CN107112322B - 以减小电感的模式安排的金属-绝缘体-金属(mim)电容器以及相关方法 - Google Patents
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Abstract
公开了以减小电感的模式安排的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器以及相关方法。在一个方面，提供了采用串联耦合的MIM电容器的电路。这些MIM电容器被安排成一种模式，其中MIM电容器被放置成电磁毗邻至少两个MIM电容器，并且使得该MIM电容器的电流在与每个毗邻MIM电容器的电流流动的方向相反或基本上相反的方向上流动。在每个MIM电容器的金属连接处生成的磁场在每个电磁毗邻MIM电容器的磁场的相反方向上旋转，并由此较大比例的磁场相互抵消而非组合，从而相比于MIM的线性安排而言减小了等效串联电感(ESL)。
Description
优先权要求
本申请要求于2014年12月23日提交且题为“METAL-INSULATOR-METAL(MIM)CAPACITORS ARRANGED IN A PATTERN TO REDUCE INDUCTANCE,AND RELATED METHODS(以减小电感的模式安排的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器以及相关方法)”的美国专利申请S/N.14/580,900的优先权，其通过引用被整体纳入于此。
背景
I.公开领域
本公开的技术一般涉及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，尤其涉及在半导体管芯中提供MIM以在其中提供电容器。
II.背景技术
移动通信设备在当今社会已变得普及。移动计算设备的更加流行部分地由于此类设备的增加的功能性和多用途性而加速。具体地，移动计算设备的各种功能依赖于此类设备的众多射频(RF)能力来进行成功操作。因此，移动计算设备内实现此类RF能力的电路被设计成达成高质量操作是尤其重要的。
就此而言，为达成此类高质量操作，RF电路中所采用的电路元件的要求是根据更严格的标准来设计的。值得注意的是，电容器是在用于诸如滤波、调谐、以及信号稳定之类的操作的此类RF电路中常用的重要电路元件。这些电容器被设计成具有实现此类高质量操作的性质。作为非限定性示例，决定电容器的操作质量的性质包括电容水平(C)、效率(例如，Q因数)、线性度、以及等效串联电感(ESL，例如寄生电感)。具体而言，RF电路内采用的电容器的线性度(其中线性度是电容水平(C)如何相对于施加到电容器的电压量而变化的度量)在决定这些电容器的总体操作质量中起重要作用。
就此而言，在设计高质量电容器中可涉及改善电容器的线性度(例如，在所施加的电压电平改变时使电容水平(C)的变化最小化)。具体而言，金属-绝缘体-金属(MIM)电容器是可在要求高质量电容器的电路中采用的一种类型的电容器。示例性MIM电容器可通过在平行板类型结构中在基板上布置第一金属层、在第一金属层的顶部上布置介电层、以及在介电层的顶部上布置第二金属层来形成。
改善MIM电容器的线性度(例如，减小电容电压系数(VCC))的一种方式是改变MIM电容器内的介电层的性质。具体地，某些介电材料与更好的线性度相关联，并由此可在MIM电容器内采用以改善电容器的线性度。此外，MIM电容器内的介电层的厚度与MIM电容器的线性度逆相关。因此，MIM电容器的线性度还可以通过增大介电层的厚度来改善。然而，改变介电层的性质可能无法将MIM电容器的线性度改善至达成期望操作质量所需要的水平。因此，使用独立于介电层改变的技术来进一步改善MIM电容器的线性度将是有利的。
公开概述
详细描述中公开的诸方面包括以减小电感的模式安排的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。还公开了相关方法。改善电路内的电容器(包括MIM电容器)的线性度(例如，减小电容电压系数(VCC))的一种方式是将多个电容器串联耦合，而非采用单个电容器。具体地，与具有电容水平(C)的单个电容器相比，将多个电容器串联耦合改善了具有类似总电容水平(C)的串联耦合电容器的线性度。然而，串联耦合电容器与单个电容器相比具有更多数量的金属连接。此外，以此方式串联耦合的多个电容器在电路内通常被安排成线性模式。此类增加的金属连接与被安排成线性模式结合使串联耦合电容器与单个电容器的等效串联电感(ESL，例如寄生电感)相比具有更大的ESL。具体而言，更多数量的金属连接导致这些串联耦合的电容器在接收到等效电流之际生成比单个电容器更多的ESL。此类增加的ESL归因于响应于电流而在与电容器相关联的金属连接处生成的磁场。具体而言，串联耦合电容器的线性模式导致较大比例的磁场相互组合而非抵消，由此增大了ESL。
由此，为改善电路内的电容器的线性度同时限制或避免ESL的相应增大，在本文所公开的诸方面中，提供了采用串联耦合的MIM电容器的电容器电路(在本文中也被称为“电路”)。然而，并非在电路中将串联耦合MIM电容器安排成线性模式，此类MIM电容器以其中MIM电容器电磁毗邻至少两(2)个其他MIM电容器的模式来安排。更具体地，按该模式安排串联耦合MIM电容器涉及将MIM电容器置于电路中以使得流经MIM电容器的电流在与每个电磁毗邻MIM电容器的电流在其中流动的方向相反或基本上相反的方向上流动。换言之，在MIM电容器内流动的电流相比于每个电磁毗邻MIM电容器的电流而言在相反或基本上相反的方向上流动。关于每个串联耦合MIM电容器的金属连接生成的磁场在与关于每个电磁毗邻MIM电容器的金属连接生成的磁场的相反方向上旋转。由于电磁毗邻MIM电容器的磁场以此方式旋转，因此较大比例的磁场相互抵消而非组合，由此相比于在MIM的线性安排中生成的ESL而言减小了ESL。因此，按该模式安排串联耦合MIM电容器改善了电路内的电容器的线性度同时限制或避免了ESL的相应增大。
就此而言，在一个方面，提供了一种电容器电路。该电容器电路包括串联耦合且在电路中安排成一种模式的多个MIM电容器。该多个MIM电容器中的每个MIM电容器被配置成将电流定向在轴上的一个方向中，该方向与该多个MIM电容器中的每个电磁毗邻MIM电容器被配置成在该轴上定向电流的方向相反或基本上相反。MIM电容器电磁毗邻至少两(2)个MIM电容器。
在另一方面，提供了一种电容器电路。该电容器电路包括用于按一种模式在基板上安排串联耦合的多个MIM电容器的装置。该多个MIM电容器中的每个MIM电容器被配置成将电流定向在轴上的一个方向中，该方向与该多个MIM电容器中的每个电磁毗邻MIM电容器被配置成在该轴上定向电流的方向相反或基本上相反。MIM电容器电磁毗邻至少两(2)个MIM电容器。
在另一方面，提供了一种在电路中安排多个MIM电容器安排的方法。该方法包括按一种模式在基板上布置串联耦合的多个MIM电容器中的每个MIM电容器。该多个MIM电容器中的每个MIM电容器被配置成将电流定向在轴上的一个方向中，该方向与该多个MIM电容器中的每个电磁毗邻MIM电容器被配置成在该轴上定向电流的方向相反或基本上相反。MIM电容器电磁毗邻至少两(2)个MIM电容器。
附图简述
图1是根据现有技术的采用两(2)个串联耦合的示例性金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的示例性电容器电路的横截面图；
图2是根据现有技术的采用两(2)个串联耦合的垂直堆叠MIM电容器的示例性电容器电路的横截面图；
图3A是根据现有技术的采用四(4)个串联耦合的垂直堆叠MIM电容器的示例性电容器电路的横截面图；
图3B是根据现有技术的采用四(4)个串联耦合且安排成线性模式的垂直堆叠MIM电容器的示例性电容器电路的俯视图；
图4A是采用四(4)个串联耦合且安排成一种模式以减小由磁场引起的等效串联电感(ESL，例如寄生电感)的垂直堆叠MIM电容器的示例性电容器电路的俯视图，其中流过MIM电容器的电流在与每个电磁毗邻MIM电容器的电流在其中流动的方向相反或基本上相反的方向上流动；
图4B-4D是图4A中采用四(4)个串联耦合且安排成图4A中所解说的模式的垂直堆叠MIM电容器的电容器电路的横截面图；
图5是采用六(6)个串联耦合且安排成图4A中所解说的模式的垂直堆叠MIM电容器的示例性电容器电路的俯视图；
图6是采用八(8)个串联耦合且安排成图4A中所解说的模式的垂直堆叠MIM电容器的示例性电容器电路的俯视图；
图7是可用于按该模式分别安排图4、5或6中的四(4)、六(6)、或八(8)个垂直堆叠MIM电容器的示例性过程的流程图；
图8是采用六(6)个串联耦合且安排成替换模式的垂直堆叠MIM电容器的电容器电路的俯视图，其中流过MIM电容器的电流在与每个电磁毗邻MIM电容器的电流在其中流动的方向相反或基本上相反的方向上流动；
图9是用于按该替换模式安排图8中的六(6)个垂直堆叠MIM电容器的示例性过程的流程图；
图10是采用八(8)个串联耦合且安排成替换模式的垂直堆叠MIM电容器的示例性电容器电路的俯视图，其中流过MIM电容器的电流在与每个电磁毗邻MIM电容器的电流在其中流动的方向相反或基本上相反的方向上流动；
图11是用于按该替换模式安排图10中的八(8)个垂直堆叠MIM电容器的示例性过程的流程图；
