CN107180806B - 具有壳体的功率半导体模块 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种具有壳体(2)的功率半导体模块，其具有由弹性体制成的弹性变形元件(30)，并且具有布置于壳体(2)中的功率半导体部件(T1、T2)，所述功率半导体部件(T1、T2)以导电方式连接到箔复合材料(5)，其中所述箔复合材料(5)包括导电的结构化或非结构化的第一箔(6)和导电的结构化或非结构化的第二箔(7)以及布置于第一和第二箔(6、7)之间的不导电的第三箔(8)，其中所述壳体(2)具有开口(33)，箔复合材料(5)的一部分被引导通过所述开口(33)，其中为了功率半导体模块(1)与电连接元件装置(17、17')导电接触。

Description

具有壳体的功率半导体模块
技术领域
本发明涉及一种具有壳体的功率半导体模块。
背景技术
从DE 10 2012 218 868 B3的图6和所附的说明，已知一种功率半导体模块，其包括功率半导体部件、基材、箔复合材料以及第一和第二负载电流连接元件(为了功率半导体模块与电连接元件装置导电接触)，其中所述箔复合材料包括第一金属箔层和结构化的第二金属箔层以及布置于所述第一和第二金属箔层之间的电绝缘箔层，其中所述功率半导体部件以导电方式连接到所述箔复合材料和所述基材，其中所述第二负载电流连接元件与所述第一金属箔层形成单件，其中所述电绝缘箔层的一部分布置在所述第一负载电流连接元件的第一部分和第二负载电流连接元件之间。负载电流连接元件通过螺钉连接与连接元件装置进行导电接触，该螺钉连接延伸穿过形成在负载连接元件中的连续孔。
功率半导体部件和电连接元件装置之间的电连接具有杂散电感，其可能在功率半导体模块的运行期间导致功率半导体部件上的电压浪涌。为了最小化该电压浪涌，需要功率半导体模块的特别低的电感设计和功率半导体模块与电连接元件装置的可靠的低电感电接触。
从DE 10 2012 218 868 B3已知的功率半导体模块具有下述缺点，即第一负载电流连接元件以及第一负载电流连接元件与连接元件装置之间的电连接具有相对高的杂散电感。此外，当负载电流连接元件连接到连接元件装置时，可能在第二负载电流连接元件(即第一金属箔层)上施加大的力，这可能导致第一金属箔层的损坏或破坏。此外，由于负载电流连接元件和连接元件装置的不同的热膨胀系数，在各元件的机械冲击负荷和振动负荷的情况下，可能存在负载电流连接元件与连接元件装置的导电接触的故障。
发明内容
本发明提出要解决的问题是创造一种功率半导体模块，其具有特别低电感设计且其可以与电连接元件装置进行可靠的低电感电接触。
通过一种具有壳体的功率半导体模块来解决该问题，该功率半导体模块具有由弹性体制成的弹性变形元件，并且具有布置于壳体中的功率半导体部件，所述功率半导体部件以导电方式连接到箔复合材料，其中所述箔复合材料包括导电的结构化或非结构化的第一箔和导电的结构化或非结构化的第二箔以及布置于第一和第二箔之间的不导电的第三箔，其中所述壳体具有开口，箔复合材料的一部分被引导通过所述开口，其中用于导电接触的箔复合材料包括可从壳体外接近的导电的第一和第二箔复合材料接触表面，该导电接触是功率半导体模块与电连接元件装置的导电接触，所述接触表面中的每一个都是箔复合材料的一个表面区域的形式，其中所述变形元件布置于所述壳体的外侧与所述第一和第二箔复合材料接触表面之间。
已经证明，因为硅树脂具有良好的弹性性能，特别是因为交联的液体硅橡胶或交联的固体硅橡胶具有非常好的弹性性能，因此弹性体被形成为硅树脂，特别是被形成为交联的液体硅橡胶或形成为交联的固体硅橡胶是有利的。
此外，已经证明，变形元件通过粘结连接而被结合到壳体的外侧是有利的，因为粘结连接代表特别可靠的连接形式。
此外，已经证明，变形元件具有带有至少两个高度的凸起结构(reliefstructure)是有利的。以这种方式，如果连接元件装置的第一和第二连接接触表面距离壳体的外侧间距不同，则可以通过变形元件的结构来协调不同的间距，使得对于两个压力接触位置而言各个压力是大致相同的，该各个压力是各个箔复合材料接触表面与各个连接接触表面实现各个压力接触所经由的压力。
此外，已经证明，功率半导体模块具有箔复合材料保持装置是有利的，该箔复合材料保持装置被设计成保持箔复合材料，使得第一和第二箔复合材料接触表面被布置成使得它们被固定并且抵靠变形元件。这确保即使在机械冲击负荷和振动负荷的情况下，第一和第二箔复合材料接触表面也必定保持布置于变形元件的顶部上。
