CN107098599A - 双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜及其制备方法，它涉及一种电致变色低辐射玻璃及贴膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有玻璃及贴膜的辐射率高，稳定性差和不能自主调光的问题。双面镀膜电致变色低辐射玻璃由基底、低辐射膜层和电致膜层组成，制备方法：一、基板材料的表面处理；二、低辐射膜层的制备；三、电致变色膜层的制备。双面镀膜电致变色低辐射贴膜由基底、低辐射膜层和电致膜层组成，制备方法：一、基板材料的表面处理；二、低辐射膜层的制备；三、电致变色膜层的制备。本发明可获得双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜。

Description

双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种电致变色低辐射玻璃及贴膜的制备方法。
背景技术
电致变色是指外加电压作用下的材料颜色特性发生可逆改变的现象，在外观上表现为材料颜色和透明度的可逆变化。具有电致变色现象的材料称为电致变色材料。电致变色材料组装成的电致变色变色器件已经有了广泛的应用，如电致变色节能窗、防眩目后视镜、飞机舷窗等。低辐射可以有效降低室内热量向外界辐射，起到保温、节能等作用。
目前已有一些低辐射电致变色玻璃，例如中国发明专利CN103864314A和发明专利CN103304150A，以及中国实用新型专利CN203319860U，这三种电致变色玻璃具有类似的结构，即都是在单一玻璃基底上依次沉积电致变色薄膜，利用电致变色膜层的中的导电层来降低玻璃辐射率，但存在的问题是，在变色的过程中，由于离子的嵌入，电偶极矩在红外产生吸收，导致玻璃的辐射率升高。
发明内容
本发明的目的是要解决现有玻璃及贴膜的辐射率高，稳定性差和不能自主调光的问题，而提供双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜及其制备方法。
双面镀膜电致变色低辐射玻璃由基底、低辐射膜层和电致变色膜层组成；所述的基底为玻璃；所述的基底的一个表面上设有低辐射膜层，基底的另一个表面上设有电致变色膜层；所述的低辐射膜层由内至外依次为第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；所述的电致变色膜层由内至外依次为第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层组成。
双面镀膜电致变色低辐射玻璃的制备方法，具体是按以下步骤完成的：
一、基板材料的表面处理：依次使用丙酮、甲醇和超纯水分别对基板超声清洗5min～10min，再进行烘干，得到清洗后的基板材料；
步骤一中所述的基板为玻璃；
二、低辐射膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的一面依次溅镀第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；
三、电致变色膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的另一面依次溅镀第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层，得到双面镀膜电致变色低辐射玻璃。
双面镀膜电致变色低辐射贴膜由基底、低辐射膜层和电致变色膜层组成；所述的基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜；所述的基底的一个表面上设有低辐射膜层，基底的另一个表面上设有电致变色膜层；所述的低辐射膜层由内至外依次为第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；所述的电致变色膜层由内至外依次为第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层组成。
双面镀膜电致变色低辐射贴膜的制备方法具体是按以下步骤完成的：
一、基板材料的表面处理：依次使用丙酮、甲醇和超纯水分别对基板超声清洗5min～10min，再进行烘干，得到清洗后的基板材料；
步骤一中所述的基板为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜；
二、低辐射膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的一面依次溅镀第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；
三、电致变色膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的另一面依次溅镀第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层，得到双面镀膜电致变色低辐射玻璃。
本发明的原理：
本发明中基底两侧的低辐射膜层和电致变色膜层共同作用，在同一块基板上实现低辐射与电致变色功能，具有优异的节能性能；在低辐射膜层一面，辐射率小于0.15，电致变色膜层的一面褪色透过率为65％，着色透过率为5％；辐射率小于0.25。
本发明可获得双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜。
附图说明
图1为实施例一制备的双面镀膜电致变色低辐射玻璃的结构示意图，图1中0为玻璃，1为第一层氧化铟锡层，2为银层，3为第二层氧化铟锡层，4为第三层氧化铟锡层，5为氧化镍层，6为锂层，7为氧化钨层，8为第四层氧化铟锡层；
图2为实施例一制备的双面镀膜电致变色低辐射玻璃的着色图；
图3为实施例一制备的双面镀膜电致变色低辐射玻璃的的褪色图。
具体实施方式
具体实施方式一：本实施方式是双面镀膜电致变色低辐射玻璃由基底、低辐射膜层和电致变色膜层组成；所述的基底为玻璃；所述的基底的一个表面上设有低辐射膜层，基底的另一个表面上设有电致变色膜层；所述的低辐射膜层由内至外依次为第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；所述的电致变色膜层由内至外依次为第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层组成。
具体实施方式二：本实施方式是：双面镀膜电致变色低辐射玻璃的制备方法具体是按以下步骤完成的：
一、基板材料的表面处理：依次使用丙酮、甲醇和超纯水分别对基板超声清洗5min～10min，再进行烘干，得到清洗后的基板材料；
步骤一中所述的基板为玻璃；
