CN107214419B - 一种激光加工晶圆的方法及装置 - Google Patents
一种激光加工晶圆的方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107214419B CN107214419B CN201710574908.7A CN201710574908A CN107214419B CN 107214419 B CN107214419 B CN 107214419B CN 201710574908 A CN201710574908 A CN 201710574908A CN 107214419 B CN107214419 B CN 107214419B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laser
- predetermined cuts
- cuts road
- wafer
- energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 134
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 97
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 45
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 claims description 35
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 33
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 9
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 19
- 238000007788 roughening Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 32
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 13
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 8
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 7
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 6
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 5
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- BVPWJMCABCPUQY-UHFFFAOYSA-N 4-amino-5-chloro-2-methoxy-N-[1-(phenylmethyl)-4-piperidinyl]benzamide Chemical compound COC1=CC(N)=C(Cl)C=C1C(=O)NC1CCN(CC=2C=CC=CC=2)CC1 BVPWJMCABCPUQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 1
- 241000243321 Cnidaria Species 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
- B23K26/705—Beam measuring device
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置，所述方法是由至少两束具有不同能量分布的激光光束分别依次对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程和开槽进程，用以在所述晶圆上表面的预定切割道上形成凹槽。本发明能够通过能量较低的激光光束对晶圆上表面的预定切割道打毛并使预定切割道的表面粗糙化，以提高光吸收率，便于后续加工进程做准备，避免采用过高的激光光束对晶圆上表面Low‑K层加工并引起Low‑K材料的剥离从而导致晶圆损坏；同时，还能使后续加工进程中的激光光束能量的控制精度更高，进而提高在晶圆上表面的激光加工效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种激光加工晶圆的方法及装置。
背景技术
近年来，随着半导体器件特征尺寸的不断减小以及芯片集成度的不断提高，金属互连线之间、多层布线之间的寄生电容以及金属导线的电阻急剧增大，导致了RC延迟、功耗增加等一系列问题，限制了高速电子元器件的发展。当器件特征尺寸小于90nm后，晶圆必须使用低介电常数材料来代替传统的SiO2层(K＝3.9～4.2)，常用的Low-K材料有道康宁公司的FOx及多孔SiLK材料、应用材料公司的黑金刚石系列低K薄膜材料、Novellus System的CORAL、英特尔的CDO以及NEC公司的FCN+有机层等等。
Low-K材料的使用也带来了一些问题。不论是机械强度还是粘附性，Low-K材料都远远不如SiO2，这对划片工艺提出了挑战。最为常见的问题是，在划片过程中由于较低的机械强度及粘附力，使得Low-K材料粘连在划片刀上，这不仅降低了划片的效率，同时也带来了绝缘层从金属层表面被剥离以及产生碎屑并扩散到其它功能区域等严重影响良率的后果。激光加工具有非接触、精度高、适用材料范围广、加工路径灵活可控等优点，是用来对晶圆划片以及解决上述问题的有力方案。据了解，苹果公司已经强制要求供应商提供的晶圆必须采用激光切割Low-K材料的工艺(即：Laser Grooving工艺)，这使得封测厂对此类工艺技术及设备的需求大为提升。严格地说，激光束不是“切割”Low-K材料，而是依靠激光能量产生的高温融化金属层及层间介质层，这样的激光切割产生械应力很小，因而不会发生分层或剥离等问题。另外，滨松光子学株式会社还发明了“隐形切割”的技术，这种技术是利用对晶圆具有透射性波长的激光聚焦在晶圆内部形成改质层，再借助外力使晶圆沿着改质层裂开为单独的芯片。利用隐形切割技术，可以避免在划片过程中产生碎屑对芯片功能区造成污染，但是当晶圆上面覆盖有隔离层或其它功能层时，这将会影响激光的透过，从而影响改质层的形成。因此，在使用隐形切割时，也应首先使用激光去除晶圆上表面Low-K层等材料。