此外，已经证明，壳体的外侧通过其几何形状而在壳体中形成凹部是有利的，其中变形元件布置于凹部的底表面上。凹部构成一种机械防范，防范(例如在功率半导体模块的组装期间)可能意外地横向作用于变形元件上的任何物体。
此外，已经证明，至少在功率半导体模块不与外部电连接元件装置导电接触的一种状态下，变形元件具有在底表面的法向方向上的高度，使得第一和第二箔复合材料接触表面布置于凹部外是有利的。这使得连接元件装置具有平坦的几何形状并且因此具有特别低的电感设计成为可能。
此外，已经证明，壳体的开口通到凹部中是有利的。以这种方式，布置于开口的区域中的箔复合材料的部分被很好地保护免受从外界作用的机械负荷。
此外，已经证明，凹部形成用于安装箔复合材料的端部部分的安装装置是有利的。以这种方式，箔复合材料的端部部分被很好地保护免受从外界作用的机械负荷。
此外，已经证明，功率半导体模块具有箔复合材料保持装置是有利的，该箔复合材料保持装置被设计成保持箔复合材料，使得第一和第二箔复合材料接触表面被布置成使得它们被固定并且抵靠变形元件，其中所述箔复合材料保持装置具有将所述箔复合材料的端部部分固定在所述安装装置中的第一保持元件。以这种方式，箔复合材料的端部部分被可靠地保持在安装装置中。
此外，已经证明，箔复合材料保持装置具有布置在壳体的开口的区域中的第二保持元件是有利的，该第二保持元件将箔复合材料固定在壳体的开口的区域中。以这种方式，布置在开口的区域中的箔复合材料的部分被可靠地保持在壳体的开口的区域中。
此外，已经证明，变形元件被形成为单件或者由至少两个单独的主体部件组成是有利的，其中变形元件的第一主体部件布置在壳体的外侧和第一箔复合材料接触表面之间，且变形元件的第二主体部件布置在壳体的外侧和第二箔复合材料接触表面之间。如果变形元件被形成为单件，则变形元件的制造就特别容易。如果变形元件由至少两个单独的主体部件组成，则当形成变形元件时可以节约材料。
此外，已经证明有利的是，使得功率半导体装置具有根据本发明的功率半导体模块以及具有电连接元件装置，所述电连接元件装置具有导电的第一连接接触表面和导电的第二连接接触表面，所述第二连接接触表面布置成与所述第一连接接触表面电绝缘，其中所述第一连接接触表面被布置成在朝向所述功率半导体模块的变形元件的方向上挤压所述功率半导体模块的第一箔复合材料接触表面，并且以这种方式所述第一连接接触表面与第一箔复合材料接触表面以导电的方式压力接触，其中所述第二连接接触表面被布置成在朝向功率半导体模块的变形元件的方向上挤压功率半导体模块的第二箔复合材料接触表面，并且以这种方式所述第二连接接触表面与第二箔复合材料接触表面以导电的方式压力接触，由于那样根据本发明的功率半导体模块具有非常低的电感以及以导电的方式与连接元件装置的可靠的接触，并且功率半导体装置具有非常低的电感设计。
此外，已经证明有利的是，连接元件装置被形成为印刷电路板，并且第一和第二连接接触表面由印刷电路板的至少一个导电层的表面区域形成，因为那样根据本发明的功率半导体模块具有非常低的电感以及与连接元件装置的可靠的导电接触。
此外，已经证明有利的是，连接元件装置被形成为电流母线布置，该电流母线布置包括导电的第一电流母线和导电的第二电流母线，所述第二电流母线布置成通过电流母线布置的非导电的绝缘层从第一电流母线电绝缘，其中所述第一连接接触表面由所述第一电流母线的一个表面区域形成，并且所述第二连接接触表面由所述第二电流母线的一个表面区域形成，因为那样根据本发明的功率半导体模块具有非常低的电感以及与连接元件装置的可靠的导电接触。
此外，已经证明有利的是，功率半导体装置具有压力产生装置，该压力产生装置在朝向功率半导体模块的变形元件的方向上在连接元件装置上施加压力，使得以这种方式所述第一连接接触表面被布置成挤压第一箔复合材料接触表面，且所述第二连接接触表面被布置为挤压第二箔复合材料接触表面，并且第一和第二箔复合材料接触表面被布置成挤压功率半导体模块的变形元件，因为那样该连接接触表面被可靠地挤压箔复合材料接触表面。
附图说明
下面将参照附图解释本发明的示例性实施例。附图示出：
图1是具有根据本发明的功率半导体模块并且具有设计成印刷电路板的电连接元件装置的功率半导体装置的剖视图；
图2是具有根据本发明的功率半导体模块并且具有设计成电流母线布置的电连接元件装置的功率半导体装置的剖视图；
图3是具有根据本发明的功率半导体模块的功率半导体装置的剖视图，其具有若干部件的弹性变形元件以及带有设计成印刷电路板的电连接元件装置。
具体实施方式
图1示出具有根据本发明的功率半导体模块1并且具有设计成印刷电路板17的电连接元件装置17的功率半导体装置28的剖视图。图2示出具有根据本发明的功率半导体模块1并且具有设计成电流母线布置17'的电连接元件装置17'的功率半导体装置28的剖视图。图3示出具有根据本发明的功率半导体模块1的功率半导体装置的剖视图，其具有若干部件的弹性变形元件30以及带有设计成印刷电路板17的电连接元件装置17。如图1至图3中所示，除了弹性变形元件30的不同构造之外，根据本发明的半导体模块1，彼此一致，包括有利的实施例和变体。
功率半导体模块1具有优选由塑料形成的壳体2和由弹性体形成的弹性变形元件30。壳体2优选为杯形。壳体2可以是单件或多件。例如，壳体2可以是许多件，具有框架元件，该框架元件形成用于第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b的支承表面，并且在框架元件的顶部上布置有功率半导体模块1的壳体2的外壳，壳体2具有凹部，该凹部处于第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b的区域中。壳体2不必完全覆盖或包围功率半导体模块1的功率半导体部件T1和T2。弹性变形元件30优选布置在壳体2的外侧3上。弹性变形元件30优选通过粘结连接与壳体3的外侧3的结合。弹性体优选地被形成为硅树脂。硅树脂优选以交联的液体硅橡胶的形式或以交联的固体硅橡胶的形式存在。
此外，功率半导体模块1具有布置于壳体2中的功率半导体部件T1和T2，功率半导体部件T1和T2以导电的方式连接到箔复合材料5，其中箔复合材料5包括导电的结构化或非结构化的第一箔6(例如金属箔)和导电的结构化或非结构化的第二箔7(例如，金属箔)和布置于第一箔6和第二箔7之间的非导电的第三箔8(例如，塑料膜)。当然，箔复合材料5还可包括一个或多个附加的导电的结构化或非结构化的箔，其间每次都布置非导电箔。应当指出的是，各个功率半导体部件T1或T2通常以功率半导体开关或二极管的形式存在。各个功率半导体开关通常以晶体管的形式存在，诸如像IGBT(绝缘栅双极晶体管)或MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，或者以晶闸管的形式存在。
壳体2具有优选为槽状形状的开口33，箔复合材料5的一部分被引导通过该开口，其中用于导电接触的箔复合材料5包括可从壳体2外接近的导电的第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b，所述导电接触是功率半导体模块1与电连接元件装置17或17'的导电接触，所述电连接元件装置17或17'优选地被形成为印刷电路板17或电流母线布置17'，所述第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b中的每一个都是箔复合材料5的一个表面区域的形式。第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b布置成彼此电绝缘。第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b优选地用作功率半导体模块1的直流电压负载连接元件，该直流电压负载连接元件用于在第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b之间施加的直流电压(特别是中间电路直流电压)的电连接。第一箔复合材料接触表面5a优选地形成功率半导体模块1的正电位电负载连接元件，第二箔复合材料接触表面5b优选地形成功率半导体模块1的负电位电负载连接元件。
第一箔6和第二箔7中的每个可包括单个或多个金属层，一个在另一个之上。
特别是为了第一箔6和/或第二箔7的机械强化，优选在弹性变形元件30的区域中，可布置附加的导电层在各个箔6或7上，其表面形成各个箔复合材料接触表面5a或5b。应当指出的是，在本发明的意义上，这种附加导电层被视为箔复合材料5的组成部分。箔复合材料的附加导电层可例如以至少一个金属片材的形式存在，其布置在各个箔6或7上。箔复合材料的附加导电层优选地通过粘结(例如，通过烧结或焊接)、通过形状配合、和/或通过力锁定而连接到箔复合材料5的各个箔6或7。
第一箔6和第二箔7优选地被结构化并且由于它们的结构而形成导电的导线(conductor track)。在示例性实施例中，第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b以第一箔6的表面区域的形式存在。在示例性实施例中，通过导电电镀的通孔21和23，第一箔6和第二箔7的一些导线以导电的方式结合在一起。
功率半导体部件T1和T2优选地布置在基材24上。在示例性实施例中，基材24包括不导电的绝缘体主体27和布置在绝缘体主体27上的导电的结构化的导电层，该导电层由于其结构形成了电导线26，功率半导体部件T1和T2布置在该导体层上并且以导电方式(例如通过烧结或焊接)与导线26连接(为了清楚起见，在图中未示出)。优选地，基材24具有另一导电的、优选地非结构化的导电层25，而绝缘体主体27布置在结构化的导电层和另一导电层25之间。例如在示例性实施例中，基材24可以DCB(direct copper bonded，直接铜粘结)基材的形式，或例如以绝缘金属基材的形式存在。箔复合材料5以导电方式(例如通过焊接或烧结)连接到基材24的导线26和功率半导体部件T1和T2(为了清楚起见在图中未示出)。
功率半导体模块1可具有基板29，在基板29上布置基材24，同时可在基材24和基板29之间布置导热膏或连接层(例如焊接或烧结层)。基板29可以是散热器的组成部分。在这种情况下，散热器的散热片或冷却销(cooling pins)优选从基板29延伸。或者，如在示例性实施例中，基板29也可设计成以导热的方式连接到散热器。散热器可被设计为空气型或液体型散热器。
弹性变形元件30布置在壳体2的外侧3与第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b之间。第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b布置在变形元件30上，优选地固定地抵靠变形元件30。为此，功率半导体模块1优选地具有箔复合材料保持装置，该箔复合材料保持装置被设计成保持箔复合材料5，使得第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b被布置成使得它们被固定并抵靠变形元件30并且优选地由变形元件30张紧。在示例性实施例中，箔复合材料保持装置以第一和第二保持元件9a和9b的形式存在，同时应当指出的是，通常而言，第一和第二保持元件9a和9b不需要布置在凹部10中。
壳体2的外侧3优选地通过其几何形状在壳体2中形成凹部10，而变形元件30布置在凹部10的底表面11上。对于从上方作用在变形元件30上的压力F而言，构成外侧3的一个区域的底表面11为变形元件30形成一种支座。变形元件30优选地通过粘结到凹部10的底表面11而被结合。
至少在功率半导体模块1不与电连接元件装置17或17'导电接触的一种状态下，变形元件30在凹部10的底表面11的法线方向N上具有一定的高度，使得第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b布置在凹部10之外，即它们在底表面11的法线方向N上延伸超过凹部10。这使得用于连接元件装置17或17'的平坦几何形状成为可能，从而实现电连接元件装置17或17'的特别低的电感设计。
壳体2的开口33优选地通到凹部10中，特别是横向地通到凹部10中。
凹部10优选地形成安装装置34，所述安装装置34用于安装箔复合材料5端部部分。以这种方式，箔复合材料5的端部部分被很好地保护免受从外界作用的机械负荷。箔复合材料保持装置优选地具有第一保持元件9a，其将箔复合材料5的端部部分固定在安装装置34中。此外，箔复合材料保持装置优选地具有布置在壳体2的开口33的区域中的第二保持元件9b，其将箔复合材料5固定在壳体2的开口33的区域中。
应当指出的是，箔复合材料5可通过粘结而被结合到变形元件30。
例如如图2中所示，弹性变形元件30可具有凸起结构，其具有至少两个高度H1和H2。当连接元件装置17'被设计为电流母线布置17'时，变形元件30的这种构造是特别有利的。当然，变形元件30的这种构造也可用于连接元件装置的任何其它不同构造。此外，当连接元件装置被设计为电流母线布置时，变形元件30不需要具有凸起结构(所述凸起结构具有至少两个高度H1和H2)，而是也可具有均匀的高度，例如如图1中所示。
例如如图3中所示，弹性变形元件30不需要是如图1和图2中所示的单件，而是弹性变形元件30也可由至少两个单独的主体部件30a和30b组成，其中变形元件30的第一主体部件30a布置在壳体2的外侧3和第一箔复合材料接触表面12a之间，且变形元件30的第二主体部件30b布置在壳体2的外侧3和第二箔复合材料接触表面12b之间。在这种多件式设计的情况下，在例如第二主体部件30b在法线方向N上比第一主体部件30b更高，或反之的情况下，变形元件30也可具有凸起结构(所述凸起结构具有至少两个高度H1和H2)。当然，图3中的连接元件装置也可例如作为电流母线布置17'而不是电路板17存在，或者通常具有任何期望的结构。
功率半导体装置28包括功率半导体模块1以及电连接元件装置17或17'，电连接元件装置17或17'具有导电的第一连接接触表面12a和导电的第二连接接触表面12b，该导电的第二连接接触表面12b布置成与此电绝缘。第一连接接触表面12a被布置成在朝向功率半导体模块1的变形元件30的方向上挤压功率半导体模块1的第一箔复合材料接触表面5a，并且以这种方式所述第一连接接触表面12a与第一箔复合材料接触表面5a以导电的方式压力接触。此外，第二连接接触表面12b被布置成在朝向功率半导体模块1的变形元件30的方向上挤压功率半导体模块1的第二箔复合材料接触表面5b，并且以这种方式所述第二连接接触表面12b与第二箔复合材料接触表面5b以导电的方式压力接触。
当连接接触表面12a和12b以压力F挤压箔复合材料接触表面5a和5b时，压力F使变形元件30过弹性变形，并且变形元件30在第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b的区域中以与压力F相反的方向上的反向压力挤压箔复合材料5，由此变形元件30使得第一箔复合材料接触表面5a挤压第一连接接触表面12a，并且使得第二箔复合材料接触表面5b挤压第二连接接触表面12b。因此，可通过变形元件30或通过根据本发明的压力接触来协调功率半导体模块1的元件和连接元件装置17或17'的不同的热膨胀系数。此外，通过变形元件30或通过根据本发明的压力接触来调节机械冲击负荷和振动负荷，该机械冲击负荷和振动负荷导致功率半导体模块1相对于连接元件装置17或17'的相对运动。此外，如果连接元件装置17或17'和功率半导体模块1朝向彼此移动以产生用于连接元件装置17或17'与功率半导体模块1电接触的压力F，则压力F被限制到或相当于由变形元件30产生的反向压力，或者被限制到或相当于由于变形元件30的弹力或弹性而能够产生的反向压力。因此，在第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b的区域中箔复合材料5不会由于过大的压力而发生损坏或破坏。
为了产生压力F，功率半导体装置28优选地具有压力产生装置4，该压力产生装置4在朝向功率半导体模块1的变形元件30的方向上在连接元件装置17或17'上施加压力F，使得第一连接接触表面12a布置成挤压第一箔复合材料接触表面5a，并且使得第二连接接触表面12b布置成挤压第二箔复合材料接触表面5b，并且第一和第二箔复合材料接触表面5a和5b布置成挤压功率半导体模块1的变形元件30。或者，也可通过变形元件30和功率半导体模块1的相应的上级组件布置来产生压力F，该上级组件布置在变形元件30和功率半导体模块1之间具有确定的间距。
压力产生装置4优选地通过至少一个螺钉连接4形成，该螺钉连接4将连接元件装置17或17'连接到功率半导体模块1，特别是连接到功率半导体模块1的壳体2和/或连接到功率半导体模块1的基板29。为了清楚起见，该至少一个螺钉连接4在图中仅以虚线的形式高度示意性地示出。
连接元件装置17例如可被形成为印刷电路板17，其中第一和第二连接接触表面12a和12b由印刷电路板17的至少一个导电层13或14的表面区域形成。在图1和图3所示的示例性实施例中，第一和第二连接接触表面12a和12b被形成为印刷电路板17的结构化的导电第一层13的表面区域。印刷电路板17还具有结构化或非结构化的导电第二层14。在第一层13和第二层14之间布置有非导电层15，例如由纤维增强塑料制成的层。印刷电路板17还可具有另外的结构化或非结构化的导电层，所述导电层间每次布置有非导电层。因此，印刷电路板17可被设计为多层印刷电路板。在示例性实施例中，通过导电电镀的通孔16，第二连接接触表面12b以导电方式结合到印刷电路板17的导电的第二层14。
此外，例如如图2中所示，连接元件装置17'可被形成为电流母线布置17'，该电流母线布置17'包括导电的第一电流母线13'和导电的第二电流母线14'，该第二电流母线14'设置成通过电流母线布置17'的非导电的绝缘层15'(例如，塑料层)与第一电流母线13'电绝缘，其中第一连接接触表面12a由第一电流母线13'的一个表面区域形成，且第二连接接触表面12b由第二电流母线14'的一个表面区域形成。
为了完整性，应当指出是，功率半导体模块1优选地具有以导电的方式连接到功率半导体元件T1和T2的交流电压电负载连接元件，该元件在附图的剖视图中未示出。
在此应当指出的是，当然本发明的不同示例性实施例的特征，只要它们不相互排斥就可以尽可期望地彼此组合。

Claims (16)

1.一种具有壳体(2)的功率半导体模块，其具有由弹性体制成的弹性变形元件(30)，并且具有布置于所述壳体(2)中的功率半导体部件(T1、T2)，所述功率半导体部件(T1、T2)以导电方式连接到箔复合材料(5)，其中所述箔复合材料(5)包括导电的结构化或非结构化的第一箔(6)和导电的结构化或非结构化的第二箔(7)以及布置于所述第一箔和所述第二箔(6、7)之间的不导电的第三箔(8)，其中所述壳体(2)具有开口(33)，所述箔复合材料(5)的一部分被引导通过所述开口(33)，其中用于导电接触的所述箔复合材料(5)包括可从壳体(2)外接近的导电的第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)，所述导电接触是所述功率半导体模块(1)与电连接元件装置(17、17')的导电接触，所述接触表面(5a、5b)中的每一个都是所述箔复合材料(5)的表面区域的形式，其中所述变形元件(30)布置于所述壳体(2)的外侧(3)与所述第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)之间。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于所述弹性体被形成为硅树脂，特别是被形成为交联的液体硅橡胶或被形成为交联的固体硅橡胶。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于变形元件(30)通过粘结连接而被结合到所述壳体(2)的所述外侧(3)。
4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于所述变形元件(30)具有凸起结构，所述凸起结构有至少两个高度(H1、H2)。
5.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于所述功率半导体模块(1)具有箔复合材料保持装置(9a、9b)，所述箔复合材料保持装置(9a、9b)被设计成保持所述箔复合材料(5)，使得所述第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)被布置成使得它们被固定并且抵靠所述变形元件(30)。
6.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于所述壳体(2)的所述外侧(3)通过其几何形状而在所述壳体(3)中形成凹部(10)，其中所述变形元件(30)布置在所述凹部(10)的底表面(11)上。
7.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于至少在一种状态下，所述变形元件(30)在所述凹部(10)的所述底表面(11)的法向方向(N)上具有高度，使得所述第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)被布置于所述凹部(10)外，在所述一种状态中所述功率半导体模块(1)不与外部电连接元件装置(28)导电接触。
8.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于所述壳体(3)的所述开口(33)通到所述凹部(10)中。
9.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于所述凹部(10)形成安装装置(34)，所述安装装置(34)用于安装所述箔复合材料(5)的端部部分。
10.根据权利要求9所述的功率半导体模块，其特征在于所述功率半导体模块(1)具有箔复合材料保持装置(9a、9b)，所述箔复合材料保持装置(9a、9b)被设计成保持所述箔复合材料(5)，使得所述第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)被布置成使得它们被固定并且抵靠所述变形元件(30)，其中所述箔复合材料保持装置(9a、9b)具有第一保持元件(9a)，所述第一保持元件(9a)将所述箔复合材料(5)的所述端部部分固定在所述安装装置(34)中。
11.根据权利要求10所述的功率半导体模块，其特征在于所述箔复合材料保持装置(9a、9b)具有第二保持元件(9b)，所述第二保持元件(9b)布置在所述壳体(2)的所述开口(33)的区域中，其将所述箔复合材料(5)固定在所述壳体(2)的所述开口(33)所述区域中。
12.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于所述变形元件(30)被形成为单件，或者其由至少两个单独的主体部件(30a、30b)组成，其中所述变形元件(30)的第一主体部件(30a)布置在所述壳体(2)的所述外侧(3)和所述第一箔复合材料接触表面(5a)之间，并且所述变形元件(30)的第二主体部件(30b)布置在所述壳体(2)的所述外侧(3)和所述第二箔复合材料接触表面(5b)之间。
13.功率半导体装置，其具有根据权利要求1至12之一所述的功率半导体模块(1)并且具有电连接元件装置(17、17')，所述电连接元件装置(17、17')具有导电的第一连接接触表面(12a)和导电的第二连接接触表面(12b)，所述第二连接接触表面(12b)布置成与所述第一连接接触表面(12a)电绝缘，其中所述第一连接接触表面(12a)被布置成在朝向所述功率半导体模块(1)的所述变形元件(30)的方向上挤压所述功率半导体模块(1)的所述第一箔复合材料接触表面(5a)，并且以这种方式所述第一连接接触表面(12a)与第一箔复合材料接触表面(5a)以导电的方式压力接触，其中所述第二连接接触表面(12b)被布置成在朝向所述功率半导体模块(1)的所述变形元件(30)的方向上挤压所述功率半导体模块(1)的所述第二箔复合材料接触表面(5b)，并且以这种方式所述第二连接接触表面(12b)与所述第二箔复合材料接触表面(5b)以导电的方式压力接触。
14.根据权利要求13所述的功率半导体装置，其特征在于所述连接元件装置(17)被形成为印刷电路板(17)，并且所述第一和第二连接接触表面(12a、12b)由所述印刷电路板(17)的至少一个导电层(13、14)的表面区域形成。
15.根据权利要求13所述的功率半导体装置，其特征在于连接元件装置(17')被形成为电流母线布置(17')，所述电流母线布置(17')包括导电的第一电流母线(13')和导电的第二电流母线(14')，所述第二电流母线(14')布置成通过所述电流母线布置(17')的非导电绝缘层(15')从所述第一电流母线(13')电绝缘，其中所述第一连接接触表面(12a)由所述第一电流母线(13')的表面区域形成，并且所述第二连接接触表面(12b)由所述第二电流母线(14')的表面区域形成。
16.根据权利要求13所述的功率半导体装置，其特征在于功率半导体装置(28)具有压力产生装置(4)，所述压力产生装置(4)在朝向所述功率半导体模块(1)的所述变形元件(30)的方向上在所述连接元件装置(17、17')上施加压力(F)，使得以这种方式所述第一连接接触表面(12a)被布置成挤压所述第一箔复合材料接触表面(5a)，以及所述第二连接接触表面(12b)被布置为挤压所述第二箔复合材料接触表面(5b)，并且所述第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)被布置成挤压所述功率半导体模块(1)的所述变形元件(30)。
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