CN107112441A - 制造用于有机发光元件的光提取基底的方法、用于有机发光元件的光提取基底及包括其的有机发光元件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种制造用于有机发光元件的光提取基底的方法、一种用于有机发光元件的光提取基底以及一种包括该光提取基底有机发光元件，具体地，涉及一种制造用于有机发光元件的光提取基底的方法、一种用于有机发光元件的光提取基底以及一种包括该光提取基底有机发光元件，所述方法能够改善有机发光元件的光提取效率，还能提高发光均匀性。为此，本发明提供一种制造用于有机发光元件的光提取基底的方法，所述方法包括：通过将大量的散射颗粒与无机粘合剂进行混合来制备混合物的混合物制备步骤；在基础基底上涂覆混合物的混合物涂覆步骤；通过在涂覆的混合物上涂覆无机材料来形成缓冲层的缓冲层形成步骤；对混合物和缓冲层进行烧制的烧制步骤；在烧制步骤中形成在混合物和缓冲层中的裂纹中形成由金属制成的第一电极的第一电极形成步骤；在第一电极上形成电连接到第一电极的第二电极的第二电极形成步骤。
Description
技术领域
本公开涉及一种制造用于有机发光器件或有机发光二极管(OLED)器件的光提取基底的方法、一种用于OLED器件的光提取基底以及一种包括该光提取基底的OLED器件。更具体地，本公开涉及一种制造用于OLED器件的光提取基底的方法、一种用于OLED器件的光提取基底以及一种包括该光提取基底的OLED器件，其中，不但改善了OLED器件的光提取效率而且改善了OLED器件的发光均匀性。
背景技术
通常，发光器件可以划分为具有由有机材料形成的发光层的有机发光二极管(OLED)器件和具有由无机材料形成的发光层的无机发光器件。在OLED器件中，OLED是基于经电子注入电极(阴极)注入的电子和经空穴注入电极(阳极)注入的空穴的复合在有机发光层中产生的激子的辐射衰减的自发光光源。OLED具有一系列的优点，诸如低电压驱动、自发射、宽视角、高分辨率、自然色彩再现性和快速响应时间。
近来，已经对OLED应用于便携式信息装置、照相机、时钟、手表、办公设备、用于车辆等的信息显示装置、电视(TV)、显示装置和照明系统等积极地进行了研究。
为了改善这种上述OLED器件的发光效率，有必要改善形成发光层的材料的发光效率或者光提取效率(即，由发光层产生的光被提取的效率)。
OLED器件的光提取效率取决于OLED层的折射率。在典型的OLED器件中，当由发光层产生的光束以大于临界角的角度出射时，该光束会在诸如用作阳极的透明电极层的较高折射率的层与诸如玻璃基底的较低折射率的层之间的界面处被全反射。这会因此降低光提取效率，从而降低了OLED器件的整体发光效率，这是有问题的。
更详细地进行描述，由OLED产生的光中的仅约20％从OLED器件发射而产生的光中的约80％由于波导效应和内部全反射而损失，波导效应源自于玻璃基底、阳极和有机发光层(由空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层组成)的折射率不同，内部全反射源自于玻璃基底和环境大气之间的折射率的差异。这里，内部有机发光层的折射率在1.7到1.8的范围，而通常用于阳极的氧化铟锡(ITO)的折射率为约1.9。由于这两个层具有范围为200nm到400nm的显著低的厚度，并且用于玻璃基底的玻璃的折射率为约1.5，从而在OLED器件内部形成平面波导。计算出由于上述原因在内部波导模式中损失的光的比率为约45％。另外，由于玻璃基底的折射率为约1.5，环境大气的折射率为1.0，所以当光从玻璃基底的内部射出时，入射角大于临界角的光束会被全反射并俘获在玻璃基底内部。被俘获的光的比率为约35％。因此，仅可以从OLED器件射出所产生的光的约20％。
为了克服这样的问题，已经积极研究了光提取层，通过光提取层可以提取否则将在内部波导模式中损失的光的80％。光提取层通常被分类为内部光提取层和外部光提取层。在外部光提取层的情况下，能够通过在基底的外表面上设置包括微透镜的膜来改善光提取效率，从各种形状中选择微透镜的形状。光提取效率的改善不明显依赖于微透镜的形状。另一方面，内部光提取层直接提取否则将在光波导模式中损失的光。因此，内部光提取层改善光提取效率的能力可以高于外部光提取层改善光提取效率的能力。
