CN107121866A - 显示面板 - Google Patents
显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107121866A CN107121866A CN201710575581.5A CN201710575581A CN107121866A CN 107121866 A CN107121866 A CN 107121866A CN 201710575581 A CN201710575581 A CN 201710575581A CN 107121866 A CN107121866 A CN 107121866A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- projection
- display panel
- substrate
- composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 7
- 230000010415 tropism Effects 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N cholesterol Chemical compound C1C=C2C[C@@H](O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2 HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000012000 cholesterol Nutrition 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 2
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VAJVDSVGBWFCLW-UHFFFAOYSA-N 3-Phenyl-1-propanol Chemical compound OCCCC1=CC=CC=C1 VAJVDSVGBWFCLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 1
- DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N Phenylpropyl alcohol Natural products CCC(O)C1=CC=CC=C1 DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13793—Blue phases
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
一种显示面板包括第一基板、第二基板、显示介质、第一凸块、多个第二凸块、多个第三凸块、第一电极、多个第二电极及切换元件。第一凸块及多个第二凸块彼此分离且设置于子像素上。多个第三凸块彼此分离且分别设置于多个第二凸块上,以形成多个复合凸块。第一凸块位于相邻两复合凸块之间。切换元件设置于子像素上。第一电极或多个第二电极其中一者电性连接于切换元件,以作为像素电极。第一电极或多个第二电极其中另一者作为参考电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子装置,且特别涉及一种显示面板。
背景技术
西元1888年,Friedrich Reinitzer将胆固醇型苯甲酸盐(cholestericbenzoate)置于偏光显微镜中,观察到胆固醇型苯甲酸盐在匀相(isotropic)与胆固醇相(cholesteric)会呈现出不同的颜色(例如:蓝紫色和蓝色),匀相与胆固醇相之间的颜色变化现象仅存在于很小的温度区间(约只有摄氏1度的温度区间)。西元1970年,许多科学家利用容积分析、高分辨率示差扫描热卡计等方法,证实前述现象是一种新的热力学稳定相,并称其为蓝相(blue phase,BP)。
一般的液晶具有光学异向性(optically anisotropic),但蓝相却具有光学等向性(optically isotropic)。换言之,蓝相具有非常低或者甚至不具有双折射性(birefringence)。由于蓝相的晶格周期为可见光波长的函数,故会产生选择性布拉格反射(selective bragg reflection)。这种特性使得蓝相液晶可应用在快速应答的光阀(fastlight modulators)。但无论在理论上的预测还是在实验上的观察,蓝相液晶仅出现在具备有高纯度、高旋光性的分子材料中,因此蓝相液晶仅存在于很小的温度区间内。故蓝相液晶通常在学术上被讨论,但在实际应用上并未受到重视。
近十年来,为了使液晶显示面板的显示品质凌驾于阴极射线管的显示品质,具有快速应答特性的蓝相再度受到学术及产业界的重视。为了应用上的需要,蓝相液晶必须具备有宽广的温度应用范围,因此不同的技术发展相继被提出。例如,利用高分子稳定的特性(产生高分子网状结构),以形成能够存在于宽广温度区间内的蓝相。此外,在2002年,Kikuchi等人制备出具有类似凝胶结构的稳定蓝相的蓝相液晶,成功的产生出温度区间约为摄氏60度的蓝相。虽然蓝相液晶具有快速应答时间与光学等向性等优点,但却有驱动电压较高的缺点,驱动电压可高达约55伏特(V)。就量产的角度来看,如何降低使用蓝相液晶的显示面板的饱和驱动电压并提高使用蓝相液晶的显示面板的穿透率是亟需解决的问题的一。
发明内容
本发明提供一种显示面板,性能佳。
本发明的显示面板,包括第一基板、相对于第一基板设置的第二基板、设置于第一基板与第二基板之间的显示介质、至少一个第一凸块、多个第二凸块、多个第三凸块、至少一个第一电极、多个第二电极以及至少一个切换元件。显示介质根据电压的驱动具有光学等向性或光学异向性。第一基板与第二基板定义有多个子像素。至少一个第一凸块及多个第二凸块设置于第一基板的多个子像素其中的至少一个上,且至少一个第一凸块与多个第二凸块彼此分离。多个第三凸块彼此分离且分别设置于多个第二凸块上,以形成多个复合凸块。至少一个第一凸块位于相邻的两个复合凸块之间。至少一个第一电极设置于至少一个第一凸块上。多个第二电极分别设置于多个复合凸块上。至少一个切换元件设置于第一基板的多个子像素的其中至少一个上。至少一个第一电极或多个第二电极其中一者电性连接于至少一个切换元件,作为一像素电极。第一电极或多个第二电极其中另一者作为一参考电极。
基于上述,本发明一实施例的显示面板利用上述的第一电极、第一凸块、第二电极及第二凸块的设置,像素电极与参考电极之间的电压在显示面板内部形成的电场具有高比例的横向分量,因此,显示面板能在低驱动电压(例如:约小于18伏特(V))下具有高穿透率。此外,由像素电极、在所述电场分布范围内的显示介质及参考电极所形成的电容也不致于过大,而不易产生电阻电容负载(RC loading)过大的问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。
图2为本发明一实施例的像素阵列基板的单一个子像素的上视图示意图。
图3为一实验例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。
图4为另一实验例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。
图5为又一实验例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。
图6示出本发明一实施例的显示面板及多个实验例的显示面板的单一个子像素的驱动电压与穿透率的关系。
图7示出图5的实验例的显示面板的单一个子像素的各位置的穿透率。
图8示出图1的本发明一实施例的显示面板的单一个子像素的各位置的穿透率。
图9示出本发明一实施例的显示面板及多个实验例的显示面板的单一个子像素的驱动电压与电容的关系。
图10为本发明另一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。
图11为本发明又一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。
图12为本发明再一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。
图13为本发明一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。
图14为本发明另一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。
附图标记说明:
10-1、10-2、10-3、1000、1000A~1000E:显示面板
100:像素阵列基板
110:第一基板
120:像素电极
130:参考电极
200:第二基板
300:显示介质
A-A’:剖线
CH:通道
CL:参考线
D:漏极
DL:数据线
E1:第一电极
E1-1、E1-2、E2-1、E2-2:子电极
E2:第二电极
E3:第三电极
F1:第一参考面
F2:第二参考面
G:栅极
GP:复合凸块群
HP:复合凸块
H1、H2、H3:高度
K1:第一端点
K2:第二端点
L1~L4、L1’~L4’:曲线
P1:第一凸块
P2:第二凸块
P3:第三凸块
P4:第四凸块
P5、P6:凸块
P:子像素
R1~R5:区域
S:源极
S1:顶面
S2:底面
S3:侧面
SL:扫描线
T:切换元件
W1~W4:距离
具体实施方式
在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,“连接”可以指物理及/或电连接。
此外,诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位的外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此,示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向,取决于附图的特定取向。类似地,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此,示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或±30%、±20%、±10%、±5%内。
除非另有定义,本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。
本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此,可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此,本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状,而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如,示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外,所示的锐角可以是圆的。因此,图中所示的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状,并且不是旨在限制权利要求的范围。
现将详细地参考本发明的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本发明一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。请参照图1,显示面板1000包括像素阵列基板100、第二基板200及显示介质300。第二基板200相对于像素阵列基板100的第一基板110设置。显示介质300设置于像素阵列基板100的第一基板110与第二基板200之间。显示介质300根据像素电极120(绘于图2)与参考电极130(绘于图2)之间的电压具有光学等向性(optically isotropic)或光学异向性(optically anisotropic)。举例而言,在本实施例中,显示介质300可为蓝相(blue phase)液晶或其它具有前述光学性质的合适的液晶材料。也就是说,在像素电极120与参考电极130之间的电压很小或等于零的情况下,蓝相液晶或其它具有前述光学性质的合适的液晶材料维持光学等向性;在像素电极120与参考电极130之间的电压足够大的情况下,像素电极120与参考电极130之间的电压能使得蓝相液晶或其它具有前述光学性质的合适的液晶材料的光学性质产生变化,而使显示介质300具有光学异向性。
图2为本发明一实施例的像素阵列基板的单一个子像素的上视图示意图。图1的像素阵列基板100的单一个子像素的剖面对应图2的剖线A-A’。请参照图1及图2,像素阵列基板100包括用以承载其上的元件的第一基板110。在本实施例中,第一基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如:导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料,但本发明不以此为限。
像素阵列基板100中,单一个子像素还可包括配置于第一基板110上的至少一个切换元件T。在本实施例中,切换元件T可包括至少一薄膜晶体管。薄膜晶体管至少具有栅极G、通道CH、源极S与漏极D。图2所示的薄膜晶体管是以底部栅极型为示例,但本发明不限于此,在其他实施例中,薄膜晶体管也可以是以顶部栅极型、双栅极型或其他适当形式的薄膜晶体管。通道CH通常至少包含半导体层,其为单层或多层结构,而半导体层的材料可包含微晶硅、多晶硅、单晶硅、纳米晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料、纳米炭管/杆、或其它合适的材料。像素阵列基板100还包括彼此交错的扫描线SL及数据线DL。在本实施例中,扫描线SL与数据线DL可彼此垂直设置,但本发明不以此为限。扫描线SL与薄膜晶体管的栅极G电性连接。数据线DL与薄膜晶体管的源极S电性连接。基于导电性的考量,扫描线SL与数据线DL可为单层或多层结构,且其材料可为金属、合金、透明导电材料、或其它合适的材料、或前述材料的氮化物、或前述材料的氧化物、或前述材料的氮氧化物。
像素阵列基板100中,单一个子像素可包括至少一个第一电极E1及多个第二电极E2。至少一个第一电极E1或多个第二电极E2其中一者(例如:第一电极E1)电性连接于切换元件T,以作为像素电极120。像素电极120可电性连接于薄膜晶体管的漏极D。第一电极E1或多个第二电极E2其中另一者(例如:第二电极E2)作为参考电极130。其中,像素电极120与参考电极130其中至少一者可为单层或多层结构,且像素电极120与参考电极130其中至少一者的材料可包含不透明导电材料(例如:金属、合金、或其它合适的材料)、透明导电材料(例如:铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锡、铟镓氧化物、有机导电材料、纳米炭管/杆、小于60埃的金属及/或合金、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。在本实施例中,参考电极130可电性连接于参考线CL而具有固定电位(例如:接地);换言之,在本实施例中,参考电极130可为共同电极(common electrode);但本发明不限于此,在其他实施例中,参考电极130的电位也可以是浮动的或可调整的;换言之,参考电极130也可为浮接(floating)电极或可调整(adjustable)电位电极。于再一其它实施例中,参考电极130也可电性连接于其它切换元件T(例如:薄膜晶体管),所述其它切换元件T可控制或可调整参考电极130的电位。
第一基板110与第二基板200定义多个子像素P。举例而言,在本实施例中,第一基板110或第二基板200上可选择配置有遮光图案层(未示出),遮光图案层例如为黑色矩阵(Black Matrix),遮光图案层具有多个透光开口(未标示),而第一基板110的与多个透光开口重叠的多个区域可定义为多个子像素(sub-pixel)P。通常,每个透光开口所在处,可为每个像素电极120所在处或者是每个透光开口所在处,可为每个像素电极120与参考电极130所在处,但本发明不以此为限。在其他实施例中,多个子像素P也可由其他适当方法定义。本实施例的图2虽然以绘出单一个子像素P为范例说明,但本领域技术人员根据图2所绘的单一个子像素P及本说明书的描述应能实现具有多个子像素P的显示面板1000,于此便不再详述。
第一凸块P1及多个第二凸块P2设置于第一基板110的至少一个子像素P上。第一凸块P1与第二凸块P2彼此分离。多个第三凸块P3彼此分离且分别设置于多个第二凸块P2上,以形成多个复合凸块HP。于本实施例中,第一凸块P1位于相邻的两个复合凸块HP之间为范例,但不限于此。在本实施例中,第一凸块P1的高度(或称为厚度)H1与第二凸块P2的高度(或称为厚度)H2实质上可相等,第二凸块P2的高度(或称为厚度)H2可大于第三凸块P3的高度(或称为厚度)H3。于本实施例中,第三凸块P3的高度H3可大于或约等于第一凸块P1的高度H1和/或第二凸块P2的高度H2的40%(无单位)为范例,但不限于此。举例而言,第一凸块P1的高度H1和/或第二凸块P2的高度H2可大于或约等于5000埃第三凸块P3的高度H3可大于或约等于2000埃,但本发明不以此为限。在本实施例中,第一凸块P1、第二凸块P2及/或第三凸块P3可为单层或多层结构,且其材料可为透光介电材料,例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、有机材料(例如:光致抗蚀剂、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、苯丙环丁烯(benzocyclobutene,BCB)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、或其它合适的材料)、或其它合适的材料,但本发明不以此为限。
至少一第一电极E1设置于第一凸块P1上。多个第二电极E2分别设置于多个复合凸块HP上。在本实施例中,位于第一凸块P1上的第一电极E1可作为像素电极120,位于复合凸块HP上的第二电极E2可作为参考电极130,第一电极E1与第二电极E2之间的电压能在显示面板1000的内部空间形成电场,图1所示的虚线代表对应所述电场的电力线(例如:虚线),进而驱动显示介质300。此外,在本实施例中,第一电极E1与第二电极E2的高度差(例如:第一参考面F1与第二参考面F2的距离)可大于等于约2000埃,但本发明不以此为限。需对其进行说明是,本发明并不限制位于第一凸块P1上的第一电极E1一定是像素电极120,也不限制位于复合凸块HP上的第二电极E2一定是参考电极130;在其他实施例中,位于多个第一凸块P1上的多个第一电极E1也可能作为参考电极130、或者是多个第一电极E1一部分可为像素电极120与多个第一电极E1另一部分可为参考电极130;位于多个复合凸块HP上的多个第二电极E2也可能作为像素电极120、或者是多个第二电极E2一部分可为像素电极120与多个第二电极E2另一部分可为参考电极130,以下将于后续段落配合其它图示举例对其进行说明。
在本实施例中,第一凸块P1具有面向第二基板200的顶面S1、面向第一基板110的底面S2以及连接于第一凸块P1的顶面S1与底面S2之间的侧面S3,第一电极E1可设置在第一凸块P1的顶面S1上而未设置在第一凸块P1的侧面S3上。更进一步地说,第一凸块P1的顶面S1实质上可为平面,而设置在第一凸块P1的顶面S1上的第一电极E1实质上可为平面电极。第二电极E2具有离第一基板110最远的第一端点K1及离第一基板110最近的第二端点K2,第一参考面F1通过第一端点K1且与第一基板110实质上平行,第二参考面F2通过第二端点K2且与第一基板110实质上平行,而第一电极E1可位于第一参考面F1,但本发明不限于此。在其他实施例中,第一电极E1的位置也可在一定的范围内做适当的调整以下将于后续段落中配合其它附图举例对其进行说明。
在本实施例中,各复合凸块HP的第二凸块P2具有面向第二基板200的顶面S1、面向第一基板110的底面S2以及连接于第二凸块P2的顶面S1与底面S2之间的侧面S3,各复合凸块HP的第三凸块P3具有面向第二基板200的顶面S1、面向第一基板110的底面S2以及连接于第三凸块P3的顶面S1与底面S2之间的侧面S3,而各复合凸块HP的第三凸块P3的底面S2,例如:可直接配置(或称为接触)于第二凸块P2的顶面S1上。各第二电极E2覆盖复合凸块HP的第三凸块P3的顶面S1及侧面S3上,而未设置于复合凸块HP的第二凸块P2的侧面S3。更进一步地说,在本实施例中,第三凸块P3的顶面S1与侧面S3的剖面可近似于帽状或梯形的剖面形状,则覆盖于第三凸块P3的顶面S1与侧面S3的第二电极E2的剖面可近似于帽状或梯形的剖面形状;但本发明不以此为限,在其它实施例中,第二电极E2的剖面也可呈其它适合剖面形状。此外,在其它实施例中,第三凸块P3的剖面形状也可近于倒梯形、三角形、圆形、半圆形、半椭圆形、菱形或其他适合的剖面形状。
值得注意的是,通过上述的第一电极E1、第一凸块P1、第二电极E2及第二凸块P2的设置,像素电极120与参考电极130之间的电压在显示面板1000内部形成的电场具有高比例的横向分量,因此,显示面板1000能在低驱动电压下具有高穿透率。此外,像素电极120、在所述电场分布范围内的显示介质300以及参考电极130所形成的电容也不致于过大,而不易产生电阻电容负载(RC loading)过大的问题。以下利用图3至图5的多个实验例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图及图6~图9的所示的数据佐证的。
图3为一实验例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。图3的实验例的显示面板10-1与图1的显示面板1000的差异在于,实验例的显示面板10-1的第一电极E1及第二电极E2均未设置在凸块上而为平面电极。图3的实验例的显示面板10-1简称为平面电极(flatelectrode)型的显示面板。
图4为另一实验例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。图4的实验例的显示面板10-2与图1的显示面板1000的差异在于,实验例的显示面板10-2的各第一电极E1包括位于凸块P5的上下侧(或称为顶面与底面)两侧(或称为两面)的子电极E1-1及子电极E1-2,即凸块P5垂直堆迭于两个子电极E1-1与E1-2之间,实验例的显示面板10-2的各第二电极E2包括位于凸块P6的上下(或称为顶面与底面)两侧(或称为两面)的子电极E2-1及子电极E2-2即凸块P6垂直堆迭于两个电极E2-1与E2-2之间。图4的实验例的显示面板10-2简称为双层墙电极(dual layer wall electrode)型,即电极E1-1、电极E1-2、电极E2-1及电极E2-2的表面皆平行于第一基板110内表面的显示面板。
图5为又一实验例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。图5的实验例的显示面板10-3与图1的显示面板1000的差异在于,实验例的显示面板10-3的第一电极E1及第二电极E2均设置在复合凸块HP上。第一电极E1及第二电极E2的剖面均近似帽状。图5的实验例的显示面板10-3简称为帽状电极(cap electrode)型的显示面板。
图6示出本发明一实施例的显示面板及多个实验例的显示面板的单一个子像素的驱动电压与穿透率的关系,其中曲线L1代表图3的平面电极型显示面板10-1的单一个子像素的驱动电压与穿透率的关系,曲线L2代表图4的双层墙电极型显示面板10-2的单一个子像素的驱动电压与穿透率的关系,曲线L3代表图5的帽状电极型显示面板10-3的单一个子像素的驱动电压与穿透率的关系,而曲线L4代表本发明一实施例的显示面板1000的单一个子像素的驱动电压与穿透率的关系。任一显示面板的单一个子像素的饱和驱动电压是指使其穿透率达到峰值时像素电极120与参考电极130之间的电压,而测量穿透率所使用的光线波段是以可见光波段为范例,且穿透率为无单位。举例而言,如图6所示,图3的平面电极型显示面板10-1的单一个子像素的饱和驱动电压约22伏特(V),图4的双层墙电极型显示面板10-2的单一个子像素的饱和驱动电压约15伏特(V),图5的帽状电极型显示面板10-3的单一个子像素的饱和驱动电压约15伏特(V),而图1的本发明一实施例的显示面板1000的单一个子像素的饱和驱动电压约15伏特(V)。比较曲线L1~L4可知,本发明一实施例的显示面板1000中的单一个子像素的饱和驱动电压小于平面电极型显示面板10-1的单一个子像素的饱和驱动电压,且本发明一实施例的显示面板1000在低饱和驱动电压下所兼具的穿透率(例如:约27%)高于双层墙电极型显示面板10-2及帽状电极型显示面板10-3在低饱和驱动电压下所具有的穿透率(例如:约24%)。图6的数据可佐证,本发明一实施例的显示面板1000能在低饱和驱动电压下同时实现高穿透率。换言之,本实施例(例如:图1)的像素电极120与参考电极130之间的电压在显示面板1000内部形成的电场(或称为电力线,例如:图1所示的虚线)具有高比例的横向分量,且本实施例(例如:图1)的电场(或称为电力线,例如:图1所示的虚线)具有横向分量高于前述实验例(例如:图3、图4与图5)的电场(或称为电力线,例如:图3、图4与图5所示的虚线)。
图7示出图5的实验例的显示面板10-3的单一个子像素的各位置的穿透率,其中图7的区域R1对应图5的从左边算起第1个复合凸块HP所在的区域,图7的区域R2对应图5的从左边算起第1个复合凸块HP与第2个复合凸块HP之间的区域,图7的区域R3对应图5的从左边算起第2个复合凸块HP所在的区域,图7的区域R4对应图5的从左边算起第2个复合凸块HP与第3个复合凸块HP之间的区域,而图7的区域R5对应图5的从左边算起第3个复合凸块HP所在的区域。
图8示出图1的本发明一实施例的显示面板1000的单一个子像素的各位置的穿透率,其中图8的区域R1对应图1的从左边算起第1个复合凸块HP所在的区域,图8的区域R2对应图1的从左边算起第1个复合凸块HP与第一凸块P1之间的区域,图8的区域R3对应图1的第一凸块P1所在的区域,图8的区域R4对应图1的第一凸块P1至从左边算起第2个复合凸块HP之间的区域,而图8的区域R5对应图1的从左边算起第2个复合凸块HP所在的区域。
比较图7及图8可知,在相同的驱动电压下,显示面板1000在区域R1与区域R2的交界附近(即第二电极E2的边缘附近区域,图8虚框所指处)的穿透率(例如:约36%)大于实验例的显示面板10-3的对应区域的穿透率(例如:约34%,图7虚框所指处)。图7及图8的数据也可佐证本发明一实施例的显示面板1000利用第一电极E1、第一凸块P1、第二电极E2及第二凸块P2的设置,能在显示面板1000内部形成具有高比例的横向分量的电场,进而提升穿透率。其中,穿透率可为均一化穿透率且无单位,而测量穿透率所使用的光线波段是以可见光波段为范例。
图9示出本发明一实施例的显示面板及多个实验例的显示面板的单一个子像素的驱动电压与电容的关系,其中图9所载的电容是指像素电极120、在所述电场分布范围内的显示介质300以及参考电极130所形成的电容,曲线L1’代表图3的平面电极型显示面板10-1的单一个子像素的驱动电压与电容的关系,曲线L2’代表图4的双层墙电极型显示面板10-2的单一个子像素的驱动电压与电容的关系,曲线L3’代表图5的帽状电极型显示面板10-3的单一个子像素的驱动电压与电容的关系,而曲线L4’代表本发明一实施例的显示面板1000的单一个子像素的驱动电压与电容的关系。比较曲线L1’~L4’可知,实验例的显示面板10-1、10-2、10-3及本实施例的显示面板1000在各自的饱和驱动电压下分别具有电容约10500皮法(pF)、约13000皮法、约10000皮法及约10500皮法。由此可知,本发明一实施例的显示面板1000在低饱和驱动电压下其电容低于双层墙电极型显示面板10-2的电容,且与平面电极型显示面板10-1及帽状电极型显示面板10-3的电容相近。图9的数据可佐证,本发明一实施例的显示面板1000可兼具较低饱和驱动电压及较高穿透率,且较不易造成电阻电容负载(RC loading)过大的问题。
图10为本发明另一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。图10的显示面板1000A与图1的显示面板1000的差异在于,显示面板1000A的第一电极E1的位置与显示面板1000的第一电极E1的位置不同,其余不再赘言,可参阅前述的实施例。请参照图10,第二电极E2具有离第一基板110最远的第一端点K1及离第一基板110最近的第二端点K2,第一参考面F1通过第一端点K1且与第一基板110实质上平行,第二参考面F2通过第二端点K2且与第一基板110实质上平行,而显示面板1000A的第一电极E1位于第二参考面F2而非位于第一参考面F1。举例而言,第一电极E1顶面S1的高度实质上等于各第二电极E2顶面S1的高度,即各第二电极E2顶面S1与其所对应的复合凸块HP的总高度实质上等于第一电极E1顶面S1与其所对应的第一凸块P1的总高度。显示面板1000A也具有与前述显示面板1000类似的优点及技术效果,于此便不再重述。
图11为本发明又一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。图11的显示面板1000B与图1的显示面板1000的差异在于,显示面板1000B的第一电极E1的位置与显示面板1000的第一电极E1的位置不同,其余不再赘言,可参阅前述的实施例且可应用于前述所述的变形例。请参照图11,第二电极E2具有离第一基板110最远的第一端点K1及离第一基板110最近的第二端点K2,第一参考面F1通过第一端点K1且与第一基板110实质上平行,第二参考面F2通过第二端点K2且与第一基板110实质上平行,而显示面板1000B的第一电极E1位于第一参考面F1与第二参考面F2之间。举例而言,第一电极E1的高度实质上位于各复面凸块HP中第三凸块P3的顶面S1与底面S2的高度之间。显示面板1000B也具有与显示面板1000类似的优点及技术效果,于此便不再重述。
图12为本发明再一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。图12的显示面板1000C与图1的显示面板1000的差异在于,显示面板1000C还包括第四凸块P4及第三电极E3,其余不再赘言,可参阅前述的实施例且可应用于前述所述的变形例。第四凸块P4配置在第一电极E1上。第三电极E3配置于第四凸块P4上。更进一步地说,第四凸块P4具有与第一电极E1接触的底面S2、与第三电极E3接触的顶面S1以及分别连接于底面S2与顶面S1之间的侧面S3,而第一电极E1及第三电极E3未设置于第四凸块P4的侧面S3。更进一步地说,第四凸块P4的顶面S1实质上可为平面,而设置在第四凸块P4的顶面S1上的第三电极E3可为平面电极,但本发明不以此为限。举例而言,第四凸块P4的高度(或称为厚度)可实质上等于各第三凸块P3的高度(或称为厚度),但不限于此。在本实施例中,第三电极E3与第一电极E1可具有相同的电位,除了第一电极E1与第二电极E2之间的电压能驱动显示介质300外,第三电极E3与第二电极E2之间的电压也能驱动显示介质300,因此,显示面板1000C的穿透率能更进一步提升。于其它实施例中,第三电极E3与第一电极E1也可具有不同的电位,来调整显示面板1000C的穿透率。
图13为本发明一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。图13的显示面板1000D与图1的显示面板1000的差异在于,显示面板1000D的相邻的两个复合凸块HP之间设置有至少一个第一凸块P1的数量为至少两个以上(图13绘出两个第一凸块P1为示例),且相邻的两个复合凸块HP之间的多个第一凸块P1之间未设置任何复合凸块HP,其余不再赘言,可参阅前述的实施例且可应用于前述所述的变形例。在本实施例中,相邻的一个复合凸块HP与一个第一凸块P1之间的距离W1可小于相邻的两个第一凸块P1之间的距离W2,因此,显示面板1000D的单一子像素区中各区穿透率可更为一致或者变动较小。于其它实施例中,单一子像素区中,相邻的一个复合凸块HP与一个第一凸块P1之间的距离W1可实质上等于相邻的两个第一凸块P1之间的距离W2,但不限于此。此外,在本实施例中,至少一个第二电极E2及至少一个第一电极E1作为像素电极120,至少另一个第一电极E1及至少另一个第二电极E2作为参考电极130为范例,但不限于此。显示面板1000D也具有与显示面板1000类似的优点及技术效果,于此便不再重述。
图14为本发明另一实施例的显示面板的单一个子像素的剖面示意图。图14的显示面板1000E与图1的显示面板1000的差异在于,显示面板1000E的多个复合凸块HP包括多个复合凸块群GP,同一复合凸块群GP的多个复合凸块HP之间未设置第一凸块P1,而相邻的两个复合凸块群GP之间设置有第一凸块P1,其余不再赘言,可参阅前述的实施例且可应用于前述所述的变形例。在本实施例中,相邻的一个复合凸块HP与一个第一凸块P1之间的距离W3可小于相邻的两个复合凸块HP之间的距离W4,因此,显示面板1000E的每一子像素区各处的穿透率可更为一致或者变动较小。于其它实施例中,单一子像素区中相邻的一个复合凸块HP与一个第一凸块P1之间的距离W3可实质上等于相邻的两个复合凸块HP之间的距离W4,但不限于此。此外,在本实施例中,多个第二电极E2及至少一个第一电极E1作为像素电极120,另外的多个第二电极E2作为参考电极130为范例,但不限于此。显示面板1000E也具有与显示面板1000类似的优点及技术效果,于此便不再重述。再者,本发明的第二基板200也可选择性的包含如前述实施例所述的设计,例如:显示面板1000所述的实施例(例如:图1与图2)或前述其它显示面板所述的实施例。
综上所述,本发明一实施例的显示面板包括设置于第一基板的子像素上的第一凸块、多个第二凸块及多个第三凸块。第一凸块与第二凸块彼此分离。多个第三凸块彼此分离且分别设置于多个第二凸块上以形成多个复合凸块,而第一凸块位于相邻的两个复合凸块之间。显示面板还包括设置于第一凸块上的第一电极及设置于多个复合凸块上的多个第二电极。第一电极或多个第二电极其中一者电性连接于切换元件以作为像素电极。第一电极或多个第二电极其中另一者作为参考电极。通过上述的第一电极、第一凸块、第二电极及第二凸块的设置,像素电极与参考电极之间的电压在显示面板内部形成的电场具有高比例的横向分量,因此,显示面板能在低驱动电压下具有高穿透率。此外,显示面板也不易产生电阻电容负载过大的问题。
虽然本发明已以实施例公开如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中技术人员,在不脱离本发明的构思和范围内,当可作些许的变动与润饰,故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (16)
1.一种显示面板,包括:
一第一基板;
一第二基板,相对于该第一基板的设置;
一显示介质,设置于该第一基板与该第二基板之间,其中该显示介质根据电压的驱动具有光学等向性或光学异向性,该第一基板与该第二基板定义有多个子像素;
至少一个第一凸块及多个第二凸块,设置于该第一基板的所述子像素其中的至少一个上,且该至少一个第一凸块与所述第二凸块彼此分离;
多个第三凸块,彼此分离且分别设置于所述第二凸块上以形成多个复合凸块,而该至少一个第一凸块位于相邻的两个复合凸块之间;
至少一个第一电极,设置于该至少一个第一凸块上;
多个第二电极,分别设置于所述复合凸块上;以及
至少一个切换元件,设置于该第一基板的所述子像素的其中该至少一个上,且该至少一个第一电极或所述第二电极其中一者电性连接于该至少一个切换元件作为一像素电极,而该第一电极或所述第二电极其中另一者作为一参考电极。
2.如权利要求1所述的显示面板,其中各该复合凸块具有相堆迭的一第二凸块及一第三凸块,该第三凸块至少具有一顶面、一底面及至少一侧面,该至少一侧面连接该顶面与该底面,且各该第二电极覆盖该复合凸块的该第三凸块的该顶面及该侧面。
3.如权利要求2所述的显示面板,其中各该第二电极未设置于该复合凸块的该第二凸块的侧面上。
4.如权利要求1所述的显示面板,其中各该复合凸块包括相堆迭的一第二凸块及一第三凸块,而该第二凸块的高度大于该第三凸块的高度。
5.如权利要求1所述的显示面板,其中各该第二电极具有离该第一基板最远的一第一端点及离该第一基板最近的一第二端点,一第一参考面通过该第一端点且与该第一基板平行,一第二参考面通过该第二端点且与该第一基板平行,而该至少一个第一电极位于该第一参考面。
6.如权利要求1所述的显示面板,其中各该第二电极具有离该第一基板最远的一第一端点及离该第一基板最近的一第二端点,一第一参考面通过该第一端点且与该第一基板平行,一第二参考面通过该第二端点且与该第一基板平行,而该至少一个第一电极位于该第二参考面。
7.如权利要求1所述的显示面板,其中各该第二电极具有离该第一基板最远的一第一端点及离该第一基板最近的一第二端点,一第一参考面通过该第一端点且与该第一基板平行,一第二参考面通过该第二端点且与该第一基板平行,而该至少一个第一电极位于该第一参考面与该第二参考面之间。
8.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
至少一个第四凸块,配置于该至少一个第一电极上;以及
至少一个第三电极,配置于该至少一个第四凸块上。
9.如权利要求8所述的显示面板,其中该至少一个第四凸块具有与该至少一个第一电极接触的一底面、与该至少一个第三电极接触的一顶面以及分别连接于该底面与该顶面之间的至少一侧面,而该至少一个第一电极及该至少一个第三电极未设置于该至少一个该第四凸块的该至少一侧面。
10.如权利要求1所述的显示面板,其中该至少一个第一凸块的顶面实质上为平面。
11.如权利要求1所述的显示面板,其中该至少一个第一电极设置于该至少一个第一凸块的顶面上而未设置于该至少一个第一凸块的侧面上。
12.如权利要求1所述的显示面板,其中相邻的两复合凸块之间设置有该至少一个第一凸块的数量至少为两个以上,且所述第一凸块之间未设置任何复合凸块。
13.如权利要求1所述的显示面板,其中所述复合凸块包括多个复合凸块群,同一复合凸块群的所述复合凸块之间未设置该至少一个第一凸块,而相邻的两个复合凸块群之间设置有该至少一个第一凸块。
14.如权利要求1所述的显示面板,其中该参考电极为共同电极。
15.如权利要求1所述的显示面板,其中该参考电极为浮接电极。
16.如权利要求1所述的显示面板,其中该参考电极为可调整电位电极。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106112782A TWI618964B (zh) | 2017-04-17 | 2017-04-17 | 顯示面板 |
TW106112782 | 2017-04-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107121866A true CN107121866A (zh) | 2017-09-01 |
Family
ID=59731283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710575581.5A Pending CN107121866A (zh) | 2017-04-17 | 2017-07-14 | 显示面板 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107121866A (zh) |
TW (1) | TWI618964B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110109295A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-08-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蓝相液晶显示面板 |
CN110764321A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-02-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管像素电极层结构及显示面板 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI669557B (zh) * | 2018-05-31 | 2019-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構與顯示裝置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1527113A (zh) * | 2003-03-04 | 2004-09-08 | 友达光电股份有限公司 | 广视角液晶平面显示器 |
US20110141421A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Sang-Wook Lee | Liquid crystal display device |
CN102736329A (zh) * | 2011-04-05 | 2012-10-17 | 株式会社日立显示器 | 液晶显示装置 |
CN103728796A (zh) * | 2014-01-13 | 2014-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板和显示装置 |
CN104408214A (zh) * | 2014-05-31 | 2015-03-11 | 福州大学 | 共面转换蓝相液晶显示器件电极的3d制造方法 |
CN104536217A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-04-22 | 友达光电股份有限公司 | 蓝相液晶显示面板 |
CN105116639A (zh) * | 2015-09-17 | 2015-12-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 蓝相液晶显示器、蓝相液晶显示模组及其制作方法 |
CN105182636A (zh) * | 2015-10-20 | 2015-12-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蓝相液晶显示器、蓝相液晶显示模组及其制作方法 |
CN105676501A (zh) * | 2016-03-02 | 2016-06-15 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示面板 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8922739B2 (en) * | 2012-12-28 | 2014-12-30 | Au Optronics Corp. | Liquid crystal display with particular structure for the pixel electrode and the common electrode |
-
2017
- 2017-04-17 TW TW106112782A patent/TWI618964B/zh active
- 2017-07-14 CN CN201710575581.5A patent/CN107121866A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1527113A (zh) * | 2003-03-04 | 2004-09-08 | 友达光电股份有限公司 | 广视角液晶平面显示器 |
US20110141421A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Sang-Wook Lee | Liquid crystal display device |
CN102736329A (zh) * | 2011-04-05 | 2012-10-17 | 株式会社日立显示器 | 液晶显示装置 |
CN103728796A (zh) * | 2014-01-13 | 2014-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板和显示装置 |
CN104408214A (zh) * | 2014-05-31 | 2015-03-11 | 福州大学 | 共面转换蓝相液晶显示器件电极的3d制造方法 |
CN104536217A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-04-22 | 友达光电股份有限公司 | 蓝相液晶显示面板 |
CN105116639A (zh) * | 2015-09-17 | 2015-12-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 蓝相液晶显示器、蓝相液晶显示模组及其制作方法 |
CN105182636A (zh) * | 2015-10-20 | 2015-12-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蓝相液晶显示器、蓝相液晶显示模组及其制作方法 |
CN105676501A (zh) * | 2016-03-02 | 2016-06-15 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示面板 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110109295A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-08-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蓝相液晶显示面板 |
CN110109295B (zh) * | 2019-04-08 | 2022-01-04 | Tcl华星光电技术有限公司 | 蓝相液晶显示面板 |
CN110764321A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-02-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管像素电极层结构及显示面板 |
CN110764321B (zh) * | 2019-10-16 | 2022-08-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管像素电极层结构及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201839480A (zh) | 2018-11-01 |
TWI618964B (zh) | 2018-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103163703B (zh) | 液晶显示设备及其制造方法 | |
TWI383204B (zh) | 多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板及其製造方法 | |
US10078246B2 (en) | Display panel | |
US7973866B2 (en) | Liquid crystal display devices | |
CN103645589B (zh) | 显示装置、阵列基板及其制作方法 | |
US20150146125A1 (en) | Liquid crystal display panel, liquid crystal display apparatus, and thin film transistor array substrate | |
US20110221989A1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
US20100182558A1 (en) | Liquid crystal display panel | |
US10877327B2 (en) | Pixel structure | |
JP5728587B2 (ja) | 液晶駆動方法及び液晶表示装置 | |
CN101000441A (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法和具有该基板的液晶显示器 | |
TWI489184B (zh) | 液晶顯示面板 | |
CN107121866A (zh) | 显示面板 | |
TWI564616B (zh) | 顯示面板 | |
CN105974685B (zh) | 液晶显示面板 | |
CN103676265A (zh) | 横向电场型液晶显示装置 | |
CN101487957A (zh) | 液晶显示器 | |
CN100480795C (zh) | 液晶显示器面板、液晶显示器的阵列基板 | |
CN105143971A (zh) | 光学装置和具有它的显示装置 | |
TW201732404A (zh) | 液晶顯示面板 | |
CN102262322A (zh) | 液晶显示装置与液晶显示装置基板 | |
US6822716B2 (en) | In-plane switching liquid crystal display with an alignment free structure and method of using back exposure to form the same | |
CN107632478A (zh) | 曲面液晶显示面板 | |
US10001680B2 (en) | Liquid crystal display device | |
CN1664678A (zh) | 适用于广视角液晶显示器的像素结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170901 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |