CN107109218A

CN107109218A - 荧光体

Info

Publication number: CN107109218A
Application number: CN201680004613.XA
Authority: CN
Inventors: 伊东纯; 伊东纯一; 小泽行弘; 森崇好
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date: 2015-03-02
Filing date: 2016-02-10
Publication date: 2017-08-29
Anticipated expiration: 2036-02-10
Also published as: EP3266849B1; KR101948593B1; JP6693942B2; KR20170069259A; EP3266849A1; US20170335184A1; CN107109218B; WO2016140029A1; US10538679B2; EP3266849A4; JPWO2016140029A1

Abstract

本发明提供被宽频带的可见光激发、能够发出高强度的近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体，其特征在于，包含式(1)：MCuSi₂O₆(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相和式(2)：MCuSi₄O₁₀(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相，并且，在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中，MCuSi₄O₁₀的衍射峰强度相对于MCuSi₂O₆的衍射峰强度的比率β为0<β≤0.50。

Description

荧光体

技术领域

本发明涉及能够被可见光激发、发出近红外光的荧光体。

背景技术

使用分光测定装置进行物体的评价时，近红外区域的光由于因水分而导致的吸收少，因此使用近红外发光元件的近红外分光测定装置特别适于生物体、蔬菜和水果等包含较多水分的物体的评价。

另外，光学相干断层图像装置(OCT)由于使用近红外光，因此与通常的X射线断层摄像相比具有不仅生物体损伤性低、而且断层摄像图像的空间分辨率优异这样的特征。

另外，使用硅的太阳能电池、太阳光发电装置中，硅的近红外区域的光响应性最高，因此假设能够将可见光转化为近红外光，则能够进一步提高发电效率。

另一方面，如果使用能够发出近红外光的荧光体，则新的荧光涂料、荧光涂料印刷物的开发成为可能。例如，纸币等所利用的防伪印刷中，以往主要使用紫外线荧光颜料。如果能够将其置换为近红外荧光颜料，则虽然用肉眼不能感知，但通过使用了硅制、InGaAs制等的光电二极管的固体摄像元件、使用了光电倍增管的器材能够感知的新的防伪印刷成为可能。

这样，期待能够被可见光激发、发出近红外光的近红外发光荧光体能够用于今后各种各样的用途。

例如专利文献1(日本特开2008-185378号公报)中作为OCT装置中使用的红外玻璃荧光体公开了如下近红外发光荧光体，其含有包含Yb₂O₃及Nd₂O₃、进而包含Bi₂O₃及B₂O₃的玻璃且在蓝色光下激发。另外，专利文献2(日本特表2004-526330号公报)中公开了用掺杂了过渡金属离子的玻璃-陶瓷材料进行了近红外光激发的近红外发光体，还提出了向OCT装置的展开。

这些荧光体的一个优点是具有广的荧光光谱，但被激发的光谱窄这点是实用化时的问题。特别期望开发由可见光下的宽频带激发、并且具有广的荧光光谱的荧光体。

但是，以往以来已知的近红外发光荧光体少。例如专利文献1(日本特开2008-185378号公报)中公开了如下程度：作为OCT装置中使用的红外玻璃荧光体，公开了含有包含Yb₂O₃及Nd₂O₃、进而包含Bi₂O₃及B₂O₃的玻璃的红外玻璃荧光体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-185378号公报

专利文献2：日本特表2004-526330号公报

发明内容

发明要解决的问题

因此本发明的目的在于，提供能够被宽频带的可见光激发、以高强度发出近红外光的新的荧光体。

用于解决问题的方案

本发明提出了一种荧光体，其特征在于，包含式(1)：MCuSi₂O₆(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相和式(2)：MCuSi₄O₁₀(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相，并且在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中，MCuSi₄O₁₀的衍射峰强度相对于MCuSi₂O₆的衍射峰强度的比率β为0<β≤0.50。

发明的效果

本发明提出的荧光体能够被宽频带的可见光激发、以高强度发出近红外光。因此，如前所述，可以适合用作构成在近红外分光测定装置、光学相干断层图像装置(OCT)中所安装的发光元件的荧光体，进而也适合用作构成在太阳能电池、太阳光发电装置等中所安装的光接收元件的波长转换材料。另外，本发明提出的荧光体可以适合用作荧光涂料印刷物、具备近红外光发光的图像识别部的印刷物等中使用的荧光涂料所包含的荧光体。

附图说明

图1为示出实施例1中得到的荧光体(样品)的XRD图案的图。

图2为示出实施例2中得到的荧光体(样品)的XRD图案的图。

图3为示出比较例1中得到的荧光体(样品)的XRD图案的图。

图4为示出比较例2中得到的荧光体(样品)的XRD图案的图。

图5为示出比较例3中得到的荧光体(样品)的XRD图案的图。

图6为示出比较例4中得到的荧光体(样品)的XRD图案的图。

图7是以将纵轴的激发强度和荧光强度的最大值设为1并进行标准化时的相对值的形式，示出实施例1及比较例1的激发光谱和荧光光谱的图。

图8是以将纵轴的激发强度和荧光强度的最大值设为1并进行标准化时的相对值的形式，示出实施例1、实施例2及比较例4的激发光谱和荧光光谱的图。

图9是将实施例1、实施例2及比较例4的激发光谱强度和荧光光谱强度进行比较的图。

具体实施方式

接着，基于用于实施本发明的实施方案例对本发明进行说明。但是，本发明并不限定于以下说明的实施方式。

本实施方式的一个例子的荧光体(称为“本荧光体”)为一种荧光体，其至少包含式(1)：MCuSi₂O₆(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相(称为“MCuSi₂O₆晶相”)和式(2)：MCuSi₄O₁₀(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相(称为“MCuSi₄O₁₀晶相”)。

通过包含MCuSi₂O₆晶相和MCuSi₄O₁₀晶相，能够维持荧光光谱强度、并且扩大激发光谱的带宽。

本荧光体可以为包含多种晶相的多晶体，也可以为包含多种晶相的混合物。

需要说明的是，表现为MCuSi₂O₆晶相的情况下，作为该“晶相”，只要包含MCuSi₂O₆作为主成分，也可以包含其他成分例如通过XRD不能检测到存在于晶相中的成分。关于其他晶相也是同样的。

本荧光体中，优选MCuSi₂O₆晶相为主晶相。换言之，优选的是，在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中，源自MCuSi₂O₆的晶相的衍射峰强度大于源自其他任意晶相的衍射峰强度。

另外，本荧光体中，在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)对本荧光体进行测定而得到的XRD图案中，MCuSi₄O₁₀的衍射峰强度相对于MCuSi₂O₆的衍射峰强度的比率β为0<β≤0.50。

以所述范围包含MCuSi₂O₆及MCuSi₄O₁₀时，能够维持荧光光谱强度、并且扩大激发光谱的带宽。

从所述观点出发，MCuSi₄O₁₀的衍射峰强度相对于MCuSi₂O₆的衍射峰强度的比率β优选为0<β≤0.50，其中特别优选为0<β≤0.31，其中进一步优选为0<β≤0.10。

此时，不用化学分析、而是以XRD图案的各晶相的衍射峰强度表现各晶相的含量，是因为以化学分析表示各晶相的含量时，由例如焊剂等添加剂的配混量等而受到大幅影响、难以正确地表现本荧光体的特征，而另一方面，如果以XRD图案中的各晶相的衍射峰强度来表现，则能够抑制由添加剂的配混量导致的影响、能够更正确地表现本荧光体的特征。

本荧光体优选还包含SiO₂晶相。但是，本荧光体也可以不包含SiO₂晶相。

本荧光体包含SiO₂晶相的情况下，优选的是，在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)对本荧光体进行测定而得到的XRD图案中，SiO₂的衍射峰强度相对于MCuSi₂O₆的衍射峰强度的比率α为0<α<0.45。以所述范围包含SiO₂晶相时，能够防止激发光的散射、得到更高的荧光光谱强度。

从所述观点出发，SiO₂的衍射峰强度的比率α为0<α<0.45，其中优选为0.16<α，其中特别优选为α<0.35，其中进而特别优选为α<0.3，其中进一步优选为0.20<α或α<0.25。

需要说明的是，本荧光体可以包含BaSi₂O₅相，也可以不包含。是因为目前无法确认由含有BaSi₂O₅相带来的优点和缺点。

另外，优选式(1)：MCuSi₂O₆或式(2)：MCuSi₄O₁₀或这两式中的部分Cu被Mg或Zn或这两者置换。这是因为，通过部分Cu被Mg或Zn或这两者置换，能抑制由Cu的局部结构(CuO₄)阻碍发光这样的不良影响。进而，通过在结晶结构内形成MgO₄、ZnO₄，防止由相邻的CuO₄彼此带来的发光的自吸收、能够期待量子效率的改善。