图12A是在无核基板技术中采用四(4)个安排成一种模式以减小由磁场引起的ESL的垂直堆叠MIM电容器的示例性电容器电路的三维视图；
图12B是在无核基板技术中采用图12A中的四(4)个垂直堆叠MIM电容器的示例性电容器电路的俯视图；以及
图13是可包括图4A中采用四(4)个串联耦合且安排成一种模式以减小由磁场引起的ESL的垂直堆叠MIM电容器的电容器电路的示例性的基于处理器的系统的框图。
详细描述
现在参照附图，描述了本公开的若干示例性方面。措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何方面不必被解释为优于或胜过其他方面。
详细描述中公开的诸方面包括以减小电感的模式安排的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。还公开了相关方法。改善电路内的电容器(包括MIM电容器)的线性度(例如，减小电容电压系数(VCC))的一种方式是将多个电容器串联耦合，而非采用单个电容器。具体地，与具有电容水平(C)的单个电容器相比，将多个电容器串联耦合改善了具有类似总电容水平(C)的串联耦合电容器的线性度。然而，相比于单个电容器，串联耦合电容器具有更多数量的金属连接。此外，以此方式串联耦合的多个电容器在电路内通常被安排成线性模式。此类增加的金属连接与被安排成线性模式结合使串联耦合电容器与单个电容器的等效串联电感(ESL，例如寄生电感)相比具有更大的ESL。具体而言，更多数量的金属连接使串联耦合电容器在接收到等效电流之际生成比单个电容器更大的ESL。此类增大的ESL归因于响应于电流而在与电容器相关联的金属连接处生成的磁场。具体而言，串联耦合电容器的线性模式导致较大比例的磁场相互组合而非抵消，由此增大了ESL。
由此，为改善电路内的电容器的线性度同时限制或避免ESL的相应增大，在本文所公开的诸方面中，提供了采用串联耦合的MIM电容器的电容器电路(在本文中也被称为“电路”)。然而，并非在电路中将串联耦合MIM电容器安排成线性模式，此类MIM电容器以其中MIM电容器电磁毗邻至少两(2)个其他MIM电容器的模式来安排。更具体地，按该模式安排串联耦合MIM电容器涉及将MIM电容器置于电路中以使得流经MIM电容器的电流在与每个电磁毗邻MIM电容器的电流在其中流动的方向相反或基本上相反的方向上流动。换言之，在MIM电容器内流动的电流相比于每个电磁毗邻MIM电容器的电流而言在相反或基本上相反的方向上流动。关于串联耦合MIM电容器的金属连接生成的磁场在与关于每个电磁毗邻MIM电容器的金属连接生成的磁场的相反方向上旋转。由于电磁毗邻MIM电容器的磁场以此方式旋转，因此较大比例的磁场相互抵消而非组合，由此相比于在MIM的线性安排中生成的ESL而言减小了ESL。因此，按该模式安排串联耦合MIM电容器改善了电路内的电容器的线性度同时限制或避免了ESL的相应增大。
值得注意的是，如将要在本公开中通篇看到的，安排成正弦形模式的电磁毗邻的MIM电容器亦是物理毗邻的。然而，替换方面可包括安排成正弦形模式的电磁毗邻但不物理毗邻的MIM电容器。
在从图4A开始讨论安排成正弦形模式以减小电感的MIM电容器的具体细节之前，首先描述MIM电容器以及电路内的典型安排。就此而言，图1解说了根据现有技术的采用两(2)个串联耦合的MIM电容器102(1)、102(2)的示例性电路100的横截面图。MIM电容器102(1)包括布置在基板(未示出)上的第一金属层104。MIM电容器102(1)还包括布置在第一金属层104顶部上的介电层106、以及布置在介电层106的顶部上的第二金属层108(1)。以此方式，MIM电容器102(1)是使用第一金属层104、介电层106、以及第二金属层108(1)来形成的。由于MIM电容器102(1)的结构包括第一金属层104、介电层106、以及第二金属层108(1)，因此MIM电容器102(1)可被称为单层MIM电容器。此外，端口金属110(1)被布置在第二金属层108(1)的顶部上以提供第一端口112，第一端口112被配置成提供去往MIM电容器102(1)的电流(I)。
继续参照图1，MIM电容器102(2)是使用MIM电容器102(1)中采用的相同第一金属层104来形成的。MIM电容器102(2)还与MIM电容器102(1)共享布置在第一金属层104顶部上的介电层106。然而，MIM电容器102(2)包括布置在介电层106的顶部上的第二金属层108(2)，而不是与MIM电容器102(1)共享第二金属层108(1)。由此，MIM电容器102(2)是使用第一金属层104、介电层106、以及第二金属层108(2)来形成的，并因此也可被称为单层MIM电容器。此外，端口金属110(2)被布置在第二金属层108(2)的顶部上以提供第二端口114，第二端口114被配置成提供来自MIM电容器102(2)的电流(I)。值得注意的是，绝缘层115被布置在电路100中的各个位置，其中绝缘层115被配置成将MIM电容器102(1)、102(2)的特定层与其他电路元件分开。以此方式，通过共享第一金属层104同时分别采用分开的第二金属层108(1)和108(2)，MIM电容器102(1)、102(2)被相互串联耦合。串联耦合要求电流(I)流经MIM电容器102(1)、102(2)各自相应的每一层以从第一端口112穿越到第二端口114。通过串联耦合，与具有电容水平(C)的单个电容器相比，具有类似的总电容水平(C)的MIM电容器102(1)、102(2)的线性度可得到改善。
除了图1中的MIM电容器102(1)、102(2)之外，其他MIM电容器可采用替换结构，以达成改善的线性度同时达成减小的电路面积。就此而言，图2解说了根据现有技术的采用两(2)个串联耦合的垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(2)的示例性电路200的横截面图。值得注意的是，绝缘层203被布置在电路200中的各个位置，其中绝缘层203被配置成将MIM电容器202(1)、202(2)的特定层与其他电路元件分开。垂直堆叠MIM电容器202(1)包括布置在基板(未示出)上的第一金属层204(1)。垂直堆叠MIM电容器202(1)还包括布置在第一金属层204(1)的顶部上的第一介电层206(1)、以及布置在第一介电层206(1)的顶部上的第二金属层208(1)。此外，垂直堆叠MIM电容器202(1)包括布置在第二金属层208(1)的顶部上的第二介电层210(1)、以及布置在第二介电层210(1)的顶部上的第三金属层212(1)。由此，垂直堆叠MIM电容器202(1)是使用第一金属层204(1)、第一介电层206(1)、第二金属层208(1)、第二介电层210(1)、以及第三金属层212(1)来形成的。端口金属214(1)被布置在第三金属层212(1)的顶部上以提供第一端口216，第一端口216被配置成提供去往垂直堆叠MIM电容器202(1)的电流(I)。值得注意的是，通过以此方式垂直堆叠多个层，垂直堆叠MIM电容器201(1)实际上等效于两(2)个单层MIM电容器(诸如图1中的MIM电容器102(1)、102(2))，而仅需要约一(1)个单层MIM电容器的电路面积。
继续参照图2，垂直堆叠MIM电容器202(2)是使用垂直堆叠MIM电容器202(1)中采用的相同第一金属层204(1)来形成的。然而，垂直堆叠MIM电容器202(2)采用与垂直堆叠MIM电容器202(1)中的类似元件分开的第一介电层206(2)、第二金属层208(2)、第二介电层210(2)和第三金属层212(2)。端口金属214(2)被布置在第三金属层212(2)的顶部上以提供第二端口218，第二端口218被配置成提供来自垂直堆叠MIM电容器202(2)的电流(I)。类似于垂直堆叠MIM电容器202(1)，垂直堆叠MIM电容器202(2)实际上等效于两(2)个单层MIM电容器，而仅需要约一(1)个单层MIM电容器的电路面积。此外，通过共享第一金属层204(1)同时分别采用分开的第二金属层208(1)、208(2)和分开的第三金属层212(1)、212(2)，垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(2)被相互串联耦合。串联耦合要求电流(I)流经垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(2)各自相应的每一层以从第一端口216穿越到第二端口218。当如所描述地串联耦合时，垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(2)实际上等效于四(4)个单层MIM电容器，而仅使用约两(2)个单层MIM电容器的电路面积。由此，以此方式串联耦合具有总电容(C)的垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(2)可允许改善的线性度，而与具有类似总电容(C)的多个单层MIM电容器相比需要较少的电路面积。
尽管图2中的电路200采用两(2)个串联耦合的垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(2)，但其他电路可采用更多数量的垂直堆叠MIM电容器。就此而言，图3A解说了根据现有技术的采用四(4)个串联耦合的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)的示例性电容器电路300的横截面图。值得注意的是，垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(2)包括图2中的绝缘层203，第一金属层204(1)，第一介电层206(1)、206(2)，第二金属层208(1)、208(2)，第二介电层210(1)、210(2)，第三金属层212(1)、212(2)，以及端口金属214(1)、214(2)，并因此在此不再描述。然而，尽管电路300中的垂直堆叠MIM电容器202(1)包括图2中的第一端口216，但是垂直堆叠MIM电容器202(2)不包括第二端口218。相反，由于电路300采用串联耦合至垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(2)的垂直堆叠MIM电容器202(3)、202(4)，因此第二端口218’被包括在使用端口金属214(3)的垂直堆叠MIM电容器202(4)中。
就此而言，继续参照图3A，垂直堆叠MIM电容器202(3)包括布置在基板(未示出)上的第一金属层204(2)。垂直堆叠MIM电容器202(3)还包括布置在第一金属层204(2)的顶部上的第一介电层206(3)、以及布置在第一介电层206(3)的顶部上的第二金属层208(3)。此外，垂直堆叠MIM电容器202(3)包括布置在第二金属层208(3)的顶部上的第二介电层210(3)、以及布置在第二介电层210(3)的顶部上的第三金属层212(3)。由此，垂直堆叠MIM电容器202(3)是使用第一金属层204(2)、第一介电层206(3)、第二金属层208(3)、第二介电层210(3)、以及第三金属层212(3)来形成的。此外，端口金属214(2)被布置在第三金属层212(3)的顶部上，由此将垂直堆叠MIM电容器202(3)串联耦合至垂直堆叠MIM电容器202(2)。
继续参照图3A，垂直堆叠MIM电容器202(4)是使用垂直堆叠MIM电容器202(3)中采用的相同第一金属层204(2)来形成的。然而，垂直堆叠MIM电容器202(4)采用与垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(3)中的类似元件分开的第一介电层206(4)、第二金属层208(4)、第二介电层210(4)和第三金属层212(4)。端口金属214(3)被布置在第三金属层212(4)的顶部上以提供第二端口218’，第二端口218’被配置成提供来自垂直堆叠MIM电容器202(4)的电流(I)。类似于垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(2)，通过共享第一金属层204(2)同时分别采用分开的第二金属层208(3)、208(3)和分开的第三金属层212(3)、212(4)，垂直堆叠MIM电容器202(3)、202(4)被相互串联耦合。另外，由于垂直堆叠MIM电容器202(2)串联耦合至垂直堆叠MIM电容器202(3)，因此垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)被串联耦合。串联耦合要求电流(I)流经垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)各自相应的每一层以从第一端口216穿越到第二端口218’。
当多个垂直堆叠MIM电容器串联耦合时(如图3A中的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4))，此类电容器在电路内通常被安排成线性模式。就此而言，图3B是图3A中根据现有技术的采用安排成线性模式的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)的电容器电路300的俯视图。由于垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)串联耦合，因此电路300与采用具有与电路300的总电容水平(C)类似的电容水平(C)的单个电容器的电路相比包括增加的金属连接。此类增加的金属连接与被安排成图3B中所解说的线性模式相结合使电路300与具有单个电容器的电路的ESL(例如，寄生电感)相比具有更大的ESL。具体而言，更多数量的金属连接使垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)在接收到等效电流(I)之际生成比单个电容器更大的ESL。
就此而言，继续参照图3B，此类增大的ESL归因于在接收到电流(I)之际在与每个对应垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)相关联的金属连接处生成的磁场B(1)-B(4)。该线性模式导致较大比例的磁场B(1)-B(4)相互组合而非抵消，由此增大了ESL。具体而言，磁场B(1)、B(2)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(2)中生成并向彼此旋转(例如，磁场B(1)顺时针旋转，而磁场B(2)逆时针旋转)。由此，磁场B(1)、B(2)相组合，从而增大了点302处的ESL。相反，磁场B(2)、B(3)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(2)、202(3)中生成并彼此背离地旋转(例如，磁场B(2)逆时针旋转，而磁场B(3)顺时针旋转)。由此，磁场B(2)、B(3)相互抵消，从而减小了点304处的ESL。此外，类似于磁场B(1)、B(2)，磁场B(3)、B(4)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(3)、202(4)中生成并向彼此旋转(例如，磁场B(3)顺时针旋转，而磁场B(4)逆时针旋转)。由此，磁场B(3)、B(4)相组合，从而增大了点306处的ESL。由于ESL在两(2)个点302、306处增大，而仅在一(1)个点304处减小，因此电路300的总ESL因垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)的串联耦合与线性安排相结合而增大。因此，将垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)串联耦合以改善线性度同时限制或避免ESL的相应增大将是有利的。
就此而言，图4A解说了采用图3A中的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)的示例性电容器电路400A的俯视图。在此方面，垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)串联连接并且被安排成模式401以减小由磁场B(1)-B(4)引起的ESL(例如，寄生电感)。在此方面，模式401为正弦形模式。值得注意的是，在其他方面，垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)可串联耦合并且被安排成模式401并达成类似功能性。此外，垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)的横截面图400B、400C和400D分别在图4B、4C和4D中解说以提供与电流(I)的方向有关的澄清。具体而言，横截面图400B、400C和400D解说了如图3A中所描述的相同元件和串联连接，并且在此将不再重复描述。以此方式，每个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)被配置成将电流(I)定向在轴上的一个方向中，该方向与每个电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)被配置成在该轴上定向电流(I)的方向相反或基本上相反。在此方面，每个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)被配置成将电流(I)定向在纵轴上。然而，替换方面可被配置成将电流(I)定向在其他轴上。此外，垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)电磁毗邻至少两(2)个其他垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)。
继续参照图4A，为了在采用垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)的电容器电路400A中实现模式401，垂直堆叠MIM电容器202(1)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(2)、202(4)地布置在基板(未示出)上。类似地，垂直堆叠MIM电容器202(2)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(3)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(1)。垂直堆叠MIM电容器202(3)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(2)、202(4)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(2)。此外，垂直堆叠MIM电容器202(4)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(3)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(3)。
继续参照图4A，通过按如上所述的模式401安排垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)，归因于磁场B(1)-B(4)的ESL相比于作为图3B中的线性安排的结果而生成的类似ESL而言被减小。具体而言，模式401导致较大比例的磁场B(1)-B(4)相互抵消而非组合，由此在电路400A接收到电流(I)之际减小了ESL。具体而言，磁场B(1)、B(2)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(2)中生成并向彼此旋转(例如，磁场B(1)顺时针旋转，而磁场B(2)逆时针旋转)。由此，磁场B(1)、B(2)相组合，从而增大了点402处的ESL。相反，磁场B(2)、B(3)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(2)、202(3)中生成并彼此背离地旋转(例如，磁场B(2)逆时针旋转，而磁场B(3)顺时针旋转)。由此，磁场B(2)、B(3)相互抵消，从而减小了点404处的ESL。此外，磁场B(3)、B(4)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(3)、202(4)中生成并彼此背离地旋转(例如，磁场B(3)顺时针旋转，而磁场B(4)逆时针旋转)。由此，磁场B(3)、B(4)相互抵消，从而减小了点406处的ESL。另外，磁场B(1)、B(4)彼此背离地旋转。由此，磁场B(1)、B(4)相互抵消，从而减小了点408处的ESL。由于ESL在三(3)个点404、406和408处被减小，而仅在一(1)个点402处被增大，因此电路400A的总ESL因垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)的串联连接结合正弦形模式而减小。因此，将垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)串联连接改善了垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)的线性度，而相比于线性模式而言，模式401中的安排减少了ESL的相应增大。
值得注意的是，关于图4A描述的模式401可在采用任意偶数(N)个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(N)的电路中实现类似的ESL减小。例如，图5解说了采用六(6)个串联连接且安排成与图4A中的模式401类似的模式501(例如，正弦形模式)的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)的示例性电容器电路500的俯视图。垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)以与关于图4A中的电路400A描述的配置相同的配置被包括在电路500中，并且在此不再重复描述。以此方式，垂直堆叠MIM电容器202(5)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(4)、202(6)地布置在基板(未示出)上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(4)。另外，垂直堆叠MIM电容器202(6)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(3)、202(5)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(5)。使用此配置，第一端口216仍设在垂直堆叠MIM电容器202(1)中，但第二端口218”被设在垂直堆叠MIM电容器202(6)中。
继续参照图5，模式501导致较大比例的磁场B(1)-B(6)相互抵消而非组合。具体而言，除了先前在图4A中描述的磁场B(1)-B(4)的性质之外，磁场B(5)、B(6)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(5)、202(6)中生成并向彼此旋转。由此，磁场B(5)、B(6)相组合，从而增大了点502处的ESL。相反，磁场B(4)、B(5)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(4)、202(5)中生成并彼此背离地旋转。由此，磁场B(4)、B(5)相互抵消，从而减小了点504处的ESL。此外，类似于磁场B(4)、B(5)，磁场B(3)、B(6)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(3)、202(6)中生成并彼此背离地旋转。由此，磁场B(3)、B(6)相互抵消，从而减小了点506处的ESL。由于ESL在五(5)个点404、406、408、504和506处被减小，而仅在两(2)个点402、502处被增大，因此电路500的总ESL因垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)的串联连接结合模式501而减小。
除了图5中的电容器电路500之外，图6解说了采用八(8)个串联连接且安排成分别与图4A和5中的模式401和501类似的模式601(例如，正弦形模式)的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)的示例性电容器电路600的俯视图。垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)以与关于图5中的电路500描述的配置相同的配置被包括在电路600中，并且在此不再重复描述。以此方式，垂直堆叠MIM电容器202(7)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(6)、202(8)地布置在基板(未示出)上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(6)。另外，垂直堆叠MIM电容器202(8)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(5)、202(7)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(7)。使用此配置，第一端口216仍被设在垂直堆叠MIM电容器202(1)中，但第二端口218”’被设在垂直堆叠MIM电容器202(8)中。如先前所描述的，模式601可采用任意偶数(N)个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(N)，如电路600所述。
继续参照图6，模式601导致较大比例的磁场B(1)-B(8)相互抵消而非组合。具体而言，除了先前在图5中描述的磁场B(1)-B(6)的性质之外，磁场B(7)、B(8)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(7)、202(8)中生成并彼此背离地旋转。由此，磁场B(7)、B(8)相互抵消，从而减小了点602处的ESL。相反，磁场B(6)、B(7)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(6)、202(7)中生成并彼此背离地旋转。由此，磁场B(6)、B(7)相互抵消，从而减小了点604处的ESL。此外，磁场B(5)、B(8)在电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(5)、202(8)中生成并彼此背离地旋转。由此，磁场B(5)、B(8)相互抵消，从而减小了点606处的ESL。由于ESL在八(8)个点404、406、408、504、506、602、604和606处被减小，而仅在两(2)个点402、502处被增大，因此电路600的总ESL因垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)的串联连接结合模式601而减小。
就此而言，图7解说了示例性过程700的流程图，其可用于将图4A、5或6中的四(4)、六(6)或八(8)个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)分别安排成模式401、501和601。一般而言，过程700包括以一种模式在基板上布置串联连接的每个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)(框702)。为实现框702中的模式，每个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)被配置成将电流(I)定向在轴上的一个方向中，该方向与每个电磁毗邻的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)被配置成在该轴上定向电流(I)的方向相反或基本上相反。如先前所描述的，在本文所公开的诸方面中，在其中定向电流(I)的轴为纵轴。此外，在框702中，垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)被布置成电磁毗邻至少两(2)个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)。
继续参照图7，如先前所描述的，过程700可用于以模式401安排图3A中的四(4)个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)。为了提供清楚性，垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)在本文中也被分别称为第一MIM电容器202(1)、第二MIM电容器202(2)、第三MIM电容器202(3)和第四MIM电容器202(4)。以此方式，框702中的步骤包括在基板上布置第一MIM电容器202(1)(框704)。框702中的步骤进一步包括在基板上布置电磁毗邻第一MIM电容器202(1)的第二MIM电容器202(2)，其中第二MIM电容器202(2)串联连接至第一MIM电容器202(1)(框706)。框702中的步骤还包括在基板上布置电磁毗邻第二MIM电容器202(2)的第三MIM电容器202(3)，其中第三MIM电容器202(3)串联连接至第二MIM电容器202(2)(框708)。另外，框702中的步骤包括在基板上布置电磁毗邻第一MIM电容器202(1)和第三MIM电容器202(3)的第四MIM电容器202(4)，其中第四MIM电容器202(4)串联连接至第三MIM电容器202(3)(框710)。
继续参照图7，为了将图5中的六(6)个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)安排成模式501，框702中的布置步骤可包括除了垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)之外还布置垂直堆叠MIM电容器202(5)、202(6)。为了清楚起见，垂直堆叠MIM电容器202(5)、202(6)在本文中也被称为第五MIM电容器202(5)和第六MIM电容器202(6)。以此方式，框702中的步骤包括在基板上布置电磁毗邻第四MIM电容器202(4)的第五MIM电容器202(5)，其中第五MIM电容器202(5)串联连接至第四MIM电容器202(4)(框712)。此外，框702中的步骤包括在基板上布置电磁毗邻第三MIM电容器202(3)和第五MIM电容器202(5)的第六MIM电容器202(6)，其中第六MIM电容器202(6)串联连接至第五MIM电容器202(5)(框714)。
类似地，继续参照图7，为了将图6中的八(8)个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)安排成模式601，框702中的布置步骤可包括除了垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)之外还布置垂直堆叠MIM电容器202(7)、202(8)。为了清楚起见，垂直堆叠MIM电容器202(7)、202(8)在本文中也被称为第七MIM电容器202(7)和第八MIM电容器202(8)。以此方式，框702中的步骤包括在基板上布置电磁毗邻第六MIM电容器202(6)的第七MIM电容器202(7)，其中第七MIM电容器202(7)串联连接至第六MIM电容器202(6)(框716)。框702中的步骤还包括在基板上布置电磁毗邻第五MIM电容器202(5)和第七MIM电容器202(7)的第八MIM电容器202(8)，其中第八MIM电容器202(8)串联连接至第七MIM电容器202(7)(框718)。由此，过程700可用于将垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)的特定组合安排成模式401、501和601(例如，本文所公开的诸方面中的正弦形模式)以减小相应电路的总ESL。
除了图4-7中描述的模式401、501和601之外，垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)还可被安排成替换模式801，以实现ESL的类似减小。就此而言，图8解说了采用串联连接且安排成替换模式801的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)的电容器电路800的俯视图，其中模式801为替换正弦形模式。为实现电路800中的替换模式801，垂直堆叠MIM电容器202(1)被布置在基板(未示出)上。垂直堆叠MIM电容器202(2)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(3)和202(5)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(1)。此外，垂直堆叠MIM电容器202(3)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(2)、202(4)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(2)。类似地，垂直堆叠MIM电容器202(4)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(3)、202(5)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(3)。垂直堆叠MIM电容器202(5)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(2)、202(4)和202(6)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(4)。此外，垂直堆叠MIM电容器202(6)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(5)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(5)。使用此配置，第一端口216仍被设在垂直堆叠MIM电容器202(1)中，并且第二端口218”被设在垂直堆叠MIM电容器202(6)中。
继续参照图8，通过按如上所述的替换模式801安排垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)，归因于磁场B(1)-B(6)的ESL被减小。具体而言，替换模式801导致较大比例的磁场B(1)-B(6)相互抵消而非组合，由此在电路800接收到电流(I)之际减小了ESL。具体而言，类似于磁场B(1)-B(6)的先前描述，磁场B(1)-B(6)的旋转方向使点802、804处的相应磁场B(1)-B(6)相组合，从而增大了与点802、804相关联的ESL。相反，磁场B(1)-B(6)的旋转方向使磁场B(1)-B(6)在点806、808、810、812和814处相互抵消，从而减小了相关联的ESL水平。由于ESL在五(5)个点806、808、810、812和814处被减小，且仅在两(2)个点802、804处被增大，因此电路800的总ESL因垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)的串联连接结合替换模式801而减小。因此，将垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)串联连接改善了垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)的线性度，而替换模式801中的安排减少了在线性模式中原本会生成的ESL的相应增大。
就此而言，图9解说了示例性过程900的流程图，其可用于将图8中的六(6)个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)安排成替换模式801。具体地，过程900解说了可在图7中的框702中的布置步骤中采用的步骤。过程900包括在基板上布置第一MIM电容器202(1)(框902)。过程900进一步包括在基板上布置电磁毗邻第一MIM电容器202(1)的第二MIM电容器202(2)，其中第二MIM电容器202(2)串联连接至第一MIM电容器202(1)(框904)。另外，过程900包括在基板上布置电磁毗邻第二MIM电容器202(2)的第三MIM电容器202(3)，其中第三MIM电容器202(3)串联连接至第二MIM电容器202(2)(框906)。过程900还包括在基板上布置电磁毗邻第三MIM电容器202(3)的第四MIM电容器202(4)，其中第四MIM电容器202(4)串联连接至第三MIM电容器202(3)(框908)。过程900进一步包括在基板上布置电磁毗邻第二MIM电容器202(2)和第四MIM电容器202(4)的第五MIM电容器202(5)，其中第五MIM电容器202(5)串联连接至第四MIM电容器202(4)(框910)。最后，过程900包括在基板上布置电磁毗邻第一MIM电容器202(1)和第五MIM电容器202(5)的第六MIM电容器202(6)，其中第六MIM电容器202(6)串联连接至第五MIM电容器202(5)(框912)。以此方式，过程900可被用于将垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(6)安排成替换模式801，以减小相应电路的总ESL。
除了先前所描述的诸方面之外，图10解说了采用串联连接且安排成与图8中的替换模式801类似的替换模式1001的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)的电容器电路1000的俯视图。为实现电路1000中的替换模式1001，垂直堆叠MIM电容器202(1)被布置在基板(未示出)上。垂直堆叠MIM电容器202(2)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(3)和202(7)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(1)。垂直堆叠MIM电容器202(3)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(2)、202(4)和202(6)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(2)。此外，垂直堆叠MIM电容器202(4)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(3)、202(5)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(3)。
继续参照图10，垂直堆叠MIM电容器202(5)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(4)、202(6)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(4)。另外，垂直堆叠MIM电容器202(6)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(3)、202(5)、和202(7)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(5)。垂直堆叠MIM电容器202(7)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(2)、202(6)和202(8)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(6)。垂直堆叠MIM电容器202(8)被电磁毗邻于垂直堆叠MIM电容器202(1)、202(7)地布置在基板上，并且被串联连接至垂直堆叠MIM电容器202(7)。使用此配置，第一端口216被设在垂直堆叠MIM电容器202(1)中，并且第二端口218”’被设在垂直堆叠MIM电容器202(8)中。
继续参照图10，通过按如上所述的替换模式1001安排垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)，归因于磁场B(1)-B(8)的ESL被减小。具体而言，替换模式1001导致较大比例的磁场B(1)-B(8)相互抵消而非组合，由此在电路1000接收到电流(I)之际减小了ESL。具体而言，类似于对磁场B(1)-B(8)的先前描述，磁场B(1)-B(8)的旋转方向使点1002、1004和1006处的相应磁场B(1)-B(8)相组合，从而增大了与点1002、1004和1006相关联的ESL。相反，磁场B(1)-B(8)的旋转方向使磁场B(1)-B(8)在点1008、1010、1012、1014、1016、1018和1020处相互抵消，从而减小了相关联的ESL水平。由于ESL在以上列出的七(7)个点处被减小，且仅在以上列出的三(3)个点处被增大，因此电路1000的总ESL因垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)的串联连接结合替换模式1001而减小。因此，将垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)串联连接改善了垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)的线性度，而替换模式1001中的安排减少了在线性模式中原本会生成的ESL的相应增大。
就此而言，图11解说了示例性过程1100的流程图，其可用于将图10中的八(8)个垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)安排成图10中的替换模式1001。具体地，过程1100解说了可在图7中的框702中的布置步骤中采用的步骤。过程1100包括在基板上布置第一MIM电容器202(1)(框1102)。过程1100还包括在基板上布置电磁毗邻第一MIM电容器202(1)的第二MIM电容器202(2)，其中第二MIM电容器202(2)串联连接至第一MIM电容器202(1)(框1104)。此外，过程1100包括在基板上布置电磁毗邻第二MIM电容器202(2)的第三MIM电容器202(3)，其中第三MIM电容器202(3)串联连接至第二MIM电容器202(2)(框1106)。过程1100还包括在基板上布置电磁毗邻第三MIM电容器202(3)的第四MIM电容器202(4)，其中第四MIM电容器202(4)串联连接至第三MIM电容器202(3)(框1108)。
继续参照图11，过程1100进一步包括在基板上布置电磁毗邻第四MIM电容器202(4)的第五MIM电容器202(5)，其中第五MIM电容器202(5)串联连接至第四MIM电容器202(4)(框1110)。过程1100包括在基板上布置电磁毗邻第三MIM电容器202(3)和第五MIM电容器202(5)的第六MIM电容器202(6)，其中第六MIM电容器202(6)串联连接至第五MIM电容器202(5)(框1112)。此外，过程1100包括在基板上布置电磁毗邻第二MIM电容器202(2)和第六MIM电容器202(6)的第七MIM电容器202(7)，其中第七MIM电容器202(7)串联连接至第六MIM电容器202(6)(框1114)。另外，过程1100包括在基板上布置电磁毗邻第一MIM电容器202(1)和第七MIM电容器202(7)的第八MIM电容器202(8)，其中第八MIM电容器202(8)串联连接至第七MIM电容器202(7)(框1116)。以此方式，过程1100可被用于将垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)安排成替换模式1001，以减小相应电路的总ESL。
图4-11中公开的诸方面专注于在电平面技术中采用的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)的各种组合。然而，替换方面可包括在其他技术中采用的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)。就此而言，图12A解说了采用在无核基板技术中串联连接且安排成一种模式以减小ESL的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)的示例性电容器电路1200的三维视图。值得注意的是，垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)被安排成与先前在图4A中描述的模式401相同的模式，从而使电流(I)在纵轴上的相似方向上流动。以此方式，图12B解说了图12A中的电容器电路1200的俯视图。与图4A的先前描述类似，电路1200中的磁场B(1)-B(4)的旋转方向导致较大比例的磁场B(1)-B(4)相互抵消而非组合，由此在电路1200接收到电流(I)之际减小了ESL。具体而言，磁场B(1)-B(4)的旋转方向使点1202处的相应磁场B(1)-B(4)相组合，从而增大了与点1202相关联的ESL。相反，磁场B(1)-B(4)的旋转方向使磁场B(1)-B(4)在点1204、1206和1208处相互抵消，从而减小了相关联的ESL水平。由于ESL在三(3)个点处被减小且仅在一(1)个点处被增大，因此电路1200的总ESL因垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)的串联连接结合替换模式而减小。因此，以该模式在无核基板技术中采用垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(4)提供与在使用电平面技术时达成的ESL减小类似的ESL减小。
值得注意的是，本文中描述的诸方面采用了垂直堆叠MIM电容器。然而，其他方面可以在模式401、501、601和替换模式801、1001中采用其他类型的MIM电容器，以达成类似的ESL减小。具体地，作为非限定性示例，其他方面可以在模式401、501、601或替换模式801、1001中采用单层MIM电容器(与垂直堆叠MIM电容器形成对比)，并达成类似功能性。
根据本文中所公开的诸方面的安排成一种模式以减小电感的MIM电容器可设在或集成在任何基于处理器的设备中。不作为限定性的示例包括机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、以及便携式数字视频播放器。
就此而言，图13解说了基于处理器的系统1300的示例，其可采用图4、5、6、8、10、12A和12B中所解说的垂直堆叠MIM电容器202(1)-202(8)。在该示例中，基于处理器的系统1300包括一个或多个中央处理单元(CPU)1302，其各自包括一个或多个处理器1304。(诸)CPU 1302可具有耦合至(诸)处理器1304以用于对临时存储的数据进行快速访问的高速缓存存储器1306。(诸)CPU 1302被耦合至系统总线1308，且可交互耦合被包括在基于处理器的系统1300中的主设备和从设备。如众所周知的，(诸)CPU 1302通过在系统总线1308上交换地址、控制、以及数据信息来与这些其他设备通信。例如，(诸)CPU 1302可向作为从设备的示例的存储器控制器1310传达总线事务请求。尽管未在图13中解说，但可提供多个系统总线1308，其中每个系统总线1308构成不同的织构。
其他主设备和从设备可被连接到系统总线1308。如图13中解说的，作为示例，这些设备可包括存储器系统1312、一个或多个输入设备1314、一个或多个输出设备1316、一个或多个网络接口设备1318、以及一个或多个显示器控制器1320。(诸)输入设备1314可包括任何类型的输入设备，包括但不限于输入键、开关、语音处理器等。(诸)输出设备1316可包括任何类型的输出设备，包括但不限于音频、视频、其他视觉指示器等。(诸)网络接口设备1318可以是被配置成允许去往和来自网络1322的数据交换的任何设备。网络1322可以是任何类型的网络，包括但不限于：有线或无线网络、私有或公共网络、局域网(LAN)、广域网(WLAN)、以及因特网。(诸)网络接口设备1318可被配置成支持所期望的任何类型的通信协议。存储器系统1312可包括一个或多个存储器单元1324(1)-1324(N)。
(诸)CPU 1302还可被配置成在系统总线1308上访问(诸)显示器控制器1320以控制发送给一个或多个显示器1326的信息。(诸)显示器控制器1320经由一个或多个视频处理器1328向(诸)显示器1326发送要显示的信息，视频处理器1328将要显示的信息处理成适于(诸)显示器1326的格式。(诸)显示器1326可包括任何类型的显示器，包括但不限于：阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子显示器等。
本领域技术人员将进一步领会，结合本文所公开的诸方面描述的各种解说性逻辑块、模块、电路和算法可被实现为电子硬件、存储在存储器中或另一计算机可读介质中并由处理器或其它处理设备执行的指令、或这两者的组合。作为示例，本文描述的主设备和从设备可用在任何电路、硬件组件、集成电路(IC)、或IC芯片中。本文所公开的存储器可以是任何类型和大小的存储器，且可配置成存储所需的任何类型的信息。为清楚地解说这种可互换性，各种解说性组件、框、模块、电路和步骤在上文已经以其功能性的形式一般性地作了描述。此类功能性如何被实现取决于具体应用、设计选择、和/或加诸于整体系统上的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本公开的范围。
结合本文中公开的诸方面描述的各种解说性逻辑块、模块、以及电路可用设计成执行本文中描述的功能的处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、分立的门或晶体管逻辑、分立的硬件组件、或其任何组合来实现或执行。处理器可以是微处理器，但在替换方案中，处理器可以是任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可以被实现为计算设备的组合，例如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心协同的一个或多个微处理器、或任何其它此类配置。
本文所公开的各方面可被体现为硬件和存储在硬件中的指令，并且可驻留在例如随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或本领域中所知的任何其它形式的计算机可读介质中。示例性存储介质被耦合到处理器，以使得处理器能从/向该存储介质读取/写入信息。在替换方案中，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在ASIC中。ASIC可驻留在远程站中。在替换方案中，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在远程站、基站或服务器中。
还注意到，本文任何示例性方面中描述的操作步骤是为了提供示例和讨论而被描述的。所描述的操作可按除了所解说的顺序之外的众多不同顺序来执行。此外，在单个操作步骤中描述的操作实际上可在多个不同步骤中执行。另外，示例性方面中讨论的一个或多个操作步骤可被组合。应理解，如对本领域技术人员显而易见地，在流程图中解说的操作步骤可进行众多不同的修改。本领域技术人员还将理解，可使用各种不同技术和技艺中的任何一种来表示信息和信号。例如，贯穿上面说明始终可能被述及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、码元和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子、或其任何组合来表示。
提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员而言将容易是显而易见的，并且本文中所定义的普适原理可被应用到其他变型而不会脱离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最广义的范围。
Claims (22)
1.一种电路，包括：
串联耦合且安排成一种模式的多个金属-绝缘体-金属MIM电容器；
其中所述多个MIM电容器中的每个MIM电容器被配置成将电流定向在轴上的一个方向中，所述方向与所述多个MIM电容器中的每个电磁毗邻MIM电容器被配置成在所述轴上定向电流的方向相反或基本上相反；
其中所述多个MIM电容器中的每个MIM电容器电磁毗邻所述多个MIM电容器中的至少两(2)个MIM电容器；并且
其中所述多个MIM电容器包括：
所述多个MIM电容器中布置在基板上的第一MIM电容器；
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第一MIM电容器地布置在所述基板上的第二MIM电容器，其中所述第二MIM电容器串联连接至所述第一MIM电容器；
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第二MIM电容器地布置在所述基板上的第三MIM电容器，其中所述第三MIM电容器串联连接至所述第二MIM电容器；以及
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第一MIM电容器和所述第三MIM电容器地布置在所述基板上的第四MIM电容器，其中所述第四MIM电容器串联连接至所述第三MIM电容器。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述模式包括正弦形模式。
3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器包括偶数个MIM电容器。
4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器包括六(6)个MIM电容器。
5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器包括八(8)个MIM电容器。
6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器进一步包括：
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第四MIM电容器地布置在所述基板上的第五MIM电容器，其中所述第五MIM电容器串联连接至所述第四MIM电容器；以及
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第三MIM电容器和所述第五MIM电容器地布置在所述基板上的第六MIM电容器，其中所述第六MIM电容器串联连接至所述第五MIM电容器。
7.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器进一步包括：
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第六MIM电容器地布置在所述基板上的第七MIM电容器，其中所述第七MIM电容器串联连接至所述第六MIM电容器；以及
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第五MIM电容器和所述第七MIM电容器地布置在所述基板上的第八MIM电容器，其中所述第八MIM电容器串联连接至所述第七MIM电容器。
8.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器进一步包括：
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第一MIM电容器地布置在所述基板上的第五MIM电容器，其中所述第五MIM电容器串联连接至所述第一MIM电容器；以及
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第四MIM电容器和所述第五MIM电容器地布置在所述基板上的第六MIM电容器，其中所述第六MIM电容器串联连接至所述第四MIM电容器。
9.如权利要求8所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器进一步包括：
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第五MIM电容器地布置在所述基板上的第七MIM电容器，其中所述第七MIM电容器串联连接至所述第五MIM电容器；以及
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第六MIM电容器和所述第七MIM电容器地布置在所述基板上的第八MIM电容器，其中所述第八MIM电容器串联连接至所述第六MIM电容器。
10.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器中的每个MIM电容器包括单层MIM电容器，所述单层MIM电容器包括：
布置在基板的顶部上的第一金属层；
布置在所述第一金属层的顶部上的第一介电层；以及
布置在所述第一介电层的顶部上的第二金属层。
11.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器中的每个MIM电容器包括垂直堆叠MIM电容器，所述垂直堆叠MIM电容器包括：
布置在基板的顶部上的第一金属层；
布置在所述第一金属层的顶部上的第一介电层；
布置在所述第一介电层的顶部上的第二金属层；
布置在所述第二金属层的顶部上的第二介电层；
布置在所述第二介电层的顶部上的第三金属层；以及
端口，其包括耦合至所述第三金属层的第四金属层的分区。
12.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器采用电平面技术。
13.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个MIM电容器采用无核基板技术。
14.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路被集成到集成电路(IC)中。
15.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路被集成到选自包括以下各项的组的设备中：机顶盒；娱乐单元；导航设备；通信设备；固定位置数据单元；移动位置数据单元；移动电话；蜂窝电话；计算机；便携式计算机；台式计算机；个人数字助理(PDA)；监视器；计算机监视器；电视机；调谐器；无线电；卫星无线电；音乐播放器；数字音乐播放器；便携式音乐播放器；数字视频播放器；视频播放器；数字视频碟(DVD)播放器；以及便携式数字视频播放器。
16.一种电路，包括：
用于按一种模式在基板上安排串联耦合的多个金属-绝缘体-金属MIM电容器的装置；
其中所述多个MIM电容器中的每个MIM电容器被配置成将电流定向在轴上的一个方向中，所述方向与所述多个MIM电容器中的每个电磁毗邻MIM电容器被配置成在所述轴上定向电流的方向相反或基本上相反；
其中所述多个MIM电容器中的每个MIM电容器电磁毗邻所述多个MIM电容器中的至少两(2)个MIM电容器；并且
其中所述多个MIM电容器包括：
所述多个MIM电容器中布置在基板上的第一MIM电容器；
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第一MIM电容器地布置在所述基板上的第二MIM电容器，其中所述第二MIM电容器串联连接至所述第一MIM电容器；
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第二MIM电容器地布置在所述基板上的第三MIM电容器，其中所述第三MIM电容器串联连接至所述第二MIM电容器；以及
所述多个MIM电容器中电磁毗邻所述第一MIM电容器和所述第三MIM电容器地布置在所述基板上的第四MIM电容器，其中所述第四MIM电容器串联连接至所述第三MIM电容器。
17.一种在电路中安排多个金属-绝缘体-金属MIM电容器的方法，包括：
按一种模式在基板上布置串联耦合的多个MIM电容器中的每个MIM电容器；
其中所述多个MIM电容器中的每个MIM电容器被配置成将电流定向在轴上的一个方向中，所述方向与所述多个MIM电容器中的每个电磁毗邻MIM电容器被配置成在所述轴上定向电流的方向相反或基本上相反；
其中所述多个MIM电容器中的每个MIM电容器电磁毗邻所述多个MIM电容器中的至少两(2)个MIM电容器；并且
其中布置每个MIM电容器包括：
在所述基板上布置所述多个MIM电容器中的第一MIM电容器；
在所述基板上电磁毗邻所述第一MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第二MIM电容器，其中所述第二MIM电容器串联连接至所述第一MIM电容器；
在所述基板上电磁毗邻所述第二MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第三MIM电容器，其中所述第三MIM电容器串联连接至所述第二MIM电容器；以及
在所述基板上电磁毗邻所述第一MIM电容器和所述第三MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第四MIM电容器，其中所述第四MIM电容器串联连接至所述第三MIM电容器。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述模式包括正弦形模式。
19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，布置每个MIM电容器进一步包括：
在所述基板上电磁毗邻所述第四MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第五MIM电容器，其中所述第五MIM电容器串联连接至所述第四MIM电容器；以及
在所述基板上电磁毗邻所述第三MIM电容器和所述第五MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第六MIM电容器，其中所述第六MIM电容器串联连接至所述第五MIM电容器。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，布置每个MIM电容器进一步包括：
在所述基板上电磁毗邻所述第六MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第七MIM电容器，其中所述第七MIM电容器串联连接至所述第六MIM电容器；以及
在所述基板上电磁毗邻所述第五MIM电容器和所述第七MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第八MIM电容器，其中所述第八MIM电容器串联连接至所述第七MIM电容器。
21.如权利要求17所述的方法，其特征在于，布置每个MIM电容器进一步包括：
在所述基板上电磁毗邻所述第一MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第五MIM电容器，其中所述第五MIM电容器串联连接至所述第一MIM电容器；以及
在所述基板上电磁毗邻所述第四MIM电容器和所述第五MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第六MIM电容器，其中所述第六MIM电容器串联连接至所述第四MIM电容器。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，布置每个MIM电容器进一步包括：
在所述基板上电磁毗邻所述第五MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第七MIM电容器，其中所述第七MIM电容器串联连接至所述第五MIM电容器；以及
在所述基板上电磁毗邻所述第六MIM电容器和所述第七MIM电容器地布置所述多个MIM电容器中的第八MIM电容器，其中所述第八MIM电容器串联连接至所述第六MIM电容器。
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