但是，由于晶圆上表面Low-K层为透明材质导致激光加工时对激光光束造成大量的反射及透过导致大量的能量损失，因此使得需要加大激光能量进行开槽，进而导致Low-K层易发生剥离、热影响区大的问题。。
发明内容
本发明提供的激光加工晶圆的方法及装置，能够通过能量较低的激光光束对晶圆上表面的预定切割道打毛并使预定切割道的表面粗糙化，以提高光吸收率，便于后续加工进程做准备，避免采用过高的激光光束对晶圆上表面Low-K层加工并引起Low-K材料的剥离从而导致晶圆损坏；同时，还能使后续加工进程中的激光光束能量的控制精度更高，进而提高在晶圆上表面的激光加工效果。
第一方面，本发明提供一种激光加工晶圆的方法，所述方法是由至少两束具有不同能量分布的激光光束分别依次对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程和开槽进程，用以在所述晶圆上表面的预定切割道上形成凹槽。
可选地，所述方法包括：
由具有第一能量的第一激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构；
由具有第二能量的第二激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行软化进程；
由具有第三能量的第三激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行开槽进程并在所述晶圆上表面的预定切割道上形成凹槽。
可选地，所述第一能量的范围是所述第三能量的50％-70％；
优选的，所述第一能量的范围是所述第三能量的55％-65％。由具有第一能量的第一激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构后，还包括：
检测所述预定切割道表面的粗糙度；
判断所述粗糙度是否达到预设值，如果是，则执行下一步；如果否，则由具有第一能量的第一激光光束再次对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构。
可选地，所述检测所述预定切割道表面的粗糙度，包括；
检测所述预定切割道表面灰度并获取灰度信息；
根据灰度信息确定粗糙度，其中，所述灰度信息与粗糙度相对应。
可选地，当由具有第一能量的第一激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构，或由具有第二能量的第二激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行软化进程后，还包括：
检测所述预定切割道的实际位置并获取实际位置信息；
接收所述预定切割道的设定位置信息；
根据所述实时位置信息和预定位置信息确定激光光束的位置调整信息；
根据所述位置调整信息对激光光束的位置进行调整。
可选地，所述第二能量的范围为所述第三能量的25％-35％；
优选的，所述第二能量为所述第三能量的30％-34％。
可选地，所述方法还包括：
获取所述凹槽的槽形结构；
根据所述槽形结构匹配激光光束需具有的拓扑图案分布；
根据所述拓扑图案分布对激光光束依次进行分束处理、整形处理和聚焦处理后形成具有所述拓扑图案分布的激光光斑，用以在所述晶圆上表面的预定切割道上形成具有所述槽形结构的凹槽。
第二方面，本发明提供一种激光加工晶圆的装置，包括：
激光器，用于发射出激光光束；
控制器，用于根据对晶圆上表面的预定切割道的打毛进程或开槽进程确定激光光束的能量分布；
相控型硅基液晶，用于根据激光光束的能量分布对激光光束进行调制；
聚焦元件阵列，用于依次调整激光光束的聚焦点并实现对晶圆上表面的预定切割道进行打毛进程或开槽进程；
晶圆加工平台，用于夹持住所述晶圆并调整所述晶圆的空间位置以在所述晶圆上表面的预定切割道进行打毛进程或开槽进程。
可选地，所述装置还包括：
粗糙度检测组件，检测所述预定切割道表面的粗糙度。
可选地，所述粗糙度检测组件包括：
分束器，用于将激光光束分束形成第一激光子光束和第二激光子光束，并分别将第一激光子光束发射至所述相控型硅基液晶，第二激光子光束发射至透镜组件；
透镜组件，用于将第二激光子光束聚焦发射至CCD装置；
监测光源，用于对晶圆上表面的预定切割道进行监测；
CCD装置，用于检测所述预定切割道表面灰度并获取灰度信息。
可选地，所述装置还包括：
位移检测装置，用于检测所述预定切割道的实际位置并获取实际位置信息；
接收单元，设置于控制器内并用于接收所述预定切割道的设定位置信息；
确定单元，设置于控制器内并用于根据所述实时位置信息和预定位置信息确定激光光束的位置调整信息。
本发明实施例提供的激光加工晶圆的方法及装置解决了由于晶圆上表面Low-K层为透明材质导致激光加工时对激光光束进行大量的全反射导致大量的能量损失，以及无法准确控制在所述晶圆上表面的预定切割道上形成预定的槽形结构的问题，因此，本实施例中通过首先采用能量较低的激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程，并使预定切割道的表面粗糙化，以提高光吸收率，便于后续加工进程做准备，避免采用过高的激光光束对晶圆上表面Low-K层加工并引起Low-K材料的剥离从而导致晶圆损坏；同时，还能使后续加工进程中的激光光束能量的控制精度更高，进而提高在晶圆上表面的激光加工效果；然后再采用能量加高的激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行开槽进程，进而可以通过控制激光光束的能量分布更加有效的提高激光加工效果，进而保证开槽后所形成的凹槽具有预定的槽形结构，热影响区更小且均一性更高。
附图说明
图1为本发明一实施例激光加工晶圆的方法的流程图；
图2为本发明另一实施例激光加工晶圆的方法的流程图；
图3为本发明一实施例激光加工晶圆的装置的结构示意图；
图4为本发明另一实施例拓扑图案分布示意图；
图5为本发明另一实施例拓扑图案分布示意图；
图6为本发明另一实施例拓扑图案分布示意图；
图7为本发明另一实施例拓扑图案分布示意图；
图8为本发明另一实施例拓扑图案分布示意图；
图9为本发明另一实施例拓扑图案分布示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种激光加工晶圆的方法，所述方法是由至少两束具有不同能量分布的激光光束分别依次对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程和开槽进程，用以在所述晶圆上表面的预定切割道上形成凹槽。
本发明实施例提供的激光加工晶圆的方法解决了由于晶圆上表面Low-K层为透明材质导致激光加工时对激光光束进行大量的全反射导致大量的能量损失，以及无法准确控制在所述晶圆上表面的预定切割道上形成预定的槽形结构的问题，因此，本实施例中通过首先采用能量较低的激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程，并使预定切割道的表面粗糙化，以提高光吸收率，便于后续加工进程做准备，避免采用过高的激光光束对晶圆上表面Low-K层加工并引起Low-K材料的剥离从而导致晶圆损坏；同时，还能使后续加工进程中的激光光束能量的控制精度更高，进而提高在晶圆上表面的激光加工效果；然后再采用能量加高的激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行开槽进程，进而可以通过控制激光光束的能量分布更加有效的提高激光加工效果，进而保证开槽后所形成的凹槽具有预定的槽形结构，热影响区更小且均一性更高。
可选地，如图1所示，所述方法包括：
S11、由具有第一能量的第一激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构；
S12、由具有第二能量的第二激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行软化进程；
S13、由具有第三能量的第三激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行开槽进程并在所述晶圆上表面的预定切割道上形成凹槽。
具体的，本实施例中为了避免Low-K材料在激光加工过程中的剥落，进而将打毛进程和开槽进程中增加一个软化进程，对Low-K材料进行软化，一方面，减小执行开槽进程中的物理应力，提高开槽进程对晶圆上表面Low-K层受力更加均匀并使得凹槽更加的平坦；另一方面，在执行开槽进程之前，通过打毛进程和软化进程对晶圆上表面进行了充分的预处理，使得最后通过高能量的激光光束执行开槽过程时，对预定切割道的热影响区更小且均一性更高。
并且，如图1所示，本实施例中具体是由具有第一能量的第一激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程，并在晶圆上表面Low-K层的上表面上形成陷光结构，进而增强软化进程或开槽进程中对激光光束的漫反射进而通过提高光吸收率达到优化软化进程和开槽进程的效果，其中，所述陷光结构如图1右上部所示。然后由具有第二能量的第二激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行软化进程，使得所述晶圆上表面的预定切割道达到充分软化的效果，进一步地减少在开槽进程中的物理应力，降低所述晶圆上表面Low-K层脱落的风险；如图1右下部所示，最后由具有第三能量的第三激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行开槽进程，其中，所述第三激光光束还能够根据所述凹槽的槽形结构匹配激光光束需具有的拓扑图案分布；根据所述拓扑图案分布对激光光束依次进行分束处理、整形处理和聚焦处理后形成具有所述拓扑图案分布的激光光斑，用以在所述晶圆上表面的预定切割道上形成具有所述槽形结构的凹槽。进而通过保证用于划片的激光光束分布的均匀性，使得在晶圆上表面Low-K层刻蚀形成的凹槽更加均匀，热影响区更小且均一性更高，进而提高在晶圆上表面的激光加工效果。
可选地，所述第一能量的范围是所述第三能量的50％-70％；
优选的，所述第一能量的范围是所述第三能量的55％-65％。
具体的，本实施例中由于形成陷光结构需要将能量达到一个阈值，才能够使其预定切割道均形成陷光结构，因此，所述第一能量的范围值高于第二能量。同时，为了保证第一能量不损坏晶圆上表面，因此，所述第一能量的范围是所述第三能量的50％-70％。
可选地，当由具有第一能量的第一激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构后，还包括：
检测所述预定切割道表面的粗糙度；
判断所述粗糙度是否达到预设值，如果是，则执行下一步；如果否，则由具有第一能量的第一激光光束再次对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构。
可选地，如图2所示，所述检测所述预定切割道表面的粗糙度，包括；
检测所述预定切割道表面灰度并获取灰度信息；
根据灰度信息确定粗糙度，其中，所述灰度信息与粗糙度相对应。
具体的，本实施例中为了提高后续加工进程中所述晶圆上表面的预定切割道对激光光束进行光吸收的均匀性，因此，本实施例中需要对晶圆上表面的预定切割道的打毛效果进行优化，本实施例中主要是采用对所述预定切割道表面的粗糙度检测，判断是否符合对打毛效果的要求，如果是，则进行下一步的加工进程；如果否，则再次对所述预定切割道进行打毛并达到预定的标准。进而提高了对所述预定切割道的打毛效果，以及对晶圆的加工效果。
可选地，当由具有第一能量的第一激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构，或由具有第二能量的第二激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行软化进程后，还包括：
检测所述预定切割道的实际位置并获取实际位置信息；
接收所述预定切割道的设定位置信息；
根据所述实时位置信息和预定位置信息确定激光光束的位置调整信息；
根据所述位置调整信息对激光光束的位置进行调整。
具体的，本实施例中采用具有不同能量的激光光束对所述预定切割道进行加工，由于晶圆加工平台或激光光束在来回运动过程中将产生重复误差，因此，为了提高所述方法的加工精度，需要对所述预定切割道进行微位移，保证激光光束在多次的加工过程中加工精度，提高了所述方法的加工效果。
可选地，所述第二能量的范围为所述第三能量的25％-35％；
优选的，所述第二能量为所述第三能量的30％-34％。
可选地，所述方法还包括：
获取所述凹槽的槽形结构；
根据所述槽形结构匹配激光光束需具有的拓扑图案分布；
根据所述拓扑图案分布对激光光束依次进行分束处理、整形处理和聚焦处理后形成具有所述拓扑图案分布的激光光斑，用以在所述晶圆上表面的预定切割道上形成具有所述槽形结构的凹槽。
具体的，如图4和图5所示，为了在晶圆上表面Low-K层上刻蚀出的槽形结构为两侧分别是“凵”型凹槽，中间为“U”型凹槽，则需要将激光光束一分为三并分别作用于预定切割道的边缘位置和中心位置将半导体衬底上的Low-K层去除，并保留它们之间的区域，随后可以通过机械处理方法或激光处理方法移除剩余的Low-K材料。该槽形结构可以移除边缘的Low-K材料并且限定移除对象区域，同时一束较小形状的光斑可以在保证预定切割道边缘Low-K材料去除的情况下，对中间一部分区域实现一定的刻蚀效果。因此有可能在随后的刀片开槽处理中极大的减小剩余Low-K材料对刀片的阻力，并且位于最中心的0级衍射光刻蚀的沟道能有效的将束缚住刀片的运动轨迹，从而提高刀片运行精度。位于预定切割道边缘的两道方形平顶激光子光束可以实现切割道边缘的精确和清晰处理，在提高加工效率的同时改进了制造特性，还能有效的避免Low-K层在加工过程中的剥落。因此，如图4左侧所示的拓扑图案分布，经具有该拓扑图案分布的激光光束加工后形成如B-B剖面图所示的槽形结构。本实施例可将作用在中间激光子光束使用的整形元件为圆形平顶光斑整形元件，并配合平凸柱面镜实现对激光光斑的线性化处理；作用在预定切割道两边的激光子光束所用整形元件为正方形平顶整形元件，并配合凸透镜可以在预定切割道的两边实现方形的激光加工效果。中间椭圆形的的平顶光斑可以在实现对Low-K材料进行去除的同时，最大限度的提高工作效率。根据光斑长度以及平凸柱面镜焦距即可确定线形平顶光斑的宽度，从而实现对预定切割道边缘被精确和清晰地处理，在提高加工效率的同时改进了制造特性，还能有效的避免Low-K在加工过程中的剥落。
当移除即使在移除边缘的Low-K材料之后仍保留的Low-K材料时，由于从Low-K材料施加到刀片的物理阻力，不可能确保刀片的预定移动速度。因此，在本发明的另一实施例中，在使用两个分割的子激光对预定切割道T边缘两边的Low-K材料去除后，同时引入衍射分光的0级激光。三束子激光的能量强度接近一致，因此可以在保证预定切割道边缘Low-K材料去除的情况下，对中间一部分区域实现等同于边缘刻蚀的效果。因此有可能在随后的刀片开槽处理中极大的减小剩余Low-K材料对刀片的阻力，并且位于最中心的0级衍射光刻蚀的沟道能有效的将束缚住刀片的运动轨迹，从而提高刀片运行精度。
或者，如图4右侧所示的拓扑图案分布，经具有该拓扑图案分布的激光光束加工后形成如B-B剖面图所示的槽形结构。本实施例中作用于中间的激光子光束使用的整形元件为圆形平顶光斑整形元件，并配合平凸透镜实现对激光光斑的聚焦处理。
进一步地，如图5所示的拓扑图案分布，经具有该拓扑图案分布的激光光束加工后形成如C-C剖面图所示的槽形结构。当两侧的“凵”型凹槽大于中间为“U”型凹槽时，所述方法可采用中间激光子光束的光斑尺寸小于切割道两边的激光子光束的光斑尺寸大小。三束激光子光束的光斑均用三个平凸透镜组成的聚焦元件组实现在晶圆上的聚焦。根据光斑长度以及平凸透镜焦距即可确定线形平顶光斑的宽度，从而实现对预定切割道边缘被精确和清晰地处理，在提高加工效率的同时改进了制造特性，还能有效的避免Low-K在加工过程中的剥落。较小的中间光束在有效的保证了对切割道两边进行高效清除的同时，还可以对中间一部分区域实现等一定的刻蚀效果。因此有可能在随后的刀片开槽处理中极大的减小剩余Low-K材料对刀片的阻力，并且位于最中心的射光刻蚀的沟道能有效的将束缚住刀片的运动轨迹，从而提高刀片运行精度。
如图6所示，激光光束为了在晶圆上表面Low-K层刻蚀出的槽形结构为整体近似“凵”型凹槽，且当移除即使在移除边缘的Low-K材料之后仍保留的Low-K材料时，由于从Low-K材料施加到刀片的物理阻力，不可能确保刀片的预定移动速度。因此，本实施例中在使用两个分割的激光子光束对预定切割道边缘两边的Low-K材料去除后，同时引入衍射分光的0级激光。三束激光子光束的能量强度接近一致，因此可以在保证预定切割道边缘Low-K材料去除的情况下，对中间一部分区域实现等同于边缘刻蚀的效果。最终获得一个近似于全部刻蚀的“凵”型槽形结构。由于槽顶与槽底相差较小，当随后通过机械处理方法或激光处理方法移除剩余的Low-K材料时，良好的应力释放能有效的避免刀片对芯片晶体内部产生的应力损伤，挺高产品可靠性。因此，如图6左上侧所示的拓扑图案分布，经具有该拓扑图案分布的激光光束加工后形成如D-D剖面图所示的槽形结构。本实施例中采用的整形元件阵列为定制化的3*3方形整形元件，并配合凸透镜可以实现3*3的阵列方形平顶光斑加工效果。方形的平顶光斑可以有效的控制边缘精度，因此相较于圆形光斑，可以获得更加有效的加工精度，并且不损伤到晶圆有效区域。方形的边缘还能更好的控制热效应的扩散，将加工槽控制在预定切割道以内。方形的阵列加工效果可以更好的覆盖大范围的加工区域，即增加的加工效率。不同的方形子光斑中间的无能量区域也能一定的缓解热效应的影响。通过这种多光束重叠的方式后，可以保证光斑簇顶部能量分布相对均匀，因此可以有效地减小热效应产生的Low-K材料烧蚀现象。由于多光束的重叠，使得划片的光束能量分布更为均匀，槽底部更为平坦，热影响区均一性较高，相应的崩边、微孔、披锋现象也可随之减小。
同时，由于晶圆上表面Low-K层的厚度不均，因此仅采用如图6左上侧的拓扑图案分布进行激光加工，无法达到预期近似于“凵”型的槽形结构，因此根据晶圆上表面Low-K层的厚度分布，进而调整所述拓扑图案分布。例如，当切割道中部比两侧厚时，则采用如图6右上侧所示的拓扑图案分布，经具有该拓扑图案分布的激光光束加工后形成如D-D剖面图所示的槽形结构。其中，整形元件阵列采用定制化的“工”型方形整形元件，并配合凸透镜可以实现“工”型阵列方形平顶光斑加工效果。为有效的控制阵列光斑热影响区域的扩散，将激光定制化的分束成“工”型阵列光斑组合。使得预定切割道边缘的加工热效应更多的向加工槽中间扩散，即保留了加工效率，又有效的控制了产品损坏情况。在切割道的中间区域保留了一束子光斑的加工效果，可以对中间一部分区域实现等一定的刻蚀效果。因此有可能在随后的刀片开槽处理中极大的减小剩余Low-K材料对刀片的阻力，并且位于最中心的射光刻蚀的沟道能有效的将束缚住刀片的运动轨迹，从而提高刀片运行精度。最后一道激光子光束的组合，还能有效的对前面的刻蚀槽形进行修缮，将槽底的残留物进行去除。
当切割道中部比两侧薄时，则采用如图6中下侧所示的拓扑图案分布，经具有该拓扑图案分布的激光光束加工后形成如D-D剖面图所示的槽形结构。其中，整形元件阵列时定制化的“H”型方形整形元件，并配合凸透镜可以实现“H”型阵列方形平顶光斑加工效果。由于激光器对Low-K材料产生较大的热影响效果，可能导致材料的热胀冷缩效应使得加工精度降低，并且热效应的扩散也有可能损坏晶圆的有效区域，从而降低产品合格率。将激光定制化的分束成“H”型阵列光斑组合。使得预定切割道边缘的加工热效应更多的向加工槽中间扩散，即保留了加工效率，又有效的控制了产品损坏情况。并且，在切割道的中间区域保留了一束子光斑的加工效果，可以对中间一部分区域实现等一定的刻蚀效果。因此有可能在随后的刀片开槽处理中极大的减小剩余Low-K材料对刀片的阻力，并且位于最中心的射光刻蚀的沟道能有效的将束缚住刀片的运动轨迹，从而提高刀片运行精度。
如图7所示，为了在晶圆上表面Low-K层上刻蚀出的槽形结构为三列均匀的“U”型凹槽，因此，如图7上侧所示的拓扑图案分布，经具有该拓扑图案分布的激光光束加工后形成如E-E剖面图所示的槽形结构。本实施例采用的三束激光光斑均用三个平凸透镜组成的聚焦元件阵列实现在晶圆上的聚焦。并且，还根据光斑长度以及平凸透镜焦距即可确定线形平顶光斑的宽度，从而实现对预定切割道边缘被精确和清晰地处理。
同时，为了在晶圆上表面Low-K层刻蚀出的槽形结构为整体近似“凵”型凹槽；因此，本实施例还可通过使用包含整个切割道的母激光光束对整个预定切割道内的Low-K材料进行去除，然后使用两道小型的激光子光束对切割道两边剩余的材料进行切割。不仅能获得接近于“凵”型的槽形结构，当随后通过机械处理方法或激光处理方法移除剩余的Low-K材料时，良好的应力释放能有效的避免刀片对芯片晶体内部产生的应力损伤，挺高产品可靠性。而且后续的两道小型高斯光束还能清理掉第一道母光束切割后重新凝聚在槽内两边的剩余物质，从而实现高效的槽形获得结果。
或者，如图8上侧所示的拓扑图案分布，经具有该拓扑图案分布的激光光束加工后形成如F-F剖面图所示的槽形结构。其中，采用激光光束被分为两束子激光。其中前一束激光子光束能量远远大于后面的激光子光束。前一束激光子光束用于激光开槽，而后一束激光子光束占有总激光的20-30％，被用来去除槽底的碎屑，优化槽形结构。这样的分束效果可以在最大限度的保证加工效率的同时，对槽形实现进一步的改善，从而避免后续的机械切割时，可能出现的剩余Low-K材料被粘附于刀片上，并飞溅到晶圆的有效区域，影响了产品良率。
再或者，如图9所示上侧所示的拓扑图案分布，经具有该拓扑图案分布的激光光束加工后形成如G-G剖面图所示的槽形结构。其中，激光子光束所用整形元件为正方形平顶整形元件，并配合平凸透镜可以在预定切割道的两边实现方形的激光加工效果。比较与圆形光斑，可以获得更加有效的加工精度，并且不损伤到晶圆有效区域。方形的边缘还能更好的控制热效应的扩散，将加工槽控制在预定切割道以内。而后面的圆形平顶光斑则同样是为了去除激光加工后，残留在槽底的Low-K材料，进一步优化槽形结构。
本发明实施例还提供一种激光加工晶圆的装置，如图3所示，所述装置包括：
激光器，用于发射出激光光束；
控制器，用于根据对晶圆上表面的预定切割道的打毛进程或开槽进程确定激光光束的能量分布；
相控型硅基液晶，用于根据激光光束的能量分布对激光光束进行调制；
聚焦元件阵列，用于依次调整激光光束的聚焦点并实现对晶圆上表面的预定切割道进行打毛进程或开槽进程；
晶圆加工平台，用于夹持住所述晶圆并调整所述晶圆的空间位置以在所述晶圆上表面的预定切割道进行打毛进程或开槽进程。
本发明实施例提供的激光加工晶圆的装置首先通过控制器将激光器发射的能量较低的激光光束依次通过相控型硅基液晶、聚焦元件阵列对放置于晶圆加工平台上的晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程，并使预定切割道的表面粗糙化，以提高光吸收率，便于后续加工进程做准备，避免采用过高的激光光束对晶圆上表面Low-K层加工并引起Low-K材料的剥离从而导致晶圆损坏；同时，还能使后续加工进程中的激光光束能量的控制精度更高，进而提高在晶圆上表面的激光加工效果；然后再通过控制器将激光器发射的能量加高的激光光束依次通过相控型硅基液晶、聚焦元件阵列对放置于晶圆加工平台上的晶圆上表面的预定切割道执行开槽进程，进而可以通过控制激光光束的能量分布更加有效的提高激光加工效果，进而保证开槽后所形成的凹槽具有预定的槽形结构，热影响区更小且均一性更高。
可选地，所述装置还包括：
粗糙度检测组件，检测所述预定切割道表面的粗糙度。
可选地，所述粗糙度检测组件包括：
分束器，用于将激光光束分束形成第一激光子光束和第二激光子光束，并分别将第一激光子光束发射至所述相控型硅基液晶，第二激光子光束发射至透镜组件；
透镜组件，用于将第二激光子光束聚焦发射至CCD装置；
监测光源，用于对晶圆上表面的预定切割道进行监测；
CCD装置，用于检测所述预定切割道表面灰度并获取灰度信息。
可选地，所述装置还包括：
位移检测装置，用于检测所述预定切割道的实际位置并获取实际位置信息；
接收单元，设置于控制器内并用于接收所述预定切割道的设定位置信息；
确定单元，设置于控制器内并用于根据所述实时位置信息和预定位置信息确定激光光束的位置调整信息。
综上所示，如图3所示，本实施例所述装置包括光纤准直器2、起偏器3、扩束准直元件4对激光器1发出的激光光束进行前期处理形成平行光束，然后由分束晶体5将激光光束分为至少两激光子光束，第一激光子光束经过相控型硅基液晶6微调后射入聚焦元件阵列7、光阑8进而对晶圆上表面Low-K层进行加工；第二激光子光束依次射入第四分束晶体18、透镜组件19、CCD装置20或成像装置20实现对所述预定切割道表面的粗糙度进行检测，其中，主要是通过CCD装置20对所述预定切割道表面灰度进行检测并获取灰度信息，然后控制器根据灰度信息确定粗糙度。同时还通过监测光源17射入分束晶体18实现对晶圆上表面的预定切割道进行监测并避免激光灌输对CCD装置的影响。
或者，本发明实施例提供的装置还可包括光纤准直器2、起偏器3、扩束准直元件4对激光器1发出的激光光束进行前期处理形成平行光束，将所述平行光束发射至分束晶体5并将加工光束分为至少两子光束，第一子光束经过相控型硅基液晶6微调后射入聚焦元件阵列7、光阑8进而对晶圆上表面Low-K层进行加工；第二子光束射入分束晶体11并分为第三子光束和第四子光束，并将第三子光束射入透镜组件12、CCD装置13进行光强度检测，并根据所述光强度对激光光束进行微调整；通过监测光源17射入分束晶体18实现对晶圆上表面的预定切割道进行监测并避免激光灌输对CCD装置的影响，并将第四子光束依次射入分束晶体18、透镜组件19、CCD装置20或成像装置20实现对对所述预定切割道表面的灰度进行检测并获取灰度信息，并根据所述灰度信息确定粗糙度，进而实现对预设切割道充分打毛，所述装置还通过位移检测装置16对所述预定切割道的实际位置进行检测并获取实际位置信息，其中，所述晶圆加工平台包括晶圆夹持平台9和晶圆移动装置10，主要是通过对晶圆移动装置10的检测实现对所述预定切割道的实际位置进行检测；并控制相控型硅基液晶根据所述激光光束的位置调整信息对激光光束进行微调整，进而提高所述方法的加工精度，需要对所述预定切割道进行微位移，保证激光光束在多次的加工过程中加工精度，提高了所述方法的加工效果。
本实施例的装置，可以用于执行上述方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，所述方法是由至少两束具有不同能量分布的激光光束分别依次对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程和开槽进程，用以在所述晶圆上表面的预定切割道上形成凹槽；其中，
由具有第一能量的第一激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构；
由具有第二能量的第二激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行软化进程；
由具有第三能量的第三激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行开槽进程并在所述晶圆上表面的预定切割道上形成凹槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一能量的范围是所述第三能量的50％-70％。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当由具有第一能量的第一激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构后，还包括：
检测所述预定切割道表面的粗糙度；
判断所述粗糙度是否达到预设值，如果是，则执行下一步；如果否，则由具有第一能量的第一激光光束再次对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述检测所述预定切割道表面的粗糙度，包括；
检测所述预定切割道表面灰度并获取灰度信息；
根据灰度信息确定粗糙度，其中，所述灰度信息与粗糙度相对应。
5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，当由具有第一能量的第一激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程并形成陷光结构，或由具有第二能量的第二激光光束对晶圆上表面的预定切割道执行软化进程后，还包括：
检测所述预定切割道的实际位置并获取实际位置信息；
接收所述预定切割道的设定位置信息；
根据所述实际位置信息和设定位置信息确定激光光束的位置调整信息；
根据所述位置调整信息对激光光束的位置进行调整。
6.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述第二能量的范围为所述第三能量的25％-35％。
7.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取所述凹槽的槽形结构；
根据所述槽形结构匹配激光光束需具有的拓扑图案分布；
根据所述拓扑图案分布对激光光束依次进行分束处理、整形处理和聚焦处理后形成具有所述拓扑图案分布的激光光斑，用以在所述晶圆上表面的预定切割道上形成具有所述槽形结构的凹槽。
8.一种激光加工晶圆的装置，其特征在于，包括：
激光器，用于发射出激光光束；
控制器，用于根据对晶圆上表面的预定切割道的打毛进程或开槽进程确定激光光束的能量分布；
相控型硅基液晶，用于根据激光光束的能量分布对激光光束进行调制；
聚焦元件阵列，用于依次调整激光光束的聚焦点并实现对晶圆上表面的预定切割道进行打毛进程或开槽进程；
晶圆加工平台，用于夹持住所述晶圆并调整所述晶圆的空间位置以在所述晶圆上表面的预定切割道进行打毛进程或开槽进程；
粗糙度检测组件，检测所述预定切割道表面的粗糙度；其中：
所述粗糙度检测组件包括：
分束器，用于将激光光束分束形成第一激光子光束和第二激光子光束，并分别将第一激光子光束发射至所述相控型硅基液晶，第二激光子光束发射至透镜组件；
透镜组件，用于将第二激光子光束聚焦发射至CCD装置；
监测光源，用于对晶圆上表面的预定切割道进行监测；
CCD装置，用于检测所述预定切割道表面灰度并获取灰度信息。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
位移检测装置，用于检测所述预定切割道的实际位置并获取实际位置信息；
接收单元，设置于控制器内并用于接收所述预定切割道的设定位置信息；
确定单元，设置于控制器内并用于根据所述实际位置信息和设定位置信息确定激光光束的位置调整信息。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710574908.7A CN107214419B (zh) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710574908.7A CN107214419B (zh) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107214419A CN107214419A (zh) | 2017-09-29 |
| CN107214419B true CN107214419B (zh) | 2018-10-09 |
Family
ID=59952840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710574908.7A Active CN107214419B (zh) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107214419B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111185665A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-05-22 | 武汉铱科赛科技有限公司 | 一种线路结构蚀刻方法、装置、系统与设备 |
| WO2021166963A1 (ja) | 2020-02-21 | 2021-08-26 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 個片化方法 |
| CN113369677B (zh) * | 2021-05-31 | 2022-05-31 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 晶圆切割方法及切割设备 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0532428A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-09 | Hoya Corp | ガラス加工方法及びその装置 |
| JP2006035710A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Cyber Laser Kk | レーザによるガラス加工方法ならびに装置 |
| JP2013022627A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Aisin Seiki Co Ltd | レーザによる割断方法、レーザ割断装置、およびレーザ光発生装置 |
| CN103692092A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-04-02 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 激光加工装置及激光加工方法 |
| CN104117776A (zh) * | 2014-07-17 | 2014-10-29 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 高反射金属部件的激光焊接方法 |
| CN105934307A (zh) * | 2014-01-27 | 2016-09-07 | 三井金属矿业株式会社 | 粗化处理铜箔、覆铜层压板以及印刷线路板 |
-
2017
- 2017-07-14 CN CN201710574908.7A patent/CN107214419B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0532428A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-09 | Hoya Corp | ガラス加工方法及びその装置 |
| JP2006035710A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Cyber Laser Kk | レーザによるガラス加工方法ならびに装置 |
| JP2013022627A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Aisin Seiki Co Ltd | レーザによる割断方法、レーザ割断装置、およびレーザ光発生装置 |
| CN103692092A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-04-02 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 激光加工装置及激光加工方法 |
| CN105934307A (zh) * | 2014-01-27 | 2016-09-07 | 三井金属矿业株式会社 | 粗化处理铜箔、覆铜层压板以及印刷线路板 |
| CN104117776A (zh) * | 2014-07-17 | 2014-10-29 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 高反射金属部件的激光焊接方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107214419A (zh) | 2017-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107214420B (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | |
| CN107214419B (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | |
| CN103582943B (zh) | 多步骤和非对称塑形的激光束划线 | |
| CN1761549B (zh) | 利用可变像散聚焦光斑切割的系统和方法 | |
| CN106938370B (zh) | 一种激光加工系统及方法 | |
| US20220029052A1 (en) | Light-emitting diode chip and method for manufacturing the same | |
| US9120178B2 (en) | Method of radiatively grooving a semiconductor substrate | |
| CN107252982B (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | |
| TWI719787B (zh) | Led晶圓片的雷射預分割方法及裝置 | |
| CN107378232B (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及系统 | |
| CN107414309A (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | |
| DE60205360D1 (de) | Dual-laserschneiden von scheiben | |
| CN108515273A (zh) | Led晶圆片的切割装置及切割方法 | |
| CN103348463A (zh) | 用于发光装置的改进分割的方法和设备 | |
| CN107378255B (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | |
| TWI667709B (zh) | 用於改良晶圓塗佈處理之烘烤工具 | |
| CN107437532B (zh) | 一种led晶圆的紫外激光表面切割方法 | |
| CN107234343B (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | |
| CN107685196B (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | |
| CN107252981B (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | |
| CN110605483A (zh) | 一种led晶圆片的激光切割装置 | |
| CN107214418B (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | |
| JP5318545B2 (ja) | ウエーハ加工方法 | |
| SG10201708957PA (en) | Device chip package manufacturing method | |
| CN102837369A (zh) | 一种绿激光划片蓝宝石的工艺方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190529 Address after: 100176 Daxing District Economic and Technological Development Zone, Beijing Patentee after: BEIJING ZHONGKE LEITE ELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: No. 3, North Tu Cheng West Road, Chaoyang District, Beijing Patentee before: Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences |
|
| TR01 | Transfer of patent right |