本荧光体优选还包含选自由Li、Na、K、B、P、F、Cl、Br及I组成的组中的一种或二种以上元素。此时，这些元素的含量优选为0.005～3质量％，其中特别优选为0.008质量％以上或2质量％以下、其中特别优选为0.01质量％以上或1质量％以下。

若本荧光体包含这些元素，则结果能够提高发光峰强度。这些元素可以作为烧结助剂的一部分来添加。

本荧光体不足20质量％时，也可以包含除上述以外的元素成分。这可以认为是因为，为该程度的含量时，不影响本荧光体的特性。

本荧光体不限制于薄膜状、板状、颗粒状等这些形态。但是，从向所使用的发光元件安装装置、印刷物等的加工性的方面出发，优选为颗粒状。

<本荧光体的制造方法>

本荧光体可以通过以下制造方法来制造。但是，本荧光体的制造方法并不限定于以下说明的制造方法。

本荧光体可以通过如下得到：将式(1)：MCuSi₂O₆中的M元素原料、Cu原料和硅原料混合，根据需要添加焊剂(烧结助剂)，对该混合物进行焙烧。

此时，作为M元素原料，可列举出：M元素(Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上元素)的氧化物、碳酸盐、硝酸盐、乙酸盐等。

作为Cu原料，可列举出：Cu的氧化物、碳酸盐、硫酸盐、金属等。

作为硅原料，可列举出：硅的氧化物、碳化物、氮化物、硅等。

需要说明的是，从将Cu的氧化数保持为2价的观点出发，优选不添加还原剂。

M元素原料与Cu原料的配混比率(摩尔比)优选为1.5：1.0～0.8：1.0，其中特别优选为1.3：1.0～0.9：1.0、其中特别优选为1.2：1.0～1.0：1.0。另外，Cu原料与硅原料的配混比率(质量比率)优选为1.0：2.0～1.0：5.0，其中特别优选为1.0：3.0～1.0：4.5、其中特别优选为1.0：3.5～1.0：4.2。

通过配混焊剂(烧结助剂)，能够促进化学反应，能够减少未反应物。

作为焊剂(烧结助剂)，可列举出包含选自由例如Li、Na、K、B、P、F、Cl、Br及I组成的组中的一种或二种以上元素的焊剂(烧结助剂)。其中，特别优选Li、Na、K、B、F、Cl等。

焊剂(烧结助剂)的配混量(质量比率)相对于将M元素原料和Cu原料和硅原料混合而得到的总重量优选为0.1～15％、特别是1％以上或10％以下、其中尤其更进一步优选为2％以上或7％以下。

焙烧气氛只要不是还原气氛，可以采用适宜气氛。例如可以采用非活性气体气氛、空气气氛、氧化性气氛等。

焙烧温度为700～1100℃即可。这是因为不足700℃时，反应难以进行，而另一方面为1100℃以上时将可能会熔化。

另外，可以反复进行多次焙烧。即，例如第1次焙烧是在700～900℃的温度范围进行，将所得焙烧粉粉碎后，也可以在800～1100℃的温度范围进行第2次焙烧。

进而，也可以在第1次焙烧后，用水、盐酸等酸性溶液将焙烧粉清洗，然后进行第2次焙烧。通过这样，能够调整为更适于各焙烧阶段的烧结助剂的配混量，作为最终制品的本荧光体中所含的Li、Na、K、B、P、F、Cl、Br及I的元素量也变得容易控制在进一步最佳的范围。

<本荧光体的特征>

本荧光体能够被可见光激发而发出近红外光。即，本荧光体具有在可见光区域(380nm～750nm)具有激发光谱，并且在近红外区域(750nm～2500nm)具有发光峰这样的特征。

另外，作为本荧光体的特征之一，可列举出激发带广这点。例如，可以将最大激发强度的80％以上的激发带宽度设为90nm以上、更优选设为100nm以上、更进一步优选设为150nm以上。

