CN108649936A - 一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路 - Google Patents
一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108649936A CN108649936A CN201810825015.XA CN201810825015A CN108649936A CN 108649936 A CN108649936 A CN 108649936A CN 201810825015 A CN201810825015 A CN 201810825015A CN 108649936 A CN108649936 A CN 108649936A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistance
- circuit
- voltage
- isolating transformer
- pulsewidth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 30
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 claims 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 235000008730 Ficus carica Nutrition 0.000 description 1
- 244000025361 Ficus carica Species 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K7/00—Modulating pulses with a continuously-variable modulating signal
- H03K7/08—Duration or width modulation ; Duty cycle modulation
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
Abstract
本发明提供了一种磁隔离驱动电路的脉宽调制与解调电路，涉及磁隔离驱动技术，属于电力电子技术领域，主要包括依次相连的脉宽调制电路、隔离变压器和脉宽解调电路，其中，PWM信号脉宽调制电路可在PWM信号进入上升沿时向隔离变压器的原边绕组输出第一脉冲信号，并在PWM信号进入下降沿时向隔离变压器的原边绕组输出第二脉冲信号，其中，第一脉冲信号和第二脉冲信号的方向相反并且宽度相同；隔离变压器将脉宽调制电路输出的信号隔离传输给脉宽解调电路；PWM信号脉宽解调电路将隔离变压器传输过来的第一和第二脉冲信号还原为与输入接口电路输出一致的PWM信号。本发明电路拓扑简单、易于调试且成本低，具有传输延时短、可靠性高等特点。
Description
技术领域
本发明提供了一种磁隔离驱动电路的脉宽调制与解调电路，涉及磁隔离驱动技术，属于电力电子技术领域。
背景技术
随着电力电子技术和半导体技术的飞速发展，电力电子技术不断渗透到各个领域，如新能源、开关电源、FACTS装置、变频器等，而以MOSFET和IGBT为代表的一系列功率开关管已成为电力电子装置中的关键器件。以IGBT为例，由于控制器与主电路之间的电平差异和电磁干扰，要求IGBT的驱动电路必须有隔离功能，其隔离方式也决定着相关IGBT驱动器的隔离电压等级、延时、工作频率、占空比、可靠性等性能。目前常用的IGBT驱动器的隔离方式主要分为光耦隔离、光纤隔离和脉冲变压器隔离等。
光耦隔离方式的电路简单、隔离电压等级一般，但是工作频率低、传输延时大且易老化；光纤隔离方式隔离电压等级高，适合远距离传输，但成本较高且传输延时较大；脉冲变压器隔离方式的驱动波形不仅传输延时短，而且不受PWM频率和占空比的限制，可靠性高、电路简单、成本低廉、隔离电压等级高，是一种较为理想的隔离方式，但是需要增加脉宽调制和解调电路。常见的磁隔离驱动电路的脉宽调制和解调原理如说明书附图1所示，PWM信号经过脉宽调制电路将波形调制成正负窄脉冲信号，经过脉冲变压器进行隔离和信号传输后，通过脉宽解调电路还原成原PWM波形。变压器传递的是高频的窄脉冲信号，因此变压器尺寸可以做的很小，并且即使PWM频率很低时，变压器也不会出现饱和的状况。
现有的磁隔离驱动电路的脉宽调制与解调方式，电路设计时使用的元器件较多，这样会增加成本以及整体电路的传输延时和损耗，也不易于调试。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种磁隔离驱动电路的脉宽调制与解调方法，以优化现有技术中电路结构不稳定、传输延时高等相关问题。
本发明提供了一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路，包括脉宽调制电路、隔离变压器T1和脉宽解调电路，所述脉宽调制电路通过隔离变压器T1与所述脉宽解调电路连接，所述脉宽解调电路具体由NPN三极管Q1、PNP三极管Q2、PNP三极管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5构成，所述隔离变压器T1副边绕组的同名端、电阻R1的一端、电阻R5的一端相互连接，所述隔离变压器T1副边绕组的异名端、电阻R2的一端、NPN三极管Q1的发射极均和电源地VC-连接，所述NPN三极管Q1的基极、所述PNP三极管Q2的集电极、电阻R1的另一端、电阻R2的另一端相互连接，所述NPN三极管Q1的集电极、所述PNP三极管Q2的基极、所述PNP三极管Q3的集电极、所述电阻R4的一端相互连接，所述PNP三极管Q3的基极与所述电阻R5的另一端连接，所述PNP三极管Q2的发射极与电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端、所述电阻R4的另一端、所述PNP三极管Q3的发射极均与电源VC+相连，所述PNP三极管Q2的发射极与所述电阻R3之间连接有PWM信号输出单元。
进一步，该电路还包括第一稳压单元和第二稳压单元，所述第一稳压单元串接在所述隔离变压器T1副边绕组的同名端和电阻R1之间，所述第二稳压单元串接在所述隔离变压器T1副边绕组的同名端和电阻R5之间。
进一步，所述第一稳压单元具体由稳压管D1和稳压管D2构成，所述稳压管D1的阳极与所述隔离变压器T1副边绕组的同名端连接，所述稳压管D1的阴极与所述稳压管D2的阴极连接，所述稳压管D2的阳极与所述电阻R1连接。
进一步，所述第二稳压单元具体由稳压管D3和二极管D4构成，所述稳压管D3的阳极与所述隔离变压器T1副边绕组的同名端连接，所述稳压管D3的阴极与所述二极管D4的阴极连接，所述二极管D4的阳极与所述电阻R5连接。
进一步，所述脉宽调制电路具体由一个P沟道MOSFET V1、一个N沟道MOSFET V2和一个隔直电容C1构成；其中，所述P沟道MOSFET V1的栅极和所述N沟道MOSFET V2的栅极之间通过PWM信号输入单元连接，所述P沟道MOSFET V1的源极与电源VDD相连，所述P沟道MOSFET V1的漏极与所述N沟道MOSFET V2的漏极和所述隔直电容C1相连，所述N沟道MOSFET V2的源极与GND和隔离变压器T1原边绕组的异名端相连，所述隔直电容C1与隔离变压器T1原边绕组的同名端相连。
本发明相比现有技术具有以下优点：
(1)电路拓扑简单，变压器体积小，有源功率器件少，损耗少，易于实现；
(2)电路器件简单，成本低，稳定性好，带载能力强；
(3)本发明的技术方案中的脉冲变压器的尺寸小，抗干扰能力强，电路的传输延迟短，并且可以实现低、高频信号的不同占空比传输，此外还具有易于调试、可靠性高等特点。
附图说明
图1常见的脉宽调制与解调电路原理图；
图2a本发明的磁隔离驱动电路中调制电路结构图；
图2b本发明的磁隔离驱动电路中调制电路原理图；
图2c本发明的磁隔离驱动电路中调制电路仿真图；
图3a本发明的磁隔离驱动电路中解调电路结构图；
图3b本发明的磁隔离驱动电路中解调电路原理图；
图3c本发明的磁隔离驱动电路中解调电路仿真图。
图中：1、NPN三极管Q1；2、PNP三极管Q2；3、PNP三极管Q3；4、电阻R1；5、电阻R2；6、电阻R3；7、电阻R4；8、电阻R5；9、隔离变压器T1；10、稳压管D1；11、稳压管D2；12、稳压管D3；13、二极管D4；14、P沟道MOSFET V1；15、N沟道MOSFET V2；16、隔直电容C1。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
首先对PWM信号脉宽调制电路进行说明，本方案中的脉宽调制电路的作用是将输入接口电路输出的PWM信号的上升沿调制成负向窄脉冲信号，将PWM信号的下降沿调制成正向窄脉冲信号。图2a为本发明中的磁隔离驱动电路调制方法结构图，图2b为其原理图。该调制电路主要由一个P沟道增强型MOSFET V114和一个N沟道增强型MOSFET V215组成的推挽电路以及一个隔直电容C116组成。
其中，P沟道MOSFET V114的栅极和N沟道MOSFET V215的栅极之间通过PWM信号输入单元连接，P沟道MOSFET V114的源极与电源VDD相连，P沟道MOSFET V114的漏极与N沟道MOSFET V215的漏极和隔直电容C116相连，N沟道MOSFET V215的源极与GND和隔离变压器T19原边绕组的异名端相连，隔直电容C116与隔离变压器T19原边绕组的同名端相连。
电路的工作过程为：当输入的PWM信号由高电平转换为低电平时，P沟道MOSFETV114导通，N沟道MOSFET V215截止，隔直电容C116通过P沟道MOSFET V114和隔离变压器T19形成回路开始储能，隔离变压器T19初级绕组两端的电压为正，隔直电容C116充电饱和后，电路中将没有电流流过，整个回路断开，隔离变压器T19的初级绕组两端的电压为0，PWM信号的下降沿因此调制成正向的窄脉冲信号；当PWM信号由低电平转换为高电平时，P沟道MOSFETV114截止，N沟道MOSFET V215导通，隔直电容C116通过N沟道MOSFET V215和隔离变压器T19形成回路开始放电，隔离变压器T19初级绕组两端的电压为负，当隔直电容C116储存的电能释放完以后，电路中将没有电流流过，整个回路断开，隔离变压器T19的初级绕组两端的电压为0，PWM信号的上升沿因此调制成负向的窄脉冲信号。
隔离变压器T19的作用是将脉宽调制电路调制出来的正负窄脉冲信号VT1从变压器的初级绕组传递到次级，并且为整个驱动电路的控制回路和主回路之间提供必要的电气隔离。在该电路中，隔离变压器T19只传输信号，并不传递能量。
然后对PWM脉宽解调电路进行说明，本方案中的脉宽解调电路的作用是将隔离变压器T19传输过来的正负窄脉冲信号VT1还原成原PWM信号，即将正负向的窄脉冲信号解调为原PWM信号的上升沿和下降沿。图3a为本发明中的磁隔离驱动电路解调方法结构图，图3b为其原理图。
脉宽解调电路具体由NPN三极管Q11、PNP三极管Q22、PNP三极管Q33、电阻R14、电阻R25、电阻R36、电阻R47、电阻R58构成，隔离变压器T19副边绕组的同名端、电阻R14的一端、电阻R58的一端相互连接，隔离变压器T19副边绕组的异名端、电阻R25的一端、NPN三极管Q11的发射极均和电源地VC-连接，NPN三极管Q11的基极、PNP三极管Q22的集电极、电阻R14的另一端、电阻R25的另一端相互连接，NPN三极管Q11的集电极、PNP三极管Q22的基极、PNP三极管Q33的集电极、电阻R47的一端相互连接，PNP三极管Q33的基极与电阻R58的另一端连接，PNP三极管Q22的发射极与电阻R36的一端连接，电阻R36的另一端、电阻R47的另一端、PNP三极管Q33的发射极均与电源VC+相连，PNP三极管Q22的发射极与电阻R36之间连接有PWM信号输出单元。
为了电路能够稳定运行，该电路还包括第一稳压单元和第二稳压单元，第一稳压单元串接在隔离变压器T19副边绕组的同名端和电阻R14之间，第二稳压单元串接在隔离变压器T19副边绕组的同名端和电阻R58之间。
在本实施例中第一稳压单元具体由稳压管D110和稳压管D211构成，稳压管D110的阳极与隔离变压器T19副边绕组的同名端连接，稳压管D110的阴极与稳压管D211的阴极连接，稳压管D211的阳极与电阻R14连接；第二稳压单元具体由稳压管D312和二极管D413构成，稳压管D312的阳极与隔离变压器T19副边绕组的同名端连接，稳压管D312的阴极与二极管D413的阴极连接，二极管D413的阳极与电阻R58连接。
电路的工作过程为：当隔离变压器T19传输过来的信号为正向窄脉冲信号时，NPN三极管Q11开通，PNP三极管Q33截止，PNP三极管Q22导通，NPN三极管Q11与PNP三极管Q22构成正反馈回路，加速整个电路的电位变化，PNP三极管Q22的发射极电位变低，从该处输出解调完成的原PWM波形的下降沿；当隔离变压器T19传输过来的信号为负向窄脉冲信号时，NPN三极管Q11截止，PNP三极管Q33导通，PNP三极管Q22截止，PNP三极管Q33的导通将会加速PNP三极管Q22的截止，PNP三极管Q22的发射极电位变高，从该处输出解调完成的原PWM波形的上升沿。
通过仿真软件pspice对本发明的磁隔离驱动电路的调制与解调电路进行仿真验证，初始PWM输入信号为高电平15V，低电平0V的方波信号，图2c与图3c分别为调制电路与解调电路的仿真图，可以看出调制与解调电路均可正常工作，调制电路将PWM信号调制成正负向的窄脉冲信号，经过脉冲变压器的隔离传输后，最后通过解调电路将窄脉冲还原成原PWM信号，图中波形的变化及较低的传输延时验证了本方案的可行性和实用性。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不限于此，任何熟悉该技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的改变或者替换，都涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (5)
1.一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路，包括脉宽调制电路、隔离变压器T1(9)和脉宽解调电路，所述脉宽调制电路通过隔离变压器T1(9)与所述脉宽解调电路连接，其特征在于，所述脉宽解调电路具体由NPN三极管Q1(1)、PNP三极管Q2(2)、PNP三极管Q3(3)、电阻R1(4)、电阻R2(5)、电阻R3(6)、电阻R4(7)、电阻R5(8)构成，所述隔离变压器T1(9)副边绕组的同名端、电阻R1(4)的一端、电阻R5(8)的一端相互连接，所述隔离变压器T1(9)副边绕组的异名端、电阻R2(5)的一端、NPN三极管Q1(1)的发射极均和电源地VC-连接，所述NPN三极管Q1(1)的基极、所述PNP三极管Q2(2)的集电极、电阻R1(4)的另一端、电阻R2(5)的另一端相互连接，所述NPN三极管Q1(1)的集电极、所述PNP三极管Q2(2)的基极、所述PNP三极管Q3(3)的集电极、所述电阻R4(7)的一端相互连接，所述PNP三极管Q3(3)的基极与所述电阻R5(8)的另一端连接，所述PNP三极管Q2(2)的发射极与电阻R3(6)的一端连接，所述电阻R3(6)的另一端、所述电阻R4(7)的另一端、所述PNP三极管Q3(3)的发射极均与电源VC+相连，所述PNP三极管Q2(2)的发射极与所述电阻R3(6)之间连接有PWM信号输出单元。
2.根据权利要求1所述的一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路，其特征在于，该电路还包括第一稳压单元和第二稳压单元，所述第一稳压单元串接在所述隔离变压器T1(9)副边绕组的同名端和电阻R1(4)之间，所述第二稳压单元串接在所述隔离变压器T1(9)副边绕组的同名端和电阻R5(8)之间。
3.根据权利要求2所述的一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路，其特征在于，所述第一稳压单元具体由稳压管D1(10)和稳压管D2(11)构成，所述稳压管D1(10)的阳极与所述隔离变压器T1(9)副边绕组的同名端连接，所述稳压管D1(10)的阴极与所述稳压管D2(11)的阴极连接，所述稳压管D2(11)的阳极与所述电阻R1(4)连接。
4.根据权利2或3所述的一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路，其特征在于，所述第二稳压单元具体由稳压管D3(12)和二极管D4(13)构成，所述稳压管D3(12)的阳极与所述隔离变压器T1(9)副边绕组的同名端连接，所述稳压管D3(12)的阴极与所述二极管D4(13)的阴极连接，所述二极管D4(13)的阳极与所述电阻R5(8)连接。
5.根据权利要求4所述的一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路，其特征在于，所述脉宽调制电路具体由一个P沟道MOSFET V1(14)、一个N沟道MOSFET V2(15)和一个隔直电容C1(16)构成；其中，所述P沟道MOSFET V1(14)的栅极和所述N沟道MOSFET V2(15)的栅极之间通过PWM信号输入单元连接，所述P沟道MOSFET V1(14)的源极与电源VDD相连，所述P沟道MOSFET V1(14)的漏极与所述N沟道MOSFET V2(15)的漏极和所述隔直电容C1(16)相连，所述N沟道MOSFET V2(15)的源极与GND和隔离变压器T1(9)原边绕组的异名端相连，所述隔直电容C1(16)与隔离变压器T1(9)原边绕组的同名端相连。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810825015.XA CN108649936B (zh) | 2018-07-25 | 2018-07-25 | 一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810825015.XA CN108649936B (zh) | 2018-07-25 | 2018-07-25 | 一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108649936A true CN108649936A (zh) | 2018-10-12 |
| CN108649936B CN108649936B (zh) | 2021-11-23 |
Family
ID=63760266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810825015.XA Active CN108649936B (zh) | 2018-07-25 | 2018-07-25 | 一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108649936B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110190736A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-08-30 | 杭州飞仕得科技有限公司 | 一种具有高可靠性的多信号磁隔离传输电路及其应用 |
| CN110311572A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-10-08 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种变压器隔离驱动控制方法及其隔离驱动电路 |
| CN112367072A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-02-12 | 上海空间电源研究所 | 一种抗饱和磁隔离电路 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4140980A (en) * | 1978-02-24 | 1979-02-20 | Rockwell International Corporation | Compensation circuit for trailing edge distortion of pulse-width modulated signal |
| US20060043389A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Digital signal transfer device |
| CN203377787U (zh) * | 2013-06-05 | 2014-01-01 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种脉冲调制磁隔离驱动电路 |
| CN105978543A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-09-28 | 珠海格力电器股份有限公司 | 驱动控制器及其控制方法 |
-
2018
- 2018-07-25 CN CN201810825015.XA patent/CN108649936B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4140980A (en) * | 1978-02-24 | 1979-02-20 | Rockwell International Corporation | Compensation circuit for trailing edge distortion of pulse-width modulated signal |
| US20060043389A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Digital signal transfer device |
| CN203377787U (zh) * | 2013-06-05 | 2014-01-01 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种脉冲调制磁隔离驱动电路 |
| CN105978543A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-09-28 | 珠海格力电器股份有限公司 | 驱动控制器及其控制方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| J. LEHMANN: "IGBT Driver Chip Set With Advanced Digital Signal Processing", 《PROCEEDINGS OF THE 23RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & IC"S》 * |
| 刘虹伶: "一种脉冲变压器隔离的IGBT驱动电路的设计研究", 《电气技术》 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110190736A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-08-30 | 杭州飞仕得科技有限公司 | 一种具有高可靠性的多信号磁隔离传输电路及其应用 |
| CN110190736B (zh) * | 2019-07-09 | 2024-04-26 | 杭州飞仕得科技股份有限公司 | 一种具有高可靠性的多信号磁隔离传输电路及其应用 |
| CN110311572A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-10-08 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种变压器隔离驱动控制方法及其隔离驱动电路 |
| CN111654193A (zh) * | 2019-07-26 | 2020-09-11 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种驱动控制方法及其电路 |
| CN111654193B (zh) * | 2019-07-26 | 2021-10-22 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种驱动控制方法及其电路 |
| CN112367072A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-02-12 | 上海空间电源研究所 | 一种抗饱和磁隔离电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108649936B (zh) | 2021-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103199677B (zh) | 单路隔离型mosfet驱动电路 | |
| US10637458B1 (en) | Series-connected SiC MOSFET drive circuit based on multi-winding transformer coupling | |
| CN110311572A (zh) | 一种变压器隔离驱动控制方法及其隔离驱动电路 | |
| CN105449997A (zh) | 一种功率变换器的功率开关管隔离栅驱动电路 | |
| CN105119391A (zh) | 一种高效率的电能发射端和无线电能传输装置 | |
| CN108649936A (zh) | 一种磁隔离驱动的脉宽调制与解调电路 | |
| CN103595226B (zh) | 变压器隔离对称互补驱动电路 | |
| CN103457445A (zh) | 晶体管的驱动电路 | |
| CN108365743A (zh) | 一种磁隔离型带负电压偏置的多路同步触发电路 | |
| CN104811019B (zh) | 自适应新型软开关全桥电路驱动方法及全桥驱动电路 | |
| CN203590008U (zh) | 变压器隔离对称互补驱动电路 | |
| CN101009486A (zh) | 绝缘栅功率管窄脉冲驱动器 | |
| CN110880858A (zh) | 开关电源的驱动电路、半桥拓扑开关电源及电子设备 | |
| CN102856893A (zh) | 动态有源嵌位电路和电子设备 | |
| CN105610307B (zh) | 一种产生固定负压的功率开关管隔离栅驱动电路 | |
| CN106712470B (zh) | 改善型磁隔离igbt驱动电路 | |
| CN109462386B (zh) | 一种应用于高温环境的SiC MOSFET驱动电路 | |
| CN206004420U (zh) | 开关电路以及多控串联谐振电路 | |
| CN205430189U (zh) | 适用于igbt的栅极驱动信号传输电路 | |
| CN207869069U (zh) | 一种classd音频功放前置驱动电路及音频功放 | |
| CN100464488C (zh) | 电源电路 | |
| CN203352450U (zh) | 一种功放开关电源 | |
| CN218888381U (zh) | 一种用于输出正负非对称电压的驱动电路 | |
| CN108599573A (zh) | 一种正激有源钳位驱动电路 | |
| CN104779939B (zh) | 一种用于igbt串联均压的延时匹配电路及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |