CN107195742A - 紫外led的制备方法及紫外led - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种紫外LED的制备方法及紫外LED，该制备方法包括：在衬底上预通入金属源及V族反应物，在高温下分解形成一层缓冲层；提高生长温度，生长非掺AltGa1‑tN层以及在AltGa1‑tN层的基础上生长一层N型AluGa1‑uN层；将温度调至生长量子阱的温度，生长AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱的结构；在已生长好的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱的结构上生长一层5‑100nm厚的AlzGa1‑zN电子阻挡层；在AlzGa1‑zN电子阻挡层的基础上生长一层具有高空穴浓度低紫外线吸收率的p型层；P型层为AlvGa1‑vN/GaN超晶格结构；所述P型层上为高掺杂浓度的P型GaN层，形成P型欧姆接触层。本发明实施例不仅能够有效降低P型层对量子阱所发出的紫外光的吸收，提高紫外LED的发光效率，而且能够提高紫外LED器件的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及一种紫外发光二极管(Light-Emitting Diode；LED)的生长方法，尤其涉及一种具有低紫外光吸收率P型层的铝镓氮(ALGaN)紫外LED的制备方法及紫外LED。
背景技术
随着我国科技水平的进步，制造业的持续发展，生活水平也得到不断地改善，物质生活和精神生活都有大幅的提升。然而近年来雾霾、水污染等的加重给日益改善的生活水平增添了瑕疵，空气和水等携带的细菌正在侵蚀我们的健康。为了保护自身的健康，各种消毒杀菌装置孕育而生，如空气净化器，水处理器。而这些杀菌装置的最主要杀菌功能部件为紫外灯，目前比较热门的是采用深紫外LED灯。
紫外LED杀菌的原理是利用LED产生的适当波长紫外线对细菌的脱氧核糖核酸(DNA)和核糖核酸(RNA)的分子键进行破坏，破坏原有细菌菌落并阻止细菌的复制繁殖，达到杀死细菌的目的。紫外杀菌技术利用高强度深紫外线照射，能够将各种细菌、病毒、寄生虫、水藻以及其他病原体直接杀死，目前被广泛应用于民生、医疗以及生产制造行业。
因深紫外LED的杀菌功能，现在对深紫外LED的研究也趋于热门。目前深紫外LED主要采用AlGaN作为主要生长材料，利用CVD外延生长方法生长出所需要的发光结构。最基本的结构包含AlN缓冲层，AlGaN非掺层，n型AlGaN层，AlGaN量子阱层，AlGaN电子阻挡层，以及P型GaN层。
虽然，目前紫外深紫外铝镓氮ALGaN LED应用广泛。但是，ALGaN LED还存在应用上的一些难题。1、发光效率低，目前15milx15mil的芯片在20mA驱动电流下发光亮度约2mW，发光效率低导致杀菌效率也偏低；2、由于为了P型AlGaN层的镁(Mg)掺杂空穴激活能较高，从而空穴浓度非常低，导致亮度低和电压高的问题同时出现。所以为了解决这个问题，目前还依旧采用P型GaN作为P型层，解决空穴浓度低的问题。但是因为GaN对AlGaN发出的紫外光有较强的吸收性，所以采用P型GaN作为P型层会导致紫外光被吸收的比例非常高；3、另外，因P型GaN层与AlGaN层有较大的晶格失配，P型GaN的晶体质量较差，导致紫外LED在使用寿命上面受到极大地限制，目前寿命还低于1万小时，和现有蓝光LED相差较多。
基于以上原因，本发明提供了一种既能解决空穴激活能的问题，又能较少紫外光的吸收，同时还有利于改善紫外LED寿命的P型层生长方法。
发明内容
本发明实施例提供一种紫外LED的制备方法及紫外LED，目的在于克服传统已有方法的缺陷，解决传统紫外LED发光效率低、抗寿命差等问题，提高紫外LED器件性能，从而实现高的杀菌效率。
第一方面，本发明实施例提供一种紫外LED的制备方法，应用于生长设备中，包括：
在衬底上预通入金属源及V族反应物，在高温下分解形成一层缓冲层；
提高生长温度，生长非掺AltGa1-tN层以及在所述AltGa1-tN层的基础上生长一层N型AluGa1-uN层；
将温度调至生长量子阱的温度，生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构，周期厚度为3～30nm，其周期数n为1～50，其中，阱宽为1～5nm，垒宽为2～25nm；
在已生长好的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构上生长一层5-100nm厚的AlzGa1-zN电子阻挡层；
在所述AlzGa1-zN电子阻挡层的基础上生长一层具有高空穴浓度低紫外线吸收率的p型层；所述P型层为AlvGa1-vN/GaN超晶格结构，其中v为固定值或者为渐变值；
所述P型层上为高掺杂浓度的P型GaN层，形成P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层的厚度为2～15nm。
可选地，所述缓冲层是GaN和/或AlN，所述缓冲层的厚度为0～100nm。
可选地，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍或铬其中的一种。
可选地，所述生长设备包括金属有机化学气相沉积设备MOCVD、分子束外延设备MBE或氢化物气相外延设备HVPE中的其中一种。
可选地，所述量子阱中量子垒层的Al含量y高于所述量子阱中量子阱层的Al含量x。
可选地，所述非掺AltGa1-tN中的Al含量t、所述N型AluGa1-uN层中的Al含量u和所述AlzGa1-zN电子阻挡层中的Al含量z均高于量子垒层中的Al含量y。
可选地，高空穴浓度P型层AlvGa1-vN/GaN中的Al含量为渐变的或者稳定的。
可选地，在高空穴浓度P型层AlvGa1-vN层中的Al含量稳定的情况下，所述AlvGa1-vN层中的Al含量高于所述电子阻挡层中的Al含量，且所述AlvGa1-vN层中的Al含量小于或等于1；在高空穴浓度P型层AlvGa1-vN层中的Al含量渐变的情况下，所述AlvGa1-vN层中的Al含量的最大值大于所述电子阻挡层中的Al含量，且所述AlvGa1-vN层中的Al含量小于或等于1。
第二方面，本发明实施例提供一种紫外LED，所述紫外LED采用如第一方面所述的方法制备而成。
本发明实施例提供的紫外LED的制备方法及紫外LED，通过在衬底上预通入金属源及V族反应物，在高温下分解形成一层缓冲层；提高生长温度，生长非掺AltGa1-tN层以及在所述AltGa1-tN层的基础上生长一层N型AluGa1-uN层；将温度调至生长量子阱的温度，生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构，周期厚度为3～30nm，其周期数n为1～50，其中，阱宽为1～5nm，垒宽为2～25nm；在已生长好的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构上生长一层5-100nm厚的AlzGa1-zN电子阻挡层；在所述AlzGa1-zN电子阻挡层的基础上生长一层具有高空穴浓度低紫外线吸收率的p型层；所述P型层为AlvGa1-vN/GaN超晶格结构，其中v为固定值或者为渐变值；所述P型层上为高掺杂浓度的P型GaN层，形成P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层的厚度为2～15nm，能够解决传统紫外LED发光效率低、抗寿命差等问题，提高了紫外LED器件性能，从而实现高的杀菌效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的紫外LED的制备方法实施例一的流程示意图；
图2为LED的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明提供的紫外LED的制备方法实施例一的流程示意图。如图1所示，本实施例的方法可以包括：
步骤11、在衬底上预通入金属源及V族反应物，在高温下分解形成一层缓冲层。
步骤12、提高生长温度，生长非掺AltGa1-tN层以及在所述AltGa1-tN层的基础上生长一层N型AluGa1-uN层。
步骤13、将温度调至生长量子阱的温度，生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构，周期厚度为3～30nm，其周期数n为1～50，其中，阱宽为1～5nm，垒宽为2～25nm。
步骤14、在已生长好的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构上生长一层5-100nm厚的AlzGa1-zN电子阻挡层。
步骤15、在AlzGa1-zN电子阻挡层的基础上生长一层具有高空穴浓度低紫外线吸收率的p型层；所述P型层为AlvGa1-vN/GaN超晶格结构，其中v为固定值或者为渐变值。
步骤16、P型层上为高掺杂浓度的P型GaN层，形成P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层的厚度为2～15nm。
具体地，图2为LED的结构示意图，如图2所示，(1)当衬底材料的表面温度升高到600～1000℃时，通入金属源和氨气(NH3)反应3-10分钟，金属源和NH3在此温度下分解并发生化学反应，形成无定型的缓冲生长层101，其中，缓冲生长层101可以是GaN、InN或AlN中的其中一种或多种的混合物。所述金属源反应物及缓冲层具有下列特性：①能够在高温时分解成金属原子；②金属原子能够和N原子发生反应，形成无定型的缓冲层；③缓冲层的厚度可以为0～100nm，其中，典型的缓冲层材料为AlN。
(2)将反应室温度提高到1000～1350℃，此时缓冲层进行分解聚合，形成均匀分布的成核岛，随后通入三甲基镓、三甲基铝和NH3，使晶核岛长大并合并，不掺入任何杂质形成未掺杂的AltGa1-tN层102，此层厚度大概为500～3000nm。反应室温度继续维持至1000～1350℃，在AltGa1-tN的生长过程中掺入N型杂质，形成N型AluGa1-uN层103，其掺杂浓度可以为1x1017～5x1019cm-3，此层的厚度可以为1000～3000nm。
(3)在已经生长好的N型AlGaN上生长量子阱层104和量子垒层105，量子阱采用AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构，周期厚度为3～30nm(其中阱宽为1～5nm，垒宽为2～25nm),其周期数n为1～50；此处阱的Al含量低于垒层的Al含量，即x<y。
(4)在已生长好的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构上生长一层5-100nm厚的AlzGa1-zN电子阻挡层106，此层的Al含量高于垒层，即y<z。此层的目的可以作为电子阻挡层，同时可以作为高载流子迁移率插入层。
(5)在此基础上生长高载流子浓度的p型，此具有高载流子浓度的p型层可做如下设计：
A、生长一层0～300nm厚的p型AlvGa1-vN层107，此层的掺杂浓度为1×1018cm-3～5×1020cm-3；随后生长0～5nm的GaN层，此层的掺杂浓度为1×1018cm-3～5×1020cm-3；AlvGa1-vN/GaN交替生长形成超晶格层，超晶格层的周期数m为1～50，其中p型GaN能够提供高浓度空穴浓度。另外，因GaN厚度较低，能够有效降低GaN对紫光的吸收，同时又有利于空穴的产生。也因P型层中AlGaN的存在，降低了因晶格失配导致的P型层质量的降低，提高了器件的老化性能。
B、同时，AlvGa1-vN/GaN超晶格层中AlvGa1-vN的Al也可以渐变掺入，如此更能有效降低P型层的应力，提高P型层的质量；v可以渐变上升，0<v<＝1。
C、非渐变的AlvGa1-vN/GaN超晶格中的Al含量为v，其中，z<v<＝1，即保证此层Al含量高于电子阻挡层。
(6)在高载流子浓度的p型基础上，生长高掺P型GaN层108，此层的厚度为2～15nm，此层的掺杂浓度为5×1019cm-3～8×1020cm-3，以便形成良好的欧姆接触。通过上述方式，即可制备出完整的紫外LED结构。
本发明实施例提供的紫外LED的制备方法，通过在衬底上预通入金属源及V族反应物，在高温下分解形成一层缓冲层；提高生长温度，生长非掺AltGa1-tN层以及在所述AltGa1- tN层的基础上生长一层N型AluGa1-uN层；将温度调至生长量子阱的温度，生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构，周期厚度为3～30nm，其周期数n为1～50，其中，阱宽为1～5nm，垒宽为2～25nm；在已生长好的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构上生长一层5-100nm厚的AlzGa1-zN电子阻挡层；在所述AlzGa1-zN电子阻挡层的基础上生长一层具有高空穴浓度低紫外线吸收率的p型层；所述P型层为AlvGa1-vN/GaN超晶格结构，其中v为固定值或者为渐变值；所述P型层上为高掺杂浓度的P型GaN层，形成P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层的厚度为2～15nm，能够解决传统紫外LED发光效率低、抗寿命差等问题，提高了紫外LED器件性能，从而实现高的杀菌效率。另外，通过此方式制备的LED的结构简单，且易于实现，而且高空穴浓度的P型层，空穴能够有效激活，形成高空穴浓度的P型层，从而易于实现高的空穴注入，降低器件电压；由于高空穴浓度的P型层中有高Al含量的AlGaN层，Al的含量高于量子阱中的Al含量，此层能够有效降低P型层对量子阱中产生的紫外光的吸收；P型层AlvGa1-vN/GaN超晶格生长方式和Al渐变生长方式，会降低P型层应力，从而提高P型层晶体质量；因此，本发明能够极大地改善P型层晶体质量，提高器件的寿命。
在上述实施例的基础上，可选地，衬底可以是蓝宝石、图形化蓝宝石(PSS)、Si、SiC、ZnO、玻璃或铜等中的其中一种。
可选地，所述缓冲层可以是GaN、InN或AlN中的其中一种或多种的混合物，本实施例中优选地可以选择AlN，以避免吸光。
可选地，所述量子阱个数n为1～50。
可选地，所述P型AlvGa1-vN/GaN超晶格结构的周期m为1～50。
可选地，量子阱中量子垒层AlyGa1-yN的Al含量高于量子阱中量子阱层AlxGa1-xN的Al含量，即x<y。
可选地，所述非掺杂层AltGa1-tN和N型AluGa1-uN的Al含量皆大于垒层AlyGa1-yN的Al含量，即t>y，u>y。
可选地，所述外延可以是金属有机化学气相沉积设备(Metal-organic ChemicalVapor Deposition；MOCVD)、分子束外延(Molecular beam epitaxy；MBE)、氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy；HVPE)。
下面，以紫外255nm波段LED的制备方法为例进行说明，其中：紫外LED的制备过程包括如下几个步骤：
第1步、金属有机化学气相沉积设备(Metal-organic Chemical VaporDeposition；MOCVD)反应室温度升至600℃，压力为100torr,同时通入三甲基铝(150ml/min)和NH3 10分钟，在蓝宝石衬底(Al2O3)上发生反应，形成50nm的GaN缓冲层。
第2步、经过10分钟将温度升高到1200℃，压力降至50torr，通入氢气、三甲基镓(65ml/min)、三甲基铝(300ml/min)和NH3 120分钟，铝镓氮晶核在金颗粒底部形成并长大，AlGaN横向生长，形成非掺杂的AlGaN层，其中，Al含量为75％，此层的厚度为2um。
第3步、反应室温度升高至1250℃，通入氢气、三甲基镓(80ml/min)、三甲基铝(300ml/min)和氨气90分钟，压力保持50mtorr，生长一层厚度为1500nm的N型AlGaN层，其中，Al含量为75％，N型GaN的掺杂浓度为1×1019cm-3。
第4步、将反应室温度降至1000℃，压力为50mtorr，通入氢气、三甲基镓(20ml/min)，三甲基铝(60ml/min)和氨气，以生长AlGaN量子垒，并掺入Si杂质，掺杂浓度为1×1018cm-3，其中，生长时间为2分钟，厚度为12nm，Al含量为60％。
第5步、将反应室温度降至1000℃，压力为50mtorr，通入氢气、三甲基镓(10ml/min)，三甲基铝(40ml/min)和氨气，以生长AlGaN量子阱，此层不掺Si，其中，生长时间为0.75分钟，厚度为3nm，Al含量为50％。
第6步、重复进行第4步至第5步15个循环，形成15个周期的量子阱结构。
第7步、将反应室温度降至1100℃，压力为50mtorr，通入氢气、三甲基镓(17ml/min)，三甲基铝(60ml/min)和氨气，以生长AlGaN电子阻挡层，其中，Al含量为70％。
第8步、在电子阻挡层的基础上生长p型AlGaN，将温度升至1100℃，压力调为50torr，通入氢气、三甲基镓(40ml/min)，三甲基铝(150ml/min)，二茂镁(400ml/min)和氨气，其中，生长时间为3min，厚度约为50nm，Mg的掺杂浓度为5×1019cm-3，此层Al含量为75％。
第9步、在生长好的P型AlGaN上，将温度降为950℃，压力调为200torr，通入氢气、三甲基镓(40ml/min)，二茂镁(150ml/min)和氨气，其中，P型GaN层为0.5分钟，Mg的掺杂浓度为5.5×1019cm-3，厚度约为3nm。
第10步、重复第8步和第9步4个循环，形成周期为4的P型AlGaN/GaN超晶格层。
第11步、最后维持温度降为950℃，压力调为200torr，通入氢气、三甲基镓(40ml/min)，二茂镁(450ml/min)和氨气，以生长重掺P型GaN层1分钟，Mg的掺杂浓度为2×1020cm-3，厚度约为5nm。
第12步、将此LED制作成350μm×350μm芯片，通入20mA的电流，其中，工作电压为6.0V，发光亮度为4mW。
另外，此紫外LED器件的寿命为1万小时。
下面，以紫外310nm波段LED的制备方法为例进行说明，其中：紫外LED的制备过程包括如下几个步骤：
第1步、MOCVD反应室温度升至600℃，压力为100torr,同时通入三甲基铝(150ml/min)和NH3 10分钟，在蓝宝石衬底(Al2O3)上发生反应，形成50nm的GaN缓冲层。
第2步、经过10分钟将温度升高到1200℃，压力降至50torr，通入氢气、三甲基镓(45ml/min)、三甲基铝(300ml/min)和NH3 120分钟，铝镓氮晶核在金颗粒底部形成并长大，AlGaN横向生长，形成非掺杂的AlGaN层，Al含量为50％，此层的厚度为2um。
第3步、反应室温度升高至1250℃，通入氢气、三甲基镓(50ml/min)、三甲基铝(300ml/min)和氨气90分钟，压力保持50mtorr，生长一层厚度为1500nm的N型AlGaN层，其中，Al含量为50％，N型GaN的掺杂浓度为1×1019cm-3。
第4步、将反应室温度降至1000℃，压力为50mtorr，通入氢气、三甲基镓(12ml/min)，三甲基铝(60ml/min)和氨气，以生长AlGaN量子垒，掺入Si杂质，掺杂浓度为1×1018cm-3，其中，生长时间为2分钟，厚度为12nm，Al含量为35％。
第5步、将反应室温度降至1000℃，压力为50mtorr，通入氢气、三甲基镓(4ml/min)，三甲基铝(40ml/min)和氨气，以生长AlGaN量子阱，此层不掺Si，其中，生长时间为0.75分钟，厚度为3nm，Al含量为22％。
第6步、重复进行第4步至第5步12个循环，形成12个周期的量子阱结构。
第7步、将反应室温度降至1100℃，压力为50mtorr，通入氢气、三甲基镓(12ml/min)，三甲基铝(60ml/min)和氨气，生长AlGaN电子阻挡层，Al含量为50％。
第8步、在电子阻挡层的基础上生长p型AlGaN，将温度升至1100℃，压力调为50torr，通入氢气、三甲基镓(40ml/min)维持不变，三甲基铝由110ml/min逐渐降低至0，二茂镁(250ml/min)和氨气，生长时间为3min，厚度约为30nm，Mg的掺杂浓度为5×1019cm-3。
第9步、在生长好的P型AlGaN上，将温度降为950℃，压力调为200torr，通入氢气、三甲基镓(40ml/min)，二茂镁(150ml/min)和氨气，其中，P型GaN层为0.5分钟，Mg的掺杂浓度为5.5×1019cm-3，厚度约为3nm。
第10步、重复第8步和第9步6个循环，形成周期为6的P型AlGaN/GaN超晶格层，其中AlGaN中的Al为渐变掺入，从50％降低至0。
第11步、最后维持温度降为950℃，压力调为200torr，通入氢气、三甲基镓(40ml/min)，二茂镁(450ml/min)，氨气，生长重掺P型GaN层1分钟，Mg的掺杂浓度为2×1020cm-3，厚度约为5nm。
第12步、将LED制作成350μm×350μm芯片，通入20mA的电流，其中，工作电压为6.0V，发光亮度为4mW。
另外，此紫外LED器件寿命为1万小时。
本发明实施例提供的紫外LED的制备方法，能够解决传统紫外LED发光效率低、抗寿命差等问题，提高了紫外LED器件性能，从而实现高的杀菌效率。
另外，本发明实施例还提供一种紫外LED，其中，紫外LED采用如上述任一实施例所述的方法制备而成。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种紫外LED的制备方法，其特征在于，应用于生长设备中，包括：
在衬底上预通入金属源及V族反应物，在高温下分解形成一层缓冲层；
提高生长温度，生长非掺AltGa1-tN层以及在所述AltGa1-tN层的基础上生长一层N型AluGa1-uN层；
将温度调至生长量子阱的温度，生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构，周期厚度为3～30nm，其周期数n为1～50，其中，阱宽为1～5nm，垒宽为2～25nm；
在已生长好的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱的结构上生长一层5-100nm厚的AlzGa1-zN电子阻挡层；
在所述AlzGa1-zN电子阻挡层的基础上生长一层具有高空穴浓度低紫外线吸收率的p型层；所述P型层为AlvGa1-vN/GaN超晶格结构，其中v为固定值或者为渐变值；
所述P型层上为高掺杂浓度的P型GaN层，形成P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层的厚度为2～15nm。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层是GaN和/或AlN，所述缓冲层的厚度为0～100nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍或铬其中的一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长设备包括金属有机化学气相沉积设备MOCVD、分子束外延设备MBE或氢化物气相外延设备HVPE中的其中一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述量子阱中量子垒层的Al含量y高于所述量子阱中量子阱层的Al含量x。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非掺AltGa1-tN中的Al含量t、所述N型AluGa1-uN层中的Al含量u和所述AlzGa1-zN电子阻挡层中的Al含量z均高于量子垒层中的Al含量y。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，高空穴浓度P型层AlvGa1-vN/GaN中的Al含量为渐变的或者稳定的。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在高空穴浓度P型层AlvGa1-vN层中的Al含量稳定的情况下，所述AlvGa1-vN层中的Al含量高于所述电子阻挡层中的Al含量，且所述AlvGa1-vN层中的Al含量小于或等于1；在高空穴浓度P型层AlvGa1-vN层中的Al含量渐变的情况下，所述AlvGa1-vN层中的Al含量的最大值大于所述电子阻挡层中的Al含量，且所述AlvGa1-vN层中的Al含量小于或等于1。
9.一种紫外LED，其特征在于，所述紫外LED采用如权利要求1-8中任一项所述的方法制备而成。
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