用于制造内部光提取层的常规工艺包括：将散射颗粒与使所述散射颗粒固定到基底上的无机粘合剂的溶胶进行混合；利用散射颗粒涂覆基底；并在基底上烧制散射颗粒。然而，由于在烧制操作期间粘合剂材料的溶胶的结晶造成体积收缩以及消除由基底和粘合剂材料之间的热膨胀系数(CTE)的差异造成的应力的工艺，在涂覆膜中可能形成细微裂纹。因为裂纹在减小了涂覆膜的键合力的同时增加了涂覆膜的表面粗糙度，所以必须利用平坦化层额外地对涂覆膜的顶表面进行涂覆，从而造成额外的工艺的成本，这是有问题的。
在大面积OLED器件的制造中，为了发光均匀性和启用低电压驱动的目的，除了主电极、阳极之外，辅助金属电极是必要的。在现有技术中，通过光刻图案化形成辅助电极。然而，当这种光刻工艺形成辅助电极时，加工的成本会显著增加，这是有问题的。另外，可以使用印刷法形成辅助电极。然而，当通过印刷法形成辅助电极时，辅助电极的最小线宽和高度会在从几十微米到几百微米的范围，使得会减小辅助电极的开口率。通过这种印刷法形成的辅助电极的电性能比通过沉积形成的辅助电极的电性能差。
[现有技术文件]
第1093259号韩国专利(2011年12月6日)
发明内容
技术问题
因此，已经考虑到现有技术中出现的上述问题而做出了本公开，本公开提出一种制造用于有机发光器件或有机发光二极管(OLED)器件的光提取基底的方法、一种用于OLED器件的光提取基底以及一种包括该光提取基底的OLED器件，其中，不但改善了OLED器件的光提取效率而且改善了OLED器件的发光均匀性。
技术方案
根据本公开的一方面，提供了一种制造用于OLED器件的光提取基底的方法。所述方法可以包括：通过将大量的散射颗粒与无机粘合剂进行混合来制备混合物；利用混合物涂覆基础基底；通过利用无机材料涂覆基础基底上的混合物来形成缓冲层；对混合物和缓冲层进行烧制；通过在烧制过程中形成在混合物和缓冲层中的裂纹中的金属来形成第一电极；在第一电极上形成第二电极以电连接到第一电极。
在制备混合物的步骤中使用的所述大量的散射颗粒可以是其折射率与无机粘合剂的折射率相差0.3或更大的颗粒。
在制备混合物的步骤中使用的所述大量的散射颗粒可以是从由SiO2、TiO2、ZnO和SnO2组成的候选组选择的一种金属氧化物或者两种或更多种金属氧化物的组合。
在制备混合物的步骤中，分别包括核和围绕核的壳的散射颗粒可以用作所述大量的散射颗粒或者用于形成所述大量的散射颗粒的部分，其中，壳的折射率不同于核的折射率。
在制备混合物的步骤中，分别包括中空的核的散射颗粒可以用作所述大量的散射颗粒或者用于形成所述大量的散射颗粒的部分。
形成缓冲层的无机材料可以是ZnO。
形成第一电极的步骤可以包括在裂纹内以及在缓冲层上沉积金属并且对缓冲层进行蚀刻。
所沉积的金属可以是从由Cu、Al和Ag组成的候选组选择的一种金属。
对混合物进行烧制可以在基质层内形成具有不规则形状的大量空隙。
根据本公开的另一方面，提供了一种用于OLED器件的光提取基底。所述光提取基底可以包括：基础基底；基质层，设置在基础基底上；大量的散射颗粒，分散在基质层内；第一电极，填充形成在基质层中的裂纹并且由金属形成；第二电极，设置在基质层和第一电极上。
所述大量的散射颗粒可以是其折射率与基质层的折射率相差0.3或更大的颗粒。
所述大量的散射颗粒的至少部分可以分别包括核和围绕核的壳，壳的折射率不同于核的折射率。
核可以是空隙。
所述光提取基底还可以包括设置在基质层内具有不规则形状的空隙。
裂纹可以设置在所述大量的散射颗粒之间或所述大量的散射颗粒中的几个散射颗粒的簇之间。
裂纹的至少部分可以将基础基底暴露于基质层的表面。
第二电极可以是用作OLED器件的主电极的透明电极，第一电极可以用作OLED器件的辅助电极，基质层和所述大量的散射颗粒可以用作OLED器件的内部光提取层。
根据本公开的另一方面，一种OLED可以包括在所产生的光出射所经的位置中的上述光提取基底。
有益效果
根据本公开，在用于形成基质层的混合物的收缩过程中，由于所述混合物和基础基底之间的热膨胀系数(CTE)的差异，使得在没有额外加工的情况下形成裂纹，通过控制所述裂纹的形状来形成随机网络结构，随后在所述裂纹中沉积金属，通过上述步骤来制造应当用作OLED器件的辅助电极的电极。当应用到OLED器件时，可以改善OLED器件的光提取效率和发光均匀性，并且可以使OLED器件能够以低电压进行操作。因此，本公开可应用于大面积OLED器件。
另外，根据本公开，通过填充在没有额外加工的情况下形成的裂纹来形成电极。与通过光刻来形成OLED器件的辅助电极的常规工艺相比，可以以简单的方式形成电极，从而降低OLED器件的制造成本。
此外，根据本公开，将应当用作OLED器件的透明电极的导电膜形成为覆盖形成在裂纹中的辅助电极的表面和基质层的表面。然后，可以使由于出现裂纹而粗糙度增加的基质层的表面平坦化。因此，这能够去除形成平坦化层的额外的工艺，从而降低OLED器件的制造成本。
另外，根据本公开，当通过填充形成在基质层中的裂纹来形成辅助电极时，增大了从基质层的内部侧向波导的光将到达由金属形成的辅助电极并从该辅助电极反射的可能性。因此，这能够干扰波导模式，从而导致光提取效率的改善。
附图说明
图1是示出根据示例性实施例的制造用于OLED器件的光提取基底的方法的工艺流程图。
图2至图8是顺序地示出根据示例性实施例的制造用于OLED器件的光提取基底的方法的示意性工艺图。
图9是示出包括根据示例性实施例制造的用于OLED器件的光提取基底的OLED器件的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述根据示例性实施例的制造用于有机发光器件或有机发光二极管(OLED)器件的光提取基底的方法、用于OLED器件的光提取基底以及包括光提取基底的OLED器件。
在以下描述中，在包括对已知功能和组件的详细描述可能使本公开的主题不清楚的情况下，这里将对其进行省略。
根据示例性实施例的制造用于有机发光器件或OLED器件的光提取基底的方法是这样一种制造光提取基底(图9中的100)的方法，其中，将光提取基底设置在由OLED器件(图9中的10)的OLED发射的光出射所经的路径上，以用作由OLED发射的光可以通过的路线，提高OLED器件10的光提取效率，并且保护OLED免受外部环境的影响。
如图1中示出的，根据示例性实施例的制造用于OLED器件的光提取基底的方法包括混合物制备步骤S1、混合物涂覆步骤S2、缓冲层形成步骤S3、烧制步骤S4、第一电极形成步骤S5和第二电极形成步骤S6。
首先，混合物制备步骤S1是制备应当形成OLED器件10的内部光提取层的混合物(图2中的120)的步骤。在混合物制备步骤S1中，通过将无机粘合剂(图2中的121)的溶胶与大量的散射颗粒(图2中的122)进行混合来制得混合物120。这里，在混合物制备步骤S1中使用的无机粘合剂121和散射颗粒122可以具有不同的折射率，使得混合物在用于OLED器件10的内部光提取层时改善OLED器件10的光提取效率。例如，在混合物制备步骤S1中，所使用的散射颗粒122的折射率可以与应当形成散射颗粒122的基质层(图5中的140)的无机粘合剂121的折射率相差0.3或更大。这里，在混合物制备步骤S1中，散射颗粒122可以是从由SiO2、TiO2、ZnO和SnO2组成的候选组选择的一种金属氧化物或者两种或更多种金属氧化物的组合。另外，在混合物制备步骤S1中，用作将要与无机粘合剂121混合的所述大量的散射颗粒122的大量的散射颗粒可以分别由核(图2中的123)和围绕核的壳(图2中的124)组成，壳的折射率不同于核的折射率。另外，在混合物制备步骤S1中，具有核-壳结构的散射颗粒可以用于形成将要与无机粘合剂121混合的所述大量的散射颗粒122的部分。在混合物制备步骤S1中使用的散射颗粒中，核123可以是中空部分。具体地，在混合物制备步骤S1中，可以使用从由单一材料形成的典型的单折射率的散射颗粒之中选择的单一类型的散射颗粒、核123的折射率与壳124的折射率不同的核-壳结构的散射颗粒以及核123为中空部分的核-壳结构的散射颗粒作为将要与无机粘合剂121混合的所述大量的散射颗粒122。可选择的，可以以预定比例混合所提到的多种颗粒中的两种或更多种颗料以将其用作将要与无机粘合剂121混合的所述大量的散射颗粒122。如上所述，能够具有各种组合的所述大量的散射颗粒122使从OLED发射的光沿各种的或复杂的路径散射，从而起到改善OLED器件10的光提取效率的功能。具体地，当散射颗粒122具有多折射率的核-壳结构时，核123和壳124的不同折射率还可以改善OLED器件10的用于提取从OLED发射的光的效率。
在随后的烧制步骤S4中，将混合物120形成为分散有大量的散射颗粒122的基质层(图5中的140)。这里，由于基础基底(图2中的110)和无机粘合剂121之间的热膨胀系数(CTE)的差异，导致在没有额外加工的情况下形成裂纹(图5中的141)。在根据示例性实施例的混合物制备步骤S1中，可以调整混合物120的组成和浓度以将裂纹141控制为具有随机的网络结构。例如，在混合物制备步骤S1中，包括SiO2的散射颗粒122可以以1.0M或更大的量来与包括TiO2的无机粘合剂121混合。
然后，如图2中示出的，混合物涂覆步骤S2是利用在混合物制备步骤S1中制得的混合物120涂覆基础基底110的顶表面的步骤。在混合物涂覆步骤S2中，可以将混合物120施用到基础基底110的顶表面直到厚度等于或高于散射颗粒122的厚度，使得基础基底110和无机粘合剂121之间的CTE的差异造成将要形成在基质层(图5中的140)中的裂纹(图5中的141)，其中，基质层通过在随后的混合物烧制步骤S4中对无机粘合剂121进行烧制来制得。当大量的散射颗粒122团簇成两层时，散射颗粒122的厚度包括所述簇的两层的总厚度。
换言之，有必要在混合物涂覆步骤S2中控制混合物的涂覆厚度，使得在没有额外加工的情况下由于烧制步骤S4中的烧制而能够在基质层140中形成裂纹141。为了控制在没有额外加工的情况下形成的裂纹的形状，有必要在混合物制备步骤S1中控制混合物120的组成和浓度。
另外，在混合物涂覆步骤S2中，通过湿法涂覆将混合物120施用到基础基底110，随后进行干燥。
当在OLED器件(图9中的10)中使用根据示例性实施例制造的光提取基底(图9中的100)时，涂覆有混合物120的基础基底110设置在OLED器件10的前部，即，由OLED产生的光与环境大气接触的位置，以在用作保护OLED免受外部环境影响的包封基底的同时允许光出射。基础基底110可以是具有优异的透光率和优异的机械性能的任意透明基底。例如，基础基底110可以由诸如可热固化或可紫外(UV)固化的有机膜的聚合材料形成。可选择的，基础基底110可以由诸如钠钙玻璃(SiO2-CaO-Na2O)或铝硅酸盐玻璃(SiO2-Al2O3-Na2O)的化学增强玻璃形成。当根据示例性实施例的包括光提取基底100的OLED器件10用于照明设备时，基础基底110可以由钠钙玻璃形成。基础基底110也可以是金属氧化物基底或金属氮化物基底。可选择的，根据示例性实施例的基础基底110可以是柔性基底，更具体地，可以是厚度为1.5mm或更小的薄玻璃片。可以使用熔融工艺或浮法工艺来制造所述薄玻璃片。
紧接着，如图3中示出的，缓冲层形成步骤S3是通过利用无机材料涂覆混合物120来形成缓冲层130的步骤，混合物120在混合物涂覆步骤S2中施用到基础基底110的顶表面。缓冲层130是将要在烧制步骤S4之后的第一电极形成步骤S5中被去除以形成第一电极(图7中的150)的层。对此，需要由在烧制步骤S4中能耐高温热处理并且在第一电极形成步骤S5中能被容易地蚀刻的无机材料来形成缓冲层130。因此，在缓冲层形成步骤S3中，诸如ZnO的无机材料可以用于缓冲层130。尽管在缓冲层形成步骤S3中可以利用ZnO通过干法涂覆或湿法涂覆对基础基底110进行涂覆，但考虑到成本和加工可以进行湿法涂覆，然后进行干燥。
然后，如图4中示出的，烧制步骤S4是将混合物120和缓冲层130进行烧制随后使其层叠在基础基底110上的步骤。另外，烧制步骤S4是通过对混合物120进行烧制而在基础基底110上形成分散有不同折射率的大量的散射颗粒122的基质层(图5中的140)的步骤。
在根据示例性实施例的混合物烧制步骤S4中，可以在400℃至800℃的温度下对混合物120进行烧制。当在该温度范围内对混合物120进行烧制时，在混合物120和缓冲层130的收缩过程中，由于基础基底110的CTE与混合物120的CTE和缓冲层130的CTE的不同，使得在基质层140中形成裂纹141，如图5中示出的。当在OLED器件(图9中的10)中使用根据示例性实施例制造的光提取基底(图9中的100)时，形成在基质层140中的裂纹141可以散射由OLED发射的光，即，用于使由OLED发射的光的路径进一步复杂化或多样化。另外，根据示例性实施例，裂纹141提供将要形成为用作OLED器件10的辅助电极的第一电极(图7中的150)的空间，稍后将对其进行更详细的描述。
裂纹141在从缓冲层130的表面朝向基础基底110的方向上形成。部分或全部的裂纹141可以形成为将基础基底110暴露于缓冲层130的表面。另外，裂纹141可以形成在大量的散射颗粒122之间或者形成在几个散射颗粒122的簇之间。另外，因为在混合物制备步骤S1中调整了混合物120的组成和浓度，因此可以使裂纹141形成为具有细线宽度的随机网络结构。
另外，在混合物烧制步骤S4中，当正在对混合物120进行烧制时，会在基质层140内形成具有不规则形状的大量空隙(未示出)。在根据示例性实施例制造的具有雾值60％的基质层140情况下，即，例如在基质层140中大量的具有核-壳结构的散射颗粒122分散在单一层中的情况下，在基质层140内形成的大量空隙(未示出)的面积可以在基质层140的面积的2.5％至10.8％的范围内。与散射颗粒122和裂纹141一样，所述大量的空隙(未示出)沿着各种路径散射由OLED发射的光，从而有助于改善OLED器件10的光提取效率。在这种情况下，光提取效率可以随着在基质层140内形成的大量的空隙(未示出)的面积的增加而增加。另外，在基质层140内形成的空隙(未示出)的增加可以使所使用的散射颗粒122的量减少与空隙的量相等的量，从而降低制造成本。
然后，如图6和图7中示出的，第一电极形成步骤S5是由裂纹141中的金属151形成第一电极150的步骤，其中，裂纹141在烧制步骤S4中对混合物120进行烧制的过程中形成在基质层140和缓冲层130中。在第一电极形成步骤S5中，首先在裂纹141内以及在缓冲层130上沉积金属151，以形成在制造OLED器件10的情况下将要用作大面积OLED器件10的辅助电极的第一电极150。金属151可以是从诸如Cu、Al和Ag组成的候选组选择的一种金属，其中，考虑到改善OLED器件10的光提取效率，可以使用具有高反射率的Ag或Al。尽管可以沉积诸如氧化铟锡(ITO)的导电金属氧化物来代替金属151，但是考虑到片电阻，可以使用金属材料。
随后，对缓冲层130进行蚀刻，尽管可以通过干法蚀刻和湿法蚀刻对缓冲层130进行蚀刻，但是在包括制造用于大面积OLED器件10的大面积光提取基底100的工艺的几个方面中，湿法蚀刻可能较容易。这里，可用于对缓冲层130进行湿法蚀刻的蚀刻溶液不能对金属151进行蚀刻或者相对于缓冲层130对金属151必须具有非常低的蚀刻率，使得可以执行选择性蚀刻。例如，在将ZnO用于缓冲层130而将Al用于金属层151的情况下，使用HNO3作为用于缓冲层130的蚀刻溶液能够实现对缓冲层130的选择性蚀刻。
当如上所述对缓冲层130进行蚀刻时，金属151的沉积在缓冲层130上的部分通过剥离被去除，而金属151的沉积在裂纹141内的其余部分可以以间隙填充的形式留存，从而形成第一电极150。根据示例性实施例，通过填充在没有额外加工的情况下形成的裂纹141来形成第一电极150。因此，与用于OLED器件的辅助电极的常规的光刻加工相比，这可以以简单的方式形成裂纹141，从而与常规工艺相比降低了OLED器件(图9中的10)的加工成本。另外，在通过填充裂纹141来形成第一电极150的情况下，在OLED器件10中使用根据示例性实施例制造的光提取基底100增大了从基质层140的内部侧向波导的光将到达第一电极150(由金属形成的辅助电极)并从第一电极150反射的概率。因此，这能够干扰波导模式，从而导致光提取效率的改善。
形成有随机网络结构的裂纹141具有100nm至300nm的微小的宽度以及仅在200nm至500nm之间的高度。包括裂纹141的基质层140是光学透明的并且裂纹的尺寸仅在几微米到几十微米之间。当通过填充裂纹141来形成第一电极150时，第一电极150的宽度仅为几微米至几十微米。即使在基质层140根据大型OLED器件10而具有大面积的情况下，也可以获得片电阻的均匀性。
之后，如图8中示出的，第二电极形成步骤S6是在第一电极150上形成第二电极160以电连接到第一电极150的步骤，第二电极160应当用作OLED器件10的主透明电极。在第二电极形成步骤S6中，可以通过沉积诸如ITO的导电金属氧化物或沉积诸如PEDOT:PSS的导电聚合物来形成第二电极160。在第二电极形成步骤S6中，将第二电极160形成为覆盖第一电极150和基质层140的表面。当以这种方式形成第二电极160时，可以使由于出现裂纹141而粗糙度增加的基质层140的表面平坦化。在现有技术中，为了与OLED器件的透明电极邻接的基质层的表面平坦化，在透明电极和基质层之间形成单独的平坦化层。相反，根据示例性实施例，第二电极160不仅用作OLED器件10的透明电极而且还用作现有技术中的平坦化层，使得可以省略额外的平坦化加工。根据示例性实施例，如上所述形成第二电极160可以简化加工并降低成本。
当完成如上所述的第二电极形成步骤S6时，制造了根据示例性实施例的用于OLED的光提取基底100。
如图9中示出的，通过上述工艺制造的光提取基底100设置在OLED器件10的一部分中以用作光学功能性基底，从而改善OLED器件10的光提取效率。这里，具有裂纹141的基质层140以及分散在基质层140内的大量散射颗粒122和大量空隙(未示出)形成了OLED器件10的内部光提取层。基于基质层140、散射颗粒122和空隙(未示出)的不同折射率，该内部光提取层可以提供复杂的散射结构，用于造成由有机发光层11发射的光剧烈散射以及光的散射路径多样化，从而显著地改善OLED器件10的光提取效率。另外，将通过填充具有随机网络结构的裂纹141而形成的第一电极150以及覆盖并电连接到第一电极150的第二电极160用作OLED器件10的辅助电极和主电极，从而提高大面积OLED器件10的发光均匀性，并允许OLED器件10以低电压进行操作。
另外，OLED器件10的OLED具有阳极、有机发光层11和第三电极13的多层机构，其中，第三电极13夹在根据示例性实施例的光提取基底100与面向光提取基底100以包封OLED的另一基底(未示出)之间。阳极(OLED器件10的主电极)是透明电极，根据示例性实施例的光提取基底100的第二电极160用作主电极。另外，第三电极13是OLED器件10的阴极。第三电极13可以是由具有小的功函数以便于电子注入的Al、Al:Li或Mg:Ag形成的金属薄膜。尽管没有具体示出，但是有机发光层11可以包括顺序地堆叠在第二电极160上的空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层。
根据这种结构，当在第二电极160和第三电极13之间产生正向电压，电子从第三电极13经电子注入层和电子传输层迁移到发射层，同时空穴从第二电极160经空穴注入层和空穴传输层迁移到发射层。已经迁移到发射层的电子和空穴彼此复合，从而产生激子。当这些激子从激发态跃迁到基态时，发射光。发射的光的亮度正比于在第二电极160和第三电极13之间流经的电流的量。
当OLED器件10是照明设备中使用的白色OLED器件时，有机发光层可以具有例如包括发射蓝色光的高分子发光层和发射橘红色光的低分子发光层的多层结构。另外，可以使用发射白光的各种其它结构。
根据示例性实施例，有机发光层11可以具有串联(tandem)结构。具体地，可以提供与互连层(未示出)交替的多个有机发光层11。
如以上阐述的，在根据示例性实施例制造用于OLED器件的光提取基底的方法中，以一系列的工艺来制造光提取基底100：在没有额外的加工的情况下，通过控制在形成基质层140的烧制操作中因混合物120的收缩而形成的裂纹141的形状来形成随机网络结构；随后在裂纹141中形成用作OLED器件的辅助电极的第一电极150。根据示例性实施例，可以通过比现有技术简单的工艺来制造光提取基底100，从而比现有技术降低工艺成本。
另外，当在OLED器件10中使用如上述制造的光提取基底100时，可改善OLED器件10的光提取效率和发光均匀性，并可使OLED器件10能够以低电压进行操作。因此，本公开可应用于大面积OLED器件10。
已经参照附图给出了对本公开的具体示例性实施例的上述描述。它们没有意图穷举或将本公开限制于所公开的具体形式，显然，根据以上教导，本领域普通技术人员可以进行许多修改和改变。
因此，本公开的范围不意图受限于上述实施例，而是意图受所附权利要求及其等同物的限制。
Claims (18)
1.一种制造用于有机发光器件的光提取基底的方法，所述方法包括以下步骤：
通过将大量的散射颗粒与无机粘合剂进行混合来制备混合物；
利用混合物涂覆基础基底；
通过利用无机材料涂覆基础基底上的混合物来形成缓冲层；
对混合物和缓冲层进行烧制；
通过在烧制过程中形成在混合物和缓冲层中的裂纹中的金属来形成第一电极；
在第一电极上形成第二电极以电连接到第一电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在制备混合物的步骤中使用的所述大量的散射颗粒包括其折射率与无机粘合剂的折射率相差0.3或更大的颗粒。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在制备混合物的步骤中使用的所述大量的散射颗粒包括从由SiO2、TiO2、ZnO和SnO2组成的候选组选择的一种金属氧化物或者两种或更多种金属氧化物的组合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在制备混合物的步骤中，分别包括核和围绕核的壳的散射颗粒用作所述大量的散射颗粒或者用于形成所述大量的散射颗粒的部分，其中，壳的折射率不同于核的折射率。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在制备混合物的步骤中，分别包括中空的核的散射颗粒用作所述大量的散射颗粒或者用于形成所述大量的散射颗粒的部分。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成缓冲层的无机材料包括ZnO。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一电极的步骤包括：
在裂纹内以及在缓冲层上沉积金属；
对缓冲层进行蚀刻。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所沉积的金属包括从由Cu、Al和Ag组成的候选组选择的一种金属。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，对混合物进行烧制在基质层内形成具有不规则形状的大量空隙。
10.一种用于有机发光器件的光提取基底，所述光提取基底包括：
基础基底；
基质层，设置在基础基底上；
大量的散射颗粒，分散在基质层内；
第一电极，填充形成在基质层中的裂纹并且由金属形成；
第二电极，设置在基质层和第一电极上。
11.根据权利要求10所述的光提取基底，其中，所述大量的散射颗粒包括其折射率与基质层的折射率相差0.3或更大的颗粒。
12.根据权利要求11所述的光提取基底，其中，所述大量的散射颗粒的至少部分分别包括核和围绕核的壳，壳的折射率不同于核的折射率。
13.根据权利要求12所述的光提取基底，其中，核包括空隙。
14.根据权利要求10所述的光提取基底，所述光提取基底还包括设置在基质层内具有不规则形状的空隙。
15.根据权利要求10所述的光提取基底，其中，裂纹设置在所述大量的散射颗粒之间或所述大量的散射颗粒中的几个散射颗粒的簇之间。
16.根据权利要求10所述的光提取基底，其中，裂纹的至少部分将基础基底暴露于基质层的表面。
17.根据权利要求10所述的光提取基底，其中，第二电极是用作有机发光器件的主电极的透明电极，第一电极用作有机发光器件的辅助电极，基质层和所述大量的散射颗粒用作有机发光器件的内部光提取层。
18.一种有机发光器件，所述有机发光器件包括在所产生的光出射所经的位置中的如权利要求10至权利要求17中的任意一个权利要求中所要求保护的光提取基底。
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