CN107248542B - 基于横向结构的led - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于横向结构的LED(10)，包括：SOI衬底(11)；N型Si区域(12)与P型Si区域(13)，设置于所述SOI衬底(11)上部并位于所述SOI衬底(11)的两侧位置处；N型晶化Ge层(14)，设置于所述SOI衬底(11)表面并位于所述N型Si区域(12)与所述P型Si区域(13)的中间位置处；负电极(15)，设置于所述N型Si区域(12)的表面；正电极(16)，设置于所述P型Si区域(13)的表面。本发明纵向结构的LED，利用Si衬底与Ge外延层界面特性好的优势，利用N型Si/张应变Ge/P型Ge纵向结构，极大地提高LED的发光效率。
Description
技术领域
本发明属半导体器件技术领域，特别涉及一种基于横向结构的LED。
背景技术
近年来，为克服大规模集成电路中金属互连信号延迟与功耗的问题， Si光电子技术作为高速光互联中的核心技术，已成为领域内研究发展的热点和重点。高质量的Si基片上光源器件，是实现Si基单片光电集成的一个重要环节。其中，基于低强度张应变结合n型重掺杂改性技术的Ge发光器件，即准直接带隙改性Ge发光器件，其工艺结构与现有Si工艺兼容。
利用Si衬底与Ge外延层之间的热膨胀系数不同，常规工艺过程中采用合理的热退火工艺制度，Si衬底上Ge外延层可以引入低强度张应变。然而，由于Si衬底与Ge外延层之间晶格失配较大，Si衬底上常规工艺制备的Ge外延层位错密度高，且Si衬底与Ge外延层之间的界面特性差，进而影响器件的性能。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于横向结构的LED。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
本发明提供了一种基于横向结构的LED，其中，包括：
SOI衬底(11)；
N型Si区域(12)与P型Si区域(13)，设置于所述SOI衬底(11)上部并位于所述SOI衬底(11)的两侧位置处；
N型晶化Ge层(14)，设置于所述SOI衬底(11)表面并位于所述N型 Si区域(12)与所述P型Si区域(13)的中间位置处；
负电极(15)，设置于所述N型Si区域(12)的表面；
正电极(16)，设置于所述P型Si区域(13)的表面。
在本发明的一个实施例中，所述N型Si区域(12)的掺杂浓度为 1×1019cm-3。
在本发明的一个实施例中，所述P型Si区域(13)的掺杂浓度为 1×1019cm-3。
在本发明的一个实施例中，所述N型晶化Ge层(14)由Ge籽晶层和 Ge主体层经过晶化处理后形成。
在本发明的一个实施例中，所述Ge籽晶层的厚度为40～50nm。
在本发明的一个实施例中，所述Ge主体层的厚度为150～250nm。
在本发明的一个实施例中，所述晶化处理包括如下步骤：
将包括所述SOI衬底、所述Ge籽晶层、所述Ge主体层的整个衬底材料加热至700℃；
利用激光再晶化工艺(Laserre-crystallization,简称LRC)晶化所述整个衬底材料；其中LRC工艺的激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s；
对所述整个衬底材料进行高温热退火处理以完成所述晶化处理。
在本发明的一个实施例中，所述LED还包括钝化层，所述钝化层设置于所述SOI衬底及所述N型晶化Ge层台阶结构的上表面，厚度为 150～200nm，用于隔离所述负电极及所述正电极。
在本发明的一个实施例中，所述负电极(15)为Cr-Au合金，厚度为 150～200nm。
在本发明的一个实施例中，所述正电极(16)为Cr-Au合金，厚度为 150～200nm。
需要说明强调的是，激光再晶化工艺(Laserre-crystallization,简称LRC) 是一种热致相变结晶的方法，通过激光热处理，使Si衬底上Ge外延层熔化再结晶，横向释放Ge外延层的位错缺陷，不仅可获得高质量的Ge外延层，同时，由于LRC工艺可精确控制晶化区域，一方面避免了常规工艺中 Si衬底与Ge外延层之间的Si、Ge互扩问题，另一方面Si/Ge之间材料界面特性好。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1)本发明改性Ge发光器件结构拟采用p+-Si/准直接带隙改性Ge/n+-Si 的横向结构PiN，准直接带隙改性Ge区域不仅可以发光，也是波导区；
2)本发明利用激光再晶化工艺(LRC)，通过激光热处理，使Si衬底上Ge外延层熔化再结晶，横向释放Ge外延层的位错缺陷，获得低位错密度的Ge外延层；同时，由于LRC工艺可精确控制晶化区域，Si与Ge之间材料界面特性好，从而提高了器件性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种基于横向结构的LED的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种晶化处理工艺的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的一种LRC工艺方法示意图；
图4a-图4m为本发明实施例的一种基于横向结构的LED的制备工艺示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明内容做进一步的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例一
请参见图1，图1是请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种基于横向结构的LED的结构示意图。该LED包括：
SOI衬底11；
N型Si区域12与P型Si区域13，设置于所述SOI衬底11上部并位于所述SOI衬底的两侧位置处；
N型晶化Ge层14，设置于所述SOI衬底表面并位于所述N型Si区域与所述P型Si区域的中间位置处；
负电极15，设置于所述N型Si区域12的表面；
正电极16，设置于所述P型Si区域13的表面。
优选地，所述N型Si区域12的掺杂浓度为1×1019cm-3。
优选地，所述P型Si区域13的掺杂浓度为1×1019cm-3。
优选地，所述N型晶化Ge层14由Ge籽晶层和Ge主体层经过晶化处理后形成。
其中，所述Ge籽晶层的厚度为40～50nm；所述Ge主体层的厚度为 150～250nm。
优选地，请参见图2，图2为本发明实施例提供的一种晶化处理工艺的流程示意图。所述晶化处理包括如下步骤：
步骤1、将包括所述SOI衬底、所述Ge籽晶层、所述Ge主体层的整个衬底材料加热至700℃；
步骤2、利用LRC工艺晶化所述整个衬底材料；其中LRC工艺的激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s；
步骤3、对所述整个衬底材料进行高温热退火处理以完成所述晶化处理。
请进一步参见图3，图3为本发明实施例提供的一种LRC工艺方法示意图，LRC工艺是一种热致相变结晶的方法，通过激光热处理，使SOI衬底上Ge外延层熔化再结晶，横向释放Ge外延层的位错缺陷，不仅可获得高质量的Ge外延层，同时，由于LRC工艺可精确控制晶化区域，一方面避免了常规工艺中SOI衬底与Ge外延层之间的Si、Ge互扩问题，另一方面Si与Ge之间材料界面特性好。
优选地，所述负电极15为Cr-Au合金，厚度为150～200nm。
优选地，所述正电极16为Cr-Au合金，厚度为150～200nm。
优选地，还包括钝化层17，所述钝化层设置于所述SOI衬底及所述N 型晶化Ge层台阶结构的表面，用于隔离所述负电极及所述正电极。
其中，所述钝化层的厚度为150～200nm。
本发明纵向结构的LED，利用SOI衬底与Ge外延层界面特性好的优势，采用p+-Si/准直接带隙改性Ge/n+-Si的横向结构PiN，极大地提高LED 的发光效率。
实施例二
请参照图4，图4a-图4m为本发明实施例的一种基于横向结构的LED 的制备方法示意图，该制备方法包括如下步骤：
第1步、选取SOI衬底001，如图4a所示。
第2步、在275℃～325℃温度下，利用CVD工艺,在所述SOI衬底001表面指定区域生长40～50nm的Ge籽晶层002，如图4b所示。
第3步、在500℃～600℃温度下，利用CVD工艺，在所述Ge籽晶层002上生长150～250nm的Ge主体层003，如图4c所示。
第4步、利用CVD工艺，在所述Ge主体层003上生长SiO2氧化层004，如图4d所示。
第5步、将包括所述SOI衬底001、所述Ge籽晶层002、所述Ge主体层003及所述SiO2氧化层004的整个衬底材料加热至700℃，连续利用激光再晶化工艺，处理所述整个衬底材料，然后再利用干法刻蚀工艺，刻蚀所述SiO2氧化层004得到晶化Ge层005，如图4e所示，其中，激光波长为808nm，激光光斑尺寸为100μm×100μm，激光功率为1.5kW/cm2，曝光时间为40ms。
第6步、在所述外延层及所述SOI衬底未生长所述外延层的区域上生长200nm的第一SiO2保护层006，然后利用刻蚀工艺，选择性刻蚀所述第一SiO2保护层006，形成第一待掺杂区域，如图4f所示。
第7步、在所述第一掺杂区域注入P离子，形成掺杂浓度为1×1019cm-3的N型Si区域；将包括所述SOI衬底、所述外延层的整个材料进行退火处理，然后刻蚀掉所述第一SiO2保护层006，如图4g所示。
第8步、在所述外延层及所述SOI衬底未生长所述外延层的区域上生长200nm的第二SiO2保护层008，然后利用刻蚀工艺，选择性刻蚀所述第二SiO2保护层006，形成第二待掺杂区域，如图4h所示。
第9步、在所述第二待掺杂区域注入B离子，形成掺杂浓度为1×1019cm-3的P型Si区域；将包括所述SOI衬底、所述外延层的整个材料退火，然后刻蚀掉所述第二SiO2保护层008，如图4i所示。
第10步、在所述外延层及所述SOI衬底未生长所述外延层的区域上生长200nm的第三SiO2保护层010，然后利用刻蚀工艺，选择性刻蚀所述第三SiO2保护层010，形成第三待掺杂区域，如图4j所示。
第11步、在所述N型晶化Ge层掺杂区域注入P离子，形成掺杂浓度为1.4×1019cm-3的P型晶化Ge层011；将包括所述SOI衬底、所述外延层的整个材料进行退火处理，然后刻蚀掉所述第三SiO2保护层010，如图4k 所示。
第12步、在所述N型Si层、所述P型Si层及所述P型晶化Ge层上生长150～200nm的SiO2钝化层012，利用刻蚀工艺选择性刻蚀掉指定区域的所述SiO2钝化层形成金属接触孔,如图4l所示。
第13步、利用电子束蒸发淀积工艺在所述金属接触孔区域生长 150～200nm的Cr-Au合金电极,如图4m所示。
综上所述，本文中应用了具体个例对本发明的结构及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。
Claims (9)
1.一种基于横向结构的LED，其特征在于，包括：
SOI衬底(11)；
N型Si区域(12)与P型Si区域(13)，设置于所述SOI衬底(11)上部并位于所述SOI衬底(11)的两侧位置处；
N型晶化Ge层(14)，设置于所述SOI衬底(11)表面并位于所述N型Si区域(12)与所述P型Si区域(13)的中间位置处,所述N型晶化Ge层(14)由Ge籽晶层和Ge主体层经过晶化处理后形成；
负电极(15)，设置于所述N型Si区域(12)的表面；
正电极(16)，设置于所述P型Si区域(13)的表面。
2.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述N型Si区域(12)的掺杂浓度为1×1019cm-3。
3.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述P型Si区域(13)的掺杂浓度为1×1019cm-3。
4.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述Ge籽晶层的厚度为40～50nm。
5.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述Ge主体层的厚度为150～250nm。
6.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述晶化处理包括如下步骤：
将包括所述SOI衬底(11)、所述Ge籽晶层、所述Ge主体层的整个衬底材料加热至700℃；
利用激光再晶化工艺晶化所述整个衬底材料；其中激光再晶化工艺的激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s；
对所述整个衬底材料进行高温热退火处理以完成所述晶化处理。
7.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述负电极(15)为Cr-Au合金，厚度为150～200nm。
8.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述正电极(16)为Cr-Au合金，厚度为150～200nm。
9.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层设置于所述SOI衬底(11)及所述N型晶化Ge层(14)的表面，厚度为150～200nm。
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