CN107248859B - 一种igbt软关断驱动电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种IGBT软关断驱动电路，包括光电耦合模块、同极性延时电路、反极性延时电路、驱动电路、第一负载模块和第二负载模块；每次IGBT开通时，g‑e极间电压由负电位升至0电位后升至导通电压，IGBT开通；每次IGBT关断时，g‑e极间电压先陡峭下降后缓慢下降至0电位，最后下降至负电位，从而实现IGBT软关断后的可靠关断。本发明的IGBT软关断驱动电路实现了IGBT的可靠关断，极大地延长IGBT的使用寿命。

Description

一种IGBT软关断驱动电路

技术领域

本发明涉及电子电路的技术领域，特别是涉及一种IGBT软关断驱动电路。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，故非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

近年来，IGBT作为功率半导体开关器件被广泛应用在变频器、逆变器和开关设备中。一旦发生短路并流过较大的短路电流，IGBT器件就会由于过流而烧毁。现有技术中，常用的IGBT过流保护方法为：在驱动端及时关断IGBT，切断后端负载。IGBT的关断分为硬关断和软关断两种。其中，采用软关断要比硬关断更能延长IGBT的寿命。

目前，IGBT软关断驱动电路的设计通常是面向电机驱动、开关电源等领域，要求短路发生后要有再导通的功能，导致采用的器件较多也更为复杂，不太适用在需求较简单的应用当中。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种IGBT软关断驱动电路，省去了传统IGBT驱动电路的负电压源和其他辅助电路，实现了IGBT的可靠关断，极大地延长IGBT的使用寿命。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种IGBT软关断驱动电路，包括：光电耦合模块，用于将低压侧输入信号转换为高压侧输入信号，所述高压侧输入信号和低压侧输入信号的极性相同；同极性延时电路，用于将所述高压侧输入信号转换为第一IGBT门极驱动信号，所述第一IGBT门极驱动信号与所述低压侧输入信号的极性相同，并较所述低压侧输入信号有第一预设时长的延时；反极性延时电路，用于将所述高压侧输入信号转换为第一IGBT发射极驱动信号，所述第一IGBT发射极驱动信号与所述低压侧输入信号的极性相反，并较所述低压侧输入信号有第二预设时长的延时；驱动电路，用于将所述第一IGBT门极驱动信号增强为极性相同的第二IGBT门极驱动信号；将所述第二IGBT发射极驱动信号增强为极性相同的第二IGBT发射极驱动信号；第一负载模块，用于将所述第二IGBT门极驱动信号转换为第三IGBT门极驱动信号；包括第三电阻、第三二极管、第三电容和第四电阻，所述第三电阻的一端、所述第三二极管的阳极和所述第三电容的正极均连接至所述第二IGBT门极驱动信号，所述第三电阻的另一端、所述第三二极管的阴极和所述第三电容的负极均连接至所述第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端输出为所述第三IGBT门极驱动信号以驱动IGBT的门极；第二负载模块，用于将所述第二发射极驱动信号转换为所述第三IGBT发射极驱动信号；包括第五电阻、第四二极管和第四电容，所述第五电阻的一端和所述第四二极管的阴极均连接至所述第二IGBT发射极驱动信号，所述第五电阻的另一端和所述第四二极管的阳极输出为所述第三IGBT发射极驱动信号以驱动所述IGBT的发射极，且连接至所述第四电容的一端，所述第四电容的另一端接地。

于本发明一实施例中，还包括隔离电源，所述隔离电源用于为所述同极性延时电路、所述反极性延时电路和所述驱动电路提供所需的高压隔离的直流电压。

于本发明一实施例中，所述隔离电源包括DC-DC隔离电源和线性稳压器。

于本发明一实施例中，所述光电耦合模块包括串联的光电隔离器和与非门；所述光电隔离器的输入端连接低压侧输入信号，输出端连接至所述与非门的两个输出端，所述与非门的输出端得到所述高压侧输入信号。

于本发明一实施例中，所述同极性延时电路包括第一积分电路和第一延时电路；所述第一积分电路包括第一电阻、第一电容和第一二极管，所述第一电阻的一端和所述第一二极管的负输入端均连接至所述光电耦合模块的输出端，所述第一电阻的另一端和所述第一二极管的阳极作为所述第一积分电路的输出端，且均连接至所述第一电容的正极，所述第一电容的负极接地；所述第一延时电路用于将所述第一积分电路的输出信号进行延时，得到所述第一IGBT门极驱动信号，且保持所述第一IGBT门极驱动信号的极性与所述低压侧输入信号的极性相同。

于本发明一实施例中，所述延时电路包括一与门，所述与门的两输入端均连接至所述第一积分电路的输出端，所述与门的输出端输出所述第一IGBT门极驱动信号。

于本发明一实施例中，所述延时电路包括两个串联的与非门，第一个与非门的两输入端均连接至所述第一积分电路的输出端，第二个与非门的两输入端均连接至所述第一个与非门的输出端；所述第二个与门的输出端输出所述第一IGBT门极驱动信号。

于本发明一实施例中，所述反极性延时电路包括第二积分电路和第二延时电路；所述第二积分电路包括第二电阻、第二电容和第二二极管，所述第二电阻的一端和所述第二二极管的阳极均连接至所述光电耦合模块的输出端，所述第二电阻的另一端和所述第二二极管的阴极作为所述第二积分电路的输出端，且均连接至所述第二电容的正极，所述第二电容的负极接地；所述第二延时电路用于将所述第二积分电路的输出信号进行延时，得到第一IGBT发射极驱动信号，且保持所述第一IGBT发射极驱动信号的极性与所述低压侧输入信号的极性相反。

于本发明一实施例中，所述第二延时电路包括一与非门，所述与非门的两输入端均连接至所述第二积分电路的输出端，所述与非门的输出端输出所述所述第一IGBT发射极驱动信号。

于本发明一实施例中，所述与非门采用带有斯密特触发输入的与门。

如上所述，本发明的IGBT软关断驱动电路，具有以下有益效果：

(1)对同一驱动信号独立进行了两次延时分别产生门极(g极)驱动电压和发射极(e极)驱动电压，以分别驱动IGBT的g极和e极；当IGBT开通时，e极先快速放电，g极延时开通，当g极和e极的电压差达到导通电压值时，实现IGBT正常开通；IGBT关断时，g极瞬时放电到安全电位后再缓慢放电，待g极放电完毕后，e极延时充电，当g极和e极的电压差小于等于0时，实现IGBT反向关断；

(2)省去了传统IGBT驱动电路的负电压源和其他辅助电路，实现了IGBT的可靠关断，极大地延长IGBT的使用寿命；

(3)主要由逻辑门电路、电容、电阻和二极管元件组成，一旦参数被确定，稳定性和抗干扰能力较强，能够在每次驱动IGBT关断时均实现软关断；尤其对于需求简单的逆变电路中，其实现更为简单，使得成本低，易于实现。

附图说明

图1显示为本发明的IGBT软关断驱动电路于一实施例中的结构示意图；

图2显示为本发明的IGBT软关断驱动电路于一实施例中的电路示意图；

图3为本发明的光耦隔离模块低压侧输入信号in_LV和高压侧输入信号in_HV的波形对比示意图；

图4为本发明的高压侧输入信号in_HV和第一IGBT门极驱动信号g_IN的波形对比示意图；

图5为本发明的高压侧输入信号in_HV和第一IGBT发射极驱动信号g_IN的波形对比示意图；

图6为本发明中IGBT开通时高压侧输入信号in_HV与第三IGBT门极驱动信号g_DRIVE、第三IGBT发射极驱动信号e_DRIVE的波形对比示意图；

图7为本发明中IGBT关断时高压侧输入信号in_HV与第三IGBT门极驱动信号g_DRIVE、第三IGBT发射极驱动信号e_DRIVE的波形对比示意图；

图8为本发明中IGBT软关断驱动电路的部分波形示意图；

图9为本发明中IGBT的g-e极间的驱动电压波形效果示意图。

元件标号说明

1 隔离电源

2 光电耦合模块

3 同极性延时电路

4 反极性延时电路

5 驱动电路

6 第一负载模块

7 第二负载模块

8 IGBT

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

需要说明的是，本说明书所附图式所绘示的原理图、器件型号、时序波形，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变、大小的调整、RC值参数变化、器件型号的变更、逻辑状态循环转换、逻辑状态整体变换，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内，逻辑状态循环转换是指通过在关键路径增加逻辑运算器件却未使逻辑状态发生转变的做法，比如，两个与非门串接在一起等同于一个与门，两个非门串接在同一路径中逻辑状态不变。由于测量参考点的不同，可能会得到相反的逻辑关系，不能作为限定本发明可实施的限定条件。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。

如图1所示，于一实施例中，本发明的IGBT软关断驱动电路用于实现IGBT8的软驱动，包括光电耦合模块2、同极性延时电路3、反极性延时电路4、驱动电路5、第一负载模块6和第二负载模块7。

光电耦合模块2用于将低压侧输入信号转换为高压侧输入信号，所述高压侧输入信号和低压侧输入信号的极性相同。

如图2所示，光电耦合模块2包括串联的光电隔离器U4和第一与非门U3A。光电隔离器U4的输入端连接低压侧输入信号in_LV，输出端连接至第一与非门U3A的两个输出端，从而在第一与非门U3A的输出端得到高压侧输入信号in_HV。如图3所示，in_LV和in_HV的信号极性相同。其中，信号in_LV是外部的控制信号。一般应用中，采用低电压的控制信号，经过IGBT驱动电路转换才能控制IGBT的工作。

光电隔离器又称为光耦合器或光电耦合器，是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。优选地，本发明中的光电隔离器采用TLP521芯片实现，但不限于TLP521芯片。本发明中的第一与非门U3A采用CD4093芯片实现，但不限于CD4093芯片。

同极性延时电路3与光电耦合模块2相连，用于将高压侧输入信号转换为第一IGBT门极驱动信号，所述第一IGBT门极驱动信号与所述低压侧输入信号的极性相同，并较所述低压侧输入信号有第一预设时长的延时。通常，第一预设时长应长于IGBT的e极电位下降至0电位附近的时间。

如图2所示，同极性延时电路3包括第一积分电路和第一延时电路。所述第一积分电路包括第一电阻R1、第一电容C1和第一二极管D1，第一电阻R1的一端和第一二极管D1的阴极均连接至光电耦合模块的输出端，第一电阻R1的另一端和第一二极管D1的阳极作为第一积分电路的输出端，且均连接至第一电容C1的正极，第一电容C1的负极接地。第一延时电路用于将第一积分电路的输出信号进行延时，得到第一IGBT门极驱动信号g_IN，且保持第一IGBT门极驱动信号g_IN的极性与低压侧输入信号in_LV的极性相同。如图4所示，in_LV和g_IN的信号极性相同，g_IN的上升沿要延时于in_LV的上升沿，延时大小与第一积分电路的第一电阻R1和第一电容C1的值有关。于本发明一实施例中，所述延时电路包括一与门，所述与门的两输入端均连接至所述第一积分电路的输出端。于本发明另一实施例中，所述延时电路包括两个串联的与非门U3B和U3C，与非门U3B的两输入端均连接至第一积分电路的输出端，与非门U3C的两输入端均连接至与非门U3B的输出端。优选地，第一电阻R1为30kΩ，第一电容C1为51pF。

反极性延时电路4与光电耦合模块2相连，用于将高压侧输入信号转换为第一IGBT发射极驱动信号，所述第一IGBT发射极驱动信号与所述低压侧输入信号的极性相反，并较所述低压侧输入信号有第二预设时长的延时。通常，第二预设时长应长于IGBT的门极g电位下降至0电位附近的时间。

如图2所示，反极性延时电路4包括第二积分电路和第二延时电路。所述第二积分电路包括第二电阻R2、第二电容C2和第二二极管D2，第二电阻R2的一端和第一二极管D2的阳极均连接至光电耦合模块的输出端，第二电阻R2的另一端和第二二极管D2的阴极作为第二积分电路的输出端，且均连接至第二电容C2的正极，第二电容C2的负极接地。第二延时电路用于将第二积分电路的输出信号进行延时，得到第一IGBT发射极驱动信号e_IN，且保持第一IGBT发射极驱动信号e_IN的极性与低压侧输入信号in_LV的极性相反。如图5所示，in_LV和e_IN的信号极性相反，e_IN的下降沿要延时于in_LV的下降沿，延时大小与第二积分电路的第二电阻R2和第二电容C2的值有关。于本发明一实施例中，所述第二延时电路包括一与非门U3D，所述与非门U3D的两输入端均连接至所述第二积分电路的输出端。优选地，第二电阻R2为30kΩ，第二电容C2为51pF。

驱动电路5与同极性延时电路3和反极性延时电路4相连，用于将第一IGBT门极驱动信号增强为极性相同的第二IGBT门极驱动信号；将第二IGBT发射极驱动信号增强为极性相同的第二IGBT发射极驱动信号。

具体地，驱动电路5包括两通道驱动器，分别连接第一IGBT的门极驱动信号g_IN和第一IGBT的发射极驱动信号e_IN，并分别调试为第二IGBT门极驱动信号g_OUT和第二IGBT发射极驱动信号e_OUT。其中，g_OUT是g_IN的增强信号，极性相同；e_OUT是e_IN的增强信号，极性相同。本发明中的两通道驱动器采用IXDN404芯片实现，但不限于IXDN404芯片。

第一负载模块6与驱动电路5相连，用于将第二IGBT门极驱动信号转换为第三IGBT门极驱动信号。如图2所示，第一负载模块6包括第三电阻R3-1、第三二极管D3、第三电容C3和第四电阻R3-2，第三电阻R3-1的一端、第三二极管D3的阳极和第三电容C3的正极均连接至第二IGBT门极驱动信号g_OUT，第三电阻R3-1的另一端、第三二极管D3的阴极和第三电容C3的负极均连接至第四电阻R3-2的一端，第四电阻R3-2的另一端输出为第三IGBT门极驱动信号g_DRIVE，以驱动IGBT的门极。通过上述结构，该第一负载模块6可以对IGBT的g极快速充电，并在放电时利用电容分压原理迅速将g极电位拉低到安全电位后慢速放电。

第二负载模块7与驱动电路5相连，用于将第二发射极驱动信号转换为第三IGBT发射极驱动信号。如图2所示，第二负载模块7包括第五电阻R4、第四二极管D4和第四电容C4，第五电阻R4的一端和第四二极管D4的阴极均连接至第二IGBT发射极驱动信号e_OUT，第五电阻R4的另一端和第四二极管D4的阳极输出为第三IGBT发射极驱动信号以驱动IGBT的发射极，且连接至第四电容C4的一端，第四电容C4的另一端接地。通过上述结构，该第二负载模块7能够实现对IGBT的e极快速放电。

优选地，本发明中所采用的与非门采用带有斯密特触发输入的与门。

因此，本发明的IGBT软关断驱动电路最终产生两路驱动信号，即第三IGBT门极驱动信号g_DRIVE和第三IGBT发射极驱动信号e_DRIVE。在本发明中，设定IGBT两端g_DRIVE和e_DRIVE的电位差为正15V时IGBT开通，IGBT两端的g_DRIVE和e_DRIVE的电位差为0V时IGBT关闭，当IGBT两端的g_DRIVE和e_DRIVE的电位差为0V以下至-15V时IGBT可靠关闭。

优选地，还包括隔离电源1用于提供高压隔离的直流电压。具体地，用于为同极性延时电路3、反极性延时电路4和驱动电路5提供所需的直流电压15V_HV和0V_HV。

如图2所示，隔离电源包括串联的DC-DC隔离电源U1和线性稳压器U2。DC-DC隔离电源U1的输入端与将低压侧的直流电压15V+和15V-连接，并控制输出高压侧的直流电压15V_HV和0V_HV，为后续电路提供工作电源。优选地，DC-DC隔离电源U1采用PD109芯片，但不限于PD109芯片；线性稳压器U2采用L7815芯片实现，但不限于L7815芯片。需要说明的是，因图2中的电路绘图软件的限制，U3A、U3B、U3C、U3D等芯片没有画出电源引脚，无法具体表示15V和0V的连线，但不影响实际的电压供应。

图2中的15V和0V电压即为给用电设备正负极供电的电源。一般电路设计采用的是直流供电，供电电压有15V、10V、5V、3.3V不等，该实施例中采用的是15V。

下面简单的阐述一下本发明的IGBT软关断驱动电路的工作原理。

当所驱动的IGBT开通时，如图6所示，高压侧输入信号in_HV的上升沿触发了e_DRIVE的下降沿，IGBT的e极电位下降为0电位，并延时触发了g_DRIVE的上升沿，使IGBT的g-e间出于正向电压状态，IGBT导通。当所驱动的IGBT关断时，如图7所示，高压侧输入信号in_HV的下降沿触发了g_DRIVE的下降沿，并延时触发了e_DRIVE的上升沿，使IGBT的g-e间出于反向电压状态，IGBT关闭。

特别地，当IGBT处于关断状态时，如图8所示，根据IGBT的输入电容和第三电容C3分压的原理，IGBT的门极g电位由15V快速下降到安全电压U1，有效地延长了IGBT的过流击穿时间；之后IGBT的门极g通过第三电阻R3-1缓慢放电，门极g的电位缓慢地下降到0电位，使IGBT初步关断，可有效避免IGBT关断过快而引起的震荡；最后，IGBT的发射极e开始充电并使电位升高，使IGBT处于反向关断状态，确保IGBT可靠关断。

完整的IGBT的g-e极间的驱动电压波形如图9所示。每次IGBT开通时，g-e极间电压由负电位升至0电位后升至15V的正电位，IGBT开通；每次IGBT关断时，g-e极间电压先陡峭下降后缓慢下降至0电位，最后下降至负电位，从而实现IGBT软关断后的可靠关断。

综上所述，本发明的IGBT软关断驱动电路对同一驱动信号独立进行了两次延时分别产生门极(g极)驱动电压和发射极(e极)驱动电压，以分别驱动IGBT的g极和e极；当IGBT开通时，e极先快速放电，g极延时开通，当g极和e极的电压差达到导通电压值时，实现IGBT正常开通；IGBT关断时，g极瞬时放电到安全电位后再缓慢放电，待g极放电完毕后，e极延时充电，当g极和e极的电压差小于等于0V时，实现IGBT反向关断；省去了传统IGBT驱动电路的负电压源和其他辅助电路，实现了IGBT的可靠关断，极大地延长IGBT的使用寿命；主要由逻辑门电路、电容、电阻和二极管元件组成，一旦参数被确定，稳定性和抗干扰能力较强，能够在每次驱动IGBT关断时均实现软关断；尤其对于需求简单的逆变电路中，其实现更为简单，使得成本低，易于实现。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种IGBT软关断驱动电路，其特征在于：包括：

光电耦合模块，用于将低压侧输入信号转换为高压侧输入信号，所述高压侧输入信号和低压侧输入信号的极性相同；

同极性延时电路，用于将所述高压侧输入信号转换为第一IGBT门极驱动信号，所述第一IGBT门极驱动信号与所述低压侧输入信号的极性相同，并较所述低压侧输入信号有第一预设时长的延时；

反极性延时电路，用于将所述高压侧输入信号转换为第一IGBT发射极驱动信号，所述第一IGBT发射极驱动信号与所述低压侧输入信号的极性相反，并较所述低压侧输入信号有第二预设时长的延时；

驱动电路，用于将所述第一IGBT门极驱动信号增强为极性相同的第二IGBT门极驱动信号；将所述第二IGBT发射极驱动信号增强为极性相同的第二IGBT发射极驱动信号；

第一负载模块，用于将所述第二IGBT门极驱动信号转换为第三IGBT门极驱动信号；包括第三电阻、第三二极管、第三电容和第四电阻，所述第三电阻的一端、所述第三二极管的阳极和所述第三电容的正极均连接至所述第二IGBT门极驱动信号，所述第三电阻的另一端、所述第三二极管的阴极和所述第三电容的负极均连接至所述第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端输出为所述第三IGBT门极驱动信号以驱动IGBT的门极；

第二负载模块，用于将所述第二发射极驱动信号转换为所述第三IGBT发射极驱动信号；包括第五电阻、第四二极管和第四电容，所述第五电阻的一端和所述第四二极管的阴极均连接至所述第二IGBT发射极驱动信号，所述第五电阻的另一端和所述第四二极管的阳极输出为所述第三IGBT发射极驱动信号以驱动所述IGBT的发射极，且连接至所述第四电容的一端，所述第四电容的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的IGBT软关断驱动电路，其特征在于：还包括隔离电源，所述隔离电源用于为所述同极性延时电路、所述反极性延时电路和所述驱动电路提供所需的高压隔离的直流电压。

3.根据权利要求2所述的IGBT软关断驱动电路，其特征在于：所述隔离电源包括DC-DC隔离电源和线性稳压器。

4.根据权利要求1所述的IGBT软关断驱动电路，其特征在于：所述光电耦合模块包括串联的光电隔离器和与非门；所述光电隔离器的输入端连接低压侧输入信号，输出端连接至所述与非门的两个输出端，所述与非门的输出端得到所述高压侧输入信号。

5.根据权利要求1所述的IGBT软关断驱动电路，其特征在于：所述同极性延时电路包括第一积分电路和第一延时电路；所述第一积分电路包括第一电阻、第一电容和第一二极管，所述第一电阻的一端和所述第一二极管的阴极均连接至所述光电耦合模块的输出端，所述第一电阻的另一端和所述第一二极管的阳极作为所述第一积分电路的输出端，且均连接至所述第一电容的正极，所述第一电容的负极接地；所述第一延时电路用于将所述第一积分电路的输出信号进行延时，得到所述第一IGBT门极驱动信号，且保持所述第一IGBT门极驱动信号的极性与所述低压侧输入信号的极性相同。

6.根据权利要求5所述的IGBT软关断驱动电路，其特征在于：所述延时电路包括一与门，所述与门的两输入端均连接至所述第一积分电路的输出端，所述与门的输出端输出所述第一IGBT门极驱动信号。

7.根据权利要求5所述的IGBT软关断驱动电路，其特征在于：所述延时电路包括两个串联的与非门，第一个与非门的两输入端均连接至所述第一积分电路的输出端，第二个与非门的两输入端均连接至所述第一个与非门的输出端；所述第二个与门的输出端输出所述第一IGBT门极驱动信号。

8.根据权利要求1所述的IGBT软关断驱动电路，其特征在于：所述反极性延时电路包括第二积分电路和第二延时电路；所述第二积分电路包括第二电阻、第二电容和第二二极管，所述第二电阻的一端和所述第二二极管的阳极均连接至所述光电耦合模块的输出端，所述第二电阻的另一端和所述第二二极管的阴极作为所述第二积分电路的输出端，且均连接至所述第二电容的正极，所述第二电容的负极接地；所述第二延时电路用于将所述第二积分电路的输出信号进行延时，得到第一IGBT发射极驱动信号，且保持所述第一IGBT发射极驱动信号的极性与所述低压侧输入信号的极性相反。

9.根据权利要求8所述的IGBT软关断驱动电路，其特征在于：所述第二延时电路包括一与非门，所述与非门的两输入端均连接至所述第二积分电路的输出端，所述与非门的输出端输出所述所述第一IGBT发射极驱动信号。

10.根据权利要求4或7或9所述的IGBT软关断驱动电路，其特征在于：所述与非门采用带有斯密特触发输入的与门。

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