二、低辐射膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的一面依次溅镀第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；
三、电致变色膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的另一面依次溅镀第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层，得到双面镀膜电致变色低辐射玻璃。
本实施方式的原理：
本实施方式中基底两侧的低辐射膜层和电致变色膜层共同作用，在同一块基板上实现低辐射与电致变色功能，具有优异的节能性能；在低辐射膜层一面，辐射率小于0.15，电致变色膜层的一面褪色透过率为65％，着色透过率为5％；辐射率小于0.25。
本实施方式可获得双面镀膜电致变色低辐射玻璃。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式二的不同点是：步骤二中所述的第一层氧化铟锡层的厚度为30nm～300nm；步骤二中所述的银层的厚度为5nm～30nm；步骤二中所述的第二层氧化铟锡层的厚度为30nm～300nm；步骤三中所述的第三层氧化铟锡层的厚度为100nm～400nm；步骤三中所述的氧化镍层的厚度为50nm～300nm；步骤三中所述的锂层的厚度为3nm～30nm；步骤三中所述的氧化钨层的厚度为100nm～500nm；步骤三中所述的第四层氧化铟锡层的厚度为150nm～500nm。其他与具体实施方式二相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式二或三的不同点是：步骤二中所述的第一层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤二中所述的银层的磁控溅射法的参数为：靶材为银靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为3W/cm2，沉积气氛为氩气；步骤二中所述的第二层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5。其他步骤与具体实施方式二或三相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式二至四之一不同点是：步骤三中所述的第三层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的氧化镍层的磁控溅射法的参数为：靶材为镍靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为3W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为1:1；步骤三中所述的锂层的磁控溅射法的参数为：靶材为锂靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的氧化钨层的磁控溅射法的参数为：靶材为钨靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为6W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为1:1；步骤三中所述的第四层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5。其他步骤与具体实施方式二至四相同。
具体实施方式六：本实施方式是双面镀膜电致变色低辐射贴膜由基底、低辐射膜层和电致变色膜层组成；所述的基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜；所述的基底的一个表面上设有低辐射膜层，基底的另一个表面上设有电致变色膜层；所述的低辐射膜层由内至外依次为第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；所述的电致变色膜层由内至外依次为第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层组成。
具体实施方式七：本实施方式是双面镀膜电致变色低辐射贴膜的制备方法，具体是按以下步骤完成的：
一、基板材料的表面处理：依次使用丙酮、甲醇和超纯水分别对基板超声清洗5min～10min，再进行烘干，得到清洗后的基板材料；
步骤一中所述的基板为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜；
二、低辐射膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的一面依次溅镀第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；
三、电致变色膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的另一面依次溅镀第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层，得到双面镀膜电致变色低辐射玻璃。
本实施方式的原理：
本实施方式中基底两侧的低辐射膜层和电致变色膜层共同作用，在同一块基板上实现低辐射与电致变色功能，具有优异的节能性能；在低辐射膜层一面，辐射率小于0.15，电致变色膜层的一面褪色透过率为65％，着色透过率为5％；辐射率小于0.25。
本实施方式可获得双面镀膜电致变色低辐射贴膜。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式七的不同点是：步骤二中所述的第一层氧化铟锡层的厚度为30nm～300nm；步骤二中所述的银层的厚度为5nm～30nm；步骤二中所述的第二层氧化铟锡层的厚度为30nm～300nm；步骤三中所述的第三层氧化铟锡层的厚度为100nm～400nm；步骤三中所述的氧化镍层的厚度为50nm～300nm；步骤三中所述的锂层的厚度为3nm～30nm；步骤三中所述的氧化钨层的厚度为100nm～500nm；步骤三中所述的第四层氧化铟锡层的厚度为150nm～500nm。其他与具体实施方式七相同。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式七或八的不同点是：步骤二中所述的第一层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤二中所述的银层的磁控溅射法的参数为：靶材为银靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为3W/cm2，沉积气氛为氩气；步骤二中所述的第二层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5。其他步骤与具体实施方式七或八相同。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式七至九之一不同点是：步骤三中所述的第三层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的氧化镍层的磁控溅射法的参数为：靶材为镍靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为3W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为1:1；步骤三中所述的锂层的磁控溅射法的参数为：靶材为锂靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的氧化钨层的磁控溅射法的参数为：靶材为钨靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为6W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为1:1；步骤三中所述的第四层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5。其他步骤与具体实施方式七至九相同。
采用以下实施例验证本发明的有益效果：
实施例一：双面镀膜电致变色低辐射玻璃的制备方法，具体是按以下步骤完成的：
一、基板材料的表面处理：依次使用丙酮、甲醇和超纯水分别对基板超声清洗10min，再进行烘干，得到清洗后的基板材料；
步骤一中所述的基板为玻璃；
二、低辐射膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的一面依次溅镀第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；
步骤二中所述的第一层氧化铟锡层的厚度为50nm；
步骤二中所述的银层的厚度为10nm；
步骤二中所述的第二层氧化铟锡层的厚度为100nm；
三、电致变色膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的另一面依次溅镀第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层，得到双面镀膜电致变色低辐射玻璃；
步骤三中所述的第三层氧化铟锡层的厚度为200nm；
步骤三中所述的氧化镍层的厚度为150nm；
步骤三中所述的锂层的厚度为15nm；
步骤三中所述的氧化钨层的厚度为500nm；
步骤三中所述的第四层氧化铟锡层的厚度为250nm；
步骤二中所述的第一层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤二中所述的银层的磁控溅射法的参数为：靶材为银靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为3W/cm2，沉积气氛为氩气；步骤二中所述的第二层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的第三层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的氧化镍层的磁控溅射法的参数为：靶材为镍靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为3W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为1:1；步骤三中所述的锂层的磁控溅射法的参数为：靶材为锂靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的氧化钨层的磁控溅射法的参数为：靶材为钨靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为6W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为1:1；步骤三中所述的第四层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5。
图1为实施例一制备的双面镀膜电致变色低辐射玻璃的结构示意图，图1中0为玻璃，1为第一层氧化铟锡层，2为银层，3为第二层氧化铟锡层，4为第三层氧化铟锡层，5为氧化镍层，6为锂层，7为氧化钨层，8为第四层氧化铟锡层；
图2为实施例一制备的双面镀膜电致变色低辐射玻璃的着色图；
图2为数据相机拍摄的，将实施例一制备的双面镀膜电致变色低辐射玻璃覆盖在哈尔滨工业大学的校徽上，对双面镀膜电致变色低辐射玻璃施加1.5V的着色电压时，电致变色膜层由退色态转变为着色态。
图3为实施例一制备的双面镀膜电致变色低辐射玻璃的的褪色图。
图3为数码相机拍摄的，将实施例一制备的双面镀膜电致变色低辐射玻璃覆盖在哈尔滨工业大学的校徽上，对双面镀膜电致变色低辐射玻璃的电致变色膜层施加反向1.5V褪色电压时，电致变色膜层由着色态转变为褪色态。
实施例一的两侧的低辐射膜层和电致变色膜层共同作用，在同一块基板上实现低辐射与电致变色功能，具有优异的节能性能；在低辐射膜层一面，辐射率小于0.15，电致变色膜层的一面褪色透过率为65％，着色透过率为5％；辐射率小于0.25。

Claims (10)

1.双面镀膜电致变色低辐射玻璃，其特征在于双面镀膜电致变色低辐射玻璃由基底、低辐射膜层和电致变色膜层组成；所述的基底为玻璃；所述的基底的一个表面上设有低辐射膜层，基底的另一个表面上设有电致变色膜层；所述的低辐射膜层由内至外依次为第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；所述的电致变色膜层由内至外依次为第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层组成。
2.如权利要求1所述的双面镀膜电致变色低辐射玻璃，其特征在于双面镀膜电致变色低辐射玻璃的制备方法具体是按以下步骤完成的：
一、基板材料的表面处理：依次使用丙酮、甲醇和超纯水分别对基板超声清洗5min～10min，再进行烘干，得到清洗后的基板材料；
步骤一中所述的基板为玻璃；
二、低辐射膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的一面依次溅镀第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；
三、电致变色膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的另一面依次溅镀第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层，得到双面镀膜电致变色低辐射玻璃。
3.根据权利要求2所述的双面镀膜电致变色低辐射玻璃的制备方法，其特征在于步骤二中所述的第一层氧化铟锡层的厚度为30nm～300nm；步骤二中所述的银层的厚度为5nm～30nm；步骤二中所述的第二层氧化铟锡层的厚度为30nm～300nm；步骤三中所述的第三层氧化铟锡层的厚度为100nm～400nm；步骤三中所述的氧化镍层的厚度为50nm～300nm；步骤三中所述的锂层的厚度为3nm～30nm；步骤三中所述的氧化钨层的厚度为100nm～500nm；步骤三中所述的第四层氧化铟锡层的厚度为150nm～500nm。
4.根据权利要求2所述的双面镀膜电致变色低辐射玻璃的制备方法，其特征在于步骤二中所述的第一层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤二中所述的银层的磁控溅射法的参数为：靶材为银靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为3W/cm2，沉积气氛为氩气；步骤二中所述的第二层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5。
5.根据权利要求2所述的双面镀膜电致变色低辐射玻璃的制备方法，其特征在于步骤三中所述的第三层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的氧化镍层的磁控溅射法的参数为：靶材为镍靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为3W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为1:1；步骤三中所述的锂层的磁控溅射法的参数为：靶材为锂靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的氧化钨层的磁控溅射法的参数为：靶材为钨靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为6W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为1:1；步骤三中所述的第四层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5。
6.双面镀膜电致变色低辐射贴膜，其特征在于双面镀膜电致变色低辐射贴膜由基底、低辐射膜层和电致变色膜层组成；所述的基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜；所述的基底的一个表面上设有低辐射膜层，基底的另一个表面上设有电致变色膜层；所述的低辐射膜层由内至外依次为第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；所述的电致变色膜层由内至外依次为第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层组成。
7.如权利要求6所述的双面镀膜电致变色低辐射贴膜，其特征在于双面镀膜电致变色低辐射贴膜的制备方法具体是按以下步骤完成的：
一、基板材料的表面处理：依次使用丙酮、甲醇和超纯水分别对基板超声清洗5min～10min，再进行烘干，得到清洗后的基板材料；
步骤一中所述的基板为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜；
二、低辐射膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的一面依次溅镀第一层氧化铟锡层、银层和第二层氧化铟锡层；
三、电致变色膜层的制备：使用磁控溅射法，在基板的另一面依次溅镀第三层氧化铟锡层、氧化镍层、锂层、氧化钨层和第四层氧化铟锡层，得到双面镀膜电致变色低辐射玻璃。
8.根据权利要求7所述的双面镀膜电致变色低辐射贴膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述的第一层氧化铟锡层的厚度为30nm～300nm；步骤二中所述的银层的厚度为5nm～30nm；步骤二中所述的第二层氧化铟锡层的厚度为30nm～300nm；步骤三中所述的第三层氧化铟锡层的厚度为100nm～400nm；步骤三中所述的氧化镍层的厚度为50nm～300nm；步骤三中所述的锂层的厚度为3nm～30nm；步骤三中所述的氧化钨层的厚度为100nm～500nm；步骤三中所述的第四层氧化铟锡层的厚度为150nm～500nm。
9.根据权利要求7所述的双面镀膜电致变色低辐射贴膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述的第一层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤二中所述的银层的磁控溅射法的参数为：靶材为银靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为3W/cm2，沉积气氛为氩气；步骤二中所述的第二层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5。
10.根据权利要求7所述的双面镀膜电致变色低辐射贴膜的制备方法，其特征在于步骤三中所述的第三层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的氧化镍层的磁控溅射法的参数为：靶材为镍靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为3W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为1:1；步骤三中所述的锂层的磁控溅射法的参数为：靶材为锂靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5；步骤三中所述的氧化钨层的磁控溅射法的参数为：靶材为钨靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为6W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为1:1；步骤三中所述的第四层氧化铟锡层的磁控溅射法的参数为：靶材为氧化铟锡靶材，溅射类型为直流溅射，沉积气压为3Pa，功率为2.2W/cm2，沉积气氛为氩气和氧气的混合气体，其中氩气与氧气的体积比为100:5。
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