另外，本荧光体具有如下特征：通过含有MCuSi₄O₁₀所示的晶相、SiO₂所示的方石英、鳞石英、石英等晶相从而能够进一步提高近红外区域的发光强度。

<用途>

本荧光体例如可以如下使用：将有机系树脂、无机填料例如玻璃颗粒、金属氧化物等、根据需要进而与溶剂、分散剂等一起混合，以液状组合物的方式进行涂布成形，然后经干燥和/或固化等进行固态化，以荧光体组合物层或荧光体组合物填充物等形态使用。

本荧光体由于能够被可见光激发、发出近红外光，因此能够用于近红外发光元件，使用该近红外发光元件，可以适当地用作构成在近红外分光测定装置、光学相干断层图像装置(OCT)等发光元件安装装置中所安装的发光元件的荧光体；用作构成在太阳光发电装置等光接收元件安装装置中所安装的光接收元件的波长转换材料；以及用作荧光涂料印刷物、具备近红外光发光的图像识别部的印刷物等中使用的荧光涂料所包含的荧光体。

在分光测定装置中使用包含本荧光体的近红外发光元件(称为“本近红外发光元件”)时，可以用于生物体、蔬菜和水果等的评价装置。

在分光测定装置中，本荧光体是作为近红外光源的波长转换材料而安装的。

另外，在太阳光发电装置中使用包含本荧光体的光接收元件时，能够将太阳光的可见光成分转换为近红外光，因此能够更进一步提高发电效率。

在太阳光分光测定装置中，可以安装本荧光体作为受光侧的波长转换材料。特别是已知使用了硅制光电二极管的光接收元件在近红外光的800～1000nm的波长带宽具有高的光谱灵敏度，与作为本荧光体的近红外发光的峰波长带宽的900～950nm的匹配性优异，作为波长转换材料是适当的。

需要说明的是，本荧光体即使将电子射线、X射线等作为激发源，也能放射出近红外光，因此例如将X射线用于激发源时，也可以作为闪烁材料在医疗、安全用的X射线诊断装置等中应用。

另外，使用本荧光体制作荧光涂料时，能够制作例如纸币等中所利用的防伪印刷中使用的荧光涂料印刷物，能够进行虽然用肉眼不能感知但通过使用了硅制、InGaAs制等的光电二极管的固体摄像元件、使用了光电倍增管的器材能够感知的新的防伪印刷。

所述荧光涂料在本荧光体的基础上将透明的树脂成分作为基质，与无机成分、有机成分的流动调整材料、有机溶剂等混合，调合成墨、糊。作为树脂成分，可列举出：环氧树脂、酚醛树脂、有机硅树脂、丙烯酸类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯等。此外，根据需要也可以混合作为光散射成分的玻璃颗粒等。

<语句的说明>

本说明书中，表现为“X～Y”(X、Y为任意的数字)时，只要没有特别说明，就与“X以上且Y以下”的含义一起，也包含“优选大于X”或“优选小于Y”的含义。

另外，表现为“X以上”(X为任意的数字)或“Y以下”(Y为任意的数字)的情况下，也包含“优选大于X”或“优选为不足Y”的意图。

[实施例]

以下，基于下述实施例及比较例更详细地说明本发明。

<XRD测定>

将实施例及比较例中得到的荧光体(样品)制成粉末X射线衍射测定(XRD)用的样品，将该样品安装于保持件(holder)，使用MXP18(Bruker AXS K.K.制)，在下述条件下对衍射线的角度和强度进行测定，得到XRD图案。

(灯管)CuKα射线

(管电压)40kV

(管电流)150mA

(采样间隔)0.02°

(扫描速度)4.0°/分钟

(开始角度)5.02°

(结束角度)80°

<荧光特性测定>

将实施例及比较例中得到的荧光体(样品)制成发光特性测定用的样品，使用荧光分光光度计(日本分光株式会社制FP-8600)，在激发侧和荧光侧的带宽度均为10nm、扫描速度1000nm/分钟的条件下，对激发光谱及荧光光谱进行测定。

用以下基准对激发光谱进行评价。

A：最大激发强度的80％以上的激发带宽度为120nm以上

B：最大激发强度的80％以上的激发带宽度为90nm以上

C：最大激发强度的80％以上的激发带宽度不足90nm

用以下基准对激发波长(620nm、570nm、520nm)下的荧光光谱进行评价。

A：峰强度为4000计数以上

B：峰强度为3000计数以上且不足4000计数

C：峰强度为不足3000计数

(综合评价)

用以下基准对前述4个评价项目，即评价激发光谱的激发带宽度及各激发波长(620nm、570nm、520nm)下的荧光光谱的峰强度进行评价。

AA：4个评价项目全部为A

A：4个评价项目为A或B、且A为2个以上

B：4个评价项目为A或B、且A为1个以下

C：4个评价项目中C为1个以上

(实施例1)

将BaCO₃、CuO及SiO₂以摩尔比计成为1：1：3.5的方式混合，进而以相对于前述混合物成为3质量％的量的加入BaCl₂作为焊剂并进行混合。将该混合物放入氧化铝坩埚中，在空气中进行1000℃×24小时焙烧，得到荧光体(样品)。

将所得荧光体(样品)的XRD图案示于图1。

所得荧光体(样品)是以BaCuSi₂O₆相为主晶相，含有SiO₂相、微量的BaCuSi₄O₁₀相和BaSi₂O₅相的化合物。

该化合物中所含的Cl量通过荧光X射线测定为0.02质量％。

(实施例2)

将BaCO₃、CuO及SiO₂以摩尔比计成为1：1：4的方式混合，进而以相对于前述混合物成为3质量％的量加入BaCl₂作为焊剂并进行混合。将该混合物放入氧化铝坩埚中，在空气中进行1000℃×24小时焙烧，得到荧光体(样品)。

将所得荧光体(样品)的XRD图案示于图2。

所得荧光体(样品)是以BaCuSi₂O₆相为主晶相，含有SiO₂相、BaCuSi₄O₁₀相、BaSi₂O₅相的化合物。

该化合物中所含的Cl量通过荧光X射线测定为0.01质量％。

(比较例1)

使BaCO₃、CuO及SiO₂以摩尔比计成为1：1：4的方式进行称量，在丙酮中进行湿式混合。

将该混合物放入氧化铝坩埚中，在空气中进行960℃×16小时焙烧，得到荧光体(样品)。

将所得荧光体(样品)的XRD图案示于图3。

所得荧光体(样品)为BaCuSi₄O₁₀的单相。

对于该荧光体(样品)中的Cl等卤素元素、Na等碱金属、P的含量，通过荧光X射线测定均不足0.005质量％。

(比较例2)

使BaCO₃、CuO及SiO₂以摩尔比计成为1：1：2的方式混合，将该混合物放入氧化铝坩埚中，在空气中进行1000℃×24小时焙烧，得到荧光体(样品)。

将所得荧光体(样品)的XRD图案示于图4。

所得荧光体(样品)为以BaCuSi₂O₆相为主晶相，含有微量的BaSi₂O₅相的化合物。

对于该化合物中所含的Cl等卤素元素、Na等碱金属、P的含量，通过荧光X射线测定均不足0.005质量％。

(比较例3)

使BaCO₃、CuO及SiO₂以摩尔比计成为1：1：3的方式进行混合，将该混合物放入氧化铝坩埚中，在空气中进行1000℃×24小时焙烧，得到荧光体(样品)。

将所得荧光体(样品)的XRD图案示于图5。

所得荧光体(样品)是以SiO₂相为主晶相，含有BaCuSi₂O₆相、微量的BaSi₂O₅相的化合物。

(比较例4)

使BaCO₃、Cu₂CO₃·(OH)₂·H₂O及SiO₂以摩尔比计成为1：0.5：4的方式进行混合，在乙醇中进行湿式混合。将该混合物放入氧化铝坩埚中，在空气中进行1100℃×24小时焙烧，得到荧光体(样品)。

将所得荧光体(样品)的XRD图案示于图6。

所得荧光体(样品)是以BaCuSi₄O₁₀相和BaCuSi₂O₆相为主要的晶相且含有SiO₂相、BaSi₂O₅相的化合物。

[表1]

(考察)

图7是以将纵轴的激发强度和荧光强度的最大值设为1并进行标准化时的相对值的形式，示出实施例1、比较例1的激发光谱和荧光光谱的图。

若着眼于激发光谱，则实施例1的波长依赖性小，在500nm～650nm的范围下强度差满足20％以内。即可知，如果由该范围的波长进行激发，则能够将荧光强度差抑制为20％以内，波长依赖性小。这表示如果使用白色光源、多种单色光源，则会更进一步提高向近红外光的转换效率。

另一方面，在比较例1中，激发波长的依赖性大，将荧光强度差抑制为20％以内的激发波长带被限在615～680nm这种窄的范围。即，能够利用的激发光源限定于红色光源，向近红外光的转换效率被抑制为较低。

接着，对含有BaCuSi₄O₁₀相的效果进行研究。

图8是示出以将纵轴的激发强度和荧光强度的最大值作为1并进行标准化时的实施例1、实施例2、比较例4的激发光谱和荧光光谱的图

若对照各实施例的XRD图案，则可知随着BaCuSi₄O₁₀相的增加，激发光谱的波长依赖性变大。对此，即使加入比较例1的BaCuSi₄O₁₀单相的结果也不矛盾。

图9是将实施例1、实施例2、比较例4的激发光谱强度和荧光光谱强度进行比较的图。

可知光谱强度高低顺序为实施例2>实施例1>比较例4。如实施例2，通过以BaCuSi₂O₆相为主晶相、并且有意地含有BaCuSi₄O₁₀相，从而580～700nm的范围的激发效率提高、伴随其能够提高荧光强度。但是也确认了，若BaCuSi₄O₁₀相过多，则有时有激发带的波长依赖性变强的倾向。

根据这样的实施例的结果及目前为止发明人进行的各种试验的结果可知，如果增大BaCuSi₂O₆相的比率，则激发光谱的带宽扩大，另一方面有发光强度降低的倾向，因此，从维持发光强度并且扩大激发光谱的带宽的观点出发，优选将BaCuSi₂O₆相作为主晶相，并且含有适当量的BaCuSi₄O₁₀相。换言之，可以认为，2θ处于19.5～20.5°的BaCuSi₄O₁₀衍射线峰的强度I_B与2θ处于23.5～24.5°的BaCuSi₂O₆衍射线峰的强度I_P的强度比为β(＝I_B/I_P)时，优选的范围为0<β≤0.50，其中特别优选为0<β≤0.31，其中进一步优选为0<β≤0.10。实施例1中β＝0.08。

接着，对含有SiO₂相的效果进行研究。

将实施例1、比较例2及3的激发光谱强度和荧光光谱强度进行比较(参照表1)。

光谱强度高为实施例1>比较例2≈比较例3的顺序。与此相对，SiO₂相的含量的多少为比较例3>实施例1>比较例2的顺序。

根据这样的实施例的结果及目前为止发明人进行的各种试验的结果，可以认为，即使不含有SiO₂相，实用上也没有问题，另一方面，含有SiO₂相时，2θ处于20.6°～21.1°的SiO₂衍射线峰的强度I_S与2θ处于23.5°～24.5°的BaCuSi₂O₆衍射线峰的强度I_P的强度比为α(＝I_S/I_P)时，优选的范围为0<α<0.45，其中特别优选为0.1<α或α<0.3。实施例1中α＝0.21。

需要说明的是，由于SiO₂主峰(2θ为26.6°附近)与BaCuSi₂O₆的峰(2θ为27.1°附近)重叠，因此判断为对于强度比的算出是不适当的。

由于Ba、Sr及Ca等碱土金属的性质相似，因此可以认为即使代替Ba或与Ba一起使用Sr或Ca，也能够得到与上述实施例同样的效果。

Claims

1.一种荧光体，其特征在于，包含式(1)：MCuSi₂O₆所示的晶相和式(2)：MCuSi₄O₁₀所示的晶相，并且，

在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中，MCuSi₄O₁₀的衍射峰强度相对于MCuSi₂O₆的衍射峰强度的比率β为0<β≤0.50，

式(1)中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上，式(2)中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其特征在于，还包含SiO₂晶相，并且在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中，SiO₂的衍射峰强度相对于MCuSi₂O₆的衍射峰强度的比率α为0<α<0.45。

3.根据权利要求1或2所述的荧光体，其特征在于，其包含式(1)或式(2)或这两式中的部分Cu被Mg或Zn或这两者置换的化合物，

式(1)：MCuSi₂O₆

式(2)：MCuSi₄O₁₀。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其特征在于，还包含选自由Li、Na、K、B、P、F、Cl、Br及I组成的组中的一种或两种以上的元素0.005～3质量％。

5.一种近红外发光元件，其具备权利要求1～4中任一项所述的荧光体。

6.一种装置，其具备权利要求5所述的近红外发光元件。

7.一种荧光涂料，其含有权利要求1～4中任一项所述的荧光体。

8.一种荧光体印刷物，其使用了权利要求7所述的荧光涂料。