CN107209416B - 量子点薄膜和其制造方法 - Google Patents
量子点薄膜和其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107209416B CN107209416B CN201580074378.9A CN201580074378A CN107209416B CN 107209416 B CN107209416 B CN 107209416B CN 201580074378 A CN201580074378 A CN 201580074378A CN 107209416 B CN107209416 B CN 107209416B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- layer
- dot layer
- barrier layer
- quantum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 337
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 67
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 85
- 238000007590 electrostatic spraying Methods 0.000 claims abstract description 63
- 238000010041 electrostatic spinning Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 51
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 23
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 23
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 22
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 20
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 267
- 239000010408 film Substances 0.000 description 99
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 24
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 14
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000001523 electrospinning Methods 0.000 description 8
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 3
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 229920006248 expandable polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002285 poly(styrene-co-acrylonitrile) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015894 BeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021593 Copper(I) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005987 Ge3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005829 GeS Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005866 GeSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052955 covellite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007787 electrohydrodynamic spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
- B32B5/16—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by features of a layer formed of particles, e.g. chips, powder or granules
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
- G02F1/01791—Quantum boxes or quantum dots
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
- G02F1/133607—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members the light controlling member including light directing or refracting elements, e.g. prisms or lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明涉及一种量子点薄膜和其制造方法,通过静电喷雾或静电纺丝来形成量子点层,多个量子点配置于所述量子点层的内部,通过静电喷雾或静电纺丝将屏障层形成于所述量子点层上,所述屏障层覆盖所述量子点层,从而使得量子点层和屏障层以相互熔接的形态成为一体,由此使得背光单元的厚度变薄,且简化量子点薄膜的制造工艺,从而提高生产率,并降低制造成本,且使得量子点均匀地分散,从而解决现有在量子点薄膜中的量子点的凝聚及团在一起的现象,由此有效地发出根据量子点的固有特性的白色光,且能够均匀地发光于显示板前面。
Description
技术领域
本发明涉及一种量子点薄膜(Quantum Dot film)制造方法,更加具体地,涉及一种量子点薄膜和其制造方法,可通过静电喷雾或静电纺丝使得量子点均匀地分散,且简化制造过程,降低制造成本,并使得导光板、扩散薄膜、棱镜薄膜(prism film)等与量子层实现一体化。
本发明强调2014年11月28日申请的韩国专利申请第10-2014-0168265号及韩国专利申请第10-2014-0168266号的利益,其全部内容包括于本说明书。
此外,本发明强调2015年1月20日申请的韩国专利申请第10-2015-0009264号及韩国专利申请第10-2015-0009265号的利益,其全部内容包括于本说明书。
背景技术
通常,背光单元(backlight unit)是在液晶显示装置(LCD,liquid crystaldisplay)等液晶屏幕的后面起到发光作用的光源装置,并将发光二极管(LED,lightemitting diode)用作光源。
所述背光单元将发光二极管用作光源时,为了发出白色的光,将红色(Red,R)或绿色(Green,G)等的荧光物质用于蓝色(Blue,B)发光二极管芯片(LED chip)。
最近,参考图1,提出一种利用量子点薄膜的发出白色光的背光单元。
由于通过所述量子点薄膜实现的白色光与现有的通过蓝色发光二极管芯片和荧光物质而产生的白色光相比具有色彩表现力更优秀的优点,因此实情是,利用所述量子点薄膜的背光单元的生产量逐渐增加。
最近,参考图1及图2,提出一种利用量子点薄膜来发出白色光的背光单元。
所述背光单元构成为,包括导光板1、发光二极管光源2、反射板3、量子点薄膜4、扩散薄膜5、棱镜薄膜6,从而发出白色光,所述发光二极管光源2配置于所述导光板1的侧面,所述反射板3配置于所述导光板1的下部,所述量子点薄膜4依次叠层于所述导光板1的上部。
例如,在所述发光二极管光源2是蓝色(Blue)发光二极管的情况下,使用量子点薄膜4,所述量子点薄膜4包括显示出红色(R)和绿色(G)的颜色的量子点(Quantum Dot)。
参考图3,所述量子点薄膜4包括:量子点层4a,量子点分布于所述量子点层4a;屏障(barrier)层4b,其覆盖(cover)所述量子点层4a的上面和下面。所述屏障层4b防止水分及空气向量子点层4a内流入。
所述量子点薄膜4的问题在于,具有使得各个屏障层4b粘着于所述量子点层4a的上面和下面的结构,从而另外的粘着层4c设置于所述量子点层4a和所述屏障层4b之间,所述粘着层4c使得光的透光度及光效率降低,且制造过程复杂、需要大量的制造费用。
所述量子点薄膜4的问题在于,在形成所述量子点层4a之后,使得所述屏障层4b分别粘着于上面和下面的过程中,所述量子点层4a与空气相接触,从而被氧化,并且具有厚度变厚的问题。
所述量子点薄膜4的问题在于,具有量子点在所述量子点层4a内凝聚或团在一起的情况,从而量子点的固有特性降低,并频繁发生无法实现均匀发光的不良情况,为了解决如上所述问题,需要使得比需要基准值的量子点更多的量的量子点包括于所述量子点层4a内。
尤其,所述量子点薄膜的问题在于,区别于所述导光板1而另外制造,从而具有安装于导光板上的结构,并在与所述导光板1之间形成有微小的气隙(Air Gap),由此空气向其中间流入,据此通过导光板而发出的光的损失增大,且用于发出白色光的量子层内量子点的需要量增加。
此外,区别于所述导光板1、扩散薄膜5、棱镜薄膜6而另外制造所述量子点薄膜4的同时,难以以添加工艺的形式制作,且成为使得背光单元的制造费用增加的原因。
问题在于,使用另外制造的量子点薄膜4,从而背光单元的体积增加。
发明内容
本发明是考虑到如上所述问题而提出的,其目的在于,提供一种量子点薄膜和其制造方法,通过静电纺丝或静电喷雾方法来形成量子点层,从而制造过程单纯且制造费用低廉,并使得量子点均匀地分散,从而在背光单元均匀且有效地发光。
此外,本发明是考虑到如上所述问题而提出的,其目的在于,提供一种量子点薄膜和其制造方法,将量子点层一体地形成于导光板上,从而减少背光单元的厚度,并简化量子点薄膜的制造过程,且降低制造费用。
此外,本发明是考虑到如上所述问题而提出的,其目的在于,提供一种量子点薄膜和其制造方法,将量子点一体地构成于扩散薄膜,从而减少背光单元的体积及厚度,且简化背光单元的制造过程的同时,可有助于降低制造费用。
此外,本发明是考虑到如上所述问题而提出的,其目的在于,提供一种量子点薄膜和其制造方法,将量子点一体地构成于棱镜薄膜,从而减少背光单元的体积及厚度,且简化背光单元的制造过程的同时,可有助于降低制造费用。
此外,本发明提供一种背光单元,就所述背光单元而言,量子点层与导光板、扩散薄膜、棱镜薄膜中任意一个相粘着或熔接,从而改善光的透光度及光效率,由此可实现为具有更加鲜明的画质的显示装置。
根据用于达到所述目的的本发明的一个实施例的量子点薄膜的特征在于,包括量子点层及覆盖薄膜层,多个量子点配置于所述量子点层内部,所述覆盖薄膜层叠层于所述量子点层上,从而覆盖所述量子点层的上面和下面中至少任意一面,所述量子点层通过静电喷雾或静电纺丝的形式形成。
在本发明中,所述覆盖薄膜层是用于保护量子点层的屏障层,所述屏障层可通过静电喷雾或静电纺丝形成于所述量子点层上。
在本发明中,所述覆盖薄膜层是导光板体、扩散薄膜体、棱镜薄膜体中任意一个,所述量子点层可通过静电喷雾或静电纺丝形成于导光板体、扩散薄膜体、棱镜薄膜体中任意一个上。
在本发明中,用于保护量子点层的屏障层可通过静电喷雾或静电纺丝形成于所述量子点层上。
在本发明中,所述量子点层可熔接于所述覆盖薄膜层上,从而得到接合,或者通过自身粘着力粘着于所述覆盖薄膜上。
在本发明中,所述屏障层可以是聚碳酸酯(PC,Poly Carbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(PVDF,Polyvinylidene Fluoride)中任意一种材质,或者是包括聚碳酸酯(PC,Poly Carbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(PVDF,Polyvinylidene Fluoride)中至少任意一种的混合树脂。
在本发明中,所述量子点层能够由与所述屏障层相同材质的高分子树脂形成。
根据用于达到所述目的的本发明的一个实施例的量子点薄膜制造方法的特征在于,包括如下步骤:利用包括多个量子点的高分子树脂溶液,通过静电喷雾或静电纺丝形成量子点层,多个量子点配置于所述量子点层的内部。
根据用于达到所述目的的本发明的一个实施例的量子点薄膜制造方法还可包括如下步骤:通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝将屏障层形成于所述量子点层上,所述屏障层覆盖所述量子点层。
根据用于达到所述目的的本发明的一个实施例的量子点薄膜制造方法在形成所述量子点层的步骤之前还包括如下步骤:通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝将屏障层形成于集合器(collector)上,形成所述量子点层的步骤可将量子点层形成于所述屏障层上,所述屏障层形成于所述集合器上。
在形成所述量子点层的步骤之前包括如下步骤:准备导光板体、扩散薄膜体、棱镜薄膜体中任意一个,形成所述量子点层的步骤可通过静电喷雾或静电纺丝将量子点层形成于在所述准备步骤中准备的导光板体、扩散薄膜体、棱镜薄膜体中任意一个上,多个量子点配置于所述量子点层内部。
根据用于达到所述目的的本发明的一个实施例的量子点薄膜制造方法还可包括如下步骤:通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝将屏障层形成于所述量子点层上,所述屏障层覆盖所述量子点层。
在根据用于达到所述目的的本发明的一个实施例的量子点薄膜制造方法中,形成所述屏障层的步骤可通过静电喷雾将屏障层形成为无孔致密膜形态。
在本发明中,通过静电喷雾或静电纺丝形成量子点薄膜,从而使得量子点均匀地分散,由此解决现有在量子点薄膜中的量子点的凝聚及团在一起的现象,据此效果在于,有效地发出根据量子点的固有特性的白色光,且能够均匀地发光于显示板(display panel)前面。
在本发明中,量子点层与导光板、扩散薄膜、棱镜薄膜中任意一个相粘着或熔接,从而实现一体化,由此效果在于,可使得背光单元的厚度变薄,且使得光的损失最小化,且能够通过比现有量子点薄膜更少的量子点的个数顺利地发出白色光。
此外,在本发明中,在不使用粘着剂将屏障层附着于量子点薄膜的状态下,通过静电喷雾或静电纺丝的形式将屏障层叠层于量子点层,由此可抑制因现有的粘着剂的使用而产生的光的损失及透光度降低,从而可使得光效率最大化。
尤其,本发明在适用于40英寸(inch)以上的大面积显示板的背光单元时,用较少的制造费用就能够使得均匀地发光于显示板前面,从而效果在于,大大提高显示板的品质。
附图说明
图1及图2是示出一般的背光单元的概略图。
图3是示出现有的量子点薄膜的截面图。
图4是示出根据本发明的量子点薄膜的一个实施例的图。
图5是示出在根据本发明的量子点薄膜中量子点层一体地形成于导光板上的一个实施例的图。
图6是示出图5的根据本发明的量子点薄膜的实施例中使用例的图。
图7是示出在根据本发明的量子点薄膜中量子点层一体地形成于扩散薄膜上的一个实施例的图。
图8是示出在根据本发明的量子点薄膜中量子点层一体地形成于扩散薄膜上的一个实施例的图。
图9是示出根据本发明的量子点薄膜制造方法的一个实施例的工艺图。
图10是示出根据本发明的量子点薄膜的制造方法的一个实施例的概略图。
图11是示出根据本发明的量子点薄膜制造方法的另一个实施例的工艺图。
图12是示出根据本发明的量子点薄膜的制造方法的另一个实施例的概略图。
图13是示出根据本发明的量子点薄膜制造方法的又另一个实施例的工艺图。
图14是示出根据本发明的量子点薄膜的制造方法的又另一个实施例的概略图。
图15是示出根据本发明的量子点薄膜制造方法的又另一个实施例的工艺图。
图16是示出根据本发明的量子点薄膜的制造方法的又另一个实施例的概略图。
图17是示出根据本发明的背光单元的一个实施例的概略图。
图18是示出根据本发明的背光单元的另一个实施例的概略图。
标号说明
10:量子点层 11:量子点
20:覆盖薄膜层 21:屏障层
22:导光板体 22a:槽
23:扩散薄膜体 24:棱镜薄膜体
具体实施方式
以下,参照附图对本发明进行详细说明。在此,省略反复的说明、可能会不必要地模糊本发明的要旨的公知功能及构成的详细说明。为了更加完整地对在该行业中具有一般知识的技术人员说明本发明,提供本发明的实施形态。由此,为了更加明确地进行说明,可能会夸张在图中的要素的形状及大小等。
例如,根据本发明的实施例的量子点薄膜配置于背光单元的导光板上,从而可使得配置于导光板的侧面的发光二极管光源的光发出为白色光。
图4作为示出根据本发明的实施例的量子点薄膜的截面图,根据本发明的实施例的量子点薄膜包括:量子点层10,多个量子点11配置于所述量子点层10的内部;以及覆盖薄膜层20,其叠层于所述量子点层10上,从而覆盖所述量子点层10的上面和下面中至少任意一面。
例如,所述量子点层10具有如下形态:通过静电喷雾或静电纺丝形成于所述覆盖薄膜层20上,从而在没有另外的粘着层的状态下,通过自身的粘着性得到粘着或熔接。
所述覆盖薄膜层20由于以通过所述量子点层10自身的粘着性得到粘着或相互得到熔接的形态实现一体化,因此在与所述量子点层10之间没有用于附着的另外的粘着层的状态下,与所述量子点层10实现一体化,从而可简化制造工艺,且使得背光单元的厚度形成得更薄。
例如,所述覆盖薄膜层20是用于保护量子点层10的屏障层21。
所述屏障层21以熔接于所述量子点层10上的形态实现一体化,且分别设置于所述量子点层10的上面和下面,从而覆盖所述量子点层10的上面及下面,由此防止水分向所述量子点层10的内部流入,优选地,形成为由高分子树脂构成且具有无孔形态,以便防止所述量子点层10与空气相接触而被氧化。
图5作为示出在根据本发明的量子点薄膜中量子点层10一体地形成于导光板上的一个实施例的图,参考图5,所述覆盖薄膜层20可以是从配置于侧面的光源得到光的传递从而使其分布于前面的导光板体22。
此外,用于保护量子点层10的屏障层21可叠层于所述量子点层10上,所述量子点层10叠层于所述导光板体22上。例如,所述屏障层21具有如下形态:通过静电喷雾或静电纺丝形成于所述量子点层10上,从而在与所述量子点层10之间没有另外的粘着层的状态下,通过自身的粘着性粘着或熔接于所述量子点层10上。
优选地,多个槽22a形成于所述导光板体22的下部面,从而在使得通过反射板而反射的光的反射角度变更的情况下,可使得光向外部发出,所述反射板配置于所述导光板面板(panel)部的下部。
例如,所述量子点层10具有如下形态:通过静电喷雾或静电纺丝形成于所述导光板体22上,从而在没有另外的粘着层的状态下,通过自身的粘着性粘着或熔接于所述导光板体22。
由于所述量子点层10通过自身的粘着性或者以熔接的形态直接一体地形成于所述导光板体22上,所述屏障层21通过自身的粘着性或者以熔接的形态直接一体地形成于所述量子点层10上,因此在没有另外的粘着层的状态下,与所述量子点层10实现一体化,从而可简化制造工艺,且降低制造费用,并使得背光单元的厚度形成得更薄。
为了防止因与空气的接触而产生氧化并防止水分的渗透,需要分别覆盖所述量子点层10的上面和下面,且通过所述导光板体22来覆盖两面中的一面,通过所述屏障层21来覆盖另一面,从而防止因与空气的接触而产生氧化并防止水分渗透。
参考图6,就根据本发明的量子点薄膜而言,并非是现有导光板的情况中在表面使得相同颜色的反射反复多次,而是量子点层10一体地设置于所述导光板体22上,从而在进行全反射期间,发光二极管光源2(参照图1)的光,即蓝色发光二极管的光,与量子点层10内量子点11发生冲突的概率增加,从而即使通过量子点层10内少量的量子点也可形成充分的白色光,由此与用于现有的导光板的量子点薄膜内量子点相比,可减少量子点使用量。
此外,所述导光板体22的弯曲率约为1.49,在光透到所述量子点层10期间,可降低在界面反射并显示的光的损失,从而通过所述导光板体22使得发光效率增加。
另外,图7作为示出在根据本发明的量子点薄膜中量子点层10一体地形成于扩散薄膜上的一个实施例的图,例如,参考图7,所述覆盖薄膜层20是扩散薄膜体23,所述扩散薄膜体23起到如下作用:使得从导光板得到传递的光扩散。
例如,所述扩散薄膜体23以与用于现有的背光单元的扩散薄膜相同的形式制造,且使得从导光板得到传递的光扩散,从而防止光的聚集现象。
例如,所述量子点层10具有如下形态:通过静电喷雾或静电纺丝形成于所述扩散薄膜体23上,从而在没有另外的粘着层的状态下,通过自身的粘着性粘着或熔接于所述扩散薄膜体23。
此外,用于保护量子点层10的屏障层21可叠层于所述量子点层10上,所述量子点层10叠层于所述扩散薄膜体23上。例如,所述屏障层21具有如下形态:通过静电喷雾或静电纺丝形成于所述量子点层10上,从而在与所述量子点层10之间没有另外的粘着层的状态下,通过自身的粘着性粘着或熔接于所述量子点层10上。
由于所述量子点层10通过自身的粘着性或者以熔接的形态直接一体地形成于所述扩散薄膜体23上,所述屏障层21通过自身的粘着性或者以熔接的形态直接一体地形成于所述量子点层10上,因此在没有另外的粘着层的状态下,与所述量子点层10实现一体化,从而可简化制造工艺,且降低制造费用,并使得背光单元的厚度形成得更薄。
为了防止因与空气的接触而产生氧化并防止水分的渗透,需要分别覆盖所述量子点层10的上面和下面,且通过所述导光板体22来覆盖两面中的一面,通过所述屏障层21来覆盖另一面,从而防止因与空气的接触而产生氧化并防止水分渗透。
另外,图8作为示出在根据本发明的量子点薄膜中量子点层10一体地形成于扩散薄膜体23上的一个实施例的图,例如,参考图7,所述覆盖薄膜层20是棱镜薄膜体24,所述棱镜薄膜体24聚拢分散的光,从而使得亮度提高。
例如,所述棱镜薄膜体24以与用于现有的背光单元的棱镜薄膜相同的形式制造。
例如,所述量子点层10具有如下形态:通过静电喷雾或静电纺丝形成于所述棱镜薄膜体24上,从而在没有另外的粘着层的状态下,通过自身的粘着性粘着或熔接于所述棱镜薄膜体24。
此外,用于保护量子点层10的屏障层21可叠层于所述量子点层10上,所述量子点层10叠层于所述棱镜薄膜体24上。例如,所述屏障层21具有如下形态:通过静电喷雾或静电纺丝形成于所述量子点层10上,从而在与所述量子点层10之间没有另外的粘着层的状态下,通过自身的粘着性粘着或熔接于所述量子点层10上。
由于所述量子点层10通过自身的粘着性或者以熔接的形态直接一体地形成于所述棱镜薄膜体24上,所述屏障层21通过自身的粘着性或者以熔接的形态直接一体地形成于所述量子点层10上,因此在没有另外的粘着层的状态下,与所述量子点层10实现一体化,从而可简化制造工艺,且降低制造费用,并使得背光单元的厚度形成得更薄。
为了防止因与空气的接触而产生氧化并防止水分的渗透,需要分别覆盖所述量子点层10的上面和下面,且通过所述棱镜薄膜体24来覆盖两面中的一面,通过所述屏障层21来覆盖另一面,从而防止因与空气的接触而产生氧化并防止水分渗透。
另外,优选地,所述屏障层21是透明性优秀的聚碳酸酯(PC,Poly Carbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,poly(methylmethacrylate)),或者是耐水性优秀的聚偏二氟乙烯(PVDF,Polyvinylidene Fluoride)中任意一种材质,或者是包括聚碳酸酯(PC,PolyCarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(PVDF,Polyvinylidene Fluoride)中至少任意一种的混合树脂。
所述屏障层21也可通过静电喷雾或静电纺丝形成于所述量子点层10上。
例如,就所述量子点层10而言,量子点11包括于高分子树脂层内部,所述高分子树脂层是聚碳酸酯(PC,Poly Carbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(PVDF,Polyvinylidene Fluoride)中任意一种材质,或者是包括聚碳酸酯(PC,Poly Carbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(PVDF,Polyvinylidene Fluoride)中至少任意一种的混合树脂,优选地,由与所述屏障层21相同的高分子树脂形成。
所述量子点层10也可以是聚苯乙烯(PS,Polystyrene)、可发性聚苯乙烯(EPS,Expandable Polystyrene)、聚氯乙烯(PVC,Polyvinyl Chloride)、苯乙烯丙烯腈共聚物(SAN,Styrene Acrylonitrile Copolymer)、聚氨酯(PU,Polyurethane)、聚酰胺(PA,Polyamide)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB,Poly(vinyl butyral))、聚醋酸乙烯酯(PVAc,Poly(vinyl acetate))、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环氧树脂(EP:Epoxy Resin)、硅树脂(Silicone Resin)、不饱和聚酯(UP:Unsaturated Polyester)等,并且也可由其中一种形成或者混合其中两种以上来使用,也可以是包括其中至少一种的合成树脂。
就所述量子点11而言,纳米大小的Ⅱ-Ⅳ半导体粒子是构成中心(core)的粒子。所述量子点11的荧光是从导带(conduction band)跃迁到价带(valence band)状态的电子往下降的同时产生的光。
在本发明的实施例中,量子点11可包括Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、Ⅳ-Ⅵ族、Ⅳ族半导体及它们的混合物等任意种类的半导体。所述半导体是Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C、P、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdxSeySz、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuInS2、Cu2SnS3、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al、Ga、In)2(S、Se、Te)3、CIGS、CGS、(ZnS)y(CuxSn1-xS2)1-y中任意一个,或者包括混合有所述半导体至少两个以上的混合半导体。所述量子点11可具有核/壳结构或合金(alloy)结构,且作为具有核/壳结构或合金结构的量子点11的非限制性的例子有CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、CdSe/CdSx(Zn1-yCdy)S/ZnS、CdSe/CdS/ZnCdS/ZnS、InP/ZnS、InP/Ga/ZnS、InP/ZnSe/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、CdTe/CdS、CdTe/ZnS、CuInS2/ZnS、Cu2SnS3/ZnS等。
在本发明的实施例中,所述量子点11以能够根据用于相应背光单元的发光二极管光源的光源颜色形成白色光的形式被选择,例如,在所述发光二极管光源是蓝色(Blue)发光二极管的情况下,显示红色(R)和绿色(G)的量子点(Quantum Dot)11被选择并使用。
所述量子点层10可包括所述量子点11中对从包括红色光、绿色光、蓝色光及黄色光的群中选择的一种以上的颜色进行显示的量子点11。所述量子点11可吸收具有约100至约400nm之间波长的紫外线以及具有约380至780nm之间波长的可见光。在本说明书中,蓝色光在410nm以上500nm以下的波长区域中可具有发光峰值(peak),绿色光在500nm以上550nm以下的波长区域中可具有发光峰值,黄色光在550nm以上600nm以下的波长区域中可具有发光峰值,红色光在600nm以上660nm以下的波长区域中可具有发光峰值。为了方便,在本说明书中以蓝色、绿色、黄色、红色四种名称为代表来表示,但是在所述波长区域中除了所述颜色之外还可包括橙色、靛蓝色、紫色等多种颜色。
参考图9,用于制造所述量子点薄膜的根据本发明的一个实施例的量子点薄膜制造方法包括:步骤S200,通过利用包括多个量子点11的高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝来形成量子点层10,多个量子点11配置于所述量子点层10的内部,而且还可包括:步骤S300,通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝将屏障层21形成于所述量子点层10上,所述屏障层21覆盖所述量子点层10。
由于所述量子点层10和所述屏障层21以通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝来相互熔接或者通过所述量子点层10的粘着力或所述屏障层21的粘着力来粘着的形态实现一体化,因此不需要用于使得二者相互附着的另外的粘着层。
此外,参考图10,在形成所述量子点层10的步骤S200之前还包括步骤S100,通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾(electro-spray)或静电纺丝(electro-spinning)将屏障层21形成于集合器2上,例如,在形成所述量子点层10的步骤S200中,将量子点层10形成于所述屏障层21上,所述屏障层21形成于所述集合器2上。
在根据本发明的一个实施例的量子点薄膜制造方法中,在移送所述集合器2的同时,依次将屏障层21、所述量子点层10、所述屏障层21形成于所述集合器2上,从而可连续地制造量子点薄膜,由此可大大提高生产率。
参考图11及图12,根据本发明的另一个实施例的量子点薄膜制造方法在形成所述量子点层10的步骤S200之前还包括准备导光板体22的步骤S110,例如,在形成所述量子点层10的步骤S200中,利用包括多个量子点11的高分子树脂溶液,通过静电喷雾或静电纺丝将量子点层10形成于所述导光板体22上,多个量子点11配置于所述量子点层10的内部。
所述导光板体22起到如下作用:在背光单元中从配置于侧面的光源得到光的传递从而使其分布于前面。
所述导光板体22和所述量子点层10以如下形态实现一体化:所述量子点层10通过静电喷雾或静电纺丝以叠层结构形成于所述导光板体22上,从而在其分界面所述量子点层10直接熔接于所述导光板体22上,或者通过所述量子点层10自身的粘着力得到粘着。
由于所述量子点层10以通过静电喷雾或静电纺丝与所述导光板体22相熔接或者通过所述量子点层10自身的粘着力粘着于所述导光板体22的形态实现一体化,因此不需要用于附着于所述导光板体22的另外的粘着层。
换句话说,由于所述量子点层10通过静电喷雾或静电纺丝熔接于所述导光板体22上,因此在没有用于附着于所述导光板体22上的另外的粘着层的状态下,一体地形成于所述导光板体22上。
根据本发明的另一个实施例的量子点薄膜制造方法还可包括:步骤S400,通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝将屏障层21形成于所述量子点层10上,所述屏障层21覆盖所述量子点层10。
由于所述量子点层10和所述屏障层21以通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝来相互熔接或通过所述量子点层10的粘着力或所述屏障层21的粘着力来粘着的形态实现一体化,因此不需要用于使得二者相互附着的另外的粘着层。
另外,参考图13及图14,根据本发明的另一个实施例的量子点薄膜制造方法,在形成量子点层10的步骤S200之前还包括准备扩散薄膜体23的步骤S120,所述扩散薄膜体23从配置于侧面的光源得到光的传递从而使其分布于前面,例如,在形成所述量子点层10的步骤S200中,利用包括多个量子点11的高分子树脂溶液,通过静电喷雾或静电纺丝将量子点层10形成于所述扩散薄膜体23上,多个量子点11配置于所述量子点层10的内部。
在本发明中,所述量子点层10以如下形态实现一体化:通过静电喷雾或静电纺丝以叠层结构形成于所述扩散薄膜体23上,从而在其分界面所述量子点层10直接熔接于所述扩散薄膜体23上,或者通过所述量子点层10自身的粘着力得到粘着。
由于所述量子点层10以通过静电喷雾或静电纺丝与所述扩散薄膜体23相熔接或者通过所述量子点层10自身的粘着力粘着于所述扩散薄膜体23的形态形成一体化,因此不需要用于附着于所述扩散薄膜体23的另外的粘着层。
换句话说,由于所述量子点层10通过静电喷雾或静电纺丝熔接于所述扩散薄膜体23上,因此在没有用于附着于所述扩散薄膜体23上的另外的粘着层的状态下,一体地形成于所述导光板体22上。
根据本发明的另一个实施例的量子点薄膜制造方法还可包括:步骤S500,通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝将屏障层21形成于所述量子点层10上,所述屏障层21覆盖所述量子点层10。
由于所述量子点层10和所述屏障层21以通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝来相互熔接或通过所述量子点层10的粘着力或所述屏障层21的粘着力来粘着的形态实现一体化,因此不需要用于使得二者相互附着的另外的粘着层。
另外,参考图15及图16,根据本发明的另一个实施例的量子点薄膜制造方法,在形成量子点层10的步骤S200之前还包括准备棱镜薄膜体24的步骤S130,所述棱镜薄膜体24从配置于侧面的光源得到光的传递从而使其分布于前面,例如,在形成所述量子点层10的步骤S200中,利用包括多个量子点11的高分子树脂溶液,通过静电喷雾或静电纺丝将量子点层10形成于所述棱镜薄膜体24上,多个量子点11配置于所述量子点层10的内部。
在本发明中,所述量子点层10以如下形态实现一体化:通过静电喷雾或静电纺丝以叠层结构形成于所述棱镜薄膜体24上,从而在其分界面所述量子点层10直接熔接于所述棱镜薄膜体24上,或者通过所述量子点层10自身的粘着力得到粘着。
由于所述量子点层10以通过静电喷雾或静电纺丝与所述棱镜薄膜体24相熔接或者通过所述量子点层10自身的粘着力粘着于所述棱镜薄膜体24的形态一体地形成,因此不需要用于附着于所述棱镜薄膜体24的另外的粘着层。
换句话说,由于所述量子点层10通过静电喷雾或静电纺丝熔接于所述棱镜薄膜体24上,因此在没有用于附着于所述棱镜薄膜体24上的另外的粘着层的状态下,一体地形成于所述导光板体22上。
根据本发明的另一个实施例的量子点薄膜制造方法还可包括:步骤S500,通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝将屏障层21形成于所述量子点层10上,所述屏障层21覆盖所述量子点层10。
由于所述量子点层10和所述屏障层21以通过利用高分子树脂溶液的静电喷雾或静电纺丝来相互熔接或通过所述量子点层10的粘着力或所述屏障层21的粘着力来粘着的形态实现一体化,因此不需要用于使得二者相互附着的另外的粘着层。
另外,虽然在形成所述屏障层21的步骤S100、S300、S400、S500中可通过静电喷雾或静电纺丝来形成屏障层21,但是更加优选地,通过静电喷雾来形成屏障层21。
在所述通过静电纺丝来形成所述屏障层21的步骤S100、S300、S400、S500中,在通过静电纺丝将纳米纤维层形成于所述量子点层10上之后,利用残留溶剂和热可使得所述纳米纤维层无孔致密膜化,但是通过热可使得量子点21a热化。
由此,优选地,在形成所述屏障层21的步骤S100、S300、S400、S500中,通过静电喷雾以无孔致密膜形态将屏障层21形成于所述量子点层10上。
此外,在形成所述屏障层21的步骤S100、S300中,对聚碳酸酯(PC,PolyCarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(PVDF,Polyvinylidene Fluoride)中任意一种树脂溶液或者包括聚碳酸酯(PC,PolyCarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,poly(methylmethacrylate))、聚偏二氟乙烯(PVDF,Polyvinylidene Fluoride)中至少任意一种的混合树脂溶液进行静电喷雾或静电纺丝,从而形成无孔致密膜形态的屏障层21。
在形成所述量子点层10的步骤S200中,既可将包括量子点11的高分子树脂溶液以静电喷雾或静电纺丝形式形成于集合器2、导光板体22、扩散薄膜体23、棱镜薄膜体中任意一个上,也可在将高分子树脂溶液以静电喷雾或静电纺丝形式形成于集合器2上或导光板体22上的过程中,将量子点11另外喷射于集合器2上或导光板体22上,并使其分散,由此也可形成量子点层10。
优选地,所述高分子树脂溶液与形成所述屏障层21的高分子树脂溶液相同。形成所述量子点层10的高分子树脂及量子点11的实施例中省略如上记载的重复的记载。
由于通过利用包括多个量子点11的高分子溶液的静电喷雾或静电纺丝形成所述量子点层10,因此量子点21a平均且最大限度均匀地分散于层上,从而解决现有在量子点薄膜中的量子点21a的凝聚及团在一起的现象。
所述量子点层10在通过所述静电喷雾或静电纺丝叠层于屏障层21、导光板体22、扩散薄膜体、棱镜薄膜体24中任意一个上时硬化,且在形成所述量子点层10的步骤S200中,可增加用于去除高分子树脂内残留溶剂(solvent)的另外的加热硬化过程。
所述屏障层21在通过所述静电喷雾或静电纺丝叠层于所述量子点层10上时硬化,且在通过所述静电喷雾或静电纺丝形成屏障层21的步骤S100、S300、S400、S500中,可增加用于去除高分子树脂内残留溶剂的另外的加热硬化过程。
参考图17,根据本发明的一个实施例的背光单元包括:导光板体22;发光二极管光源2,其配置于所述导光板体22的侧面;反射板3,其配置于所述导光板体22的下部;量子点层10,其叠层于所述导光板体22的上部;以及扩散薄膜体23,其叠层于所述量子点层10上。
所述量子点层10通过静电喷雾或静电纺丝被自身粘着性粘着于所述导光板体22的上部,或者熔接于所述导光板体22的上部,从而能够与所述导光板体22实现一体化。
此外,所述量子点层10通过静电喷雾或静电纺丝被自身粘着性粘着于所述扩散薄膜体23的下部面,或者熔接于所述扩散薄膜体23的下部面,从而能够与所述扩散薄膜体23实现一体化。
根据本发明的一个实施例的背光单元还可包括棱镜薄膜体24,所述棱镜薄膜体24叠层于所述用于背光单元的量子点一体型扩散薄膜上。
参考图18,根据本发明的一个实施例的背光单元包括:导光板体22;发光二极管光源2,其配置于所述导光板体22的侧面;反射板3,其配置于所述导光板体22的下部;扩散薄膜体23,其叠层于所述导光板体22的上部;量子点层10,其叠层于所述扩散薄膜体23上;以及棱镜薄膜体24,其叠层于所述量子点层10上。
所述量子点层10通过静电喷雾或静电纺丝被自身粘着性粘着于所述扩散薄膜体23的上部面,或者熔接于所述扩散薄膜体23的上部面,从而能够与所述扩散薄膜体23实现一体化。
此外,所述量子点层10通过静电喷雾或静电纺丝被自身粘着性粘着于所述棱镜薄膜体24的下部面,或者熔接于所述棱镜薄膜体24的下部面,从而能够与所述棱镜薄膜体24实现一体化。
在本发明中,通过静电喷雾或静电纺丝形成量子点薄膜,从而使得量子点均匀地分散,由此解决现有在量子点薄膜中的量子点的凝聚及团在一起的现象,据此效果在于,有效地发出根据量子点的固有特性的白色光,且能够均匀地发光于显示板前面。
在本发明中,量子点层10与导光板、扩散薄膜、棱镜薄膜中任意一个相粘着或熔接,从而实现一体化,由此效果在于,可使得背光单元的厚度变薄,且使得光的损失最小化,且能够通过比现有量子点薄膜更少的量子点的个数顺利地发出白色光。
此外,在本发明中,在不使用粘着剂将屏障层21附着于量子点薄膜的状态下,通过静电喷雾或静电纺丝的形式将屏障层21叠层于量子点层10,由此可抑制因现有的粘着剂的使用而产生的光的损失及透光度降低,从而可使得光效率最大化。
尤其,本发明在适用于40英寸以上的大面积显示板的背光单元时,用较少的制造费用就能够使得均匀地发光于显示板前面,从而效果在于,大大提高显示板的品质。
当然,在如上所述本发明的基本技术思想的范畴内,该领域的具有一般知识的技术人员可进行其他多种变形,本发明的权利范围应基于附加的权利要求书来解释。
Claims (6)
1.一种量子点一体型扩散薄膜,其特征在于,包括:
扩散薄膜体,其配置于导光板上,使得从光源通过导光板传递的光扩散;
量子点层,其通过静电喷雾或静电纺丝一体地叠层于扩散薄膜体上,多个量子点配置于所述量子点层内部;
屏障层,其通过静电喷雾或静电纺丝叠层于所述量子点层上,用于保护量子点层;
屏障层以无孔致密膜形态、以熔接于所述量子点层上的形态实现一体化。
2.根据权利要求1所述的量子点一体型扩散薄膜,其特征在于,
所述屏障层是PC(聚碳酸酯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)中任意一种材质,或者是包括PC(聚碳酸酯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)中至少任意一种的混合树脂。
3.根据权利要求1所述的量子点一体型扩散薄膜,其特征在于,
所述量子点层由与所述屏障层相同的材质的高分子树脂形成。
4.一种量子点一体型棱镜薄膜,其特征在于,包括:
棱镜薄膜体,其聚拢经过导光板及扩散薄膜而分散的光,从而使得亮度提高;
量子点层,其通过静电喷雾或静电纺丝一体地叠层于棱镜薄膜体上,多个量子点配置于所述量子点层内部;
屏障层,其通过静电喷雾或静电纺丝叠层于所述量子点层上,用于保护量子点层;
屏障层以无孔致密膜形态、以熔接于所述量子点层上的形态实现一体化。
5.根据权利要求4所述的量子点一体型棱镜薄膜,其特征在于,
所述屏障层是PC(聚碳酸酯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)中任意一种材质,或者是包括PC(聚碳酸酯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)中至少任意一种的混合树脂。
6.根据权利要求4所述的量子点一体型棱镜薄膜,其特征在于,
所述量子点层由与所述屏障层相同的材质的高分子树脂形成。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2014-0168266 | 2014-11-28 | ||
KR10-2014-0168265 | 2014-11-28 | ||
KR1020140168266A KR20160064538A (ko) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | 백라이트 유닛용 도광판 및 그 제조 방법 |
KR1020140168265A KR101918019B1 (ko) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | 양자점 필름 제조 방법 |
KR10-2015-0009264 | 2015-01-20 | ||
KR1020150009265A KR102030840B1 (ko) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | 백라이트 유닛용 양자점 일체형 프리즘 필름 및 그 제조 방법과 이를 구비하는 백라이트 유닛 |
KR10-2015-0009265 | 2015-01-20 | ||
KR1020150009264A KR102030839B1 (ko) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | 백라이트 유닛용 양자점 일체형 확산 필름 및 그 제조 방법과 이를 구비하는 백라이트 유닛 |
PCT/KR2015/012874 WO2016085298A1 (ko) | 2014-11-28 | 2015-11-27 | 양자점 필름과 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107209416A CN107209416A (zh) | 2017-09-26 |
CN107209416B true CN107209416B (zh) | 2021-03-12 |
Family
ID=56074730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580074378.9A Active CN107209416B (zh) | 2014-11-28 | 2015-11-27 | 量子点薄膜和其制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107209416B (zh) |
WO (1) | WO2016085298A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107815305B (zh) * | 2017-11-16 | 2020-04-10 | 辽宁大学 | 一种CDs/PVDF复合薄膜的制备方法 |
CN110733221B (zh) * | 2018-07-20 | 2022-10-18 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点膜 |
CN109273580B (zh) * | 2018-08-31 | 2019-12-17 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 背光模组及其制备方法 |
CN110196511B (zh) * | 2019-05-24 | 2021-11-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种量子点膜及其制作方法、背光模组、显示装置 |
CN111593492B (zh) * | 2020-05-27 | 2022-04-26 | 南京工业大学 | 基于高强度纳米纤维膜制备液晶显示器背光膜的方法 |
CN113534311B (zh) * | 2021-07-24 | 2022-10-14 | 福州大学 | 一种量子点扩散板及其制备方法 |
CN113619204A (zh) * | 2021-08-04 | 2021-11-09 | 南京贝迪新材料科技股份有限公司 | 一种新型无阻隔量子点膜及其制备方法 |
CN114509897B (zh) * | 2022-02-18 | 2023-08-29 | 南京贝迪新材料科技股份有限公司 | 一种量子点增亮复合膜及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050048274A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Rabolt John F. | Production of nanowebs by an electrostatic spinning apparatus and method |
US9040816B2 (en) * | 2006-12-08 | 2015-05-26 | Nanocopoeia, Inc. | Methods and apparatus for forming photovoltaic cells using electrospray |
KR101032413B1 (ko) * | 2008-04-04 | 2011-05-03 | 주식회사 아모그린텍 | 광 여기 발광장치와 그 제조방법, 및 이를 이용한 백색 광원 |
JP2011076770A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Hoya Corp | 電界発光素子およびその製造方法 |
KR20120088273A (ko) * | 2011-01-31 | 2012-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 백라이트 유닛 및 그 제조 방법 |
KR20130095955A (ko) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 삼성전자주식회사 | 도광판, 이를 포함하는 백라이트유닛, 디스플레이장치 및 도광판 제조방법 |
KR20130141963A (ko) * | 2012-06-18 | 2013-12-27 | 주식회사 큐디솔루션 | Oled용 시인성 향상 필름 및 그 제조방법 |
KR102113581B1 (ko) * | 2013-05-22 | 2020-05-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치, 그 방법 및 이를 이용한 양자점층 형성 방법 |
CN103487857A (zh) * | 2013-10-11 | 2014-01-01 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 量子点薄膜及背光模组 |
CN103955093B (zh) * | 2014-05-04 | 2016-07-27 | 常州丰盛光电科技股份有限公司 | 基于量子点的光学板 |
-
2015
- 2015-11-27 WO PCT/KR2015/012874 patent/WO2016085298A1/ko active Application Filing
- 2015-11-27 CN CN201580074378.9A patent/CN107209416B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016085298A1 (ko) | 2016-06-02 |
CN107209416A (zh) | 2017-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107209416B (zh) | 量子点薄膜和其制造方法 | |
US10416373B2 (en) | Light emitting diode (LED) devices | |
CN106199789B (zh) | 一种受激发光的棱镜膜 | |
US9927649B2 (en) | Backlight unit for display devices | |
US9868901B2 (en) | Lighting devices with prescribed colour emission | |
US10571740B2 (en) | Quantum dot sheet of fibrous-web structure, manufacturing method thereof, and backlight unit | |
TWI631395B (zh) | 光學構件與具有其之顯示裝置及其製造方法 | |
JP7046935B2 (ja) | 表示装置用のバックライトユニット | |
CN106200112A (zh) | 模框、背光单元、液晶显示器和光转换片 | |
CN103791322A (zh) | 背光模块与应用其的显示面板 | |
TW202017205A (zh) | 低折射層及包含其之電子裝置 | |
KR101918019B1 (ko) | 양자점 필름 제조 방법 | |
KR20180100164A (ko) | 디스플레이 디바이스들을 위한 백라이트 유닛들 | |
JP6786508B2 (ja) | 表示装置における白色点の均一性 | |
WO2013024684A1 (ja) | 発光装置、蛍光体シート、バックライトシステム及び蛍光体シートの製造方法 | |
KR20170011616A (ko) | 청색광원용 광확산기능 일체형 양자점 시트, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 | |
TW202101090A (zh) | 具有量子點的背光單元 | |
KR102030839B1 (ko) | 백라이트 유닛용 양자점 일체형 확산 필름 및 그 제조 방법과 이를 구비하는 백라이트 유닛 | |
JP2017142381A (ja) | 波長変換部材、光変換導光ユニット、光源装置及び表示装置 | |
KR101281130B1 (ko) | 양자점을 포함하는 발광 장치 | |
KR102063670B1 (ko) | 섬유상-웹 구조의 양자점 시트, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 | |
KR101544786B1 (ko) | 파장 변환 점착 시트 | |
TWI643327B (zh) | 光致發光led顯示裝置及其製造方法 | |
KR102030840B1 (ko) | 백라이트 유닛용 양자점 일체형 프리즘 필름 및 그 제조 방법과 이를 구비하는 백라이트 유닛 | |
KR20170011615A (ko) | 광확산기능 일체형 양자점 시트, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |