图11A至图11B是示出了间隔件的堆叠结构中的第一层的图案布局的具体示例的平面图案图(第3)。
图12A至图12B是示出了间隔件的堆叠结构中的第一层的图案布局的具体示例的平面图案图(第4)。
图13A至图13C是示出了间隔件的堆叠结构中第一层的图案布局的具体示例的平面图案图(第5)。
图14是示出了根据本公开的第二实施方式的显示面板的密封结构的截面视图。
图15A和图15B是具有可互换镜头的单镜头反光数码静态相机的外部视图，图15A是其前视图，且图15B是其后视图。
图16是头戴式显示器的外部视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图对用于实现本公开的技术的模式(下文称之为“实施方式”)进行详细描述。本公开的技术不限于实施方式，并且实施方式中的各种数值和材料是实例。在下面的描述中，相同的附图标记将用于相同的元件或具有相同功能的元件，并且将省略相同描述的重复。应注意，描述将以下面的顺序提供。
1、本公开的显示装置、显示装置的制造方法和电子装置的总体描述
2、作为本公开的前提的显示装置
2-1、系统配置
2-2、像素电路
2-3、彩色显示方法
2-4、显示面板的密封结构
3、第一实施方式
3-1、形成彩色抗蚀剂的方法
3-2、间隔件的堆叠结构
4、第二实施方式
5、电子装置
<本公开的显示装置、显示装置的制造方法和电子装置的总体描述>
本公开的显示装置是通过以矩阵形式布置单位像素而形成的彩色显示装置，其中单位像素包括具有不同发射颜色的多个子像素。在彩色显示装置中，一个像素由包括发出红光的红色发光子像素、发出绿光的绿色发光子像素和发出蓝光的蓝色发光子像素的三个子像素形成，或由四个或更多子像素形成。
根据彩色显示装置，一个子像素中的发光功能层可以具有发出白光的配置。同样，一个子像素中的发光功能层可以具有通过堆叠发出红光的红色发光功能层、发出绿光的绿色发光功能层和发出蓝光的蓝色发光功能层而形成的配置。在一个子像素中具有由白色发光功能层形成的的发光功能层的显示装置可以是包括滤色器的配置，并且每种颜色的子像素可以通过组合滤色器与发出白光的发光部(发光元件)而形成。
此外，彩色显示装置可以具有这样的配置，其中一个子像素中的发光功能层可以由例如发出红光的红色发光功能层、发出绿光的绿色发光功能层和发出蓝光的蓝色发光功能层形成。这样的彩色显示装置还可以具有使用滤色器的配置，以防止在元件之间的发光元件和布线电极处的外部光反射，并且提高色纯度。
根据本公开的显示装置、显示装置的制造方法和电子装置，至少在第一基板的显示区的外围区域中设置基板间隔设定单元，作为设定第一基板与第二基板之间的基板间隔的间隔件。换言之，并不旨在排除基板间隔设定单元设置在显示区内的结构。此外，对于由与滤色器的材料相同的材料制成的第二调整层的材料，可以使用包括多种颜色的滤色器的任意颜色的过滤材料。对于基板间隔设定单元的层数，优选由包括第一调整层和第二调整层的至少两层形成的堆叠配置，并且此外，可以采用其中通过使用与第二调整层的材料不同的其他颜色的过滤材料而在第二调整层上进一步堆叠层的多层结构。
根据本公开的包括上述优选配置的显示装置、显示装置的制造方法以及电子装置，可以通过使用与滤色器的材料相同的材料在形成滤色器的步骤中形成第一调整层。在该情况下，第一调整层通过使用颜色不同于第二调整层的材料的颜色的过滤材料形成。
可替换地，根据本公开的包括上述优选配置的显示装置、显示装置的制造方法以及电子装置，可以通过使用金属材料以图案形成第一调整层。另外，第一调整层可以由金属布线图案形成。
可替换地，根据本公开的包括上述优选配置的显示装置、显示装置的制造方法以及电子装置，可以通过使用氧化膜以图案形成第一调整层。
根据本公开的包括上述优选配置的显示装置、显示装置的制造方法以及电子装置，第一基板可以由半导体基板形成。另外，第一基板可以具有包括垫片部分的配置，该垫片部分形成在其上形成有像素的表面(前表面)的相对侧的表面侧(背面侧)上并且用于电连接至外部。
根据本公开的包括上述优选配置的显示装置、显示装置的制造方法以及电子装置，显示装置可以具有有机电致发光(EL)显示装置的配置，该有机电致发光(EL)显示装置具有由其中多个子像素是自发光元件的有机EL元件形成的发光部(发光元件)。换言之，子像素由有机EL显示装置中的每个有机EL元件形成。
有机EL显示装置可以用作例如构成个人计算机、摄像机、数码静态相机的监控装置，并且还可以用作并入电视接收器、移动电话、个人数字助理(PDA，便携式信息终端)和游戏机的监控装置。可替换地，也可以应用于被称为头戴式显示器的电子取景器(EVF)或头戴式显示器(HMD)。可替换地，可以进一步例示出用于液晶显示装置的背光装置或包括平面光源装置的照明装置。
在有机EL元件中，用作发光功能层的有机层包括发光层(例如，由有机发光材料制成的发光层)。具体地，有机层可由例如包括空穴传输层、发光层和电子传输层的堆叠结构，包括空穴传输层和还用作电子传输层的发光层的堆叠结构，包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的堆叠结构等形成。此外，在堆叠结构等是串联单元的情况下，有机层可以具有包括两级的串联结构，其中第一串联单元、连接层、以及第二串联单元堆叠，或者可以具有包括三级或更多级的串联结构，其中三个或更多个串联单元堆叠。在这些情况下，可以通过为各个串联单元设定红色、绿色和蓝色的不同发射颜色来实现整体发出白光的有机层。
有机层的形成方法的实例可以包括物理气相淀积法(PVD方法)，诸如真空淀积方法；印刷方法，诸如丝网印刷法和喷墨印刷法；激光转印方法，其中位于层吸收层上的有机层分离，并且然后通过利用激光束照射形成在转印基板上并包括层吸收层和有机层的堆叠结构来转印有机层；以及各种涂覆方法。在基于真空淀积方法形成有机层的情况下，例如可以使用所谓的金属掩模并且淀积已穿过设置在金属掩模中的开口的材料来获得有机层，并且也可以在整个表面上在没有图案化的情况下形成有机层。
<作为本公开的前提的显示装置>
[系统配置]
图1是示意性地示出了作为本公开的前提的有源矩阵有机EL显示装置的基本配置的系统配置图。
有源矩阵型显示装置是其中由设置在像素内的与发光部相同的有源元件(例如，绝缘栅型场效应晶体管)执行发光部(发光元件)的驱动的显示装置。通常，薄膜晶体管(TFT)可以用作绝缘栅型场效应晶体管。
这里，例如，将通过举例说明其中单位像素(像素电路)的发光部(发光元件)由有机EL元件形成的有源矩阵有机EL显示装置的情况，来提供描述。有机EL元件是其中发光亮度根据装置中流动的电流值而变化的电流驱动型电光元件。在下文中，“单位像素/像素电路”也可以简称为“像素”。
如图1所示，作为本公开的前提的有源矩阵有机EL显示装置10包括：像素阵列单元30，其中多个单位像素20二维地布置在矩阵(二维矩阵)中；以及驱动单元(外围电路)，布置在其外围区域中并且适于驱动像素20。例如，驱动单元包括写入扫描单元40、电源扫描单元50、信号输出单元60等，并且驱动像素阵列单元30中的像素20中的每一个。
在本示例中，写入扫描单元40、电源扫描单元50和信号输出单元60安装在与像素阵列单元30相同的基板上(换言之，在显示面板70上)，作为像素阵列单元30的外围电路。然而，写入扫描单元40、电源扫描单元50和信号输出单元60中的一些或全部可以设置在显示面板70的外部。此外，虽然写入扫描单元40和电源扫描单元50布置在像素阵列单元30的一侧上，但是这些单元也可以布置在插入像素阵列单元30的两侧上。对于显示面板70的基板，可使用诸如玻璃基板的透明绝缘基板，或者还可使用诸如硅基板的半导体基板。
在支持彩色显示的有机EL显示装置10中，在形成彩色图像时作为单位的一个像素(单位像素/像素)由多个颜色的子像素(子像素)形成。在该情况下，子像素中的每一个对应于图1中的像素20。更具体地，支持彩色显示的显示装置中的一个像素由例如包括发出红(R)光的子像素、发出绿光(G)的子像素和发出蓝光(B)的子像素的三个子像素形成。
然而，一个像素不限于具有RGB的三原色的子像素的组合，并且一个像素还可以通过将一种颜色或多种颜色的子像素添加到三原色的子像素来形成。更具体地，例如，可以添加发出白(W)光的子像素以形成一个像素以便提高亮度，或者可以添加至少一个发出互补色光的子像素来形成一个像素，以便扩大彩色重现范围。
在像素阵列单元30中，扫描线31(311至31m中的每一个)和电源线32(321至32m中的每一个)在由m行和n列形成的像素20的阵列中的行方向(像素行/水平方向中的像素阵列方向)上以每像素行布线。此外，信号线33(331至33n中的每一个)在由m行和n列形成的像素20的阵列中的列方向(以像素列/垂直方向的像素阵列方向)上以每像素列布线。
扫描线311至31m分别连接至写入扫描单元40中的对应行的输出端子。电源线321至32m分别连接至电源扫描单元50的对应行的输出端子。信号线331至33n分别连接至信号输出单元60的对应列的输出端子。
写入扫描单元40由移位寄存器电路等形成。在将视频信号的信号电压写入像素阵列单元30中的像素20中的每一个时，写入扫描单元40向扫描线31(311至31m)依次供给写入扫描信号WS(WS1至WSm)，从而执行所谓的行序列扫描，以逐行扫描像素阵列单元30中的像素20中的每一个。
以类似于写入扫描单元40的方式，电源扫描单元50由移位寄存器电路等形成。电源扫描单元50与写入扫描单元40的行序列扫描同步，向电源线32(321至32m)供给可以在第一电源电压Vccp和低于第一电源电压Vccp的第二电源电压Vini之间切换的电源电压DS(DS1至DSm)。如下所述，通过在Vccp和Vini之间切换电源电压DS来控制像素20的发射/不发射(光猝灭)。
信号输出单元60选择性地输出：从信号源(未示出)供给并且符合亮度信息的视频信号的信号电压(以下可简称为“信号电压”)Vsig；以及基准电压Vofs。这里，基准电压Vofs是作为视频信号的信号电压Vsig(例如，对应于视频信号的黑电平的电压)的参考的电压，并且在稍后描述的阈值校正处理时使用。
从信号输出单元60输出的信号电压Vsig/基准电压Vofs经由信号线33(331至33n中的每一个)，以通过写入扫描电路40的扫描选择的每像素行写入像素阵列单元30中的像素20中的每一个内。换言之，信号输出单元60采用行序写入的驱动模式逐行(逐排)地写入信号电压Vsig。
[像素电路]
图2是示出了单位像素(像素电路)20的具体电路配置的实例的电路图。像素20的发光部由有机EL元件21形成，有机EL元件21是其中发光亮度根据装置中流动的电流值而变化的电流驱动型电光元件的实例。
如图2所示，像素20包括：有机EL元件21；以及通过将电流施加至有机EL元件21而驱动有机EL元件21的驱动电路。有机EL元件21具有连接至针对所有像素20共同布线的共用电源线34的阴极电极。
用于驱动有机EL元件21的驱动电路包括驱动晶体管22、写入晶体管23、存储电容器24和辅助电容器25，即包括两个晶体管(Tr)和两个电容元件(C)的2Tr2C的电路配置。这里，N沟道薄膜晶体管(TFT)用作驱动晶体管22和写入晶体管23。然而，这里所示的驱动晶体管22和写入晶体管23的导电类型的组合仅是示例，并且其组合不限于此。
驱动晶体管22的一个电极(源/漏电极)连接至电源线32(321至32m中的每一个)，并且另一电极(源/漏电极)连接至有机EL元件21的阳极。写入晶体管23的一个电极(源/漏电极)连接至信号线33(331至33n中的每一个)，并且另一个电极(源/漏电极)连接至驱动晶体管22的栅电极。此外，写入晶体管23具有连接至扫描线31(311至31m中的每一个)的栅电极。
在驱动晶体管22和写入晶体管23中，一个电极表示电连接至一个源/漏区域的金属线，并且另一电极表示电连接至另一源/漏区域的金属线。此外，根据一个电极与另一电极之间的电位关系，一个电极可以成为源电极或者也可以成为漏电极，另一电极可以成为源电极并且也可以成为漏电极。
存储电容器24的一个电极连接至驱动晶体管22的栅电极，并且另一电极连接至驱动晶体管22的另一电极和有机EL元件21的阳极。辅助电容器25的一个电极连接至有机EL元件21的阳极，并且另一电极相应连接至有机EL元件21的阴极，换言之，辅助电容器25并联连接至有机EL元件21。
在上述配置中，写入晶体管23响应于从写入扫描单元40经由扫描线31施加至栅电极的写扫描信号WS而变为导通状态，并将高压状态改变为激活状态。因此，写入晶体管23对从信号输出单元60经由信号线33以不同的定时供给的并符合亮度信息的视频信号的信号电压Vsig进行采样，或对基准电压Vofs进行采样，并将其写入像素20内。由写入晶体管23写入的信号电压Vsig或者基准电压Vofs存储在存储电容器24中。
当电源线32(321至32m中的每一个)的电源电压DS处于第一电源电压Vccp时，驱动晶体管22在饱和区域操作，同时其一个电极用作漏电极并且另一电极用作源电极。因此，驱动晶体管22接收来自电源线32的电流供给，并且通过电流驱动来驱动有机EL元件21以发光。更具体地，驱动晶体管22在饱和区域中操作，从而向有机EL元件21供给具有根据存储在存储电容器24中的信号电压Vsig的电压值的电流值的驱动电流，并且使有机EL元件21通过电流驱动发光。
此外，当电源电压DS从第一电源电压Vccp切换到第二电源电压Vini时，驱动晶体管22进一步操作为开关晶体管，同时其一个电极用作源电极，另一电极用作漏电极。因此，驱动晶体管22停止向有机EL元件21供给驱动电流，并且使有机EL元件21进入不发光状态。换言之，驱动晶体管22还具有作为控制有机EL元件21的发射和非发射的晶体管的功能。
可以通过驱动晶体管22的该切换操作来设置有机EL元件21变为不发光状态的周期(非发光周期)，并且可以控制有机EL元件21的发光周期与非发光周期之间的比率(占空)。由于可以通过该占空比控制来减少当像素在一个显示帧周期内发光时引起的余像模糊，特别地，可以实现运动图像的更优良的图像质量。
从电源扫描单元50经由电源线32选择性地供给的第一电源电压Vccp和第二电源电压Vini当中的第一电源电压Vccp，是向驱动晶体管22供给驱动电流以驱动有机EL元件21发光的电源电压。另外，第二电源电压Vini是向有机EL元件21施加反向偏压的电源电压。第二电源电压Vini被设为低于基准电压Vofs的电压，例如，低于Vofs-Vth的电压，当驱动晶体管22的阈值电压被设为Vth时，优选地，足够低于Vofs-Vth的电压。
像素阵列单元30中的像素20中的每一个具有校正由驱动晶体管22的特性变化引起的驱动电流的不均匀性的功能。驱动晶体管22的特性可以包括，例如驱动晶体管22的阈值电压Vth和构成驱动晶体管22的沟道的半导体薄膜的迁移率μ(在下文中简称为“驱动晶体管22的迁移率μ”)。
通过将驱动晶体管22的栅极电压Vg初始化为基准电压Vofs，来执行校正由阈值电压Vth的变化引起的驱动电流的不均匀性(下文中称为“阈值校正”)。具体地，执行将驱动晶体管22的源电压Vs改变为通过从初始电压减去驱动晶体管22的阈值电压Vth而获得的电位的操作，同时将驱动晶体管22的栅极电压Vg的初始电压(基准电压Vofs)设定为基准。在进行该操作之后，驱动晶体管22的栅源电压Vgs最终收敛到驱动晶体管22的阈值电压Vth。对应于阀值电压Vth的电压存储在存储电容器24中。然后，由于对应于阈值电压Vth的电压存储在存储电容器24中，因此当通过视频信号的信号电压Vsig驱动驱动晶体管22时，可以抑制在驱动晶体管22中流动的漏源电流Ids对阈值电压Vth的依赖性。
另一方面，通过在写入晶体管23处于导通状态的状态下经由驱动晶体管22向存储电容器24施加电流并且写入视频信号的信号电压Vsig，来执行校正由迁移率μ的不均匀性引起的驱动电流的不均匀性(下文中称为“迁移率校正”)。换言之，通过向存储电容器24施加具有根据驱动晶体管22中流动的电流Ids的反馈量(校正量)的负反馈，来执行校正。当写入视频信号时，通过上述阈值校正已经消除了漏源电流Ids对阈值电压Vth的依赖性，并且漏源电流Ids变为取决于驱动晶体管22的迁移率μ。因此，通过向驱动晶体管22的漏源电压Vds施加具有根据驱动晶体管22中流动的电流Ids的反馈量的负反馈，可以抑制驱动晶体管22中流动的漏源电流Ids对迁移率μ的依赖性。
[彩色显示方法]
顺便提及，作为实现彩色显示的系统(彩色显示系统)，上述有机EL显示装置10包括白色发光系统和红色(R)、绿色(G)以及B(蓝色)掩模颜色编码系统。
白色发光系统是通过将滤色器与白色有机EL元件结合而形成的系统，其中，一个子像素的发光功能层由白色发光功能层形成。发光功能层(有机层)包括由有机发光材料制成的发光层。具体地，例如，发光功能层可以由包括空穴传输层、发光层和电子传输层的堆叠结构，空穴传输层和也用作电子传输层的发光层的堆叠结构，包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、和电子注入层的堆叠结构等形成。
在堆叠结构等是串联单元的情况下，发光功能层(有机层)可以具有包括两级的串联结构，其中第一串联单元、连接层和第二串联单元堆叠。此外，发光功能层可以具有包括三级或更多级的串联结构，其中三个或更多个串联单元堆叠。在这些情况下，可以通过为各个串联单元设定红色、绿色和蓝色中的不同发射颜色，来实现作为整体发出白光的白色发光功能层，并且成为具有串联结构的白色有机EL元件。
RGB掩模颜色编码系统是其中通过使用掩模的气相沉积来分别对红色、绿色和蓝色的有机EL材料进行着色的系统。在RGB掩模颜色编码系统的情况下，一个子像素的发光功能层由发出红光的红色发光功能层、发出绿光的绿色发光功能层、以及发出蓝光的蓝色发光功能层形成。即使在采用该RGB掩模颜色编码系统的有机EL显示装置中，也可以采用滤色器，以在防止元件之间的有机EL元件和布线电极处的外部光反射，并且还提高色纯度。
[显示面板的密封结构]
在彩色显示器的有机EL显示装置中，在形成有机EL元件和保护膜之后，通过粘贴方法或片上方法形成滤色器。然后，在粘贴和片上方法中，从保护有机EL元件的观点来看，通过将诸如玻璃基板的第二基板粘贴到其上形成有有机EL元件的第一基板上，来采用密封结构(显示面板70的密封结构)。
图3是示出了根据现有技术中的示例的显示面板的密封结构的截面视图。图3示出了包括例如红色、绿色和蓝色的三个子像素的一个像素(单位像素)的配置，以简化附图。
在根据图3所示的现有技术的示例的显示面板的密封结构中，第一基板71由诸如硅基板的半导体基板形成，并且第二基板72由诸如硼硅酸盐玻璃的玻璃基板形成。在第一基板71的第一表面侧(前表面侧)上形成包括像素、其驱动电路、布线等的电路单元73，其中每个像素包括有机EL元件。此外，用于两个基板71和72的相对定位的对准标记74A和74B设置在第一基板71和第二基板72的每个相对表面侧上。
此外，以与红色、绿色和蓝色的三个子像素20R、20G和20B相对应的方式，在第一基板71和第二基板72之间设置滤色器80R、80G和80B。另外，通过在其外围部设置间隔件75来密封通过布置像素形成的显示区。当第一基板71粘贴到第二基板72时，间隔件75用于确保适当的基板间隔，使得两个基板71、72彼此不接触。由间隔件75形成的密封空间的内部由已知技术的树脂填充。
在上述根据现有技术的示例的显示面板的密封结构中，间隔件75通过利用密封材料涂覆显示区的外围部而形成，在密封材料中，间隙材料分散在由光固化环氧树脂材料制成的树脂内部。因此，在根据现有技术的实例的密封结构中，由于产生设置间隔件75的步骤增加了步骤数量，并且还有第一基板71与第二基板72之间的基板间隔由间隔件75本身的尺寸确定，因此可能难以调整基板间隔。
<第一实施方式>
作出实施本公开的技术的第一实施方式，以便提供不需要设置间隔件75的步骤的间隔件75，并且还可以容易地调整第一基板71与第二基板72之间的基板间隔。
顺便提及，可以例示两种模式，作为从形成彩色抗蚀剂到组装彩色显示器的有机EL显示装置中的面板组件的流程。第一模式是通过在有机EL元件的保护膜上或者在展平的膜上直接形成彩色抗蚀剂之后，通过粘贴由例如玻璃基板形成的第二基板72而执行密封的流程。第二模式是其中在第二基板72侧上形成黑矩阵和彩色抗蚀剂，并且然后将作为形成有有机EL元件和保护膜的底板基板的第一基板71粘贴到第二基板72的流程。
本公开的技术可以应用于与从形成彩色抗蚀剂到组装面板的流程相关的上述第一模式和第二模式中的任一种模式。在如下所述的第一实施方式中，将通过举例说明第二模式应用为从形成彩色抗蚀剂到组装面板的流程的情况，来提供描述。
图4是示出了根据本公开的第一实施方式的显示面板的密封结构的截面视图。在根据图4所示的第一实施方式的显示面板的密封结构中，第一基板71由诸如硅基板的半导体基板形成，并且还是具有形成有电路单元73的第一表面侧(前表面侧)的底板基板，其中电路单元73包括各自包括有机EL元件的像素、其驱动电路、布线等。然而，第一基板71不限于诸如硅基板的半导体基板，而是也可以由诸如玻璃基板的透明绝缘基板形成。
第二基板72是由透明绝缘基板(例如玻璃基板，诸如硼硅酸盐玻璃)形成的并且以面对第一基板71的方式布置的对置基板(或密封基板)。由于第二基板72由玻璃基板形成，因此光可以通过第二基板72被提取。因此，本有机EL显示装置的光提取系统采用从第二基板72侧提取光的顶部发射系统。
此外，以与包括有机EL元件的红色、绿色和蓝色的三个子像素20R、20G和20B相对应的方式，在第一基板71和第二基板72之间设置滤色器80R、80G和80B。此外，在通过布置像素(子像素20R、20G、以及20B)形成的显示区的至少外围部(外围区域)中设置间隔件76作为基板间隔设定单元，间隔件76用于在第一基板71与第二基板72之间设定(确保)适当的基板间隔。间隔件76确保适当的基板间隔，并且还具有密封第一基板71与第二基板72之间的空间的功能。由间隔件76形成的密封空间的内部由已知技术的树脂填充。
第一基板71具有其中一个端部比第二基板72突出的形状，即具有在平面图中一个端部形成为大于第二基板72的形状。用于电连接至外部的焊盘部77，形成在位于第一基板71的一个端部处并形成有电路单元73的表面侧(前表面侧)上。例如，柔性印刷电路板(未示出)被按压并连接到焊盘部77。
通过使用与滤色器80的材料相同的材料(即相同的彩色抗蚀剂材料)，在形成滤色器80(80R、80G、80B)的步骤中，形成在显示区的外围部中插入在第一基板71与第二基板72之间的间隔件76。在本示例中，由于上述第二模式被应用作为从形成彩色抗蚀剂到组装面板的流程，所以与第二基板72侧上的黑矩阵和彩色抗蚀剂的形成并行形成间隔件76。形成黑矩阵以防止RGB的颜色混合。
例如，滤色器80R、80G、和80B各自形成为具有约2[μm]的厚度。因此，滤色器80R、80G、80B的下表面与第一基板71的表面(具体地，有机EL元件的保护膜78)之间的间隙为约0.9[μm]。另一方面，间隔件76形成为具有约3.6[μm]的厚度(高度)。然后，在将第一基板71粘贴到第二基板72之后，间隔件76被压缩直到厚度从约3.6[μm]变为约2.7[μm]。
[形成彩色抗蚀剂的方法]
通过使用与绿色、红色和蓝色中的每一个相对应的光敏抗蚀剂，在第一基板71上形成彩色抗蚀剂。在应用上述第一模式作为从形成彩色抗蚀剂到组装面板的流程的情况下，通过使用与绿色、红色以及蓝色中的每一个相对应的光敏抗蚀剂，在第二基板71上形成彩色抗蚀剂。
通常地，通过涂覆/暴露彩色抗蚀剂执行显色处理，并且彩色抗蚀剂被图案化为预定形状，并且然后通过烘焙等固化该抗蚀剂。针对绿色、红色、以及蓝色重复执行该处理，并且滤色器80R、80G以及80B形成在对应于面板内的像素(子像素20R、20G以及20B)的位置处。根据本实施方式，在通过类似技术例如按照滤色器80G、滤色器80R、以及滤色器80B的顺序形成滤色器的步骤中，通过在显示区的外围区域中堆叠彩色抗蚀剂而形成间隔件76，作为基板间隔设定单元。
在形成彩色抗蚀剂时，稍后形成的彩色抗蚀剂(第二层)的厚度受先前形成的彩色抗蚀剂(第一层)的影响而变化。这将通过举例说明以图案形成彩色抗蚀剂的情况来具体描述。这里，“图案”表示其中第一层的彩色抗蚀剂在平面方向上形成任意形状的凸部和凹部、并且凸部和凹部的相对高度受控制的图案，或者表示其中在要形成柱的位置处在X方向、Y方向、或者X方向和Y方向两者上以循环方式形成凸部和凹部的图案。另外，“以图案形成”意味着通过图案化以任意形状形成彩色抗蚀剂。
例如，在以突出和凹入的条状形状的图案形成彩色抗蚀剂的情况下，假设之前刚形成的彩色抗蚀剂具有6[μm]的凸部(肋)的截面间距，其中凸部的膜厚度为2[μm]，并且以类似方式，稍后形成的彩色抗蚀剂具有6[μm]的间距，其中凸部的膜厚度为2[μm]。在这种情况下，由于彩色抗蚀剂的凸部的图案密度的影响，紧接之前的彩色抗蚀剂的凸部(在凹部中)之间的膜厚度稍微超过2[μm]，但是涂有彩色抗蚀剂的部分(即凸部)的厚度为2[μm]以下。这里，“图案密度”表示在图案(例如凸部)中实际形成彩色抗蚀剂的区域占据的面积与彩色抗蚀剂形成区域的面积的比率。
由于彩色抗蚀剂本身具有流动性并趋向于变得平坦，所以即使彩色抗蚀剂的涂覆量被固定为常量，紧接之前的彩色抗蚀剂的凹部与涂覆有彩色抗蚀剂的凸部之间产生膜厚度差异。由于包括底层且之前刚形成的彩色抗蚀剂以图案形成，因此在显示区的外围部中形成间隔件76时，间隔件76的总膜厚度受到图案密度的影响而变化。换言之，可以通过使包括底层且之前刚形成的彩色抗蚀剂以图案形成并且通过调整其图案密度来调整间隔件76的总膜厚度(高度)。
图5是示出当堆叠间隔件76时第一层(之前形成的彩色抗蚀剂)的图案密度与总膜厚度之间的关系的图。在图5中，实线表示第一层(之前形成的彩色抗蚀剂)的膜厚度与第二层(稍后形成的彩色抗蚀剂)的膜厚度之间的比率(第一层和第二层之间的膜厚度比)为1:1的情况，虚线表示比率为1.2:1的情况，并且点划线表示比率为0.8:1的情况。例如，在设置为第一调整层的第一层与设置为第二调整层的第二层之间的膜厚度比为1:1的情况下，当图案密度是100[％]时第一层的总厚度是2[μm]，而当图案密度是50[％]时总膜厚度是1.5[μm]。
因此，通过以图案形成第一层并且使用相同的彩色抗蚀剂材料在形成滤色器80R、80G和80B的步骤中形成间隔件76时调整图案的图案密度，可以调整间隔件76的总膜厚度。这里，通过举例说明具有包括两层的堆叠结构的情况来提供描述以便于理解，但是即使在具有包括三层以上的堆叠结构的情况下，情况也是类似的。例如，在具有包括三层的堆叠结构的情况下，可以具有其中第一层以图案形成并且第二层和第三层顺次堆叠其上的配置，或者具有其中第一层以图案形成、第二层也以图案形成并且第三层堆叠其上的配置。
使用了绿色、红色和蓝色的彩色抗蚀剂，但是在将透明涂膜附着到底层的情况下，可以使用四种抗蚀剂。通过组合多种抗蚀剂并将其叠置，同时调整包括底层的涂膜的图案的密度(图案密度)，间隔件76可以形成为任意高度。
[间隔件的堆叠结构]
图6A、图6B、图6C、以及图6D是示出了在第一层和第二层由彩色抗蚀剂材料制成的情况下的间隔件76的堆叠结构的具体示例的截面视图。在图6A的示例中，在层间膜761上以图案形成绿色抗蚀剂762，并且红色抗蚀剂763堆叠其上以形成包括两层的堆叠结构。由于彩色抗蚀剂本身具有流动性，所以由红色抗蚀剂763填充绿色抗蚀剂762不存在的区域。图6B的实例是包括三层的堆叠结构的实例，其中图6A的实例中的蓝色抗蚀剂764堆叠在红色抗蚀剂763上。
图6C的实例是包括三层的堆叠结构的实例，其中绿色抗蚀剂762在层间膜761上以图案形成、同样红色抗蚀剂763在绿色抗蚀剂762不存在的区域上以图案形成、并且蓝色抗蚀剂764堆叠其上。在图6C的实例的情况下，因为通过使红色抗蚀剂763在绿色抗蚀剂762不存在的区域上以图案形成，不存在第二层的红色抗蚀剂763的区域填充有第三层的蓝色抗蚀剂764，所以间隔件76的膜厚度可以薄于图6B的实例的情况下的厚度。
图6D的实例是包括三层的堆叠结构的实例，其中绿色抗蚀剂762在层间膜761上以图案形成、同样红色抗蚀剂763在绿色抗蚀剂762存在的区域上以图案形成、并且蓝色抗蚀剂764堆叠其上。在图6D的实例的情况下，通过在绿色抗蚀剂762存在的区域上以图案形成红色抗蚀剂763，由于第一层的绿色抗蚀剂762和第二层的红色抗蚀剂763不存在的区域填充有第三颜色的蓝色抗蚀剂764，所以间隔件76的膜厚度可以薄于图6C的实例的情况下的膜厚度。
图6A、图6B、图6C、以及图6D中的实例是在第一层和第二层均由彩色抗蚀剂材料制成的情况下的具体实例，但除了彩色抗蚀剂材料之外的材料也可以用作第一层。
图7A、图7B、以及图7C示出了在使用除第一层的彩色抗蚀剂材料以外的材料的情况下的间隔件76的堆叠结构的具体示例。这里，将通过举例说明具有包括两层的堆叠结构的情况来提供描述以便于理解，但是描述可以以类似方式应用于包括三层或更多层的堆叠结构。
图7A的实例是其中第一层由金属材料制成并且第二层由彩色抗蚀剂材料制成的实例。具体地，设置了包括两层的堆叠结构，其中，形成(布线)在层间膜761上的铝(Al)布线图案765用作第一层，并且绿色抗蚀剂762堆叠在第一层的Al布线图案765上。钨(W)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)等(即除了Al之外的第一层的金属材料)可以用作布线材料。
图7B的实例是第一层由氧化膜制成并且第二层由彩色抗蚀剂材料制成的实例。具体地，提供了包括两层的堆叠结构，其中，由氧化膜形成的层间膜(层间绝缘膜)761用作第一层，并且第一层的层间膜761以图案形成，然后绿色抗蚀剂762堆叠在其上。可以例示诸如SiO、SiN、SiOC等的绝缘材料作为层间膜761的材料。通过光刻将第一层的层间膜761图案化，并通过DET处理形成形状。
图7C的实例是以类似于图7B的实例的方式的第一层由氧化膜制成并且第二层由彩色抗蚀剂材料制成的实例。虽然图7B的实例是第一层的层间膜761以图案形成的实例，但是图7C的实例是第一层的层间膜761形成在Al布线图案765上的实例。具体地，在第一层的层间膜761下方的Al布线等被图案化，并且通过Al布线图案765在第一层的层间膜761下方形成凸部和凹部。因此，通过与以图案形成层间膜761的情况类似的方式在Al布线图案765上形成层间膜761而无需以图案形成层间膜761，根据底层的凸部和凹部在层间膜761中形成凸部和凹部。这种情况也被包括在以图案形成第一层的层间膜761的概念中。在本实例中，除了Al布线图案765之外，还可以采用保形SiO膜形成或高密度等离子体(HDP)膜形成来改变形状。
在图6A至图7C所示的实例中，已通过举例说明第一层形成为例如突出和凹陷的条状形状的图案的情况提供了描述，但是图案不限于条状形状。第一层也可以以除了条状形状之外的岛状图案形成，具体地，绿色抗蚀剂762可以以例如图8A所例示的矩形岛状的图案形成。为了便于理解，图8A例示了其中绿色抗蚀剂762在层间膜761上以两个矩形岛状的图案形成的配置。
在图8A的实例中，可以采用一种配置，其中可以将两片彩色抗蚀剂762的高度设为与图8B所示相同的高度h1，换言之，设定一个相对高度(高度h1)。可替换地，也可以具有其中设有两个相对高度(诸如如图8C所示的高度h1和高度h2)的配置。图8B和图8C对应于图7C中的实例。通过在形成SiO膜之后通过例如化学机械抛光(CMP)执行研磨，可以将多片岛状的彩色抗蚀剂762的高度控制为具有任意的高度。在不进行理想平坦化的情况下，凸部和凹部的高度由图案密度(在图8C的情况下为Al布线图案765)确定。
[图案布局]
随后，将参考图9A至图13C描述第一层的图案布局。图9A至图13C是示出了间隔件的堆叠结构中的第一层的图案布局的具体示例的平面图案图(第1至第5)。
在图9A至图13C中，图4所示的第二基板72(或第一基板71)的显示区的其上形成有间隔件76的外围部是柱形成部分。以该柱形成部分形成第一层的图案(凸部)。在图9A至图13C中，为了便于理解，阴影线表示由第一层上的凸部形成的图案，并且轮廓线表示第一层的凹部。例如，第一层的图案在X方向和Y方向上排列，同时将由图9A至图13C中的虚线包围的正方形形成区域S设定为单元。
图9A中示出的布局具有一图案，其中各自在Y方向上延伸并且具有形成区域S的约1/2的宽度的肋状凸部T在X方向上以形成区域S的间距排列。图9B中所示的布局具有一图案，其中位于形成区域S的左上角部分的各自具有形成区域S的约1/4的尺寸并且具有正方形平面形状的凸部T，在X方向和Y方向上以形成区域S的间距排列。图9C中所示的布局具有一图案，其中位于形成区域S的中心的各自具有形成区域S的约1/4的尺寸并且具有正方形平面形状的凸部T，在X方向和Y方向上以形成区域S的间距排列。
在图9A、图9B和图9C所示的布局中，还可以采用其中切换凸部(影线部分，下面类似)与凹部(轮廓部分，下面类似)之间的关系的布局。
图10A中所示的布局具有一图案，其中，各自具有形成区域S的约1/9的尺寸并且具有正方形平面形状的三个凸部T倾斜布置在形成区域S内部，并且这三个凸部T1、T2和T3被设为单元且在X方向和Y方向上以形成区域S的间距排列。图10B中所示的布局具有一图案，其中具有形成区域S的约1/3的宽度并且具有形成区域S尺寸的长度的肋状凸部T1和宽度约与凸部T1相同并且具有短于凸部T1的长度的肋状凸部T2被设为单元，并且凸部T1和T2在X方向和Y方向上以形成区域S的间距排列。图10C中所示的布局具有一图案，其中，各自具有形成区域S的约1/3的宽度的两个凸部T1和T2在形成区域S内部以倾斜方式彼此远离布置，并且这两个凸部T1和T2被设为单元且在X方向和Y方向上以形成区域S的间距排列。
在图10A、图10B和图10C所示的布局中，也可以采用其中切换凸部与凹部之间的关系的布局。
图11A中所示的布局具有一图案，其中，各自具有矩形平面形状的三个凸部T1、T2、和T3布置在形成区域S内对应于三角形的顶点的位置处，并且这三个凸部T1、T2、和T3被设为单元且在X方向和Y方向上以形成区域S的间距排列。图11B中示出的布局具有一图案，其中，各自具有形成区域S的1/4的尺寸并且具有正方形平面形状的凸出部分T1和各自具有形成区域S的约1/2的尺寸并且具有正方形平面形状的凸出部分T2布置在形成区域S内部，并且这两个凸出部分T1和T2被设为单元且在X方向和Y方向上以形成区域S的间距排列。
在图11A和图11B所示的布局中，可以采用其中切换凸部与凹部之间的关系的布局。
图12A中所示的布局具有一图案，其中通过将具有六边形平面形状的基本形状U等分成六个相等部分而获得不连续的三个三角形凸部T，并且各自包括这三个凸部T的基本形状U彼此相邻排列。图12B中所示的布局具有一图案，其中通过将具有六边形平面形状的基本形状U等分成六个相等部分而获得六个三角形凸部T，并且各自包括六个凸部T的基本形状U在方向上排列在每第三片处。
在图12A和图12B所示的布局中，也可以采用其中切换凸部与凹部之间的关系的布局。
图13A、图13B和图13C具有其中各自具有三角形平面形状的基本形状V以三角形式布置的图案，并且形成在基本形状V内部的凸部T的形状在三个示例性图案之间是不同的。在图13A、图13B和图13C所示的布局中，也可以采用其中切换凸部与凹部之间的关系的布局。
根据上述根据第一实施方式的显示面板的密封结构，不需要形成间隔件76的步骤，这是因为通过使用与滤色器80相同的材料，在形成滤色器80的步骤中形成用于设定第一基板71与第二基板72之间的适当基板间隔的间隔件76。因此，与专利文献1描述的现有技术相比，可以进一步减少制造显示面板的步骤数量。
此外，由于第二层(第二调整层)堆叠在以图案形成的第一层(第一调整层)上，因为第二层的彩色抗蚀剂本身具有流动性并趋向于变得平坦，因此在第一层的凹部与突出部之间产生膜厚度差。因此，通过调整第一层的图案密度，可以调整第二层的厚度，进一步，可以调整间隔件76的总高度。因此，可以容易地调整第一基板71与第二基板72之间的由间隔件76的高度确定的基板间隔。
在用于电子取景器(EVF)或头戴显示器的具有约1英寸或更小的尺寸的小型显示器的情况下，与直视型(诸如，中/大显示器)相比，像素尺寸/间距极其小。因此，在尺寸为1英寸或更小的小型显示器中，注重视角特性以保持适当的颜色和亮度。因此，根据本实施方式的可以容易地执行第一基板71与第二基板72之间的基板间隔的调整的显示面板的密封结构，对于具有约1英寸或更小的尺寸的小型显示器是特别有用的，这是因为通过调整基板间隔可以容易地获得适当的视角特性。
<第二实施方式>
第二实施方式也具有与第一实施方式类似的显示面板的密封结构。换言之，提供了这样的配置，其中不需要形成间隔件76的步骤并且通过使至少第一层以图案形成并且通过使用与滤色器80的材料相同的材料在形成滤色器80的步骤中形成间隔件76，而可以容易地调整基板间隔。然而，在第一实施方式中，诸如玻璃基板的透明绝缘基板可以用作除了诸如硅基板的半导体基板之外的第一基板71。另一方面，在第二实施方式中，前提是使用诸如硅基板的半导体基板作为第一基板71。
图14是示出了根据本公开的第二实施方式的显示面板的密封结构的截面视图。在图14中，第一基板71由诸如硅基板的半导体基板形成，并且还是具有形成有电路单元73的第一表面侧(前表面侧)的底板基板，其中电路单元73包括各自包括有机EL元件的像素、像素的驱动电路、布线等。用于电连接至外部的焊盘部77形成在第一基板71的第二表面侧(背面侧)上。换言之，由于第一基板71由半导体基板形成，因此采用的是背面贯通电极结构，在该结构中，前表面侧上的电路单元73与背面侧上的焊盘部77通过基板电连接。例如，柔性印刷电路板(未示出)被按压并接合到焊盘部77。
由于采用了焊盘部77设置在作为底板基板的第一基板71的背面侧上的配置，因此可以使芯片尺寸(平面状的基板尺寸/面板尺寸)小于根据第一实施方式的显示面板的芯片尺寸，如从图4的比较中显而易见。因此，可以提高理论产额(理论产额)。此外，对于底板基板，也可以采用将半导体基板进一步堆叠在第一基板71上的堆叠结构。此外，通过采用底板基板的堆叠结构并且将安装在第一基板71上的电路单元73的电路的一部分或全部安装在待堆叠的半导体基板上，第一基板71的平面形状的尺寸，进一步，底板基板的平面形状的整体尺寸可以被进一步减少。
<电子装置>
本公开的上述显示装置用作每个领域中的电子装置的显示单元(显示装置)，以作为图像或者视频来显示在电子装置中接收的视频信号或在电子装置中产生的视频信号。例如，本公开的显示装置可以用作电视机、数码静态相机、膝上型个人计算机、诸如蜂窝电话的移动终端装置、摄像机、头戴式显示器(头戴型显示器)等的显示单元。
通过使用本公开的显示装置作为每个领域中的电子装置的显示单元，可以获得以下效果。换言之，根据本公开的技术，由于可以容易地调整基板间隔，因此可以适当地设定可以影响视角特性的基板间隔，并且可以保持适当的颜色和亮度，并且因此，可以获得对提高显示质量的贡献。
本公开的显示装置还包括具有密封配置的模块状部件。实例是通过将诸如透明玻璃的对置部分粘贴到像素阵列单元而形成的显示模块。注意，显示模块可以设置有从外部、柔性印刷电路(FPC)等接收信号等并向像素阵列单元输出信号等的电路单元。在下文中，将举例说明数码静态相机和头戴式显示器，作为使用本公开的显示装置的电子装置的具体示例。然而，在此举例说明的具体实例仅是示例，并且本发明不限于此。
(具体实例1)
图15A和图15B是具有可互换镜头的单镜头反光数码静态相机的外部视图，图15A示出其前视图，且图15B示出其后视图。例如，具有可互换镜头的单镜头反光数码静态相机包括：在照相机主体(照相机机身)111的右前侧上的可互换的拍摄镜头单元(可互换镜头)112；以及在左前侧上由拍摄者握持的握持部113。
此外，监视器114基本上设置在相机主体111的后表面的中心。在监视器114的上方设置有取景器(目镜窗)115。拍摄者可以在视觉上识别从拍摄镜头单元212引导的对象的光学图像并且通过查看取景器115来确定画面。
在具有上述结构的具有可互换镜头的单镜头反光数码静态相机中，本公开的显示装置可以用作取景器115。换言之，通过使用本公开的显示装置作为相机的取景器115，来制造根据本实例的具有可互换镜头的单镜头反光数码静态相机。
(具体实例2)
图16是头戴式显示器的外部视图。头戴式显示器在像眼镜形状的显示单元211的两侧上包括用于附接到用户的头部的耳挂部分212。在该头戴式显示器中，本公开的显示装置可用作显示单元211。换言之，通过使用本公开的显示装置作为显示器的显示单元211，来制造根据本实例的头戴式显示器。
此外，本公开还可具有以下配置。
[1]一种显示装置，包括：
第一基板，第一基板上形成有包括发光部的像素；
第二基板，以面对第一基板的方式布置；
滤色器，设置在第一基板与第二基板之间；以及
基板间隔设定单元，设置在第一基板的通过形成像素而制成的显示区的至少外围部中，并且适于设定第一基板与第二基板之间的基板间隔，
其中，基板间隔设定单元由至少两层形成，包括：
第一调整层，在第一基板上以预定图案形成；以及
第二调整层，通过使用与滤色器的材料相同的材料，在形成滤色器的步骤中被堆叠在第一调整层上。
[2]根据以上[1]所述的显示装置，其中，通过使用与滤色器的材料相同的材料，在形成滤色器的步骤中以图案形成第一调整层。
[3]根据[1]所述的显示装置，其中，通过使用金属材料以图案形成第一调整层。
[4]根据以上[3]所述的显示装置，其中，第一调整层由金属布线图案形成。
[5]根据[1]所述的显示装置，其中，通过使用氧化膜以图案形成第一调整层。
[6]根据以上[1]至[5]中任一项所述的显示装置，其中，第一基板由半导体基板形成。
[7]根据以上[6]所述的显示器，其中，第一基板包括形成在与形成像素的表面相对的表面侧上并且用于电连接至外部的焊盘部。
[8]一种显示装置的制造方法，包括：
第一基板，第一基板上形成有包括发光部的像素；
第二基板，以面对第一基板的方式布置；
滤色器，设置在第一基板与第二基板之间；以及
基板间隔设定单元，设置在第一基板的通过形成像素而制成的显示区的至少外围部中，并且适于设定第一基板与第二基板之间的基板间隔，
制造方法包括：
在第一基板上，以预定图案形成第一调整层；以及
随后通过使用与滤色器的材料相同的材料，在形成滤色器的步骤中，在第一调整层上堆叠第二调整层以形成包括至少两层的基板间隔设定单元。
[9]一种包括显示装置的电子装置，包括：
第一基板，第一基板上形成有包括发光部的像素；
第二基板，以面对第一基板的方式布置；
滤色器，设置在第一基板与第二基板之间；以及
基板间隔设定单元，设置在第一基板的通过形成像素而制成的显示区的至少外围部中，并且适于设定第一基板与第二基板之间的基板间隔，
其中，基板间隔设定单元由包括下列层的至少两层形成：
第一调整层，在第一基板上以预定图案形成；以及
第二调整层，通过使用与滤色器的材料相同的材料，在形成滤色器的步骤中被堆叠在第一调整层上。
参考符号列表
10 有机EL显示装置、20(20R，20G，20B) 单位像素(像素/像素电路)、21 有机EL元件、22 驱动晶体管、23 写入晶体管、24 存储电容器、25 辅助电容器、30 像素阵列单元、31(311至31m) 扫描线、32(321至32m) 电源线、33(331至33n) 信号线、34 共用电源线、40 写入扫描单元、50 电源扫描单元、60 信号输出单元、70 显示面板、71 第一基板、72 第二基板、73 电路单元、75，76 间隔件、77 焊盘部、78 保护膜、80(80R，80G，80B) 滤色器。

Claims (9)

1.一种显示装置，包括：
第一基板，所述第一基板上形成有包括发光部的像素；
第二基板，以面对所述第一基板的方式布置；
滤色器，设置在所述第一基板与所述第二基板之间；以及
基板间隔设定单元，设置在所述第一基板的通过形成像素而制成的显示区的至少外围部中，并且被配置为设定所述第一基板与所述第二基板之间的基板间隔，
其中，所述基板间隔设定单元由包括下列层的至少两层形成：
第一调整层，在所述第一基板上以预定图案形成；以及
第二调整层，通过使用与所述滤色器的材料相同的材料，在形成所述滤色器的步骤中被堆叠在所述第一调整层上，并且所述第二调整层的厚度通过调整所述第一调整层的图案密度来调整。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，通过使用与所述滤色器的材料相同的材料，在形成所述滤色器的步骤中以图案形成所述第一调整层。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，通过使用金属材料以图案形成所述第一调整层。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一调整层由金属布线图案形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，通过使用氧化膜以图案形成所述第一调整层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一基板是半导体基板。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一基板包括形成在与形成像素的表面相对的表面侧上并且用于电连接至外部的焊盘部。
8.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括：
第一基板，所述第一基板上形成有包括发光部的像素；
第二基板，以面对所述第一基板的方式布置；
滤色器，设置在所述第一基板与所述第二基板之间；以及
基板间隔设定单元，设置在所述第一基板的通过形成像素而制成的显示区的至少外围部中，并且被配置为设定所述第一基板与所述第二基板之间的基板间隔，
所述制造方法包括：
在所述第一基板上，以预定图案形成第一调整层；以及
随后通过使用与所述滤色器的材料相同的材料，在形成所述滤色器的步骤中，在所述第一调整层上堆叠第二调整层以形成包括至少两层的所述基板间隔设定单元，并且所述第二调整层的厚度通过调整所述第一调整层的图案密度来调整。
9.一种包括显示装置的电子装置，所述显示装置包括：
第一基板，所述第一基板上形成有包括发光部的像素；
第二基板，以面对所述第一基板的方式布置；
滤色器，设置在所述第一基板与所述第二基板之间；以及基板间隔设定单元，设置在所述第一基板的通过形成像素而制成的显示区的至少外围部中，并且被配置为设定所述第一基板与所述第二基板之间的基板间隔，
其中，所述基板间隔设定单元由包括下列层的至少两层形成：
第一调整层，在所述第一基板上以预定图案形成；以及
第二调整层，通过使用与所述滤色器的材料相同的材料，在形成所述滤色器的步骤中被堆叠在所述第一调整层上，并且所述第二调整层的厚度通过调整所述第一调整层的图案密度来调整。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018124471A (ja) * 2017-02-02 2018-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および表示装置の駆動方法
WO2020071026A1 (ja) * 2018-10-02 2020-04-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器
JP7378923B2 (ja) 2018-10-31 2023-11-14 キヤノン株式会社 半導体装置、モジュール、カメラおよび機器
JP2020155280A (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器
KR20200117093A (ko) * 2019-04-02 2020-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11957023B2 (en) 2019-08-23 2024-04-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Light-emitting diode display panel, manufacturing method thereof, and display device
JP7335359B2 (ja) * 2019-08-23 2023-08-29 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 発光ダイオード表示パネル及びその製造方法、表示装置
WO2021189480A1 (zh) 2020-03-27 2021-09-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10162952A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Sharp Corp 薄膜ｅｌパネル及びその製造方法
JP2003255850A (ja) * 2002-03-05 2003-09-10 Pioneer Electronic Corp 表示パネル基板及び表示装置
JP2008165108A (ja) * 2007-01-04 2008-07-17 Fuji Electric Holdings Co Ltd リブ機能を併せ持つカラーフィルタ基板、リブ機能を併せ持つ色変換フィルタ基板、および、これらを用いたカラー有機ｅｌ素子、並びに、これらの製造方法
JP2009163975A (ja) * 2008-01-07 2009-07-23 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2009210926A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Dainippon Printing Co Ltd 横電界液晶駆動方式用カラーフィルタ
JP2012159757A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ、液晶表示装置およびカラーフィルタの製造方法
JP2014178616A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Rohm Co Ltd 画像表示装置および画像表示装置の取付構造
CN104282713A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7194085B2 (en) * 2000-03-22 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
TW518552B (en) * 2000-08-18 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device, method of driving the same, and method of driving a portable information device having the liquid crystal display device
KR101001963B1 (ko) * 2003-05-15 2010-12-17 삼성전자주식회사 액정표시장치
JP2008288012A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法
KR102134842B1 (ko) * 2013-07-12 2020-07-17 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102081288B1 (ko) * 2013-08-08 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10739882B2 (en) * 2014-08-06 2020-08-11 Apple Inc. Electronic device display with array of discrete light-emitting diodes

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10162952A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Sharp Corp 薄膜ｅｌパネル及びその製造方法
JP2003255850A (ja) * 2002-03-05 2003-09-10 Pioneer Electronic Corp 表示パネル基板及び表示装置
JP2008165108A (ja) * 2007-01-04 2008-07-17 Fuji Electric Holdings Co Ltd リブ機能を併せ持つカラーフィルタ基板、リブ機能を併せ持つ色変換フィルタ基板、および、これらを用いたカラー有機ｅｌ素子、並びに、これらの製造方法
JP2009163975A (ja) * 2008-01-07 2009-07-23 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2009210926A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Dainippon Printing Co Ltd 横電界液晶駆動方式用カラーフィルタ
JP2012159757A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ、液晶表示装置およびカラーフィルタの製造方法
JP2014178616A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Rohm Co Ltd 画像表示装置および画像表示装置の取付構造
CN104282713A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

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