CN103887380B - 一种紫光led的外延生长方法 - Google Patents

一种紫光led的外延生长方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103887380B
CN103887380B CN201410123905.8A CN201410123905A CN103887380B CN 103887380 B CN103887380 B CN 103887380B CN 201410123905 A CN201410123905 A CN 201410123905A CN 103887380 B CN103887380 B CN 103887380B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
growth
algan
doping
cycles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410123905.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103887380A (zh
Inventor
王晓波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
XI'AN SHENGUANG HAORUI PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
XI'AN SHENGUANG HAORUI PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by XI'AN SHENGUANG HAORUI PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical XI'AN SHENGUANG HAORUI PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201410123905.8A priority Critical patent/CN103887380B/zh
Publication of CN103887380A publication Critical patent/CN103887380A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103887380B publication Critical patent/CN103887380B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明提出一种新的生长紫光LED外延的方法，适合波长范围365‑420nm，能够很大程度降低紫光LED的生长难度，同时提升紫光LED的辐射功率，并有效提高了紫光LED器件的可靠性。本发明中采用掺杂n型AlGaN/GaN超晶格结构，其中的势垒层AlGaN和势阱层GaN周期性交替掺杂，可以集中n型载流子浓度，不同层的浓度呈现周期浓度变化，周期性电导的变化能够使得电流扩散更好，同时电导变化区加宽，使得线性缺陷的漏电通道穿透效果减弱，能够降低正向电压，提高ESD。

Description

一种紫光LED的外延生长方法
技术领域
本发明属于光电器件材料制备和结构设计技术领域，具体涉及一种紫光LED的外延生长方法。
背景技术
随着科技进步和新型能源发展，固态LED照明将成为未来世界发光的趋势,由于LED具有节能、环保、安全、寿命长、低耗、低热等优点，已经大面积地应用于交通指示灯、交通信号灯、景观装饰灯、显示屏、汽车尾灯、手机背光源等领域。目前市场上的LED等主要以蓝绿光为主，红黄光次之，紫光及紫外的LED产品比较少，主要由于紫光的LED制造难度大、光效低。随着LED应用的发展，紫光LED的市场需求越来越大，普遍应用于医疗器械、医学测量、卫生消毒、验钞点钞检验设备、防伪行业、生物统计安全性检测，涵盖医疗、卫生、金融、生物、检测、公共安全等各个方面。
目前紫光LED外延生长技术还不够成熟，一方面受制于紫光生长材料特性，另一方面是由于紫光LED能带结构的影响，导致了目前紫光LED芯片的发光效率较低，制备成本高，难度大，成品率低等。因此，如何制备高功率的紫光LED芯片成为非常迫切的需求。
发明内容
本发明是一种新的生长紫光LED外延方法，适合波长范围365-420nm，能够很大程度降低紫光LED的生长难度，同时提升紫光LED的辐射功率，并有效提高了紫光LED器件的可靠性。
本发明的基本方案如下：
一种紫光LED的外延生长方法，包括以下步骤：
（1）以蓝宝石作为生长基底，生长低温AlN层；
（2）生长高温AlN层；
（3）生长若干个周期的AlN/AlGaN超晶格结构；
（4）生长掺杂n型AlGaN层；
（5）生长若干个周期的n型交替掺杂AlGaN/GaN超晶格结构（即在生长过程中分别在势垒层AlGaN和势阱层GaN周期性交替掺杂硅烷）；
（6）生长AlGaN/InGaN垒阱的周期结构，作为量子阱结构有源区；
（7）生长掺杂p型AlGaN阻挡层；
（8）生长掺杂p型GaN层；
（9）在氮气氛围下退火；
上述步骤（6）首先进行若干个主体周期结构的生长，每个周期是先以In含量阶梯递减生长两层InGaN，然后升温生长一层掺杂硅烷的AlGaN势垒层，再降温以In含量阶梯递增生长两层InGaN；完成若干个主体周期结构的生长后，再进行1-2个结束周期结构的生长，所述结束周期结构中升温生长AlGaN势垒层过程中不掺杂硅烷，其他条件与主体周期结构一致。
基于上述基本方案，本发明还做如下优化限定：
上述步骤（5）是在1050℃生长n型交替掺杂AlGaN/GaN超晶格结构，共生长5个周期，总厚度50nm。
上述步骤（6）具体按照以下方式进行生长：
在770℃生长一层3nm的InxGa1-xN量子阱层，然后升温到800℃接着生长一层2nm左右InyGa1-yN层,然后升温到1000℃，生长一层掺杂硅烷的AlGaN势垒层厚度10nm，然后降温到800℃接着生长一层2nm左右InyGa1-yN层，再降温到770℃,生长一层3nm的InxGa1-xN的量子阱层，其中0<x,y<1，y<x；以此方式依次生长5个周期；然后生长最后2个周期，其中垒层AlGaN不掺杂，其余条件保持与之前5个周期一致。
上述步骤（3）是在温度1050℃生长一层10个周期AlN/AlGaN的超晶格，总厚度70nm。
相应的，按照上述方法制得的紫光LED的外延片结构，主要包括依次生长的以下各层：
蓝宝石基底；
低温AlN层；
高温AlN层；
若干个周期的AlN/AlGaN超晶格结构；
掺杂n型AlGaN层；
若干个周期的n型交替掺杂AlGaN/GaN超晶格结构；
AlGaN/InGaN垒阱的周期结构，作为量子阱结构有源区；
掺杂p型AlGaN阻挡层；
掺杂p型GaN层；
其中，AlGaN/InGaN垒阱的周期结构依次分为若干个主体周期结构和1-2个结束周期结构，其中若干个主体周期结构的生长，每个周期是先以In含量阶梯递减生长两层InGaN，然后生长一层掺杂硅烷的AlGaN势垒层，再以In含量阶梯递增生长两层InGaN；所述结束周期结构生长于所述若干个主体周期结构的基础上，其生长AlGaN势垒层过程中不掺杂硅烷，其他结构与主体周期结构一致。
优选5个周期的n型交替掺杂AlGaN/GaN超晶格结构，总厚度50nm。
上述若干个主体周期结构的生长具体可以是，每个周期先生长一层3nm的InxGa1-xN量子阱层，然后生长一层2nm InyGa1-yN层,然后生长一层掺杂硅烷的AlGaN势垒层厚度10nm，接着生长一层2nm左右InyGa1-yN层，再生长一层3nm的InxGa1-xN的量子阱层，其中0<x,y<1，y<x；以此结构共依次生长5个主体周期；最后生长2个所述结束周期结构。
优选10个周期的AlN/AlGaN超晶格结构，总厚度70nm。
x，y的值优选取（0.3，0.2）、（0.5，0.2）、（0.8，0.4）等。
本发明具有以下有益效果：
本发明中采用掺杂n型AlGaN/GaN超晶格结构，其中的势垒层AlGaN和势阱层GaN周期性交替掺杂，可以集中n型载流子浓度，不同层的浓度呈现周期浓度变化，周期性电导的变化能够使得电流扩散更好，同时电导变化区加宽，使得线性缺陷的漏电通道穿透效果减弱，能够降低正向电压，提高ESD。
同时，量子阱区采用AlGaN/InGaN周期生长，每个周期内依次生长不同In含量的InGaN层，然后升温生长掺杂n型AlGaN层；采用这种变化式生长能够减小垒阱层由于晶格适配产生的极化应力，减小界面缺陷，同时高温AlGaN垒层不但可以提升掺杂效果，并且这种结构使得电子穿透更加容易，并且在阱区发生复合的高能级发光复合增强。
附图说明
图1为本发明的紫光LED的外延整体结构图。
图2为AlGaN/GaN超晶格周期掺杂结构图（即图1中第6层），其中Si表示该层为n型掺杂。
图3为量子阱结构有源区的一个周期的结构图（即图1中第7层中的一个周期）。
图4为量子阱结构有源区的生长示意图（即图1中第7层）。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步的阐述。
本发明采用蓝宝石作为生长基底，进行异质外延生长，运用金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）外延生长技术，采用三甲基镓（TMGa），三乙基镓(TEGa)，和三甲基铟（TMIn）,三甲基铝(TMAl)和氨气（NH3）硅烷（SiH4）和二茂镁(cp2mg)分别提供生长所需要的镓源，铟源，铝源，和氮源,硅源,镁源。具体主要生长环节如下：
1.将蓝宝石衬底特殊清洗处理后，放入MOCVD设备在1100℃烘烤10分钟。
2.降温度600℃生长一层厚度10nm的低温AlN层，生长压力为200torr。
3.升温到1070℃生长一层厚度300nm的本征ALN层，生长压力为200torr.
4.在温度1050℃，200torr生长一层10个周期AlN/AlGaN的超晶格，总厚度70nm。
5.在温度1050℃生长一层掺杂硅烷的n型AlGaN层，厚度500nm，压力200torr.
6.接在在1050℃生长周期掺杂硅烷的n型AlGaN/GaN超晶格，生长过程中分别在GaN生长层和AlGaN层交替掺杂硅烷，生长5个周期，厚度50nm.
7.在氮气氛围350torr,770℃生长一层3nm的InxGa1-xN量子阱层，然后升温到800℃接着生长一层2nm左右InyGa1-yN层,然后升温到1000℃，150torr生长一层掺杂硅烷的AlGaN势垒层厚度10nm，然后降温到800℃在350torr接着生长一层2nm左右InyGa1-yN层，再降温到770℃,生长一层3nm的InxGa1-xN的量子阱层,其中0<x,y<1，y<x，例如取（x，y）=（0.3，0.2）、（0.5，0.2）、（0.8，0.4）等；然后依次生长5个周期，然后接着生长后2个周期，其中垒层AlGaN不掺杂硅烷，其余条件保持和前5个周期一致。
8.温度至900℃，150torr,生长一层p型AlGaN层，厚度20nm。
9.在950℃生长一层掺杂镁p型GaN，150nm左右。
10.在氮气氛围下，退火20分钟。
以上整体外延生长过程结束，即制得紫光LED的外延片。
采用此紫光LED外延片制成的芯片，其ESD（抗静电能力）良率较传统的紫光外延片在相同工艺条件下制作的芯片在相同击穿电压下提升了10%；较传统的LED外延片在相同工艺条件下制成的芯片的光效提升了25%-30%。
需要强调的是，以上实施例中给出了能够达到最佳技术效果的具体参数，但这些温度、厚度、压力等具体参数大部分均是参照现有技术所做的常规选择，不应视为对本发明权利要求保护范围的限制。说明书中阐述了本发明技术改进的原理，本领域技术人员应当能够认识到在基本方案下对各具体参数做适度的调整仍然能够基本实现本发明的目的。

Claims (8)

1.一种紫光LED的外延生长方法，包括以下步骤：
（1）以蓝宝石作为生长基底，生长低温AlN层；
（2）生长高温AlN层；
（3）生长若干个周期的AlN/AlGaN超晶格结构；
（4）生长n型掺杂AlGaN层；
（5）生长若干个周期的n型交替掺杂AlGaN/GaN超晶格结构；
（6）生长AlGaN/InGaN垒阱的周期结构，作为量子阱结构有源区；
（7）生长掺杂p型AlGaN阻挡层；
（8）生长掺杂p型GaN层；
（9）在氮气氛围下退火；
上述步骤（6）首先进行若干个主体周期结构的生长，每个周期是先以In含量阶梯递减生长两层InGaN，然后升温生长一层掺杂硅烷的AlGaN势垒层，再降温以In含量阶梯递增生长两层InGaN；完成若干个主体周期结构的生长后，再进行1-2个结束周期结构的生长，所述结束周期结构中升温生长AlGaN势垒层过程中不掺杂硅烷，其他条件与主体周期结构一致。
2.根据权利要求1所述的紫光LED的外延生长方法，其特征在于：
步骤（5）是在1050℃生长n型交替掺杂AlGaN/GaN超晶格结构，共生长5个周期，总厚度50nm。
3.根据权利要求1或2所述的紫光LED的外延生长方法，其特征在于：步骤（6）具体按照以下方式进行生长：
在770℃生长一层3nm的InxGa1-xN量子阱层，然后升温到800℃接着生长一层2nm左右InyGa1-yN层,然后升温到1000℃，生长一层掺杂硅烷的AlGaN势垒层厚度10nm，然后降温到800℃接着生长一层2nm左右InyGa1-yN层，再降温到770℃,生长一层3nm的InxGa1-xN的量子阱层，其中0<x,y<1，y<x；以此方式依次生长5个周期；然后生长最后2个周期，其中垒层AlGaN不掺杂，其余条件保持与之前5个周期一致。
4.根据权利要求3所述的紫光LED的外延生长方法，其特征在于：步骤（3）是在温度1050℃生长一层10个周期AlN/AlGaN的超晶格，总厚度70nm。
5.一种紫光LED的外延片结构，其特征在于：包括依次生长的以下各层：
蓝宝石基底；
低温AlN层；
高温AlN层；
若干个周期的AlN/AlGaN超晶格结构；
掺杂n型AlGaN层；
若干个周期的n型交替掺杂AlGaN/GaN超晶格结构；
AlGaN/InGaN垒阱的周期结构，作为量子阱结构有源区；
掺杂p型AlGaN阻挡层；
掺杂p型GaN层；
其中，AlGaN/InGaN垒阱的周期结构依次分为若干个主体周期结构和1-2个结束周期结构，其中若干个主体周期结构的生长，每个周期是先以In含量阶梯递减生长两层InGaN，然后生长一层掺杂硅烷的AlGaN势垒层，再以In含量阶梯递增生长两层InGaN；所述结束周期结构生长于所述若干个主体周期结构的基础上，其生长AlGaN势垒层过程中不掺杂硅烷，其他结构与主体周期结构一致。
6.根据权利要求5所述的外延片结构，其特征在于：共有5个周期的n型交替掺杂AlGaN/GaN超晶格结构，总厚度50nm。
7.根据权利要求5或6所述的外延片结构，其特征在于：所述若干个主体周期结构的生长，每个周期是先生长一层3nm的InxGa1-xN量子阱层，然后生长一层2nm InyGa1-yN层,然后生长一层掺杂硅烷的AlGaN势垒层厚度10nm，接着生长一层2nm左右InyGa1-yN层，再生长一层3nm的InxGa1-xN的量子阱层，其中0<x,y<1，y<x；以此结构共依次生长5个主体周期；最后生长2个所述结束周期结构。
8.根据权利要求7所述的外延片结构，其特征在于：共有10个周期的AlN/AlGaN超晶格结构，总厚度70nm。
CN201410123905.8A 2014-03-28 2014-03-28 一种紫光led的外延生长方法 Expired - Fee Related CN103887380B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410123905.8A CN103887380B (zh) 2014-03-28 2014-03-28 一种紫光led的外延生长方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410123905.8A CN103887380B (zh) 2014-03-28 2014-03-28 一种紫光led的外延生长方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103887380A CN103887380A (zh) 2014-06-25
CN103887380B true CN103887380B (zh) 2016-12-07

Family

ID=50956195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410123905.8A Expired - Fee Related CN103887380B (zh) 2014-03-28 2014-03-28 一种紫光led的外延生长方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103887380B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109065681A (zh) * 2018-07-18 2018-12-21 太原理工大学 一种具有应变减少结构的量子阱绿光led外延结构

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104993028B (zh) * 2015-05-22 2018-07-06 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片
CN105489714B (zh) * 2015-08-14 2018-07-20 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种多孔氮化铝复合衬底及其在外延生长高质量氮化镓薄膜中的应用
CN105742415B (zh) * 2016-03-01 2018-11-06 聚灿光电科技股份有限公司 紫外GaN基LED外延结构及其制造方法
CN105869999B (zh) * 2016-06-01 2018-11-02 湘能华磊光电股份有限公司 Led外延生长方法
CN105870270B (zh) * 2016-06-01 2018-07-13 湘能华磊光电股份有限公司 Led外延超晶格生长方法
CN106058002B (zh) * 2016-06-15 2018-11-09 青岛杰生电气有限公司 一种紫外发光器
CN107452846B (zh) * 2017-09-25 2024-05-14 广东工业大学 一种紫外led倒装芯片
CN109755360A (zh) * 2017-11-07 2019-05-14 山东浪潮华光光电子股份有限公司 具有组合阱的多量子阱led外延结构及其外延制备方法
CN108461582B (zh) * 2018-02-01 2019-08-02 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片
CN109065684B (zh) * 2018-07-18 2020-04-17 太原理工大学 一种含有应变调制结构的InGaN/GaN多量子阱结构
CN109273566B (zh) * 2018-08-01 2020-05-05 太原理工大学 一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构
CN109616559A (zh) * 2018-12-04 2019-04-12 深圳市洲明科技股份有限公司 一种AlGaN基紫外LED外延片结构及其制备方法
CN110473940B (zh) * 2019-08-09 2024-05-17 晶能光电股份有限公司 紫外led的外延结构
CN112909134B (zh) * 2021-02-05 2022-02-08 西安瑞芯光通信息科技有限公司 一种大功率紫外led的外延生长方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1599960A (zh) * 2001-12-03 2005-03-23 克里公司 应变平衡的氮化物异质结晶体管及制造应变平衡的氮化物异质结晶体管的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100459150C (zh) * 2003-04-15 2009-02-04 松下电器产业株式会社 弹道半导体元件

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1599960A (zh) * 2001-12-03 2005-03-23 克里公司 应变平衡的氮化物异质结晶体管及制造应变平衡的氮化物异质结晶体管的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109065681A (zh) * 2018-07-18 2018-12-21 太原理工大学 一种具有应变减少结构的量子阱绿光led外延结构

Also Published As

Publication number Publication date
CN103887380A (zh) 2014-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103887380B (zh) 一种紫光led的外延生长方法
CN101488550B (zh) 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法
CN101488548B (zh) 一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED
CN103887381B (zh) 一种提升紫外led外延材料结晶质量的生长方法
CN104409586B (zh) GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法
CN105633235B (zh) 一种n型GaN结构的GaN基LED外延结构及生长方法
CN104282808B (zh) 一种紫外led外延有源区结构生长方法
CN102881788A (zh) 一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法
CN102931303A (zh) 外延结构及其生长方法
CN103515495B (zh) 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法
CN103824909A (zh) 一种提高GaN基LED发光亮度的外延方法
CN102709424A (zh) 一种提高发光二极管发光效率的方法
CN106159048B (zh) 一种发光二极管外延片及其生长方法
CN106935690B (zh) 一种提高紫外led光输出功率的外延结构
CN103872194B (zh) 一种提高GaN基LED有源区发光效率的外延生长方法
CN103887378A (zh) 一种高光效紫外led的外延生长方法
CN104576852A (zh) 一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法
CN104576853B (zh) 一种改善GaN基LED芯片电流扩展的外延方法
CN103915532A (zh) 一种紫外led外延结构生长方法
CN103178178A (zh) 一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法
CN104253181A (zh) 一种具有多重垒层led外延结构
CN103258927A (zh) 一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构及其生长方法
CN105742430A (zh) 一种led外延结构及其制备方法
CN103337571B (zh) 改善GaN基外延片内波长集中度的外延结构及生长方法
US8461029B2 (en) Method for fabricating InGaN-based multi-quantum well layers

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161207

Termination date: 20210328

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee